JPH0653339A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH0653339A JPH0653339A JP4202357A JP20235792A JPH0653339A JP H0653339 A JPH0653339 A JP H0653339A JP 4202357 A JP4202357 A JP 4202357A JP 20235792 A JP20235792 A JP 20235792A JP H0653339 A JPH0653339 A JP H0653339A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lid
- layer
- metal layer
- palladium
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基体と蓋体とから成る容器の気密封止を完
全とし、容器内部に収容する半導体集積回路素子を長期
間にわたり安定に作動させることができる半導体素子収
納用パッケージを提供することにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とから成り、絶縁基体１に
被着させた金属層８と蓋体２に被着させた金属層10とを
封止材９を介し接合させることによって内部に半導体素
子３を気密に封止する半導体素子収納用パッケージであ
って、前記少なくとも蓋体２に被着させた金属層10は銀
に15.0重量％以上のパラジウムを含有させた下層10a
と、銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有する上層10b
の2 層構造を有している。
全とし、容器内部に収容する半導体集積回路素子を長期
間にわたり安定に作動させることができる半導体素子収
納用パッケージを提供することにある。 【構成】絶縁基体１と蓋体２とから成り、絶縁基体１に
被着させた金属層８と蓋体２に被着させた金属層10とを
封止材９を介し接合させることによって内部に半導体素
子３を気密に封止する半導体素子収納用パッケージであ
って、前記少なくとも蓋体２に被着させた金属層10は銀
に15.0重量％以上のパラジウムを含有させた下層10a
と、銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有する上層10b
の2 層構造を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージの改良に関するもので
ある。
めの半導体素子収納用パッケージの改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、特にＬＳＩ等の半導
体集積回路素子を収容するため半導体素子収納用パッケ
ージはアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その上面の略中央部に半導体集積回路素子を収容す
るための凹部を有し、且つ該凹部周辺から外周部にかけ
て導出されたタングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成るメタライズ配線層を有する絶縁
基体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電気的に
接続すために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材
を介し取着された外部リード端子と、アルミナセラミッ
クス等の電気絶縁材料から成る蓋体とから構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子を接着剤
を介して接着固定し、半導体集積回路素子の各電極とメ
タライズ配線層とをボンディングワイヤを介して電気的
に接続するとともに絶縁基体の上面に蓋体を半田等から
成る封止材により接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る
容器の内部に半導体集積回路素子を気密に封入すること
によって製品としての半導体装置となる。
体集積回路素子を収容するため半導体素子収納用パッケ
ージはアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その上面の略中央部に半導体集積回路素子を収容す
るための凹部を有し、且つ該凹部周辺から外周部にかけ
て導出されたタングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成るメタライズ配線層を有する絶縁
基体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電気的に
接続すために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材
を介し取着された外部リード端子と、アルミナセラミッ
クス等の電気絶縁材料から成る蓋体とから構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子を接着剤
を介して接着固定し、半導体集積回路素子の各電極とメ
タライズ配線層とをボンディングワイヤを介して電気的
に接続するとともに絶縁基体の上面に蓋体を半田等から
成る封止材により接合させ、絶縁基体と蓋体とから成る
容器の内部に半導体集積回路素子を気密に封入すること
によって製品としての半導体装置となる。
【０００３】尚、かかる従来の半導体素子収納用パッケ
ージは絶縁基体と蓋体の接合が、絶縁基体の上面に予め
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成る金属層を、また蓋体の下面に予め銀ーパラジ
ウムから成る金属層を被着させておき、絶縁基体上面の
金属層と、蓋体下面の金属層とを封止材である半田を介
