JPH0652888B2 - 光通信用発光ダイオードの駆動回路 - Google Patents
光通信用発光ダイオードの駆動回路Info
- Publication number
- JPH0652888B2 JPH0652888B2 JP59051568A JP5156884A JPH0652888B2 JP H0652888 B2 JPH0652888 B2 JP H0652888B2 JP 59051568 A JP59051568 A JP 59051568A JP 5156884 A JP5156884 A JP 5156884A JP H0652888 B2 JPH0652888 B2 JP H0652888B2
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- emitting diode
- light emitting
- resistor
- emitter
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/502—LED transmitters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/58—Compensation for non-linear transmitter output
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- Nonlinear Science (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光通信用発光ダイオードの駆動回路に関する。
背景技術とその問題点 近年、発光ダイオード(以下LED と呼ぶ)の光出力を直
接強度変調して例えば映像信号のような広帯域情報を伝
送する光通信システムが賞用されている。
接強度変調して例えば映像信号のような広帯域情報を伝
送する光通信システムが賞用されている。
ところが、伝送信号(変調信号)の周波数に対するLED
の光出力の関係は、第1図に示すように、LED に流れる
駆動電流Idが大きくなるにつれて曲線Aから曲線Bへ
と変化し、そのため位相歪が生じていた。
の光出力の関係は、第1図に示すように、LED に流れる
駆動電流Idが大きくなるにつれて曲線Aから曲線Bへ
と変化し、そのため位相歪が生じていた。
この位相歪を補償するために、従来は、例えば第2図に
示すような駆動回路が用いられていた。
示すような駆動回路が用いられていた。
即ち、第2図において、 LED駆動用のnpn 形トランジス
タ(1)のベースに入力端子(2)から変調信号が供給され
る。トランジスタ(1)のコレクタと電源端子(3)との間に
LED (4)が順方向に接続されて、LDE(4)はトランジス
タ(1)のコレクタ電流で駆動される。トランジスタ(1)の
エミツタは抵抗器(5)を介して接地され、電流負帰還に
よつて高周波数領域の特性が補償されている。また、ト
ランジスタ(1)のエミツタと第2の電源端子(6)との間
に、ダイオード(7)と半固定抵抗器(抵抗値をrとす
る)(8)とが直列に接続されて、LED(4)の振幅特性の非
線形歪を補償している。(9)は位相歪補償用コンデンサ
であつて、ダイオード(7)及び半固定抵抗器(8)の接続中
点とアースとの間に接続される。
タ(1)のベースに入力端子(2)から変調信号が供給され
る。トランジスタ(1)のコレクタと電源端子(3)との間に
LED (4)が順方向に接続されて、LDE(4)はトランジス
タ(1)のコレクタ電流で駆動される。トランジスタ(1)の
エミツタは抵抗器(5)を介して接地され、電流負帰還に
よつて高周波数領域の特性が補償されている。また、ト
ランジスタ(1)のエミツタと第2の電源端子(6)との間
に、ダイオード(7)と半固定抵抗器(抵抗値をrとす
る)(8)とが直列に接続されて、LED(4)の振幅特性の非
線形歪を補償している。(9)は位相歪補償用コンデンサ
であつて、ダイオード(7)及び半固定抵抗器(8)の接続中
点とアースとの間に接続される。
上述のように、従来のLED 駆動回路は非線形歪補償回路
と位相歪補償回路とが独立ではないので、駆動回路の設
計及び調整が頗る困難であつた。
と位相歪補償回路とが独立ではないので、駆動回路の設
計及び調整が頗る困難であつた。
発明の目的 かかる点に鑑み、本発明の目的は非線形歪補償回路とは
独立した、設計及び調整の容易な位相歪み補償回路を有
する構成の簡単な光通信用発光ダイオードの駆動回路を
提供することにある。
独立した、設計及び調整の容易な位相歪み補償回路を有
する構成の簡単な光通信用発光ダイオードの駆動回路を
提供することにある。
発明の概要 本発明は、トランジスタ(1) と、そのトランジスタ(1)
のコレクタ接続された発光ダイオード(4) と、変調信号
入力端子(2) とトランジスタ(1) のベースとの間に挿入
された反転増幅器(10)と、トランジスタ(1) のエミツタ
に接続された第1の抵抗器(5) と、変調信号入力端子
(2) とトランジスタ(1) のエミツタとの間に接続された
第2の抵抗器(11)と、第1の抵抗器(5)に並列に接続さ
れた、第3の抵抗器(8) 、可変容量ダイオード(12)及び
その可変容量ダイオード(12)に逆バイアス電圧を与える
ための可変電圧源(13)の直列回路とを有し、第1及び第
2の抵抗器(5) ,(11)にて、発光ダイオード(4) の振幅
特性の非線形歪み補強回路を構成し、直列回路にて、発
光ダイオード(4) の位相歪み補償回路を構成したことを
特徴とする光通信用発光ダイオードの駆動回路である。
のコレクタ接続された発光ダイオード(4) と、変調信号
入力端子(2) とトランジスタ(1) のベースとの間に挿入
された反転増幅器(10)と、トランジスタ(1) のエミツタ
に接続された第1の抵抗器(5) と、変調信号入力端子
