JPH0652708B2 - 投影光学装置 - Google Patents
投影光学装置Info
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- JPH0652708B2 JPH0652708B2 JP59228914A JP22891484A JPH0652708B2 JP H0652708 B2 JPH0652708 B2 JP H0652708B2 JP 59228914 A JP59228914 A JP 59228914A JP 22891484 A JP22891484 A JP 22891484A JP H0652708 B2 JPH0652708 B2 JP H0652708B2
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- optical system
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- monitor light
- projection lens
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、所定の像を投影する投影光学装置にかかるも
のであり、特に、その光学的特性の変化の検出に関する
ものである。
のであり、特に、その光学的特性の変化の検出に関する
ものである。
投影光学装置例えば超LSIの生産工程のリングラフイ装
置として使用される縮小投影型露光装置（以下単に「ス
テツパ」という）では、近年の生産性増強の要求により
スループツトが向上し、このため、単位時間内に投影光
学系を通過する露光光も増加している。この露光光のエ
ネルギーの一部は、投影光学系のレンズに吸収されて熱
となり、レンズの屈折率や形状等に変化を与えることに
なる。かかる熱による光学系の変化が一定以上になる
と、焦点位置や結像倍率などの結像特性に無視しない影
響を与えることになる。
置として使用される縮小投影型露光装置（以下単に「ス
テツパ」という）では、近年の生産性増強の要求により
スループツトが向上し、このため、単位時間内に投影光
学系を通過する露光光も増加している。この露光光のエ
ネルギーの一部は、投影光学系のレンズに吸収されて熱
となり、レンズの屈折率や形状等に変化を与えることに
なる。かかる熱による光学系の変化が一定以上になる
と、焦点位置や結像倍率などの結像特性に無視しない影
響を与えることになる。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その
目的は、光学系の光学特性の変化を随時検出することが
できる投影光学装置を提供することである。
目的は、光学系の光学特性の変化を随時検出することが
できる投影光学装置を提供することである。
本発明の他の目的は、検出した光学特性の変化を是正と
することができる投影光学装置を提供することである。
することができる投影光学装置を提供することである。
本発明は、結像光学系に所定の偏光のモニター光束を入
射する手段と、結像光学系を通過したモニター光束を受
光し、これを電気信号に変換する光電検出手段と、この
手段の出力に基づいて結像光学系の光学特性の変化を検
出する検出手段とを含むことを特徴とするものである。
射する手段と、結像光学系を通過したモニター光束を受
光し、これを電気信号に変換する光電検出手段と、この
手段の出力に基づいて結像光学系の光学特性の変化を検
出する検出手段とを含むことを特徴とするものである。
結像光学系（投影レンズＬ）に熱的要因により光学特性
の変化が生ずると、入射手段（光源14，30，50，70，偏
光板16，32，52，鏡18，36，54，74）によつて結像光学
系に入射したモニター光束（MB）が複屈折により影響を
受ける。これが光電検出手段（光センサ24，42，58，8
4）によつて電気信号に変換され、更には検出手段（演
算装置26，44，60）によつて光学特性の変化が検出され
る。
の変化が生ずると、入射手段（光源14，30，50，70，偏
光板16，32，52，鏡18，36，54，74）によつて結像光学
系に入射したモニター光束（MB）が複屈折により影響を
受ける。これが光電検出手段（光センサ24，42，58，8
4）によつて電気信号に変換され、更には検出手段（演
算装置26，44，60）によつて光学特性の変化が検出され
る。
以下、本発明の実施例について、添付図面を参照しなが
ら説明に説明する。
ら説明に説明する。
第１図には、本発明にかかる投影光学装置の第１実施例
が示されている。この図において、露光対象であるウエ
ハＷは、X,Y,Z方向に移動可能なステージ１０上に載置
されている。このステージ１０は、X,Y方向に移動可能
なＸＹステージ10Aと、Ｚ方向に移動可能なＺステージ1
0Bとによつて構成されている。
が示されている。この図において、露光対象であるウエ
ハＷは、X,Y,Z方向に移動可能なステージ１０上に載置
されている。このステージ１０は、X,Y方向に移動可能
なＸＹステージ10Aと、Ｚ方向に移動可能なＺステージ1
0Bとによつて構成されている。
ウエハＷ上には、投影レンズＬが配置されており、この
投影レンズＬの上方には、マスク（ないしはレチクル）
Ｍを介して露光照射用のコンデンサレンズ１２が配置さ
れている。
投影レンズＬの上方には、マスク（ないしはレチクル）
Ｍを介して露光照射用のコンデンサレンズ１２が配置さ
れている。
露光光は、コンデンサレンズ１２の上方からコンデンサ
レンズ１２に入射し、更には、マスクＭを透過して投影
レンズＬに入射する。この露光光は、投影レンズＬの入
射瞳epを通つてウエハＷに達し、マスクＭのパターンが
ウエハＷ上に投影されることとなる。この露光光束は、
破線ｌで示されている。
レンズ１２に入射し、更には、マスクＭを透過して投影
レンズＬに入射する。この露光光は、投影レンズＬの入
射瞳epを通つてウエハＷに達し、マスクＭのパターンが
ウエハＷ上に投影されることとなる。この露光光束は、
破線ｌで示されている。
次に、光学特性の検出系について説明する。投影レンズ
Ｌの近傍上方には、光源１４が設けられており、この光
源１４から射出されたモニター光束ＭＢは、第１の偏光
板１６及び鏡１８を介して投影レンズＬの入射瞳epに入
射するようになつている。また、投影レンズＬを透過し
