JPH0653108A - 投影式露光装置 - Google Patents
投影式露光装置Info
- Publication number
- JPH0653108A JPH0653108A JP4199908A JP19990892A JPH0653108A JP H0653108 A JPH0653108 A JP H0653108A JP 4199908 A JP4199908 A JP 4199908A JP 19990892 A JP19990892 A JP 19990892A JP H0653108 A JPH0653108 A JP H0653108A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- exposure mask
- exposure
- closed chamber
- projection
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光マスクの自重による撓みにより発生する
投影式露光における実用焦点深度の狭小およびこの狭小
によって生じる投影像の歪みを防止できるようにする。 【構成】 露光マスクを一つの構成面とする密閉チャン
バーを装備し、その密閉チャンバー内外の差圧を露光マ
スクの自重による分布荷重と釣り合う圧力に維持する。 【効果】 投影光学系の持つ本来の焦点深度を有効に利
用することが可能となるとともに、像の歪をなくすこと
ができ、半導体素子の高性能化をはかることができる。
投影式露光における実用焦点深度の狭小およびこの狭小
によって生じる投影像の歪みを防止できるようにする。 【構成】 露光マスクを一つの構成面とする密閉チャン
バーを装備し、その密閉チャンバー内外の差圧を露光マ
スクの自重による分布荷重と釣り合う圧力に維持する。 【効果】 投影光学系の持つ本来の焦点深度を有効に利
用することが可能となるとともに、像の歪をなくすこと
ができ、半導体素子の高性能化をはかることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光マスク上の素子パ
ターンを投影光学系により半導体基板上へ縮小あるいは
等倍で投影する露光処理に利用する。本発明は、露光マ
スクの自重による撓みをなくし、製造歩留りを向上させ
ることができる投影式露光装置に関する。
ターンを投影光学系により半導体基板上へ縮小あるいは
等倍で投影する露光処理に利用する。本発明は、露光マ
スクの自重による撓みをなくし、製造歩留りを向上させ
ることができる投影式露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の投影式露光装置では、露光マスク
は大気圧中で四隅が吸着保持され、上方より紫外光をそ
の露光マスク上の素子パターン領域（周縁部を除く領
域）に照射し、透過した光を投影光学系に導き、投影光
学系によって縮小あるいは等倍で半導体基板上に素子パ
ターンを結像させ露光を施す構造になっていた。
は大気圧中で四隅が吸着保持され、上方より紫外光をそ
の露光マスク上の素子パターン領域（周縁部を除く領
域）に照射し、透過した光を投影光学系に導き、投影光
学系によって縮小あるいは等倍で半導体基板上に素子パ
ターンを結像させ露光を施す構造になっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の投影
式露光装置の露光マスクは、周縁部を除く領域に素子パ
ターンが描かれていることから四隅を支持する方法がと
られ、自重による撓みの発生をなくすことができなかっ
た。そのため、通常使用される１２５ｍｍ×１２５ｍｍ
の露光マスクで最大４μｍ程度の自然撓みを生じ、等倍
の投影光学系であれば、これがそのまま半導体基板上に
結像され、素子パターンの結像面の撓みとなって焦点深
度を狭小化する要因となっていた。最近この種の投影式
露光装置では投影光学系の焦点深度が２μｍ以下のもの
が使用されるようになってきていることから、露光マス
クの撓みは平面方向の素子パターン像の伸びあるいは縮
みを生じて像の歪みの要因となるために高精度な素子パ
ターンの重ね合わせを実現するうえで大きな阻害要因と
なっている。
式露光装置の露光マスクは、周縁部を除く領域に素子パ
ターンが描かれていることから四隅を支持する方法がと
られ、自重による撓みの発生をなくすことができなかっ
た。そのため、通常使用される１２５ｍｍ×１２５ｍｍ
の露光マスクで最大４μｍ程度の自然撓みを生じ、等倍
の投影光学系であれば、これがそのまま半導体基板上に
結像され、素子パターンの結像面の撓みとなって焦点深
度を狭小化する要因となっていた。最近この種の投影式
露光装置では投影光学系の焦点深度が２μｍ以下のもの
が使用されるようになってきていることから、露光マス
クの撓みは平面方向の素子パターン像の伸びあるいは縮
みを生じて像の歪みの要因となるために高精度な素子パ
ターンの重ね合わせを実現するうえで大きな阻害要因と
なっている。
【０００４】本発明はこのような問題を解決するもの
で、露光マスクの自重により生じる撓みを抑え、焦点深
度の狭小および投影像の歪みを防止して製造歩留りを向
上させることができる装置を提供することを目的とす
る。
で、露光マスクの自重により生じる撓みを抑え、焦点深
度の狭小および投影像の歪みを防止して製造歩留りを向
上させることができる装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、露光用の光を