(2) とトランジスタ(1) のエミツタとの間に接続された
第2の抵抗器(11)と、第1の抵抗器(5)に並列に接続さ
れた、第3の抵抗器(8) 、可変容量ダイオード(12)及び
その可変容量ダイオード(12)に逆バイアス電圧を与える
ための可変電圧源(13)の直列回路とを有し、第1及び第
2の抵抗器(5) ,(11)にて、発光ダイオード(4) の振幅
特性の非線形歪み補強回路を構成し、直列回路にて、発
光ダイオード(4) の位相歪み補償回路を構成したことを
特徴とする光通信用発光ダイオードの駆動回路である。
かかる本発明によれば、簡単な構成で、位相歪を非線形
歪補償とは独立に、容易に補償することができる。
歪補償とは独立に、容易に補償することができる。
実施例 以下、第3図及び第4図を参照しながら、本発明による
光通信用発光ダイオードの位相歪補償回路の一実施例に
ついて説明する。
光通信用発光ダイオードの位相歪補償回路の一実施例に
ついて説明する。
第3図に本発明の一実施例の構成を示す。第3図におい
て、第2図に対応する部分には同一の符号を付して重複
説明を省略する。
て、第2図に対応する部分には同一の符号を付して重複
説明を省略する。
第3図において、(10)は反転増幅器であつて、増幅器(1
0)が入力端子(2)とトランジスタ(1)のベースとの間に介
挿されると共に、トランジスタ(1)のエミツタと入力端
子(2)との間に抵抗器(11)が接続されて負帰還ループが
形成されている。(12)は可変容量ダイオード(以下VCD
と呼ぶ)、(13)は可変電圧源であつて、VCD (12)及び電
圧源(13)は半固定抵抗器(8)と直列に、VCD (12)に逆バ
イアス電圧が与えられるように、トラジスタ(1)のエミ
ツタとアースとの間に接続される。
0)が入力端子(2)とトランジスタ(1)のベースとの間に介
挿されると共に、トランジスタ(1)のエミツタと入力端
子(2)との間に抵抗器(11)が接続されて負帰還ループが
形成されている。(12)は可変容量ダイオード(以下VCD
と呼ぶ)、(13)は可変電圧源であつて、VCD (12)及び電
圧源(13)は半固定抵抗器(8)と直列に、VCD (12)に逆バ
イアス電圧が与えられるように、トラジスタ(1)のエミ
ツタとアースとの間に接続される。
本実施例の動作は次のとおりである。LED(4)の駆動電流
Idはそのままエミツタ抵抗器(5)を流れる。抵抗器(5)
の抵抗値をR5とすれば、トランジスタ(1)のエミツタ
の電位VEはVE=Id・R5となり、駆動電流Idの大小に
従つて高低に変化する。
Idはそのままエミツタ抵抗器(5)を流れる。抵抗器(5)
の抵抗値をR5とすれば、トランジスタ(1)のエミツタ
の電位VEはVE=Id・R5となり、駆動電流Idの大小に
従つて高低に変化する。
駆動電流Idが小さいときは、エミツタの電流VEは低く
なり、VCD(12)の逆バイアスが浅くなるため、VCD(12)の
容量Cdは大きくなる。VCD(12)は半固定抵抗器(8)を介
して、エミツタ抵抗器(5)は並列に接続されているた
め、その容量の増大によつて、負帰還ループの高周波数
領域の帰還量が減少し、第4図の曲線Cに示すように、
LED(4)の光出力の高域の周波数特性が上昇する。
なり、VCD(12)の逆バイアスが浅くなるため、VCD(12)の
容量Cdは大きくなる。VCD(12)は半固定抵抗器(8)を介
して、エミツタ抵抗器(5)は並列に接続されているた
め、その容量の増大によつて、負帰還ループの高周波数
領域の帰還量が減少し、第4図の曲線Cに示すように、
LED(4)の光出力の高域の周波数特性が上昇する。
駆動電流Idが大きいときは、上述とは逆に、エミツタ
電位VEが上昇して、VCD(12)の逆バイアスが深くなり、
その容量Cdは小さくなる。従つて、負帰還ループの高
域帰還量が増大し、第4図の曲線Dに示すように、LED
(4)の光出力の高域の周波数特性が下降する。
電位VEが上昇して、VCD(12)の逆バイアスが深くなり、
その容量Cdは小さくなる。従つて、負帰還ループの高
域帰還量が増大し、第4図の曲線Dに示すように、LED
(4)の光出力の高域の周波数特性が下降する。
半固定抵抗器(8)及び可変電圧源(13)を調整して、rとC
dとの値を選定して、これらで決まるインピーダンスの
周波数特性の変化が、第1図に示したLED の特性の変化
と逆向きかつ同量であるようにすることによつて、位相
歪の補償を他の特性調整と独立に行なうことができる。
その調整手法としては、微分位相(DP)特性が平坦になる
ようにr及びCdの値を調整すれば良い。
dとの値を選定して、これらで決まるインピーダンスの
周波数特性の変化が、第1図に示したLED の特性の変化
と逆向きかつ同量であるようにすることによつて、位相
歪の補償を他の特性調整と独立に行なうことができる。
その調整手法としては、微分位相(DP)特性が平坦になる
ようにr及びCdの値を調整すれば良い。
発明の効果 上述せる本発明によれば、非線形歪み補償回路とは独立
した、設計及び調整の容易な位相歪み補償回路を有する
構成簡単な光通信用発光ダイオードの駆動回路を得るこ
とができる。
した、設計及び調整の容易な位相歪み補償回路を有する
構成簡単な光通信用発光ダイオードの駆動回路を得るこ
とができる。
第1図及び第4図は本発明の説明に供する線図、第2図
は従来のLED 駆動回路の構成例を示す結線図、第3図は
本発明による光通信用発光ダイオードの駆動回路の一実
施例を示す結線図である。 (1)は駆動トランジスタ、(4)は発光ダイオード、(10)は
反転増幅器、(12)は可変容量ダイオード、(13)は可変電
圧源である。
は従来のLED 駆動回路の構成例を示す結線図、第3図は
本発明による光通信用発光ダイオードの駆動回路の一実
施例を示す結線図である。 (1)は駆動トランジスタ、(4)は発光ダイオード、(10)は
反転増幅器、(12)は可変容量ダイオード、(13)は可変電
圧源である。
Claims (1)