たモニター光束ＭＢは、第２の鏡２０及び偏光板２２を
介して光センサ２４に入射するようになつている。これ
らの装置のうち、鏡１８，２０は光路を変更してモニタ
ー光束ＭＢが投影レンズＬ内を通過させるもので、いず
れも露光光束ｌをさえぎることがないようその配置が考
慮されている。偏光板１６は光源１４のモニター光束Ｍ
Ｂを直線偏光するためのもので、偏光板２２は出力調整
のために設られている。すなわち、投影レンズＬに露光
光束ｌが入射されていない熱的に安定した状態におい
て、偏光板２２を回転し、光センサ２４の出力が最小と
なるようにする。
Ｌの近傍上方には、光源１４が設けられており、この光
源１４から射出されたモニター光束ＭＢは、第１の偏光
板１６及び鏡１８を介して投影レンズＬの入射瞳epに入
射するようになつている。また、投影レンズＬを透過し
たモニター光束ＭＢは、第２の鏡２０及び偏光板２２を
介して光センサ２４に入射するようになつている。これ
らの装置のうち、鏡１８，２０は光路を変更してモニタ
ー光束ＭＢが投影レンズＬ内を通過させるもので、いず
れも露光光束ｌをさえぎることがないようその配置が考
慮されている。偏光板１６は光源１４のモニター光束Ｍ
Ｂを直線偏光するためのもので、偏光板２２は出力調整
のために設られている。すなわち、投影レンズＬに露光
光束ｌが入射されていない熱的に安定した状態におい
て、偏光板２２を回転し、光センサ２４の出力が最小と
なるようにする。
次に、光センサ２４は、後述する演算を行う演算装置２
６に接続されており、この演算装置２６は、制御装置２
８を介して駆動モータ３０に接続されている。この駆動
モータ３０は、Ｚステージ10Bを上下方向すなわちＺ方
向に移動させるためのものである。
６に接続されており、この演算装置２６は、制御装置２
８を介して駆動モータ３０に接続されている。この駆動
モータ３０は、Ｚステージ10Bを上下方向すなわちＺ方
向に移動させるためのものである。
次に、上記実施例の全体的動作について説明する。ま
ず、上述したように、偏光板２２を回転させて光センサ
２４の出力が最小となるように調整を行う。この後に、
露光光束ｌが投影レンズＬに入射され、この光束の一部
が吸収されて温度が上昇すると、投影レンズＬの光学的
特性が変化する。
ず、上述したように、偏光板２２を回転させて光センサ
２４の出力が最小となるように調整を行う。この後に、
露光光束ｌが投影レンズＬに入射され、この光束の一部
が吸収されて温度が上昇すると、投影レンズＬの光学的
特性が変化する。
詳述すると、投影レンズＬ内の光学素子に歪みが生じて
いない場合には、当初の状態が保存されており、直線偏
光又は円偏光された光は、そのままの偏光で投影レンズ
Ｌを通過することとなる。しかしながら、露光光束の一
部吸収による発熱があると、光学素子に歪みが生ずるよ
うになり、この歪みは、光学素子に光学的異方性すなわ
ち複屈折性を生じさせる。このため、投影レンズＬを通
過する光ＭＢは楕円偏光となる。この楕円の程度は、光
学素子の歪みの大きさと一義的な関係にある。
いない場合には、当初の状態が保存されており、直線偏
光又は円偏光された光は、そのままの偏光で投影レンズ
Ｌを通過することとなる。しかしながら、露光光束の一
部吸収による発熱があると、光学素子に歪みが生ずるよ
うになり、この歪みは、光学素子に光学的異方性すなわ
ち複屈折性を生じさせる。このため、投影レンズＬを通
過する光ＭＢは楕円偏光となる。この楕円の程度は、光
学素子の歪みの大きさと一義的な関係にある。
楕円偏光されたモニター光束ＭＢは、偏光板２２で直線
偏光に変換されるが、変換後の光強度は、楕円の程度す
なわち光学素子の歪みの程度に対応している。かかる光
強度に対応する信号が光センサ２４から出力される。
偏光に変換されるが、変換後の光強度は、楕円の程度す
なわち光学素子の歪みの程度に対応している。かかる光
強度に対応する信号が光センサ２４から出力される。
第２図(A)には、投影レンズＬに露光光束ｌを入射させ
たときの焦点Ｆの変化△Ｆが示されている。また、同図
(B)には、かかる焦点Ｆの変化に対応する光センサ２４
の出力Ｓが示されている。これら第２図(A)，(B)におい
て、時刻t0ないしt1では、露光光束ｌが投影レンズＬに
入射されていないため、焦点Ｆの変化はなく、△Ｆはゼ
ロである。他方、光センサ２４の出力Ｓは、投影レンズ
Ｌの残留歪の値に対応した値S0となつている。
たときの焦点Ｆの変化△Ｆが示されている。また、同図
(B)には、かかる焦点Ｆの変化に対応する光センサ２４
の出力Ｓが示されている。これら第２図(A)，(B)におい
て、時刻t0ないしt1では、露光光束ｌが投影レンズＬに
入射されていないため、焦点Ｆの変化はなく、△Ｆはゼ
ロである。他方、光センサ２４の出力Ｓは、投影レンズ
Ｌの残留歪の値に対応した値S0となつている。
次に、時刻t1において投影レンズＬに単位時間当り一定
量の露光光束ｌが入射されたとすると、温度上昇により
光学特性が変化し、投影レンズＬの焦点Ｆは、曲線f1に
沿つて変化する。このため、光センサ２４の出力Ｓは、
曲線g1に沿つて曲線f1にほぼ比例して変化することとな
る。そして、一定時間が経過すると、焦点Ｆは一定状態
となり、光センサ２４の出力Ｓも一定状態となる。すな
わち、焦点Ｆは、△Ｚ増大し、出力Ｓは△Ｓ増大するこ
ととなる。
量の露光光束ｌが入射されたとすると、温度上昇により
光学特性が変化し、投影レンズＬの焦点Ｆは、曲線f1に
沿つて変化する。このため、光センサ２４の出力Ｓは、
曲線g1に沿つて曲線f1にほぼ比例して変化することとな
る。そして、一定時間が経過すると、焦点Ｆは一定状態
となり、光センサ２４の出力Ｓも一定状態となる。すな
わち、焦点Ｆは、△Ｚ増大し、出力Ｓは△Ｓ増大するこ
ととなる。
次に、時刻t2で露光光束ｌの投影レンズＬに対する入射
が終わると、温度も下がりはじめ、投影レンズＬの焦点
Ｆは曲線f3に沿つて変化し、光センサ２４の出力Ｓも曲
線g3に沿つて曲線f2にほぼ比例しながら変化することと
なる。
が終わると、温度も下がりはじめ、投影レンズＬの焦点
Ｆは曲線f3に沿つて変化し、光センサ２４の出力Ｓも曲
線g3に沿つて曲線f2にほぼ比例しながら変化することと
なる。
以上のように、投影レンズＬの焦点Ｆの変化と光センサ
２４の出力Ｓの変化とはほぼ比例するので、一定状態で
あるf2，g2のときの焦点変動値△Ｚを、試し露光やある
