JPH0653597A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0653597A JPH0653597A JP4202378A JP20237892A JPH0653597A JP H0653597 A JPH0653597 A JP H0653597A JP 4202378 A JP4202378 A JP 4202378A JP 20237892 A JP20237892 A JP 20237892A JP H0653597 A JPH0653597 A JP H0653597A
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- H10W72/874—On different surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 適正なボンディング強度を確保して寿命の長
い、かつ副出射光による受光量のばらつきの少ない半導
体レーザ装置を提供するものである。 【構成】 位置決め手段を有する第１のリード上に載置
された受光素子と、受光素子上に又は前方の第１のリー
ド上に載置され受光素子の受光面より高い位置にある光
軸中心線を有し前方に主出射面を有する半導体レーザ素
子を設ける。半導体レーザ素子の後面近傍から受光素子
の表面に形成された受光面までを覆う透光性樹脂と、第
１のリードと離れて配置された第２のリードを設ける。
第１、第２のリードの周辺に形成された絶縁枠と、半導
体レーザ素子と第２のリードを接続する金属細線を設け
る。金属細線が接続される第２のリードの高さと半導体
レーザ素子の高さを略同じに設け、第２のリードを光軸
中心線に対して左又は右に配置する。
い、かつ副出射光による受光量のばらつきの少ない半導
体レーザ装置を提供するものである。 【構成】 位置決め手段を有する第１のリード上に載置
された受光素子と、受光素子上に又は前方の第１のリー
ド上に載置され受光素子の受光面より高い位置にある光
軸中心線を有し前方に主出射面を有する半導体レーザ素
子を設ける。半導体レーザ素子の後面近傍から受光素子
の表面に形成された受光面までを覆う透光性樹脂と、第
１のリードと離れて配置された第２のリードを設ける。
第１、第２のリードの周辺に形成された絶縁枠と、半導
体レーザ素子と第２のリードを接続する金属細線を設け
る。金属細線が接続される第２のリードの高さと半導体
レーザ素子の高さを略同じに設け、第２のリードを光軸
中心線に対して左又は右に配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は寿命の長いかつ安定した
光出力モニタ電流を確保し易い半導体レーザ装置に関す
る。
光出力モニタ電流を確保し易い半導体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図６に
示す。この図に於て、第１のリード４１上に受光素子４
２が載置され、その上に半導体レーザ素子４３が載置さ
れている。半導体レーザ素子４３の後面と受光素子４２
のＰ型拡散領域４４を透光性樹脂４５が覆っている。第
２のリード４６が第１のリード４１と離れて設けられて
いる。半導体レーザ素子４３と第２のリード４６との間
に、金属細線４７が配線されている。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図６に
示す。この図に於て、第１のリード４１上に受光素子４
２が載置され、その上に半導体レーザ素子４３が載置さ
れている。半導体レーザ素子４３の後面と受光素子４２
のＰ型拡散領域４４を透光性樹脂４５が覆っている。第
２のリード４６が第１のリード４１と離れて設けられて
いる。半導体レーザ素子４３と第２のリード４６との間
に、金属細線４７が配線されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の半導体
レーザ装置に於ては、半導体レーザ素子４３の寿命が短
くなるという第１の欠点がある。本発明者が究明した原
因を説明する。半導体レーザ素子４３の位置が第２のリ
ード４６の位置よりも高いため、ワイヤボンダーでボン
ディングする場合は通常、ボンダーのストロークが長く
なり圧縮強度が小さくなる第２のリード４６の位置でボ
ンダーの圧縮強度が設定されている。そのため第２のリ
ード４６では必要かつ十分なボンディング強度が確保さ
れる。しかし、半導体レーザ素子４３とのボンディング
では、ボンダーのストロークが短くなるために、半導体
レーザ素子４３が過度に圧縮される。故に半導体レーザ
素子４３がボンディング時に損傷されるので寿命が短く
なる。
レーザ装置に於ては、半導体レーザ素子４３の寿命が短
くなるという第１の欠点がある。本発明者が究明した原
因を説明する。半導体レーザ素子４３の位置が第２のリ
ード４６の位置よりも高いため、ワイヤボンダーでボン
