JPH0360170B2 - - Google Patents

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JPH0360170B2
JPH0360170B2 JP57211407A JP21140782A JPH0360170B2 JP H0360170 B2 JPH0360170 B2 JP H0360170B2 JP 57211407 A JP57211407 A JP 57211407A JP 21140782 A JP21140782 A JP 21140782A JP H0360170 B2 JPH0360170 B2 JP H0360170B2
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JP
Japan
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mask
wafer
pressure
exposure
airtight chamber
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JP57211407A
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JPS59101833A (ja
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Yoshihiro Yoneyama
Motoya Taniguchi
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Priority to US06/557,460 priority patent/US4516254A/en
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Publication of JPH0360170B2 publication Critical patent/JPH0360170B2/ja
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はＸ線露光装置に関するものである。
〔従来技術〕
Ｘ線露光装置の露光方式には一般に真空中露光
と大気中露光が考えられている。
従来から主に行なわれていた真空中露光では、
マスク、ウエハを共にＸ線源のある真空室内に入
れて露光する方式で、Ｘ線が真空室外に出ること
がないためＸ線の減衰が少なく、露光効率が高い
反面、マスクやウエハの取扱い、位置合わせを真
空室内で行なわなければならないため歩留が低い
等の問題があつた。
このためウエハを大気中において露光を行なう
大気中露光が主流となつてきた。
この大気中露光方式ではＸ線源を真空室内に置
き、発生したＸ線を、Ｘ線を通しやすいヘリウム
ガス等をほぼ１気圧の圧力で充填した気密室と、
気密室の一端に取付けたマスクを通して、このマ
スクの10μｍ〜数10μｍに近接させたウエハに照
射するものである。したがつてマスクは一面をヘ
リウムガス等を充填した気密室に面し、他の一面
を大気に面する様に取付けなければならない。し
かも、大気中露光方式ではヘリウムガス等により
Ｘ線の減衰が大きいためマスクは出来るだけ薄く
したいと言う要求がある。
このためヘリウムガスを充填した気密室と大気
の圧力差によりマスクが振動すると言う問題が起
きるという欠点かあつた。
そこで大気圧と気密室間の圧力差を検出して気
密空間内のヘリウムガス圧力を圧力調整弁で制御
する方法が考えられる。しかしこの方法では検出
遅れ、圧力調整弁作動遅れがあり、更には圧力調
整弁の圧力調整精度にも問題があつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上気従来の欠点をなくし、Ｘ
線源とマスク間の気密空間内の圧力を大気圧と同
調させ、マスクの振動をなくすることで、露光時
に生じるパターン端のボケを防止して、ウエハ上
にマスク上のパターンを鮮明に転写出来るように
したＸ線露光装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、マスクよりも十分に柔軟な部
材の窓を気密空間と大気の間に設けたことであ
る。これにより大気圧が気密空間の圧力より高く
なるとマスクよりも先に柔軟な部材が気密空間側
に凹み、逆に大気圧が気密空間の圧力より低くな
ると柔軟な部材が凸となり気密空間の圧力と大気
圧を同調させマスクの振動を防止する。この方法
によると、十分に柔軟な部材を用い、マスクの付
近に窓を設けることで微小な圧力変化も防止する
ことが可能である。
〔発明の実施例〕
本発明の第１図〜第３図に従つて具体的に説明
する。
Ｘ線露光装置は第１図に示す様に、電子銃１と
ターゲツト２及びターゲツト２から発生した軟Ｘ
線２′を取り出すベリリウム製の窓３を有するＸ
線発生装置４とこのＸ線発生装置と接続してベロ
ーズ５、保持部材６、マスクステージ７及ひマス
クステージ７上に真空保持７′されるマスク８と
今回の発明による柔軟部材の窓９から構成され中
にヘリウムガスをほぼ大気と同じ圧力で充填した
気密室１０と、マスク８と10μｍから数10μｍの
間をおいて相対するウエハ１１とウエハ１１を真