いは投影レンズＬを通したスルーザレンズの観察光学系
による焦点検出等によつてあらかじめ求め、これに対応
する光センサ２４の出力Ｓの変化△Ｓとに対し、次の係
数Ｋを算出しておく。
２４の出力Ｓの変化とはほぼ比例するので、一定状態で
あるf2，g2のときの焦点変動値△Ｚを、試し露光やある
いは投影レンズＬを通したスルーザレンズの観察光学系
による焦点検出等によつてあらかじめ求め、これに対応
する光センサ２４の出力Ｓの変化△Ｓとに対し、次の係
数Ｋを算出しておく。
そうすれば、この係数Ｋと、光センサ２４の出力Ｓの変
化△Ｓとから焦点Ｆの変動値△Ｚを求めることができ
る。投影レンズＬの倍率変動も同様である。これらの演
算は、演算装置２６によつて行なわれ、光センサ２４の
出力に基づいて投影レンズＬの焦点変化量、倍率変化量
が求められる。そして、これらの変化量は、制御装置２
８に入力され、かかる変化量に対応して駆動モータ３０
が駆動されることとなり、投影レンズＬの光学特性の変
化のうち焦点変動に対応するように、すなわち、常に最
適な結像状態が得られるように、ウエハＷが上下方向に
移動させることとなる。この第１実施例は、ウエハＷへ
の露光作業中においても投影レンズＬの結像特性の変化
をモニターできるという特徴がある。
化△Ｓとから焦点Ｆの変動値△Ｚを求めることができ
る。投影レンズＬの倍率変動も同様である。これらの演
算は、演算装置２６によつて行なわれ、光センサ２４の
出力に基づいて投影レンズＬの焦点変化量、倍率変化量
が求められる。そして、これらの変化量は、制御装置２
８に入力され、かかる変化量に対応して駆動モータ３０
が駆動されることとなり、投影レンズＬの光学特性の変
化のうち焦点変動に対応するように、すなわち、常に最
適な結像状態が得られるように、ウエハＷが上下方向に
移動させることとなる。この第１実施例は、ウエハＷへ
の露光作業中においても投影レンズＬの結像特性の変化
をモニターできるという特徴がある。
次に、第３図を参照しながら、本発明の第２実施例につ
いて説明する。第３図において、投影レンズＬの近傍上
方には、光源３０が設けられており、この光源３０から
射出されたモニター光束は、第１の偏光板３２，ビーム
スプリツター３４及び鏡３６を透過反射して投影レンズ
Ｌに入射するようになつている。投影レンズＬを通過し
たモニター光束は、ステージ１０上に設けられた鏡３８
によつて反射されて投影レンズＬに再び入射し、更に
は、鏡３６及びビームスプリツター３４によつて第２の
偏光板４０に入射する。この偏光板４０を透過した光
は、皮下センサ４２に入射するようになつている。
いて説明する。第３図において、投影レンズＬの近傍上
方には、光源３０が設けられており、この光源３０から
射出されたモニター光束は、第１の偏光板３２，ビーム
スプリツター３４及び鏡３６を透過反射して投影レンズ
Ｌに入射するようになつている。投影レンズＬを通過し
たモニター光束は、ステージ１０上に設けられた鏡３８
によつて反射されて投影レンズＬに再び入射し、更に
は、鏡３６及びビームスプリツター３４によつて第２の
偏光板４０に入射する。この偏光板４０を透過した光
は、皮下センサ４２に入射するようになつている。
光センサ４２は、演算装置４４に接続されており、この
演算装置４４は、制御装置４６に接続されている。
演算装置４４は、制御装置４６に接続されている。
この実施例の基本的な作用は、上述した第１実施例と同
様であるが、投影レンズＬに入射したモニター光束を鏡
３８によつて再び投影レンズＬに入射せしめ、これをビ
ームスプリツター３４で分離する点で異なつている。こ
の実施例によれば、モニター光束がステージ１０上のウ
エハＷを照射する構成となつているため、このモニター
光束とウエハＷとマスクＭのアラメント用のレーザ光と
を兼用することができる。後述する第３実施例について
も同様である。なお、アライメント用のレーザ光は、こ
れによつてウエハＷのマークを照射したときに、そのマ
ークからの散乱光あるいは回折光を投影レンズＬを介し
て検出し、アライメント用のレーザ光のスポツト位置又
はマスクＭの位置に対するウエハＷの位置を検出するも
のである。
様であるが、投影レンズＬに入射したモニター光束を鏡
３８によつて再び投影レンズＬに入射せしめ、これをビ
ームスプリツター３４で分離する点で異なつている。こ
の実施例によれば、モニター光束がステージ１０上のウ
エハＷを照射する構成となつているため、このモニター
光束とウエハＷとマスクＭのアラメント用のレーザ光と
を兼用することができる。後述する第３実施例について
も同様である。なお、アライメント用のレーザ光は、こ
れによつてウエハＷのマークを照射したときに、そのマ
ークからの散乱光あるいは回折光を投影レンズＬを介し
て検出し、アライメント用のレーザ光のスポツト位置又
はマスクＭの位置に対するウエハＷの位置を検出するも
のである。
また、この実施例では、投影レンズＬの下側の機構が簡
単になるという特徴があり、ステージ１０上に設けられ
ている位置合せ用の基準マークないしフイテユーシヤル
マークを有する光反射性の板を鏡３８に兼用できるとい
う利点もある。
単になるという特徴があり、ステージ１０上に設けられ
ている位置合せ用の基準マークないしフイテユーシヤル
マークを有する光反射性の板を鏡３８に兼用できるとい
う利点もある。
なお、本実施例では、マスクＭの下方からモニター光束
を投影レンズＬ内に入射させているが、マスクＭの上方
から入射させるようにしてもよい。後述する第３実施例
についても同様である。
を投影レンズＬ内に入射させているが、マスクＭの上方
から入射させるようにしてもよい。後述する第３実施例
についても同様である。
次に、第４図を参照しながら、本発明の第３実施例につ
いて説明する。第４図において、光源５０は、投影レン
ズＬの近傍上方に設けられており、これから射出された
モニター光束は、偏光板５２を透過して鏡５４により反
射されて投影レンズＬに入射するようになつている。投
影レンズＬを透過したモニター光束は、ステージ１０上
に設けられた偏光板５６を透過して光センサ５８に入射
するようになつている。この光センサ５８は、演算装置
６０に接続され、この演算装置６０は制御装置６２に接
続されている。
いて説明する。第４図において、光源５０は、投影レン
ズＬの近傍上方に設けられており、これから射出された