ディングする場合は通常、ボンダーのストロークが長く
なり圧縮強度が小さくなる第２のリード４６の位置でボ
ンダーの圧縮強度が設定されている。そのため第２のリ
ード４６では必要かつ十分なボンディング強度が確保さ
れる。しかし、半導体レーザ素子４３とのボンディング
では、ボンダーのストロークが短くなるために、半導体
レーザ素子４３が過度に圧縮される。故に半導体レーザ
素子４３がボンディング時に損傷されるので寿命が短く
なる。
【０００４】そして本装置の第２の欠点は第２のリード
４６が光軸中心線４８の真下に位置しているため、半導
体レーザ素子４３の後面からの副出射光が金属細線４７
に干渉し１部、Ｐ型拡散領域４４に入るので、受光量が
ばらつく事である。従って、本発明はかかる従来の欠点
に鑑みてなされたものであり、適正なボンディング強度
を確保して寿命の長い、かつ副出射光による受光量のば
らつきの少ない半導体レーザ装置を提供するものであ
る。
４６が光軸中心線４８の真下に位置しているため、半導
体レーザ素子４３の後面からの副出射光が金属細線４７
に干渉し１部、Ｐ型拡散領域４４に入るので、受光量が
ばらつく事である。従って、本発明はかかる従来の欠点
に鑑みてなされたものであり、適正なボンディング強度
を確保して寿命の長い、かつ副出射光による受光量のば
らつきの少ない半導体レーザ装置を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、位置決め手段を有する第１のリード上に
載置された受光素子と、受光素子上に又はその前方の第
１のリード上に載置されかつ受光素子の受光面より高い
位置にある光軸中心線を有しかつ前方に主出射面を有す
る半導体レーザ素子を設ける。半導体レーザ素子の後面
近傍から受光素子の表面に形成された受光面までを覆う
透光性樹脂と、第１のリードと離れて配置された第２の
リードを設ける。第１、第２のリードの周辺に形成され
た絶縁枠と、半導体レーザ素子と第２のリードを接続す
る金属細線を設ける。そして金属細線が接続される第２
のリードの高さと半導体レーザ素子の高さを略同じに設
けかつ第２のリードを光軸中心線に対して左又は右に配
置するものである。
決するために、位置決め手段を有する第１のリード上に
載置された受光素子と、受光素子上に又はその前方の第
１のリード上に載置されかつ受光素子の受光面より高い
位置にある光軸中心線を有しかつ前方に主出射面を有す
る半導体レーザ素子を設ける。半導体レーザ素子の後面
近傍から受光素子の表面に形成された受光面までを覆う
透光性樹脂と、第１のリードと離れて配置された第２の
リードを設ける。第１、第２のリードの周辺に形成され
た絶縁枠と、半導体レーザ素子と第２のリードを接続す
る金属細線を設ける。そして金属細線が接続される第２
のリードの高さと半導体レーザ素子の高さを略同じに設
けかつ第２のリードを光軸中心線に対して左又は右に配
置するものである。
【０００６】
【作用】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子の位置
と第２のリードの位置を略同じ高さに設けることによ
り、ワイヤボンダーでボンディングする場合、この２個
所に於けるボンダーのストロークが略同じになる。故
に、第２のリードと半導体レーザ素子のそれぞれに於け
るボンディングの圧縮強度を略同じくかつ適正な値に設
定することができる。更に本発明は光軸中心線を受光面
より高い位置に設けているので、副出射光が十分に受光
面に入る。そして第２のリードを光軸中心線に対して左
又は右に配置する事により、金属細線や第２のリードの
端面で反射された副出射光が受光面に入る事を防止でき
る。
と第２のリードの位置を略同じ高さに設けることによ
り、ワイヤボンダーでボンディングする場合、この２個
所に於けるボンダーのストロークが略同じになる。故
に、第２のリードと半導体レーザ素子のそれぞれに於け
るボンディングの圧縮強度を略同じくかつ適正な値に設
定することができる。更に本発明は光軸中心線を受光面
より高い位置に設けているので、副出射光が十分に受光
面に入る。そして第２のリードを光軸中心線に対して左
又は右に配置する事により、金属細線や第２のリードの
端面で反射された副出射光が受光面に入る事を防止でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
断面図である。これらの図に於て、第１のリード１は厚
みが０．２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩
形部２と切欠部３と端子部４からできている。第１のリ
ード１は端面５に形成されたＶ字状溝の様な位置決め手
段６を有している。その他に位置決め手段６はＵ字状溝
でも、断面略コ字状の凹部に形成しても良く又はＶ字
状、Ｕ字状、断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
断面図である。これらの図に於て、第１のリード１は厚
みが０．２乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩
形部２と切欠部３と端子部４からできている。第１のリ
ード１は端面５に形成されたＶ字状溝の様な位置決め手
段６を有している。その他に位置決め手段６はＵ字状溝
でも、断面略コ字状の凹部に形成しても良く又はＶ字
状、Ｕ字状、断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
【０００８】受光素子７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からな
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介して第１の
リード１上に固着されている。
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介して第１の
リード１上に固着されている。
【０００９】半導体レーザ素子１２は例えば、活性層と
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射面が位置する様に、受光素子７の表面
電極８上に銀ペースト又は半田を介して固着されてい
る。半導体レーザ素子１２は後方にモニター用の副出射
が行われる様に、後面の反射膜の反射率が前面のそれよ
りも高い様に形成されている。半導体レーザ素子１２の
光軸中心線１２ａは受光素子７の受光面１１より高い位
置にある様に設けられている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射面が位置する様に、受光素子７の表面
電極８上に銀ペースト又は半田を介して固着されてい
る。半導体レーザ素子１２は後方にモニター用の副出射
が行われる様に、後面の反射膜の反射率が前面のそれよ
りも高い様に形成されている。半導体レーザ素子１２の
光軸中心線１２ａは受光素子７の受光面１１より高い位
置にある様に設けられている。
【００１０】第２、第３のリード１３、１４は銅等の金
属材料からなり、第１のリード１の切欠き部３に位置
し、半導体レーザ素子１２の主出射方向と逆に延びてい
る。第２、第３のリード１３、１４は光軸中心線１２ａ
に対して、それぞれ右と左に振り分けられて配置されて
いる。また必要に応じて、第２、第３のリード１３、１
４はそれぞれ左と右に配置されても良い。第２のリード
１３はプレス加工により先端をクランク状に形成され、
その先端の表面は半導体レーザ素子１２の表面と略同じ
高さになる様な位置にある。
属材料からなり、第１のリード１の切欠き部３に位置
し、半導体レーザ素子１２の主出射方向と逆に延びてい
る。第２、第３のリード１３、１４は光軸中心線１２ａ
に対して、それぞれ右と左に振り分けられて配置されて
いる。また必要に応じて、第２、第３のリード１３、１
４はそれぞれ左と右に配置されても良い。第２のリード
１３はプレス加工により先端をクランク状に形成され、
その先端の表面は半導体レーザ素子１２の表面と略同じ
高さになる様な位置にある。
【００１１】金属細線１５と他の金属細線１６は共に金
等からなり、それぞれ半導体レーザ素子１２と第２のリ
ード１３との間、および受光素子７の表面電極９と第３
のリード１４との間を接続する様に配線されている。金
属細線１５と他の金属細線１６は光軸中心線１２ａに対
して、右と左に振り分けられている。他の金属細線１７
は受光素子７の表面電極８と第１のリード１との間を接
続する様に配線されている。
等からなり、それぞれ半導体レーザ素子１２と第２のリ
ード１３との間、および受光素子７の表面電極９と第３
のリード１４との間を接続する様に配線されている。金
属細線１５と他の金属細線１６は光軸中心線１２ａに対
して、右と左に振り分けられている。他の金属細線１７
は受光素子７の表面電極８と第１のリード１との間を接
続する様に配線されている。
【００１２】透光性樹脂１８は例えばエポキシ樹脂から
なり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子７
の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。絶縁枠
１９は例えばポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等
からなり、半導体レーザ素子１２の出射面を露出する様
に平面略コ字状に、かつ第１、第２、第３のリード１と
１３と１４の各表面と裏面を挟む様にトランスファーモ
ールドによって形成されている。絶縁枠１９は第２のリ
ード１３のクランク状の先端の下にも位置する様に形成
されている。これはワイヤボンディング時に第２のリー
ド１３の基台となって、第２のリード１３が変形するの