し接合させることによって行われている。
ージは絶縁基体と蓋体の接合が、絶縁基体の上面に予め
タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉
末から成る金属層を、また蓋体の下面に予め銀ーパラジ
ウムから成る金属層を被着させておき、絶縁基体上面の
金属層と、蓋体下面の金属層とを封止材である半田を介
し接合させることによって行われている。
【０００４】また前記蓋体の下面に被着されている銀ー
パラジウムから成る金属層はパラジウムの含有量が少な
いと絶縁基体上面の金属層と、蓋体下面の金属層とを半
田を介して接合させる際、蓋体下面の金属層が半田に吸
収され、絶縁基体と蓋体とを強固に接合させることが困
難となるため通常、銀にパラジウムを15.0重量％以上含
有させたものが使用されている。
パラジウムから成る金属層はパラジウムの含有量が少な
いと絶縁基体上面の金属層と、蓋体下面の金属層とを半
田を介して接合させる際、蓋体下面の金属層が半田に吸
収され、絶縁基体と蓋体とを強固に接合させることが困
難となるため通常、銀にパラジウムを15.0重量％以上含
有させたものが使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージにおいては蓋体の下面
に被着されている金属層が銀にパラジウムを15.0重量％
以上含有させたものから成り、該金属層は半田に吸収さ
れ難いものの半田との濡れ性( 反応性) に劣るため絶縁
基体の金属層と蓋体の金属層とを半田を介して接合さ
せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積回
路素子を気密に収容する際、半田が蓋体に被着させた金
属層に十分広がらず、その結果、容器の気密封止の信頼
性が低下し、内部に収容する半導体集積回路素子を長期
間にわたり安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージにおいては蓋体の下面
に被着されている金属層が銀にパラジウムを15.0重量％
以上含有させたものから成り、該金属層は半田に吸収さ
れ難いものの半田との濡れ性( 反応性) に劣るため絶縁
基体の金属層と蓋体の金属層とを半田を介して接合さ
せ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積回
路素子を気密に収容する際、半田が蓋体に被着させた金
属層に十分広がらず、その結果、容器の気密封止の信頼
性が低下し、内部に収容する半導体集積回路素子を長期
間にわたり安定に作動させることができないという欠点
を有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器の気密封
止を完全とし、容器内部に収容する半導体集積回路素子
を長期間にわたり安定に作動させることができる半導体
素子収納用パッケージを提供することにある。
で、その目的は絶縁基体と蓋体とから成る容器の気密封
止を完全とし、容器内部に収容する半導体集積回路素子
を長期間にわたり安定に作動させることができる半導体
素子収納用パッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基体と蓋体
とから成り、絶縁基体に被着させた金属層と蓋体に被着
させた金属層とを封止材を介し接合させることによって
内部に半導体素子を気密に封止する半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記少なくとも蓋体に被着させた金
属層は銀に15.0重量％以上のパラジウムを含有させた下
層と、銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有する上層の
2 層構造を有していることを特徴とするものである。
とから成り、絶縁基体に被着させた金属層と蓋体に被着
させた金属層とを封止材を介し接合させることによって
内部に半導体素子を気密に封止する半導体素子収納用パ
ッケージであって、前記少なくとも蓋体に被着させた金
属層は銀に15.0重量％以上のパラジウムを含有させた下
層と、銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有する上層の
2 層構造を有していることを特徴とするものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１及び図2 は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。
この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体集積回路素子3を収
容するための容器4 が構成される。
る。図１及び図2 は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。
この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体集積回路素子3を収
容するための容器4 が構成される。
【０００９】前記絶縁基体1 はその上面略中央部に半導
体集積回路素子3 を収容するための空所を形成する凹部
1aが設けてあり、該凹部1a底面には半導体集積回路素子
3 がエポキシ樹脂等の接着剤を介し取着される。
体集積回路素子3 を収容するための空所を形成する凹部
1aが設けてあり、該凹部1a底面には半導体集積回路素子
3 がエポキシ樹脂等の接着剤を介し取着される。
【００１０】また前記絶縁基体1 には凹部1a周辺から外
周端にかけて導出するメタライズ配線層5 が形成されて
おり、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部には半導体
集積回路素子3 の各電極がボンディングワイヤ6 を介し
て電気的に接続され、また外周端部に導出された部位に