空保持１２′するウエハトヤツク１２、マスク８
とウエハ１１の間隔を10μｍから数10μｍの定め
られた距離に保持させるためウエハ１１を矯正す
る矯正素子１２″、ウエハ１１及びウエハチヤツ
ク１２を回転及び水平方向に自在に移動可能な様
に支持したΘステージ１３、Ｘステージ１４、Ｙ
ステージ１５から成立つている。
この構成において、ターゲツト２で発生したＸ
線３がウエハ上に達するまでにはベリリウム窓
３、ヘリウムガスを充填した気密室１０及びマス
ク８を透過しなければならない。一般に軟Ｘ線
２′のそれぞれに対する透過率は90％、96％、70
％程度でありウエハ１１に到達する軟Ｘ線量２′
は60％程度になる。
ウエハ１１上に到達する軟Ｘ線２′量を多くす
るために、マスク８をさらに薄くすることが要求
されている。
しかし、マクク８を薄くすると強度が低下し、
柔軟部材９の窓のない気密室１０では大気との圧
力差が気密室１０を構成する部材の中で一番強度
の弱いマスク８を変形させ振動を起し、マスク８
上のパターンをウエハ１１上に鮮明に転写出来な
い。
第２図、及び第３図に示す今回の発明による十
分に柔軟な部材９による窓をマスク附近に設ける
と気密室１０の大気との間に圧力差が生じても、
マスク８が変形を起こす前にゴム製の薄膜等の柔
軟な部材９が変形し、気密室１０の圧力と大気圧
を同調させるためマスク８が圧力差のため変形し
振動を起すことがなくなつた。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、Ｘ線露光
装置において、大気中露光方式で問題となつてい
たマスク振動を防止出来るため、マスク上のパタ
ーンを鮮明に、しかも高効率でウエハに転写出来
る様になり、サブミクロンパターンのLSI実現に
道をひらくことが出来る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る大気中露光方式によるＸ
線露光装置の一実施例を示す構成図、第２図は本
発明による柔軟な部材による窓を気密室の壁に付
けた状態で露光前の状況を示す図、第３図は本発
明による柔軟な部材による窓を気密室の壁に付け
た状態で露光状態を示す図である。 ２……ターゲツト、３……ベリリウム窓、８…
…マスク、９……柔軟な部材、１１……ウエハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Ｘ線を発生させるＸ線発生装置と、このＸ線
    発生装置に気密結合され、Ｘ線発生装置を結合し
    た面と相対する面にマスクを保持する気密室と、
    ウエハを露光位置に移動させるテーブルとを設け
    たＸ線露光装置において、前記気密室に柔軟部材
    の窓を設けたことを特徴とするＸ線露光装置。
JP57211407A 1982-12-03 1982-12-03 Ｘ線露光装置 Granted JPS59101833A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57211407A JPS59101833A (ja) 1982-12-03 1982-12-03 Ｘ線露光装置
EP83112086A EP0110414A3 (en) 1982-12-03 1983-12-01 X-ray lithographic apparatus
US06/557,460 US4516254A (en) 1982-12-03 1983-12-02 X-Ray lithographic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57211407A JPS59101833A (ja) 1982-12-03 1982-12-03 Ｘ線露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59101833A JPS59101833A (ja) 1984-06-12
JPH0360170B2 true JPH0360170B2 (ja) 1991-09-12

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ID=16605441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57211407A Granted JPS59101833A (ja) 1982-12-03 1982-12-03 Ｘ線露光装置

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EP (1) EP0110414A3 (ja)
JP (1) JPS59101833A (ja)

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Publication number Publication date
US4516254A (en) 1985-05-07
JPS59101833A (ja) 1984-06-12
EP0110414A2 (en) 1984-06-13
EP0110414A3 (en) 1986-03-26

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