JPH0652845B2 - 伝送線路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波回路で使用する線路であって、一定
のインピーダンスを保つようにされたコプレナ型の伝送
線路に関するものである。

［従来の技術］ 従来、第６図に示すようなＦＥＴＱ_１を用いた構成の入
力回路をコプレナ型の伝送線路で構成する場合、第７図
に示すような構成で実現している。第６図において、Ｉ
は入力端、Ｃ_１はコンデンサ、Ｑ_１はＦＥＴ、Ｒ_１は終
端抵抗器である。また、第７図において、第６図と同一
符号は同一部分を示し、１は前記入力端Ｉとなる中心導
体、２は接地端となる接地導体、４は接続ワイヤ、５は
誘電体基板である。

第６図の入力回路では入力端Ｉに入力された信号が、コ
ンデンサＣ_１にて直流成分をカットされ、その後終端抵
抗器Ｒ_１で終端されてＦＥＴＱ_１のゲートに入力されて
いる。

第７図のコプレナ型の伝送線路（以下単に伝送線路とい
う）では、中心導体１に信号が入力される構成となって
おり、中心導体１のパタン幅と、中心導体１と接地導体
２との間隔は主に伝送線路のインピーダンスによって決
まる。そしてここでは、中心導体１のパタンの一部をカ
ットして、コンデンサＣ_１をマウントし、終端抵抗器Ｒ
_１を中心導体１の右端部に形成している。

すなわち、伝送線路は途中で直流的に遮断（交流的には
導通している）された後に、終端抵抗器Ｒ_１によって交
流的に終端されている。そして、この伝送線路の終端抵
抗器Ｒ_１付近の中心導体１よりボンディングにてＦＥＴ
Ｑ_１への接続を行っている。なお、第７図中の符号を入
れていない斜線部分は絶縁部材を示す。以下に示す各図
とも同様である。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような第６図に示す入力回路を実現するための従
来の伝送線路は、終端抵抗器Ｒ_１がコンデンサＣ_１の後
に入った構成となっているため、直流的に終端する必要
のない交流増幅器等の場合には使用できたが、パルス回
路等直流的に終端しなければパルス波形を忠実に伝送で
きないような場合には使用できなかった。このため終端
抵抗器Ｒ_１がコンデンサＣ_１の前に入った構成の回路を
コプレナ型の伝送回路で実現する必要があるが、従来は
これを広帯域で高周波特性を良く実現した伝送線路がな
かった。

すなわち、第８図に示す入力回路を実現する伝送線路と
しては、第９図に示す構成の伝送線路が考えられるが、
次のような問題点があった。

２つの終端抵抗器Ｒ_１（それぞれ第８図のＲ_１の２倍の
抵抗値）で終端された伝送線路に、さらにコンデンサＣ
_１および接続ワイヤ４を接続するための別の伝送線路が
必要となる。この伝送線路は、線路長としては短いもの
であるが、高周波的には終端された伝送線路と一体なも
のとはいえないために、いろいろな性能の低下を招く。
具体的には、パルス波形にリンギングが生じたり、また
入力インピーダンスが高周波域で悪化したりする。

この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、終端抵抗器をコンデンサの前に持ってきた回路構
成で、かつ広帯域で高周波特性の良いコプレナ型の伝送
線路を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明にかかる伝送線路は、中心導体と接地導体間に
終端抵抗器が接続され、入力信号を一定のインピーダン
スを保ちながら伝送するコプレナ型の伝送線路におい
て、中心導体内に島状の導体を形成し、この島状の導体
の終端抵抗器側を他方の電極が中心導体に接続されたコ
ンデンサの電極に接続し、反対側を他方の電極が同じく
中心導体に接続され、前記コンデンサよりも小寸法に形
成された高周波特性の良いコンデンサの電極に接続した
ものである。

すなわち、この発明はコプレナ型の伝送線路（以下、単
に伝送線路という）のインピーダンスは、上述したよう
に、中心導体のパターン幅および中心導体と接地導体と
の間隔によって決定されるために、中心導体内に直流的
には遮断されているが、高周波的に導通となるような島
状の導体を形成しても、伝送線路の高周波的なインピー
ダンスは影響されないという点に着眼したものである。

島状の導体の両端に接続されたコンデンサは、高周波的
に中心導体と島状の導体とを導通にするものである。

このような構成によって、終端された伝送線路以外に、
従来の問題点であった別の伝送線路を設けるということ
を回避したものである。

〔作用〕

この発明においては、中心導体から入力された信号が終
端抵抗器で終端されたのち、低周波の信号は中心導体に
接続されたコンデンサ，島状の導体を通過し、高周波の
信号は中心導体から小寸法で残留インダクタンス等の少
ない、すなわち高周波特性の良いコンデンサを通過して
伝送される。