は外部電気回路と接続される外部リード端子7 が銀ロウ
等のロウ材8 を介し取着される。
周端にかけて導出するメタライズ配線層5 が形成されて
おり、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部には半導体
集積回路素子3 の各電極がボンディングワイヤ6 を介し
て電気的に接続され、また外周端部に導出された部位に
は外部電気回路と接続される外部リード端子7 が銀ロウ
等のロウ材8 を介し取着される。
【００１１】前記絶縁基体1 は例えば、アルミナセラミ
ックス等の電気絶縁材料から成り、アルミナ(Al 2 O
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア
(MgO) 等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブ
レード法やカレンダーロール法等を採用することによっ
てセラミックグリーンシート( セラミック生シート) を
形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温(
約1600℃) で焼成することによって製作される。
ックス等の電気絶縁材料から成り、アルミナ(Al 2 O
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア
(MgO) 等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブ
レード法やカレンダーロール法等を採用することによっ
てセラミックグリーンシート( セラミック生シート) を
形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適
当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温(
約1600℃) で焼成することによって製作される。
【００１２】また前記メタライズ配線層5 はタングステ
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミック
グリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法等に
より印刷塗布しておくことによって絶縁基体1 の凹部1a
周辺から外周端にかけて被着形成される。
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミック
グリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法等に
より印刷塗布しておくことによって絶縁基体1 の凹部1a
周辺から外周端にかけて被着形成される。
【００１３】尚、前記メタライズ配線層5 はその露出す
る表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優
れた金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層
着させておくとメタライズ配線層5 の酸化腐食を有効に
防止することができるとともにメタライズ配線層5 とボ
ンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層5と
外部リード端子7 とのロウ付けを極めて強固なものとな
すことができる。従って、前記メタライズ配線層5 の酸
化腐食を防止し、メタライズ配線層5 とボンディングワ
イヤ6 との接続及びメタライズ配線層5 と外部リード端
子7 とのロウ付けを強固とするにはメタライズ配線層5
の露出する表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の
厚みに層着させておくことが好ましい。
る表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優
れた金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層
着させておくとメタライズ配線層5 の酸化腐食を有効に
防止することができるとともにメタライズ配線層5 とボ
ンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層5と
外部リード端子7 とのロウ付けを極めて強固なものとな
すことができる。従って、前記メタライズ配線層5 の酸
化腐食を防止し、メタライズ配線層5 とボンディングワ
イヤ6 との接続及びメタライズ配線層5 と外部リード端
子7 とのロウ付けを強固とするにはメタライズ配線層5
の露出する表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の
厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１４】更に前記メタライズ配線層5 にロウ付けさ
れる外部リード端子7 は内部に収容する半導体集積回路
素子3 を外部電気回路に接続する作用を為し、外部リー
ド端子7 を外部電気回路に接続することによって内部に
収容される半導体集積回路素子3 はメタライズ配線層5
及び外部リード端子7 を介し外部電気回路と電気的に接
続されることとなる。
れる外部リード端子7 は内部に収容する半導体集積回路
素子3 を外部電気回路に接続する作用を為し、外部リー
ド端子7 を外部電気回路に接続することによって内部に
収容される半導体集積回路素子3 はメタライズ配線層5
及び外部リード端子7 を介し外部電気回路と電気的に接
続されることとなる。
【００１５】前記外部リード端子7 はコバール金属(Fe-
Ni-Co 合金) や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属材料から