- 【請求項1】トランジスタと、 該トランジスタのコレクタに接続された発光ダイオード
と、 変調信号入力端子と上記トランジスタのベースとの間に
挿入された反転増幅器と、 上記トランジスタのエミッタに接続された第1の抵抗器
と、 上記変調信号入力端子と上記トランジスタのエミッタと
の間に接続された第2の抵抗器と、 上記第1の抵抗器に並列に接続された、第3の抵抗器、
可変容量ダイオード及び該可変容量ダイオードに逆バイ
アス電圧を与えるための可変電圧源の直列回路とを有
し、 上記第1及び第2の抵抗器にて、上記発光ダイオードの
振幅特性の非線形歪み補償回路を構成し、 上記直列回路にて、上記発光ダイオードの位相歪み補償
回路を構成したことを特徴とする光通信用発光ダイオー
ドの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051568A JPH0652888B2 (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光通信用発光ダイオードの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59051568A JPH0652888B2 (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光通信用発光ダイオードの駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194846A JPS60194846A (ja) | 1985-10-03 |
| JPH0652888B2 true JPH0652888B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=12890567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051568A Expired - Lifetime JPH0652888B2 (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | 光通信用発光ダイオードの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652888B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061864A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | A lithium electrode comprising surface-treated lithium particles, its fabrication method and lithium battery comprising the same |
| WO2002061862A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | A lithium-metal composite electrode, its preparation method and lithium secondary battery |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699770B1 (fr) * | 1992-12-21 | 1995-01-20 | Cit Alcatel | Emetteur optique à dispositif correcteur de non-linéarité. |
| JP2569478Y2 (ja) * | 1993-09-02 | 1998-04-22 | 日本航空電子工業株式会社 | シールド機能付コネクタ |
| US6002212A (en) * | 1994-02-11 | 1999-12-14 | Thomson Multimedia S.A. | Method and device for driving a radiation emitting device |
| JP6557994B2 (ja) * | 2015-02-27 | 2019-08-14 | 沖電気工業株式会社 | 光電変換回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850836A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | Sony Corp | 発光素子駆動回路 |
-
1984
- 1984-03-17 JP JP59051568A patent/JPH0652888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061864A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | A lithium electrode comprising surface-treated lithium particles, its fabrication method and lithium battery comprising the same |
| WO2002061862A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | A lithium-metal composite electrode, its preparation method and lithium secondary battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60194846A (ja) | 1985-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |