JPH0653578A - レーザー装置 - Google Patents
レーザー装置Info
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- JPH0653578A JPH0653578A JP4245430A JP24543092A JPH0653578A JP H0653578 A JPH0653578 A JP H0653578A JP 4245430 A JP4245430 A JP 4245430A JP 24543092 A JP24543092 A JP 24543092A JP H0653578 A JPH0653578 A JP H0653578A
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- solid
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- phonon
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Links
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振出力を高め、微細加工用光源として実
用効果の大きい発振器を得る。 【構成】 固体レーザーロッド１を設け、該固体レー
ザー１の軸方向に励起光源のレーザダイオード（ＬＤ）
２を、又、側面にレーザダイオード（ＬＤ）５を設け
る。更に固体レーザー１の側面にフォノン励起するフォ
ノン素子６を設け、Ｑスイッチ７を挿入してＱスイッチ
ングにより出力ミラー４からジャイアンとパルスを出力
する。
用効果の大きい発振器を得る。 【構成】 固体レーザーロッド１を設け、該固体レー
ザー１の軸方向に励起光源のレーザダイオード（ＬＤ）
２を、又、側面にレーザダイオード（ＬＤ）５を設け
る。更に固体レーザー１の側面にフォノン励起するフォ
ノン素子６を設け、Ｑスイッチ７を挿入してＱスイッチ
ングにより出力ミラー４からジャイアンとパルスを出力
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザーとして、ルビー、ＹＡＧ，
ＹＬＦ、ＹＡＰ、ＧＧＧ、ＧＳＧＧ、ＧＳＡＧ等が知ら
れてており、これらは微細加工用光源等に用いられてい
る。
ＹＬＦ、ＹＡＰ、ＧＧＧ、ＧＳＧＧ、ＧＳＡＧ等が知ら
れてており、これらは微細加工用光源等に用いられてい
る。
【０００３】従来、このような固体レーザーの励起にレ
ーザダイオード（ＬＤ）を用いる励起法がある。このＬ
Ｄ励起は、連続又はパルス動作のＬＤで固体レーザーロ
ッドを励起するのであるが、ＬＤの出力は最大１Ｗ程度
であるため、固体レーザーの発振出力は１００〜２００
Ｗと低い。そこで、このようなレーザー出力２００Ｗ程
度以下の出力加工機に於ては、連続発振で使用されるこ
とは少なく、光出力をパルス化する手段がとられる。従
来に於て、固体レーザーの側面に数Ｈｚ〜数ＫＨｚのフ
ラッシュランプの光を当てて励起することが提案されて
いる。これは、ＬＤとフラッシュランプで同時に励起す
ることによって固体レーザーロッドから増幅した発振出
力が得られることのになるが、このパルス幅はｍｓ程度
なので、加工するにはまだパルスエネルギーが足りな
い。
ーザダイオード（ＬＤ）を用いる励起法がある。このＬ
Ｄ励起は、連続又はパルス動作のＬＤで固体レーザーロ
ッドを励起するのであるが、ＬＤの出力は最大１Ｗ程度
であるため、固体レーザーの発振出力は１００〜２００
Ｗと低い。そこで、このようなレーザー出力２００Ｗ程
度以下の出力加工機に於ては、連続発振で使用されるこ
とは少なく、光出力をパルス化する手段がとられる。従
来に於て、固体レーザーの側面に数Ｈｚ〜数ＫＨｚのフ
ラッシュランプの光を当てて励起することが提案されて
いる。これは、ＬＤとフラッシュランプで同時に励起す
ることによって固体レーザーロッドから増幅した発振出
力が得られることのになるが、このパルス幅はｍｓ程度
なので、加工するにはまだパルスエネルギーが足りな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような点
に鑑み、発振出力を更に高め、微細加工用光源として実
用効果の大きい発振器を得ようとするものである。
に鑑み、発振出力を更に高め、微細加工用光源として実
用効果の大きい発振器を得ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】励起光源として軸方向に
レーザダイオードを設けた固体レーザーに於て、該固体
レーザーに側面からフォノン励起するフォノン素子を設
けたことを特徴とする。又、前記に於て、Ｑスイッチを
挿入したことを特徴とする。
レーザダイオードを設けた固体レーザーに於て、該固体
レーザーに側面からフォノン励起するフォノン素子を設
けたことを特徴とする。又、前記に於て、Ｑスイッチを
挿入したことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は前記のように、固体レーザーに側面か
らフォノン励起するフォノン素子を設けて励起するもの
であり、ＬＤレーザーによって単一の縦モード、横モー
ドと共に良好なビームが得られるが、これを更にフォノ
ン励起が同時に作用するので、良好なモードのビームが
増幅されて高い発振出力が得られる。
らフォノン励起するフォノン素子を設けて励起するもの