成り、コバール金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用する
ことによって所定の板状に形成される。
Ni-Co 合金) や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属材料から
成り、コバール金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法
や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用する
ことによって所定の板状に形成される。
【００１６】尚、前記外部リード端子7 はその外表面に
ニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れ
た金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着
させておくと外部リード端子7 の酸化腐食を有効に防止
するとともに外部リード端子7 と外部電気回路との電気
的接続を良好となすことができる。そのため外部リード
端子7 はその外表面にニッケル、金等をメッキ法により
1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておくことが好まし
い。
ニッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れ
た金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着
させておくと外部リード端子7 の酸化腐食を有効に防止
するとともに外部リード端子7 と外部電気回路との電気
的接続を良好となすことができる。そのため外部リード
端子7 はその外表面にニッケル、金等をメッキ法により
1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておくことが好まし
い。
【００１７】前記絶縁基体1 はまたその上面に金属層8
が被着されており、該金属層8 には蓋体2 が半田から成
る封止材9 を介して接合され、これによって絶縁基体1
と蓋体2 とから成る容器4 の内部に半導体集積回路素子
3 が気密に封入される。
が被着されており、該金属層8 には蓋体2 が半田から成
る封止材9 を介して接合され、これによって絶縁基体1
と蓋体2 とから成る容器4 の内部に半導体集積回路素子
3 が気密に封入される。
【００１８】前記絶縁基体1 の上面に被着させた金属層
8 は例えば、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に有機溶
剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートに従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することによって印刷塗布しておき、セ
ラミックグリーンシートを高温で焼成し絶縁基体1 とな
す際に同時に絶縁基体1の上面に被着される。
8 は例えば、タングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に有機溶
剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートに従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することによって印刷塗布しておき、セ
ラミックグリーンシートを高温で焼成し絶縁基体1 とな
す際に同時に絶縁基体1の上面に被着される。
【００１９】尚、前記金属層8 の表面には封止材9 との
濡れ性( 反応性) を改善するためにニッケルから成る層
と金から成る層が順次層着されている。
濡れ性( 反応性) を改善するためにニッケルから成る層
と金から成る層が順次層着されている。
【００２０】また前記絶縁基体1 の上面に接合される蓋
体2 はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その下面外周部に予め金属層10を被着させておき、
該金属層10を絶縁基体1 上面の金属層8 に半田から成る
封止材9 を介し接合させることによって蓋体2 は絶縁基
体1 に接合されることとなる。
体2 はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成
り、その下面外周部に予め金属層10を被着させておき、
該金属層10を絶縁基体1 上面の金属層8 に半田から成る
封止材9 を介し接合させることによって蓋体2 は絶縁基
体1 に接合されることとなる。
【００２１】前記蓋体2 は例えば、アルミナ(Al 2 O
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア
(MgO) 等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た原
料粉末を所定形状のプレス金型内に充填するとともに一
定圧力で押圧して形成し、しかる後、前記成形品を約15
00℃の温度で焼成することによって製作される。
3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア
(MgO) 等に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た原
料粉末を所定形状のプレス金型内に充填するとともに一
定圧力で押圧して形成し、しかる後、前記成形品を約15
00℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２２】また前記蓋体2 の下面外周部に被着される
金属層10は図2 に示すように下層10a と上層10b の2 層
構造を有しており、該下層10a は銀に15.0重量％以上の