を防止するためである。これらの部品により半導体レー
ザ装置２０は構成されている。
なり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子７
の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。絶縁枠
１９は例えばポリカーボネート樹脂又はエポキシ樹脂等
からなり、半導体レーザ素子１２の出射面を露出する様
に平面略コ字状に、かつ第１、第２、第３のリード１と
１３と１４の各表面と裏面を挟む様にトランスファーモ
ールドによって形成されている。絶縁枠１９は第２のリ
ード１３のクランク状の先端の下にも位置する様に形成
されている。これはワイヤボンディング時に第２のリー
ド１３の基台となって、第２のリード１３が変形するの
を防止するためである。これらの部品により半導体レー
ザ装置２０は構成されている。
【００１３】そして支持具２１に形成された凸部又は凹
部と第１のリード１の端面５に形成された位置決め手段
６、すなわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２０が支持具２１に固定されている。回折格子や
ハーフミラーや対物レンズ等の光学部品２２が半導体レ
ーザ素子１２の主出射方向に設けられている。
部と第１のリード１の端面５に形成された位置決め手段
６、すなわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２０が支持具２１に固定されている。回折格子や
ハーフミラーや対物レンズ等の光学部品２２が半導体レ
ーザ素子１２の主出射方向に設けられている。
【００１４】次に本発明の第２実施例を図３の断面図に
従い説明する。第１のリード２３はプレス加工により、
部分的にクランク状に形成され、その上に受光素子７が
固着されている。受光素子７上に半導体レーザ素子１２
が固着されている。第２のリード２４はその表面が半導
体レーザ素子１２の表面と略同じ高さとなる位置にあ
り、平板の形状をしている。金属細線２５が半導体レー
ザ素子１２と第２のリード２４を接続する様に配線され
ている。絶縁枠２６が第１、第２のリード２３と２４を
一体的に覆う様に設けられている。図３の番号と図１、
図２の番号と同じものは同一部品である事を示す。上述
の様に第１実施例では、第２のリードの先端が部分的に
位置を上げた形状にされているが、第２実施例では、第
１のリードが部分的に位置を下げた形状にされている。
従い説明する。第１のリード２３はプレス加工により、
部分的にクランク状に形成され、その上に受光素子７が
固着されている。受光素子７上に半導体レーザ素子１２
が固着されている。第２のリード２４はその表面が半導
体レーザ素子１２の表面と略同じ高さとなる位置にあ
り、平板の形状をしている。金属細線２５が半導体レー
ザ素子１２と第２のリード２４を接続する様に配線され
ている。絶縁枠２６が第１、第２のリード２３と２４を
一体的に覆う様に設けられている。図３の番号と図１、
図２の番号と同じものは同一部品である事を示す。上述
の様に第１実施例では、第２のリードの先端が部分的に
位置を上げた形状にされているが、第２実施例では、第
１のリードが部分的に位置を下げた形状にされている。
【００１５】次に本発明の第３実施例を図４の断面図に
従い説明する。第１のリード１は平板状に形成され、そ
の上に順次、受光素子７と半導体レーザ素子１２が載置
されている。平板状の第２のリード２７が第１のリード
１と略同一な高さに配置されている。サブマウント２８
はボロン等を添加されたシリコンならなり、第２のリー
ド２７上に固着されている。そしてサブマウント２８の
表面は半導体レーザ素子１２の表面と略同じ高さにある
様に設けられている。金属細線２９がサブマウント２８
の表面と半導体レーザ素子１２の表面を接続する様に配
線されている。絶縁枠３０が第１、第２のリード１と２
７を一体的に覆う様に設けられている。本実施例の半導
体レーザ装置は第１、第２実施例の半導体レーザ装置の
様にリードに段差を設けるプレス加工が不必要だが、サ
ブマウントを載置する必要がありコスト的には高くな
る。
従い説明する。第１のリード１は平板状に形成され、そ
の上に順次、受光素子７と半導体レーザ素子１２が載置
されている。平板状の第２のリード２７が第１のリード
１と略同一な高さに配置されている。サブマウント２８
はボロン等を添加されたシリコンならなり、第２のリー
ド２７上に固着されている。そしてサブマウント２８の
表面は半導体レーザ素子１２の表面と略同じ高さにある
様に設けられている。金属細線２９がサブマウント２８
の表面と半導体レーザ素子１２の表面を接続する様に配
線されている。絶縁枠３０が第１、第２のリード１と２
７を一体的に覆う様に設けられている。本実施例の半導
体レーザ装置は第１、第２実施例の半導体レーザ装置の
様にリードに段差を設けるプレス加工が不必要だが、サ
ブマウントを載置する必要がありコスト的には高くな
る。
【００１６】更に本発明の第４実施例を図５の断面図に
従い説明する。受光素子３１は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造か
らなるシリコン系結晶に表面電極３２と裏面電極３３を
設けられたものである。表面電極３２はＰ型拡散領域か
らなる受光面３４とオーミック接触して形成されてい
る。受光素子３１は導電性接着剤を介して第１のリード
１上に固着されている。
従い説明する。受光素子３１は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造か
らなるシリコン系結晶に表面電極３２と裏面電極３３を
設けられたものである。表面電極３２はＰ型拡散領域か
らなる受光面３４とオーミック接触して形成されてい
る。受光素子３１は導電性接着剤を介して第１のリード
１上に固着されている。
【００１７】サブマウント３５はシリコン等からなり表
面電極３６と裏面電極（図示せず）を設けられたもので
あり、導電性接着剤により第１のリード１上に固着され
ている。半導体レーザ素子１２はサブマウント３５の表
面電極３６と合金化することにより固定されている。こ
の様に、半導体レーザ素子１２は受光素子３１の前方の
第１のリード１上にサブマウント３５を介して載置さ
れ、その光軸中心線１２ａは受光面３４より高い位置に
ありかつ前方に主出射面を有している。
面電極３６と裏面電極（図示せず）を設けられたもので
あり、導電性接着剤により第１のリード１上に固着され
ている。半導体レーザ素子１２はサブマウント３５の表
面電極３６と合金化することにより固定されている。こ
の様に、半導体レーザ素子１２は受光素子３１の前方の
第１のリード１上にサブマウント３５を介して載置さ
れ、その光軸中心線１２ａは受光面３４より高い位置に
ありかつ前方に主出射面を有している。
【００１８】透光性樹脂３７は半導体レーザ素子１２の
後面近傍から受光面３４まで覆う様に形成されている。
上述の様に、半導体レーザ素子１２と受光素子３１を離
して第１のリード１上に載置するので、半導体レーザ素
子１２の温度上昇により受光素子３１の温度が余り上が
らない。故に受光素子３１の受光特性（受光量に対する
モニタ電流値）が安定するのでモニタ電流も安定する。
後面近傍から受光面３４まで覆う様に形成されている。
上述の様に、半導体レーザ素子１２と受光素子３１を離
して第１のリード１上に載置するので、半導体レーザ素
子１２の温度上昇により受光素子３１の温度が余り上が
らない。故に受光素子３１の受光特性（受光量に対する
モニタ電流値）が安定するのでモニタ電流も安定する。
【００１９】本実施例の他に、リードに凹部を形成しそ
の凹部上に受光素子を載置し、その前方の第１のリード
上に直接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心線が受
光面より高い位置にある様に設けても良い。
の凹部上に受光素子を載置し、その前方の第１のリード
上に直接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心線が受
光面より高い位置にある様に設けても良い。
【００２０】
【発明の効果】本発明は上述の様に、光軸中心線を受光
面より高い位置に設け、そして半導体レーザ素子の後面
から受光面まで透光性樹脂で覆う事により、受光面への
受光量を十分に確保できる。
面より高い位置に設け、そして半導体レーザ素子の後面
から受光面まで透光性樹脂で覆う事により、受光面への
受光量を十分に確保できる。
【００２１】本発明は更に、半導体レーザ素子の位置と
第２のリードの配線位置を略同じ高さに設けることによ
り、ワイヤーボンダーでボンディングする場合、この２
個所に於けるボンダーのストロークを略同じにすること
ができる。故に、この第２のリードと半導体レーザ素子
のそれぞれに於けるボンディングの圧縮強度を略同じく
かつ適正な値に設定することができる。従って、第２の
リードおよび半導体レーザ素子へのボンディング強度を
必要かつ十分に確保できるので、第２のリードおよび半
導体レーザ素子に於て、金属細線が外れる恐れがない。
そして、表面近くに損傷し易い活性層を有する半導体レ
ーザ素子に対して従来の様に過度な圧縮強度が加わらな
いので、半導体レーザ素子は損傷されないから寿命が長
くなる。
第２のリードの配線位置を略同じ高さに設けることによ
り、ワイヤーボンダーでボンディングする場合、この２
個所に於けるボンダーのストロークを略同じにすること
ができる。故に、この第２のリードと半導体レーザ素子
のそれぞれに於けるボンディングの圧縮強度を略同じく
かつ適正な値に設定することができる。従って、第２の
リードおよび半導体レーザ素子へのボンディング強度を
必要かつ十分に確保できるので、第２のリードおよび半
導体レーザ素子に於て、金属細線が外れる恐れがない。
そして、表面近くに損傷し易い活性層を有する半導体レ
ーザ素子に対して従来の様に過度な圧縮強度が加わらな
いので、半導体レーザ素子は損傷されないから寿命が長
くなる。
【００２２】そして本発明は第２のリードを光軸中心線
に対して左又は右に配置する事により、透光性樹脂を貫
いて進行する副出射光が金属細線や第２のリードの端部
で反射される事がないので、その反射光が再び透光性樹
脂を貫いて受光面に入る事がない。故に受光面への受光
量が安定し、受光素子による安定したモニタ電流が得ら
れるので、半導体レーザ素子の出力制御が正確となる。
に対して左又は右に配置する事により、透光性樹脂を貫
いて進行する副出射光が金属細線や第２のリードの端部
で反射される事がないので、その反射光が再び透光性樹
脂を貫いて受光面に入る事がない。故に受光面への受光
量が安定し、受光素子による安定したモニタ電流が得ら
れるので、半導体レーザ素子の出力制御が正確となる。
【００２３】更に、本発明は半導体レーザ装置の第１の
リードに設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹
部をはめ合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれ
を防止し出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持
することができる。
リードに設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹
部をはめ合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれ
を防止し出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持
することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの平面
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第４実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の側面断面図である。
１、２３ 第１のリード ６ 位置決め手段 ７、３１ 受光素子 １１、３４ 受光面 １２ 半導体レーザ素子 １２ａ 光軸中心線 １３、２４、２７ 第２のリード １５、２５、２９ 金属細線 １８、３７ 透光性樹脂 １９、２６、３０ 絶縁枠
Claims (1)
- 【請求項１】 位置決め手段を有する第１のリード上に
載置された受光素子と、その受光素子上に又はその前方
の前記第１のリード上に載置されかつ前記受光素子の受
光面より高い位置にある光軸中心線を有しかつ前方に主
出射面を有する半導体レーザ素子と、その半導体レーザ
素子の後面近傍から前記受光素子の表面に形成された受
光面までを覆う透光性樹脂と、前記第１のリードと離れ
て配置された第２のリードと、前記第１、第２のリード
の周辺に形成された絶縁枠と、前記半導体レーザ素子と
前記第２のリードを接続する金属細線とを具備し、前記
金属細線が接続される前記第２のリードの高さと前記半
導体レーザ素子の高さが略同じであり、かつ前記第２の
リードが前記光軸中心線に対して左又は右に配置されて
いる事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202378A JPH0653597A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202378A JPH0653597A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653597A true JPH0653597A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16456509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4202378A Pending JPH0653597A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237285A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP4202378A patent/JPH0653597A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| JP2006237285A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
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