であり、ＬＤレーザーによって単一の縦モード、横モー
ドと共に良好なビームが得られるが、これを更にフォノ
ン励起が同時に作用するので、良好なモードのビームが
増幅されて高い発振出力が得られる。
【０００７】又、前記励起をＱスイッチを挿入してＱス
イッチパルス発振させることにより、増幅度を更に高め
た高出力パルスを発生させることができる。
イッチパルス発振させることにより、増幅度を更に高め
た高出力パルスを発生させることができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面の一実施例により本発明を説明す
る。図１に於いて、１はルビー等の固体レーザーロッ
ド、２はレーザダイオード（ＬＤ）であって、固体レー
ザー１の軸方向から励起し、その波長は固体レーザー１
の吸収波長に合わせてある。３は集光レンズで、ＬＤ２
の光を集束して微小スポット径で固体レーザー１に照射
する。４はジャイアンパルスを出力する出力ミラーであ
る。５は固体レーザーロッドの側面から励起するＬＤ、
６は固体レーザー１の側面からフォノン励起する石英等
のフォノン素子で、数ＭＨｚの超音波を直角方向から加
える。７は励起回路に挿入したＱスイッチである。
る。図１に於いて、１はルビー等の固体レーザーロッ
ド、２はレーザダイオード（ＬＤ）であって、固体レー
ザー１の軸方向から励起し、その波長は固体レーザー１
の吸収波長に合わせてある。３は集光レンズで、ＬＤ２
の光を集束して微小スポット径で固体レーザー１に照射
する。４はジャイアンパルスを出力する出力ミラーであ
る。５は固体レーザーロッドの側面から励起するＬＤ、
６は固体レーザー１の側面からフォノン励起する石英等
のフォノン素子で、数ＭＨｚの超音波を直角方向から加
える。７は励起回路に挿入したＱスイッチである。
【０００９】固体レーザー１にＳｉＯ２＋３Ｗｔ％Ｅｒ
の多層膜を施し、入射端面は波長１．５５μｍで８０〜
６０％透過率であり、波長が１．４８μｍでは反射率９
８〜１００％と高くした。ＬＤ２の波長を１．５５μｍ
に調整し、ＬＤ５は波長１．４８μｍ、フォノン励起す
る石英６の振動数を５ＭＨｚとした。
の多層膜を施し、入射端面は波長１．５５μｍで８０〜
６０％透過率であり、波長が１．４８μｍでは反射率９
８〜１００％と高くした。ＬＤ２の波長を１．５５μｍ
に調整し、ＬＤ５は波長１．４８μｍ、フォノン励起す
る石英６の振動数を５ＭＨｚとした。
【００１０】以上に於て、今固体レーザー１のレーザー
共振器の発振を抑制するように、共振器の損失を大きく
した状態に保って光ポンピングを行う。これは共振器内
の光の進行方向と直角方向に石英ブロック６によって超
音波を加えることにより、光はその光路を曲げられ、共
振器のＱ値が小さく保たれる。この状態に於ては固体レ
ーザーロッド１内では誘導放出は起こらず、エネルギー
は準安定のレーザー準位に貯えられることになる。この
状態からＱスイッチによりＱ値を大きな値に導くと、印
加されていたエネルギーは一気に放出され、１ｎｓ〜１
００ｎｓの短時間に連続発振に比べて数１０００倍程度
の鋭いピーク値のパルス出力が得られる。実験では最大
約３０ｄｂの増幅度が得られた。
共振器の発振を抑制するように、共振器の損失を大きく
した状態に保って光ポンピングを行う。これは共振器内
の光の進行方向と直角方向に石英ブロック６によって超
音波を加えることにより、光はその光路を曲げられ、共
振器のＱ値が小さく保たれる。この状態に於ては固体レ
ーザーロッド１内では誘導放出は起こらず、エネルギー
は準安定のレーザー準位に貯えられることになる。この
状態からＱスイッチによりＱ値を大きな値に導くと、印
加されていたエネルギーは一気に放出され、１ｎｓ〜１
００ｎｓの短時間に連続発振に比べて数１０００倍程度
の鋭いピーク値のパルス出力が得られる。実験では最大
約３０ｄｂの増幅度が得られた。
【００１１】又、固体レーザーロッドの反射膜としてロ
ーダミン６ＧとローダミンＢを各１Ｗｔ％用いたとき、
ローダミン６Ｇの場合は５６１ｎｍの波長で増幅度が３
８５ｄＢ、ローダミンＢは５８９ｎｍの波長で５．５ｄ
Ｂの増幅度が得られた。
ーダミン６ＧとローダミンＢを各１Ｗｔ％用いたとき、
ローダミン６Ｇの場合は５６１ｎｍの波長で増幅度が３
８５ｄＢ、ローダミンＢは５８９ｎｍの波長で５．５ｄ
Ｂの増幅度が得られた。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明は、固体レーザの側
面からフォノン励起するフォノン素子を設けて励起する
ようにしたことにより、ＬＤレーザーによる単一の縦モ
ード及び横モードの良好なビームに加え、更にフォノン
励起が同時に作用するので、良好なモードのビームが高
い増幅度で増幅され、高出力が容易に得られる。
面からフォノン励起するフォノン素子を設けて励起する
ようにしたことにより、ＬＤレーザーによる単一の縦モ
ード及び横モードの良好なビームに加え、更にフォノン
励起が同時に作用するので、良好なモードのビームが高
い増幅度で増幅され、高出力が容易に得られる。
【００１３】又、前記励起にＱスイッチを挿入したこと
によって超短パルスで高ピークのＱスイッチパルスが得
られ、極めて効率の高い波長変換が行える効果がある。
そしてこの高ピーク出力によれば、穴明け、切断等の微
細加工が高速、高精度に加工できる効果がある。
によって超短パルスで高ピークのＱスイッチパルスが得
られ、極めて効率の高い波長変換が行える効果がある。