パラジウムを含有させた金属で、また上層10b は銀にパ
ラジウムが5.0 重量％未満含有する金属で形成されてい
る。
金属層10は図2 に示すように下層10a と上層10b の2 層
構造を有しており、該下層10a は銀に15.0重量％以上の
パラジウムを含有させた金属で、また上層10b は銀にパ
ラジウムが5.0 重量％未満含有する金属で形成されてい
る。
【００２３】前記銀に15.0重量％以上のパラジウムを含
有させた金属から成る下層10a は金属層10が半田から成
る封止材9 に吸収され、金属層10の蓋体2 に対する被着
強度が低下し、容器4 の気密封止の信頼性が劣化するの
を有効に防止する作用を為し、銀粉末とパラジウム粉末
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペース
トを蓋体2 の下面に従来周知のスクリーン印刷法により
印刷塗布し、しかる後、これを所定の温度で焼き付ける
ことによって蓋体2 の下面外周部に被着される。
有させた金属から成る下層10a は金属層10が半田から成
る封止材9 に吸収され、金属層10の蓋体2 に対する被着
強度が低下し、容器4 の気密封止の信頼性が劣化するの
を有効に防止する作用を為し、銀粉末とパラジウム粉末
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペース
トを蓋体2 の下面に従来周知のスクリーン印刷法により
印刷塗布し、しかる後、これを所定の温度で焼き付ける
ことによって蓋体2 の下面外周部に被着される。
【００２４】前記金属層10の下層10a はパラジウムの含
有量が15.0重量％未満であると半田に吸収され易くな
り、絶縁基体1 と蓋体2 とを半田から成る封止材9 を介
して接合させ、容器3 の気密封止を行う際、下層10a が
封止材9 の半田に吸収されて容器3 の気密封止の信頼性
が大幅に劣化してしまう。従って、金属層10の下層10a
は銀にパラジウムを15.0重量％以上含有させた銀ーパラ
ジウムに特定される。
有量が15.0重量％未満であると半田に吸収され易くな
り、絶縁基体1 と蓋体2 とを半田から成る封止材9 を介
して接合させ、容器3 の気密封止を行う際、下層10a が
封止材9 の半田に吸収されて容器3 の気密封止の信頼性
が大幅に劣化してしまう。従って、金属層10の下層10a
は銀にパラジウムを15.0重量％以上含有させた銀ーパラ
ジウムに特定される。
【００２５】また前記金属層10の下層10a 上には銀にパ
ラジウムが5.0 重量％未満含有する上層10b が被着され
ており、該上層10b は金属層10と半田から成る封止材9
との濡れ性( 反応性) を改善して金属層10と封止材9 と
の接合を強固となす作用を為し、これによって絶縁基体
1 の上面に被着させた金属層8 と蓋体2 の下面に被着さ
せた金属層10とを半田から成る封止材9 を介して接合さ
せる際、封止材9 は絶縁基体1 及び蓋体2 の両方に被着
させた金属層8 、10に各々、強固に接合し、その結果、
容器3 の気密封止の信頼性が大幅に向上する。
ラジウムが5.0 重量％未満含有する上層10b が被着され
ており、該上層10b は金属層10と半田から成る封止材9
との濡れ性( 反応性) を改善して金属層10と封止材9 と
の接合を強固となす作用を為し、これによって絶縁基体
1 の上面に被着させた金属層8 と蓋体2 の下面に被着さ
せた金属層10とを半田から成る封止材9 を介して接合さ
せる際、封止材9 は絶縁基体1 及び蓋体2 の両方に被着
させた金属層8 、10に各々、強固に接合し、その結果、
容器3 の気密封止の信頼性が大幅に向上する。
【００２６】尚、前記上層10b はパラジウムの含有量が
5.0 重量％を越えると半田の濡れ性( 反応性) が悪くな
り、絶縁基体1 と蓋体2 とを半田から成る封止材9 を介
して接合させ、容器3 の気密封止を行う際、容器3 の気
密封止の信頼性が大幅に劣化してしまう。従って、前記
上層10b は銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有させた
銀ーパラジウムに特定される。
5.0 重量％を越えると半田の濡れ性( 反応性) が悪くな
り、絶縁基体1 と蓋体2 とを半田から成る封止材9 を介
して接合させ、容器3 の気密封止を行う際、容器3 の気
密封止の信頼性が大幅に劣化してしまう。従って、前記
上層10b は銀にパラジウムが5.0 重量％未満含有させた
銀ーパラジウムに特定される。
【００２７】また前記上層10b は前記下層10b と同様の
方法、具体的には銀粉末とパラジウム粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを蓋体2 に
被着させた下層10a 上に従来周知のスクリーン印刷法に
より印刷塗布し、しかる後、これを所定の温度で焼き付
けることによって下層10a の上面に被着される。この場
合、上層10b と下層10a とは基本組成が同じであること
から両者は強固に接合し、両者間に接合不良を発生する
ことはない。
方法、具体的には銀粉末とパラジウム粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを蓋体2 に
被着させた下層10a 上に従来周知のスクリーン印刷法に
より印刷塗布し、しかる後、これを所定の温度で焼き付
けることによって下層10a の上面に被着される。この場
合、上層10b と下層10a とは基本組成が同じであること
から両者は強固に接合し、両者間に接合不良を発生する
ことはない。
【００２８】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体集積回路
素子3 を接着剤を介して取着するとともに半導体集積回
路素子3 の各電極をメタライズ配線層5 にボンディング
ワイヤ6 を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
1 の上面に被着させた金属層8 と蓋体2 の下面に被着さ
せた金属層10とを半田から成る封止材9 により接合さ
せ、絶縁基体1 と蓋体2とから成る容器4 の内部に半導
体集積回路素子3 を気密に封入することによって製品と
しての半導体装置となる。
ージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体集積回路
素子3 を接着剤を介して取着するとともに半導体集積回
路素子3 の各電極をメタライズ配線層5 にボンディング
ワイヤ6 を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体
1 の上面に被着させた金属層8 と蓋体2 の下面に被着さ
せた金属層10とを半田から成る封止材9 により接合さ
せ、絶縁基体1 と蓋体2とから成る容器4 の内部に半導
体集積回路素子3 を気密に封入することによって製品と
しての半導体装置となる。
【００２９】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば絶縁基体1 の上面に被着
する金属層8 を蓋体2 の下面に被着させた金属層10と同
じ材質、同じ層構造としておいてもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば絶縁基体1 の上面に被着
する金属層8 を蓋体2 の下面に被着させた金属層10と同
じ材質、同じ層構造としておいてもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、蓋体に被着させた金属層を銀に15.0重量％以上
のパラジウムを含有させた下層と、銀にパラジウムが5.
0 重量％未満含有する上層の2 層構造となしたことから
絶縁基体上面の金属層と蓋体下面の金属層とを半田から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成
る容器を気密に封止した際、封止材が蓋体に被着させた
金属層を吸収することはなく、また封止材が絶縁基体及
び蓋体に被着させた両金属層に良好に濡れて強固に接合
し、その結果、容器の気密封止の信頼性が極めて高いも
のとなる。
よれば、蓋体に被着させた金属層を銀に15.0重量％以上
のパラジウムを含有させた下層と、銀にパラジウムが5.
0 重量％未満含有する上層の2 層構造となしたことから
絶縁基体上面の金属層と蓋体下面の金属層とを半田から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体と蓋体とから成
る容器を気密に封止した際、封止材が蓋体に被着させた
金属層を吸収することはなく、また封止材が絶縁基体及
び蓋体に被着させた両金属層に良好に濡れて強固に接合
し、その結果、容器の気密封止の信頼性が極めて高いも
のとなる。
【００３１】従って、本発明の半導体素子収納用パッケ
ージは絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に封入することが可能となり、半導体集
積回路素子を長期間にわたり安定に作動させることがで
きる。
ージは絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に封入することが可能となり、半導体集
積回路素子を長期間にわたり安定に作動させることがで
きる。
【図１】本発明にかかる半導体素子収納用パッケージの
一実施例を示す断面図である。
一実施例を示す断面図である。
【図２】図1 に示すパッケージの要部拡大断面図であ
る。
る。
１・・・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・・・蓋体 ３・・・・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・・・・容器 ５・・・・・・・・・メタライズ配線層 ８・・・・・・・・・絶縁基体に被着させた金属層 ９・・・・・・・・・封止材 10・・・・・・・・・蓋体に被着させた金属層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体と蓋体とから成り、絶縁基体に被
着させた金属層と蓋体に被着させた金属層とを封止材を
介し接合させることによって内部に半導体素子を気密に
封止する半導体素子収納用パッケージであって、前記少
なくとも蓋体に被着させた金属層は銀に15.0重量％以上
のパラジウムを含有させた下層と、銀にパラジウムが5.
0 重量％未満含有する上層の2 層構造を有していること
を特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202357A JPH0653339A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202357A JPH0653339A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653339A true JPH0653339A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16456178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4202357A Pending JPH0653339A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653339A (ja) |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP4202357A patent/JPH0653339A/ja active Pending
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