照射する照射手段と、露光マスクを所定の位置に支持す
る露光マスク支持手段と、露光マスクを透過した光を集
光し半導体基板上に投影して露光する投影手段とを備え
た投影式露光装置において、前記露光マスク支持手段
が、露光マスクが載置されたときに内部が密閉された中
空を維持する密閉チャンバーにより構成され、この密閉
チャンバー内の圧力を検出する圧力センサと、空圧源ま
たは真空源と前記密閉チャンバーとの開閉を行う電磁弁
と、前記圧力センサの検出出力を入力とし、前記密閉チ
ャンバー内の圧力が大気圧に対して一定の差圧を生じる
ように前記電磁弁を制御する圧力制御装置とを備えたこ
とを特徴とする。
照射する照射手段と、露光マスクを所定の位置に支持す
る露光マスク支持手段と、露光マスクを透過した光を集
光し半導体基板上に投影して露光する投影手段とを備え
た投影式露光装置において、前記露光マスク支持手段
が、露光マスクが載置されたときに内部が密閉された中
空を維持する密閉チャンバーにより構成され、この密閉
チャンバー内の圧力を検出する圧力センサと、空圧源ま
たは真空源と前記密閉チャンバーとの開閉を行う電磁弁
と、前記圧力センサの検出出力を入力とし、前記密閉チ
ャンバー内の圧力が大気圧に対して一定の差圧を生じる
ように前記電磁弁を制御する圧力制御装置とを備えたこ
とを特徴とする。
【０００６】前記密閉チャンバーは、一方の端面に露光
マスクを密着状態で載置する中空筐体と、この中空筐体
の他方の端面を密閉するとともに光を透過する高耐圧透
明平板とにより構成することができる。
マスクを密着状態で載置する中空筐体と、この中空筐体
の他方の端面を密閉するとともに光を透過する高耐圧透
明平板とにより構成することができる。
【０００７】
【作用】露光マスクを一つの構成面とする密閉チャンバ
ー内の圧力と露光マスクの密閉チャンバーの外側となる
面に接する大気の圧力との間の差圧を一定にする。すな
わち露光マスクの自重による分布荷重に釣り合う差圧を
維持することにより露光マスクの自重による撓みを抑え
る。
ー内の圧力と露光マスクの密閉チャンバーの外側となる
面に接する大気の圧力との間の差圧を一定にする。すな
わち露光マスクの自重による分布荷重に釣り合う差圧を
維持することにより露光マスクの自重による撓みを抑え
る。
【０００８】これにより、露光マスクの自重による撓み
の発生を抑止することができ、それに伴って実用焦点深
度の狭小化および露光マスクの撓みによって生じる投影
像の歪みを抑えることができる。さらに、半導体素子の
製造歩留りの向上および高性能化をはかることができ
る。
の発生を抑止することができ、それに伴って実用焦点深
度の狭小化および露光マスクの撓みによって生じる投影
像の歪みを抑えることができる。さらに、半導体素子の
製造歩留りの向上および高性能化をはかることができ
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明実施例の要部の構成を示す図である。
る。図１は本発明実施例の要部の構成を示す図である。
【００１０】本発明実施例は、露光用の光を照射する照
射手段６と、露光マスク１を所定の位置に支持する露光
マスク支持手段と、露光マスク１を透過した光を集光し
半導体基板５上に投影して露光する投影手段４とを備
え、さらに、本発明の特徴として、前記露光マスク支持
手段が、露光マスク１が載置されたときに内部が密閉さ
れた中空を維持する密閉チャンバー３により構成され、
この密閉チャンバー３内の圧力を検出する圧力センサ７
と、空圧源または真空源と密閉チャンバー３との開閉を
行う電磁弁９ａおよび９ｂと、圧力センサ７の検出出力
を入力とし、密閉チャンバー３内の圧力が大気圧に対し
て一定の差圧を生じるように電磁弁９ａおよび９ｂを制
御する圧力制御装置８とを備える。
射手段６と、露光マスク１を所定の位置に支持する露光
マスク支持手段と、露光マスク１を透過した光を集光し
半導体基板５上に投影して露光する投影手段４とを備
え、さらに、本発明の特徴として、前記露光マスク支持
手段が、露光マスク１が載置されたときに内部が密閉さ
れた中空を維持する密閉チャンバー３により構成され、
この密閉チャンバー３内の圧力を検出する圧力センサ７
と、空圧源または真空源と密閉チャンバー３との開閉を
行う電磁弁９ａおよび９ｂと、圧力センサ７の検出出力
を入力とし、密閉チャンバー３内の圧力が大気圧に対し
て一定の差圧を生じるように電磁弁９ａおよび９ｂを制
御する圧力制御装置８とを備える。
【００１１】前記密閉チャンバー３は、一方の端面に露
光マスク１を密着状態で載置する中空筐体１０と、この
中空筐体１０の他方の端面を密閉するとともに光を透過
する高耐圧透明平板２とにより構成される。
光マスク１を密着状態で載置する中空筐体１０と、この
中空筐体１０の他方の端面を密閉するとともに光を透過
する高耐圧透明平板２とにより構成される。
【００１２】次に、このように構成された本発明実施例
の動作について説明する。
の動作について説明する。
【００１３】露光マスク１は下面に厚さのある高耐圧透
明平板２により閉がれた密閉チャンバー３の上面に載置
され、その周縁部は真空吸着されて固定される。この密
閉チャンバー３内の圧力と露光マスク１上の圧力（大気
圧）との差圧は圧力センサ７により検出され、常時、圧
力制御装置８に伝達される。
明平板２により閉がれた密閉チャンバー３の上面に載置
され、その周縁部は真空吸着されて固定される。この密
閉チャンバー３内の圧力と露光マスク１上の圧力（大気