そしてこの高ピーク出力によれば、穴明け、切断等の微
細加工が高速、高精度に加工できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例図である。
１ 固体レーザーロッド ２ ＬＤ ３ 集光レンズ ４ 出力ミラー ５ ＬＤ ６ フォノン素子 ７ Ｑスイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 励起光源として軸方向にレーザダイオー
ドを設けた固体レーザーに於て、該固体レーザーに側面
からフォノン励起するフォノン素子を設けたことを特徴
とするレーザー装置。 - 【請求項２】 請求項１に於ける励起に、Ｑスイッチを
挿入したことを特徴とするレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245430A JPH0653578A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245430A JPH0653578A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653578A true JPH0653578A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=17133546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245430A Pending JPH0653578A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653578A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9620397B2 (en) | 2002-06-19 | 2017-04-11 | Murata Machinery Ltd. | Automated material handling system for semiconductor manufacturing based on a combination of vertical carousels and overhead hoists |
| US10957569B2 (en) | 2002-10-11 | 2021-03-23 | Murata Machinery Ltd. | Access to one or more levels of material storage shelves by an overhead hoist transport vehicle from a single track position |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4245430A patent/JPH0653578A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9620397B2 (en) | 2002-06-19 | 2017-04-11 | Murata Machinery Ltd. | Automated material handling system for semiconductor manufacturing based on a combination of vertical carousels and overhead hoists |
| US10141212B2 (en) | 2002-06-19 | 2018-11-27 | Murata Machinery Ltd. | Automated material handling system for semiconductor manufacturing based on a combination of vertical carousels and overhead hoists |
| US10147627B2 (en) | 2002-06-19 | 2018-12-04 | Murata Machinery Ltd. | Automated material handling system for semiconductor manufacturing based on a combination of vertical carousels and overhead hoists |
| US10381251B2 (en) | 2002-06-19 | 2019-08-13 | Murata Machinery Ltd. | Automated material handling system for semiconductor manufacturing based on a combination of vertical carousels and overhead hoists |
| US10957569B2 (en) | 2002-10-11 | 2021-03-23 | Murata Machinery Ltd. | Access to one or more levels of material storage shelves by an overhead hoist transport vehicle from a single track position |
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