モニター光束は、偏光板５２を透過して鏡５４により反
射されて投影レンズＬに入射するようになつている。投
影レンズＬを透過したモニター光束は、ステージ１０上
に設けられた偏光板５６を透過して光センサ５８に入射
するようになつている。この光センサ５８は、演算装置
６０に接続され、この演算装置６０は制御装置６２に接
続されている。
この実施例の動作は、上述した第１実施例と同様である
が、偏光板５６及び光センサ５８がステージ１０上に設
けられている点で異なる。この実施例によれば、ステー
ジ１０が走行中のヨーイング等により回転すると、偏光
板５６がｘｙ平面内で回転するようになるが、この回転
程度は１秒程度であるからこれによる検出誤差は十分無
視できる。
が、偏光板５６及び光センサ５８がステージ１０上に設
けられている点で異なる。この実施例によれば、ステー
ジ１０が走行中のヨーイング等により回転すると、偏光
板５６がｘｙ平面内で回転するようになるが、この回転
程度は１秒程度であるからこれによる検出誤差は十分無
視できる。
次に第５図を参照しながら、本発明の第４実施例につい
て説明する。この実施例は、第３図に示した第２実施例
と同様に、投影レンズＬ内に入射したモニター光束を反
射させて再び投影レンズＬ内に入射させるようにしたも
のであるが、モニター光束の反射手段を投影レンズＬ側
に固定したものである。
て説明する。この実施例は、第３図に示した第２実施例
と同様に、投影レンズＬ内に入射したモニター光束を反
射させて再び投影レンズＬ内に入射させるようにしたも
のであるが、モニター光束の反射手段を投影レンズＬ側
に固定したものである。
第５図において、投影レンズＬの近傍上方のうち左側に
は、光源７０が設けられており、この光源７０から射出
されたモニター光束ＭＢは、偏光板７２を介して鏡７４
に入射し、更には鏡７４に反射されて投影レンズＬに入
射するようになつている。
は、光源７０が設けられており、この光源７０から射出
されたモニター光束ＭＢは、偏光板７２を介して鏡７４
に入射し、更には鏡７４に反射されて投影レンズＬに入
射するようになつている。
投影レンズＬに入射したモニター光束ＭＢは、入射瞳ep
を透過して第５図の実線矢印で示すように進行するが、
投影レンズＬの出射側には、鏡７６，７８が設られてお
り、これによつて投影レンズＬを透過したモニター光Ｍ
Ｂが垂直に90゜づつ反射され、再び投影レンズ内に入射
するようになつている。
を透過して第５図の実線矢印で示すように進行するが、
投影レンズＬの出射側には、鏡７６，７８が設られてお
り、これによつて投影レンズＬを透過したモニター光Ｍ
Ｂが垂直に90゜づつ反射され、再び投影レンズ内に入射
するようになつている。
再度投影レンズＬ内に入射したモニター光は、投影レン
ズＬ内を透過し、鏡８０によつて反射され、偏光板８２
を介して光センサ８４に入射するようになつている。な
お、鏡74，76，78，80は露光光束ｌをさえぎらないよう
に配置されることが好ましい。また、鏡７６，７８は、
投影レンズＬに一体に配置すると都合がよい。
ズＬ内を透過し、鏡８０によつて反射され、偏光板８２
を介して光センサ８４に入射するようになつている。な
お、鏡74，76，78，80は露光光束ｌをさえぎらないよう
に配置されることが好ましい。また、鏡７６，７８は、
投影レンズＬに一体に配置すると都合がよい。
この実施例では、前述した第２実施例と同様に反射式で
あるため、モニター光束ＭＢは、投影レンズＬを２回通
過することとなる。このため、検出の感度が２倍になる
という効果がある。また、第２実施例と比較して、再度
モニター光束ＭＢを投影レンズＬ内に入射させる反射手
段がステージ１０上には配置されていないので、露光作
業中であつても光学特性の変化の検出動作を行うことが
でき、リアルタイムで光学特性の修正あるいはウエハＷ
の移動を行うことができる。
あるため、モニター光束ＭＢは、投影レンズＬを２回通
過することとなる。このため、検出の感度が２倍になる
という効果がある。また、第２実施例と比較して、再度
モニター光束ＭＢを投影レンズＬ内に入射させる反射手
段がステージ１０上には配置されていないので、露光作
業中であつても光学特性の変化の検出動作を行うことが
でき、リアルタイムで光学特性の修正あるいはウエハＷ
の移動を行うことができる。
また、モニター光束ＭＢの投影レンズＬ内における往路
と複路とが異なるため、光学素子の比較的広い領域にお
ける歪みの状態を検出することができるという利点があ
る。
と複路とが異なるため、光学素子の比較的広い領域にお
ける歪みの状態を検出することができるという利点があ
る。
なお、この実施例では、鏡76，78の２つによつてモニタ
ー光束ＭＢを反射するようにしたが、鏡７６のみを投影
レンズＬに一体に形成し、これによつてモニター光束Ｍ
Ｂを投影レンズＬ内に反射するようにしてもよい。
ー光束ＭＢを反射するようにしたが、鏡７６のみを投影
レンズＬに一体に形成し、これによつてモニター光束Ｍ
Ｂを投影レンズＬ内に反射するようにしてもよい。
次に、投影レンズＬの光学特性に変化が認められた場合
の是正方法について説明する。
の是正方法について説明する。
まず、焦点に変動が生じた場合の是正方法としては、第
１図に示した実施例のように、ウエハＷを上下させる方
法がある。そしてこの場合に、投影レンズＬとウエハＷ
との間隔を計測するセンサー手段があるときには、適当
なオフセットをかけることにより合焦として検出される
零点を焦点の変動に追従させるようにする。
１図に示した実施例のように、ウエハＷを上下させる方
法がある。そしてこの場合に、投影レンズＬとウエハＷ
との間隔を計測するセンサー手段があるときには、適当
なオフセットをかけることにより合焦として検出される
零点を焦点の変動に追従させるようにする。
次に倍率に変動が生じた場合の是正方法としては、まず
投影レンズＬとマスクＭとの間隔を変える方法がある。
この方法では、焦点位置も補正する必要がある。次に、
ウエハホルダー内に発熱・冷却素子を埋設してウエハＷ
を熱的に伸縮させるかあるいはマスクＭを伸縮させる方
法がある。
投影レンズＬとマスクＭとの間隔を変える方法がある。
この方法では、焦点位置も補正する必要がある。次に、
ウエハホルダー内に発熱・冷却素子を埋設してウエハＷ
を熱的に伸縮させるかあるいはマスクＭを伸縮させる方
法がある。
そして、いずれの変動にも適用できる方法としては、ま
ず、投影レンズを構成する光学レンズ間の空気間隔内の
気体の圧力を調整する方法がある。また、投影レンズＬ
の全体の温度を発熱・冷却素子によつて調整する方法が
ある。
ず、投影レンズを構成する光学レンズ間の空気間隔内の
気体の圧力を調整する方法がある。また、投影レンズＬ
の全体の温度を発熱・冷却素子によつて調整する方法が
ある。
実用的には、ウエハＷを上下させる方法、光学レンズ間
の空気間隔内の圧力を調整する方法がすぐれている。特
にこの圧力調整の方法は、機械的な移動を伴うことな
く、また応答性がよいので、高精度で再現性よく微小量
の補正を簡易に行うことができる。以下、これらの方法
を、第６図及び第７図を参照しながら説明する。
の空気間隔内の圧力を調整する方法がすぐれている。特
にこの圧力調整の方法は、機械的な移動を伴うことな
く、また応答性がよいので、高精度で再現性よく微小量
の補正を簡易に行うことができる。以下、これらの方法
を、第６図及び第７図を参照しながら説明する。
第６図は、ウエハＷの上下方向の位置を検出する装置の
一例を示すもので、特開昭５６−４２２０５号会報に開
示されているものである。この第６図において、ウエハ
Ｗは、上下方向すなわちＺ方向（第１図参照）に移動可
能なＺステージ１０Ｂ上に載置されている。ウエハＷの
上方には、投影レンズＬがあるが、この投影レンズＬの
両側近傍には、ウエハＷ上にスリツト像を斜め方向から
投影する投光器１００と、このスリツト像のウエハＷに
よる反射像を受光し、この受光位置に応じたアナログ的
な検出信号を出力する受光器１０２とが各々配置されて
いる。受光器１０２は、前記スリツト像の反射像を受光
するスリツトと、このスリツトの透過光を光電検出する
受光素子とを含み、反射像とスリツトは相対的に振動走
査され、光電信号に一定の変調が行なわれており、同期
検波して検出されるようになつている。受光器102は、
サーボ制御回路104に接続されている。
一例を示すもので、特開昭５６−４２２０５号会報に開
示されているものである。この第６図において、ウエハ
Ｗは、上下方向すなわちＺ方向（第１図参照）に移動可
能なＺステージ１０Ｂ上に載置されている。ウエハＷの
上方には、投影レンズＬがあるが、この投影レンズＬの
両側近傍には、ウエハＷ上にスリツト像を斜め方向から
投影する投光器１００と、このスリツト像のウエハＷに
よる反射像を受光し、この受光位置に応じたアナログ的
な検出信号を出力する受光器１０２とが各々配置されて
いる。受光器１０２は、前記スリツト像の反射像を受光
するスリツトと、このスリツトの透過光を光電検出する
受光素子とを含み、反射像とスリツトは相対的に振動走
査され、光電信号に一定の変調が行なわれており、同期
検波して検出されるようになつている。受光器102は、
サーボ制御回路104に接続されている。
サーボ制御回路104には、上述した実施例の演算装置2
6，44，60からの信号Ｄが入力されており、その出力
は、Ｚステージ１０Ｂの駆動モータ３０に対して行なわ
れているようになつている。
6，44，60からの信号Ｄが入力されており、その出力
は、Ｚステージ１０Ｂの駆動モータ３０に対して行なわ
れているようになつている。
以上のような構成において、投影レンズＬが露光光束ｌ
の照射を受けず、安定した初期の状態にあるときに投影
レンズＬの結像面とウエハＷの表面とが一致すると、受
光器102から出力されるアナログ的な検波信号は零にな
るように調整される。サーボ制御回路104は、受光器102
からの検波信号を受けて駆動モータ３０を駆動し、かか
る検波信号が常に零になるようにＺステージ１０Ｂを上
下に移動させる。
の照射を受けず、安定した初期の状態にあるときに投影
レンズＬの結像面とウエハＷの表面とが一致すると、受
光器102から出力されるアナログ的な検波信号は零にな
るように調整される。サーボ制御回路104は、受光器102
からの検波信号を受けて駆動モータ３０を駆動し、かか
る検波信号が常に零になるようにＺステージ１０Ｂを上
下に移動させる。
演算装置24，44，60からの信号Ｄは第２図(B)で説明し
たような特性を有し、この信号Ｄは、オフセット値とし
てサーボ制御回路104に入力される。このため、サーボ
制御回路104は、かかるオフセツトのもとに駆動モータ
３０を駆動してＺステージ１０Ｂの上下動を行うため、
投影レンズＬの焦点位置の変動にウエハＷの位置が追従
するようになる。
たような特性を有し、この信号Ｄは、オフセット値とし
てサーボ制御回路104に入力される。このため、サーボ
制御回路104は、かかるオフセツトのもとに駆動モータ
３０を駆動してＺステージ１０Ｂの上下動を行うため、
投影レンズＬの焦点位置の変動にウエハＷの位置が追従
するようになる。
なお、演算装置から出力される変動情報Ｄに応じて投光
器100からのスリツト像の結像位置を、例えば平行平板
ガラスの傾きを変えること等によつて投影レンズＬの光
軸方向にずらすようにしても同様の効果を得ることがで
きる。
器100からのスリツト像の結像位置を、例えば平行平板
ガラスの傾きを変えること等によつて投影レンズＬの光
軸方向にずらすようにしても同様の効果を得ることがで
きる。
第７図は、レンズ間の空隙の圧力調整を行うものであ
る。第７図において、投影レンズＬ内に設けられている
レンズ素子G1，G2によつて挾まれた空気室A0を密封し、
この空気室A0に外部よりパイプ110を介して所定の圧力
の気体例えばドライエアを供給する。パイプ110に接続
されたエアタンク112 には、電磁弁（又はニードル弁）
114を有するパイプ116と、電磁弁（又はニードル弁）11
8を有するパイプ120が接続されており、また、圧力計12
2が設けられている。電磁弁114，118及び圧力計122は、
圧力制御回路124に各々接続されており、この圧力制御
回路124には、演算装置26，44，60からの信号Ｄが入力
されている。
る。第７図において、投影レンズＬ内に設けられている
レンズ素子G1，G2によつて挾まれた空気室A0を密封し、
この空気室A0に外部よりパイプ110を介して所定の圧力
の気体例えばドライエアを供給する。パイプ110に接続
されたエアタンク112 には、電磁弁（又はニードル弁）
114を有するパイプ116と、電磁弁（又はニードル弁）11
8を有するパイプ120が接続されており、また、圧力計12
2が設けられている。電磁弁114，118及び圧力計122は、
圧力制御回路124に各々接続されており、この圧力制御
回路124には、演算装置26，44，60からの信号Ｄが入力
されている。
パイプ116は、外部らエアをエアタンク112内に送り込む
もので、パイプ120は、エアタンク112内のエアを外部に
排気するためのものである。圧力制御回路124は、演算
装置26，44，60から入力される信号Ｄに基づいて電磁弁
114，118の開閉を制御する。これによつてエアタンク11
2内の圧力が変化すると、このエアタンク112にパイプ11
0によつて接続されている空気室A0の圧力も変化するこ
ととなる。空気室A0の圧力が変化すると、投影レンズＬ
全体の光学的特性、特に倍率や焦点（結像面の位置）が
微小量だけ変化することとなる。この光学的特性の変化
と、空気室A0の圧力とは一義的な関係にある。この光学
的特性が変化すると、演算装置26，44，60の信号Ｄも変
化する。従つて、信号Ｄが初期の値に維持されるように
空気室A0内の圧力をフイードバツク制御する。この方式
では、リアルタイムで投影レンズＬの光学的特性を一定
の値に維持したり、是正したりできる。
もので、パイプ120は、エアタンク112内のエアを外部に
排気するためのものである。圧力制御回路124は、演算
装置26，44，60から入力される信号Ｄに基づいて電磁弁
114，118の開閉を制御する。これによつてエアタンク11
2内の圧力が変化すると、このエアタンク112にパイプ11
0によつて接続されている空気室A0の圧力も変化するこ
ととなる。空気室A0の圧力が変化すると、投影レンズＬ
全体の光学的特性、特に倍率や焦点（結像面の位置）が
微小量だけ変化することとなる。この光学的特性の変化
と、空気室A0の圧力とは一義的な関係にある。この光学
的特性が変化すると、演算装置26，44，60の信号Ｄも変
化する。従つて、信号Ｄが初期の値に維持されるように
空気室A0内の圧力をフイードバツク制御する。この方式
では、リアルタイムで投影レンズＬの光学的特性を一定
の値に維持したり、是正したりできる。
なお、以上の実施例においては、適宜の光源と偏光板の
組み合せで直線偏光モニター光束を得ているが、半導体
レーザやHe−Ｎｅレーザなどのように、出力光が直線偏
光である光源を用いるようにすれば、投影レンズに対し
て入射側の偏光板は不要となる。また、上記実施例で
は、各々１本のモニター光束によつて光学特性の変化を
検出するようになつているが、複数のモニター光束と、
これらを検知するセンサ手段を複数用い、これらの出力
のリニアコンビネーション等の演算を行うことによつて
光学特性の変化の検出精度を向上させることができる。
組み合せで直線偏光モニター光束を得ているが、半導体
レーザやHe−Ｎｅレーザなどのように、出力光が直線偏
光である光源を用いるようにすれば、投影レンズに対し
て入射側の偏光板は不要となる。また、上記実施例で
は、各々１本のモニター光束によつて光学特性の変化を
検出するようになつているが、複数のモニター光束と、
これらを検知するセンサ手段を複数用い、これらの出力
のリニアコンビネーション等の演算を行うことによつて
光学特性の変化の検出精度を向上させることができる。
モニター光束の波長としては、投影レンズを通過するも
のであればいずれの波長であつてもよいが、フォトレジ
ストに対して反応しない波長であれば、露光時の結像の
外乱とならないので好ましいものとなる。なお、モニタ
ー光束の吸収による光学特性の変化が生じないように、
モニター光束の投影レンズによる吸収が露光光束の吸収
に比べて十分小さいようにすることが好ましい。この場
合。モニター光束の検出光量が小さくなつてS/N比の低
下を伴うことになるが、モニター光に一定の輝度変調を
行なうようにし、これを復調して検出するようにすれ
ば、S/N比を改善することができる。
のであればいずれの波長であつてもよいが、フォトレジ
ストに対して反応しない波長であれば、露光時の結像の
外乱とならないので好ましいものとなる。なお、モニタ
ー光束の吸収による光学特性の変化が生じないように、
モニター光束の投影レンズによる吸収が露光光束の吸収
に比べて十分小さいようにすることが好ましい。この場
合。モニター光束の検出光量が小さくなつてS/N比の低
下を伴うことになるが、モニター光に一定の輝度変調を
行なうようにし、これを復調して検出するようにすれ
ば、S/N比を改善することができる。
また、モニター光束の光源における強度は一定に保たれ
るのが望ましいが、変動がある場合には、ビームスプリ
ツター等を使用して投影レンズに入射する前のモニター
光束の強度を検出し、この強度とセンサ手段による検出
信号との比をとるようにすれば強度変動による検出誤差
の発生を防止することができる。
るのが望ましいが、変動がある場合には、ビームスプリ
ツター等を使用して投影レンズに入射する前のモニター
光束の強度を検出し、この強度とセンサ手段による検出
信号との比をとるようにすれば強度変動による検出誤差
の発生を防止することができる。
更に、上記実施例では、直線偏光のモニター光束を用い
ているが、例えば４分の１波長板を用いて円偏光のモニ
ター光束を用いるようにしてもよい。この場合には、受
光手段の前段に４分の１波長板を設けて円偏光のモニタ
ー光束を直線偏光に近い状態に戻し、その後に光電変換
を行うようにする。
ているが、例えば４分の１波長板を用いて円偏光のモニ
ター光束を用いるようにしてもよい。この場合には、受
光手段の前段に４分の１波長板を設けて円偏光のモニタ
ー光束を直線偏光に近い状態に戻し、その後に光電変換
を行うようにする。
上記実施例及び変形例は、いずれもステツパーの場合で
あるが、本発明は何らこれに限定されるものではなく、
その他の光学装置に対しても適用されるものである。そ
の他、光学系の光学的特性が許容値以上となつた場合に
は、装置の動作を停止させたり、あるいは警報を出すよ
うにしてもよい。また、上記実施例は、露光光束の吸収
による熱的な光学特性の変化に着目しているが、環境温
度や大気圧の急激な変化あるいは外部からの衝撃に基づ
く光学特性の変化のモニターにも本発明は適用し得るも
のである。
あるが、本発明は何らこれに限定されるものではなく、
その他の光学装置に対しても適用されるものである。そ
の他、光学系の光学的特性が許容値以上となつた場合に
は、装置の動作を停止させたり、あるいは警報を出すよ
うにしてもよい。また、上記実施例は、露光光束の吸収
による熱的な光学特性の変化に着目しているが、環境温
度や大気圧の急激な変化あるいは外部からの衝撃に基づ
く光学特性の変化のモニターにも本発明は適用し得るも
のである。
以上説明したように、本発明による投影光学装置によれ
ば、適用な偏光を受けたモニター光束を対象となる光学
系に通過させ、このモニター光束の変化から対象となる
光学系の光学特性の変化を検出するようにしたので、光
学系の使用時における熱的変化に伴う焦点変動や倍率変
動等を随時検出することができ、また必要に応じてかか
る光学特性の変化に対応する制御あるいは光学特性の変
化を修正する制御をリアルタイムで行うことができると
いう効果がある。
ば、適用な偏光を受けたモニター光束を対象となる光学
系に通過させ、このモニター光束の変化から対象となる
光学系の光学特性の変化を検出するようにしたので、光
学系の使用時における熱的変化に伴う焦点変動や倍率変
動等を随時検出することができ、また必要に応じてかか
る光学特性の変化に対応する制御あるいは光学特性の変
化を修正する制御をリアルタイムで行うことができると
いう効果がある。
第１図は本発明にかかる投影光学装置の一実施例を示す
説明図、第２図(A)，(B)は第１図に示す装置における焦
点Ｆの変化例と、対応するセンサの出力信号Ｓの変化例
を示すグラフ、第３図は本発明の第２実施例を示す説明
図、第４図は本発明の第３実施例を示す説明図、第５図
は本発明の第４実施例を示す説明図、第６図はウエハを
上下動させる手段の一例を示すブロツク図、第７図は光
学素子の光学特性を是正する手段の一例を示すブロツク
図である。 14，30，50，70……光源、16，22，3240，52，56，72，
82……偏光板、18，20，36，38，54，74，80……鏡、2
4，42，58，84……光センサ、26，44，60……演算装
置、Ｌ……投影レンズ、ＭＢ……モニター光束。
説明図、第２図(A)，(B)は第１図に示す装置における焦
点Ｆの変化例と、対応するセンサの出力信号Ｓの変化例
を示すグラフ、第３図は本発明の第２実施例を示す説明
図、第４図は本発明の第３実施例を示す説明図、第５図
は本発明の第４実施例を示す説明図、第６図はウエハを
上下動させる手段の一例を示すブロツク図、第７図は光
学素子の光学特性を是正する手段の一例を示すブロツク
図である。 14，30，50，70……光源、16，22，3240，52，56，72，
82……偏光板、18，20，36，38，54，74，80……鏡、2
4，42，58，84……光センサ、26，44，60……演算装
置、Ｌ……投影レンズ、ＭＢ……モニター光束。
Claims (5)
- 【請求項１】所望のパターン像を結像光学系により被投
影面上に所定の結像条件で投影する投影光学装置におい
て、 予め定められた偏光状態のモニター光束を前記結像光学
系に入射させるモニター光投射手段と； 前記結像光学系を通った前記モニター光束を受光し、前
記結像光学系を構成する光学素子の光学的異方性の変化
によって生じる前記モニター光束の所定の偏光状態から
のずれに対応した光電信号を出力する光電検出手段と； 該光電信号に基づいて、前記光学素子の光学的異方性の
変化に対応した前記結像光学系の光学特性の変化を計測
する計測手段と； を備えたことを特徴とする投影光学装置。 - 【請求項２】前記モニター光投影手段は、直線偏光のモ
ニター光束を前記結像光学系へ投射し； 前記光電検出手段は、受光するモニター光束のうち直線
偏光成分を取り出す偏光板と、該取り出された直線偏光
成分の光量に応じた光電信号を出力する光電変換器とを
有し； 前記偏光板は、前記結像光学系の光学素子の光学的異方
性が初期状態のとき、前記取り出された直線偏光成分の
光量が最小となるように調整されている； ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の投影光
学装置。 - 【請求項３】前記計測手段は、予め定められている前記
光電信号の変化量と前記結像光学系の光学特性の変化量
との関係を表す係数を用いて、前記結像光学系の光学特
性の変化量を算出する演算器を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の投影光学装
置。 - 【請求項４】前記計測手段は、計測された前記結像光学
系の光学特性の変化が許容値以上になったときに警報を
発することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第３
項に記載の投影光学装置。 - 【請求項５】所望のパターン像を結像光学系により被投
影面上に所定の結像条件で投影する投影光学装置におい
て、 予め定められた偏光状態のモニター光束を前記結像光学
系に入射させるモニター光投影手段と； 前記結像光学系を通った前記モニター光束を受光し、前
記結像光学系を構成する光学素子の光学的異方性の変化
によって生ずる前記モニター光束の所定の偏光状態から
のずれに対応した光電信号を出力する光電検出手段と； 該光電信号に基づいて、前記光学素子の光学的異方性の
変化に対応した前記結像光学系の光学特性の変化を計測
する計測手段と； 該計測された光学特性の変化に基づいて、前記被投影面
上に投影されるパターン像の結像条件を調整する調整手
段と； を備えたことを特徴とする投影光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228914A JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
| US06/792,764 US4701606A (en) | 1984-11-01 | 1985-10-30 | Projection optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228914A JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109053A JPS61109053A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH0652708B2 true JPH0652708B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=16883829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228914A Expired - Lifetime JPH0652708B2 (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 投影光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701606A (ja) |
| JP (1) | JPH0652708B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4945220A (en) * | 1988-11-16 | 1990-07-31 | Prometrix Corporation | Autofocusing system for microscope having contrast detection means |
| US5072126A (en) * | 1990-10-31 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens |
| US5674652A (en) * | 1991-02-28 | 1997-10-07 | University Of New Mexico | Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
| DE69530757T2 (de) * | 1994-01-24 | 2004-03-18 | Asml Holding, N.V. | Gitter-gitter interferometrisches ausrichtsystem |
| KR0156800B1 (ko) * | 1995-02-10 | 1998-12-15 | 이대원 | 레이저 다이오드를 이용한 자동 초점 조절 장치 |
| JPH10116766A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TW398029B (en) | 1997-04-18 | 2000-07-11 | Nikon Corp | Exposure device, method of manufacturing the same and the electric circuit |
| WO1998048452A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Nikon Corporation | Method and device for exposure control, method and device for exposure, and method of manufacture of device |
| US5898479A (en) * | 1997-07-10 | 1999-04-27 | Vlsi Technology, Inc. | System for monitoring optical properties of photolithography equipment |
| JP4026943B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO1999052130A1 (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method of producing the same, device, and method of fabricating the same |
| US6020966A (en) * | 1998-09-23 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced optical detection of minimum features using depolarization |
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| US6057914A (en) * | 1999-04-09 | 2000-05-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for detecting and identifying a lens aberration by measurement of sidewall angles by atomic force microscopy |
| JP3774590B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
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| JP3869999B2 (ja) | 2000-03-30 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および半導体デバイス製造方法 |
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| KR20040015251A (ko) | 2001-05-15 | 2004-02-18 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템 |
| DE10162796B4 (de) * | 2001-12-20 | 2007-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren |
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| US6828542B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
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1985
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