〔実施例〕

第１図はこの発明の伝送線路の一実施例の構成を示す図
である。

第１図において、第７図と同一符号は同一部分を示し、
３は前記中心導体１内に形成した島状の導体、Ｃ_2aは容
量は小さいが高周波特性の良いコンデンサ，Ｃ_2b波高周
波特性は良くないが容量の大きい積層形コンデンサであ
る（これは容量が大であれば良く、積層形に限らな
い）。また、第２図は第１図に示したコプレナ型の伝送
線路の等価回路図である。

ここでは中心導体１のパタン幅を途中狭くしたのち再び
広くして、終端抵抗器Ｒ_１，他端が島状の導体３に接続
された積層形コンデンサＣ_2bに接続しており、伝送線路
のインピーダンスは主に中心導体１とこれを取り巻く接
地導体２との間隔の比によって一定値が保てるように設
定されている。これは、コンデンサＣ_2aと島状の導体
３，ＦＥＴＱ_１との接続がコンデンサＣ_2aからの接続ワ
イヤ４により接続されるが、コンデンサＣ_2aが小形で中
心導体１のこの付近の幅を狭くすることができるためで
あり、ＦＥＴＱ_１を近くヘマウントすることができる。
したがって、接続ワイヤ４の長さが短くてすみ、高周波
特性を良くすることができる。

そして、高周波の信号は主に中心導体１からコンデンサ
Ｃ_2aを介してＦＥＴＱ_１へ伝送され、低周波の信号は主
に中心導体１，積層形コンデンサＣ_2b，島状の導体３，
コンデンサＣ_2aの電極を介してＦＥＴＱ_１へ伝送され
る。この際、コンデンサＣ_2aと積層形コンデンサＣ_2bの
距離は低周波においては問題にはならない。さらにここ
ではコンデンサＣ_2aを積層形コンデンサＣ_2bより小さく
して残留インダクタンス等を少なくすることにより、上
限周波数を伸ばしている。

また、第３図は第１図に示すた伝送線路において積層形
コンデンサＣ_2bの大容量化を図った他の実施例の構成を
示す図で、この実施例では分岐した２個の終端抵抗器Ｒ
_２とともに２個の積層形コンデンサＣ_2bをマウントして
おり、このようにすることによって任意のレイアウトで
設計することができる。

また、第４図に示し実施例は、第１図の実施例がコンデ
ンサＣ_2aと積層形コンデンサＣ_2b間の島状の導体３の距
離が長くなりすぎて、ある周波数で共振するのを防止す
るために、抵抗器Ｒ_３を島状の導体３の中に挿入したも
のである。

さらに、第５図に示す実施例は大容量の積層形コンデン
サＣ_2bを１個だけ用いて実現したもので、高周波特性を
それほど問題にしない場合のみ用いることができる。さ
らに、上記実施例では中心導体１が曲線部を有する構成
としたが、この発明はこれに限定されるものではない。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、中心導体と接地導体間
に終端抵抗器が接続され、入力信号を一定のインピーダ
ンスを保ちながら伝送するコプレナ型の伝送線路におい
て、中心導体内に島状の導体を形成し、この島状の導体
の前記終端抵抗器側を他方の電極が中心導体に接続され
たコンデンサの電極に接続し、反対側を他方の電極が同
じく中心導体に接続され、前記コンデンサよりも小寸法
で高周波特性の良い、すなわち残留インダクタンス等の
少ないコンデンサに接続したので、広帯域で高周波特性
の良い伝送線路を得られる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の伝送線路の一実施例の構成を示す
図、第２図は第１図に示した伝送線路の等価回路図、第
３図，第４図，第５図はこの発明の他の実施例の構成を
それぞれ示す図、第６図，第８図は従来の入力回路を示
す図、第７図，第９図は従来のコプレナ型の伝送線路の
構成を示す図である。 図中、１は中心導体、２は接地導体、３は島状の導体、
４は接続ワイヤ、５は誘電体基板、Ｃ_2aはコンデンサ、
Ｃ_2bは積層形コンデンサ、Ｑ_１はＦＥＴ、Ｒ_１，Ｒ_２は
終端抵抗器、Ｒ_３は抵抗器である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】中心導体と接地導体間に終端抵抗器が接続
   され、入力信号を一定のインピーダンスを保ちながら伝
   送するコプレナ型の伝送線路において、前記中心導体内
   に島状の導体を形成し、この島状の導体の前記終端抵抗
   器側を他方の電極が前記中心導体に接続されたコンデン
   サの電極に接続し、反対側を他方の電極が同じく前記中
   心導体に接続され、前記コンデンサよりも小寸法に形成
   された高周波特性の良いコンデンサの電極に接続して周
   波数範囲を広帯域化したことを特徴とする伝送線路。