圧）との差圧は圧力センサ７により検出され、常時、圧
力制御装置８に伝達される。
【００１４】圧力制御装置８はその差圧が露光マスク１
の自重による分布荷重と釣り合う圧力（あらかじめ圧力
制御装置８内に設定されている）となるように空圧源お
よび真空源と接続された電磁弁９ａまたは９ｂに対し開
閉信号を出力して制御する。これにより、露光マスク１
の自重による分布荷重は相殺され、露光マスク１は撓み
のない平面を維持することができる。
の自重による分布荷重と釣り合う圧力（あらかじめ圧力
制御装置８内に設定されている）となるように空圧源お
よび真空源と接続された電磁弁９ａまたは９ｂに対し開
閉信号を出力して制御する。これにより、露光マスク１
の自重による分布荷重は相殺され、露光マスク１は撓み
のない平面を維持することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、露
光マスクの自重による撓みの発生を防止することが可能
となり、実用焦点深度の狭小化を防止することができ
る。また、露光マスクの撓みによる投影像の歪みも抑制
することができ、投影光学系の焦点深度を有効に利用す
ることができる。それに伴って半導体素子の製造、歩留
りの向上および高性能化をはかることができるなどの効
果がある。
光マスクの自重による撓みの発生を防止することが可能
となり、実用焦点深度の狭小化を防止することができ
る。また、露光マスクの撓みによる投影像の歪みも抑制
することができ、投影光学系の焦点深度を有効に利用す
ることができる。それに伴って半導体素子の製造、歩留
りの向上および高性能化をはかることができるなどの効
果がある。
【図１】本発明実施例の要部の構成を示す図。
１ 露光マスク ２ 高耐圧透明平板 ３ 密閉チャンバー ４ 投影手段 ５ 半導体基板 ６ 照射手段 ７ 圧力センサ ８ 圧力制御装置 ９ａ、９ｂ 電磁弁 １０ 中空筐体
Claims (2)
- 【請求項１】 露光用の光を照射する照射手段と、 露光マスクを所定の位置に支持する露光マスク支持手段
と、 露光マスクを透過した光を集光し半導体基板上に投影し
て露光する投影手段とを備えた投影式露光装置におい
て、 前記露光マスク支持手段が、露光マスクが載置されたと
きに内部が密閉された中空を維持する密閉チャンバーに
より構成され、 この密閉チャンバー内の圧力を検出する圧力センサと、 空圧源または真空源と前記密閉チャンバーとの開閉を行
う電磁弁と、 前記圧力センサの検出出力を入力とし、前記密閉チャン
バー内の圧力が大気圧に対して一定の差圧を生じるよう
に前記電磁弁を制御する圧力制御装置とを備えたことを
特徴とする投影式露光装置。 - 【請求項２】 前記密閉チャンバーは、一方の端面に露
光マスクを密着状態で載置する中空筐体と、この中空筐
体の他方の端面を密閉するとともに光を透過する高耐圧
透明平板とにより構成された請求項１記載の投影式露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199908A JPH0653108A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 投影式露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199908A JPH0653108A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 投影式露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653108A true JPH0653108A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16415607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199908A Pending JPH0653108A (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 投影式露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653108A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001167997A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造法 |
| JP2006350315A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Ushio Inc | 露光装置 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP4199908A patent/JPH0653108A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001167997A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造法 |
| JP2006350315A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Ushio Inc | 露光装置 |
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