JPH0654300U - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH0654300U JPH0654300U JP8839292U JP8839292U JPH0654300U JP H0654300 U JPH0654300 U JP H0654300U JP 8839292 U JP8839292 U JP 8839292U JP 8839292 U JP8839292 U JP 8839292U JP H0654300 U JPH0654300 U JP H0654300U
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- dielectric
- microwave
- microwave plasma
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 マイクロ波発振器23と、マイクロ波を伝搬
する誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置され
た誘電体板40を有する反応器10とを備えたマイクロ
波プラズマ装置において、誘電体板40の側面42が丸
みを有する形状に形成されているマイクロ波プラズマ装
置。 【効果】 誘電体板40周辺部からの熱放散面積が縮小
されるために誘電体板40に作用する熱応力を減少させ
ることができ、また強度の弱い稜線部34をなくすこと
により誘電体板40の強度を全体的に高めることがで
き、誘電体板40の破損を防止することができる。
する誘電体線路21と、誘電体線路21に対向配置され
た誘電体板40を有する反応器10とを備えたマイクロ
波プラズマ装置において、誘電体板40の側面42が丸
みを有する形状に形成されているマイクロ波プラズマ装
置。 【効果】 誘電体板40周辺部からの熱放散面積が縮小
されるために誘電体板40に作用する熱応力を減少させ
ることができ、また強度の弱い稜線部34をなくすこと
により誘電体板40の強度を全体的に高めることがで
き、誘電体板40の破損を防止することができる。
Description
【0001】
本考案はマイクロ波プラズマ装置に関し、より詳細にはマイクロ波を導入する ことにより発生させたプラズマを利用して例えば半導体素子基板等にエッチング 処理、アッシング処理、あるいは薄膜形成処理等を施す装置として用いられるマ イクロ波プラズマ装置に関する。
【0002】
図3は従来のマイクロ波プラズマ装置を模式的に示した断面図であり、図中1 0はアルミニウム等の金属を用いて中空直方体形状に形成された反応器を示して いる。反応器10内にはプラズマ室11と反応室12とが形成されており、プラ ズマ室11と反応室12とは複数の孔を有するシャワーヘッド13で仕切られて いる。反応室12内におけるシャワーヘッド13と対向する箇所には試料Sを載 置するための試料台14が配設され、反応室12の下部壁には、排気装置(図示 せず)に接続された排気口15が配設され、プラズマ室11の一側壁には、反応 器10内に所要の反応ガスを供給するためのガス供給管16が接続されている。 また、反応器10上部は、マイクロ波透過性を有し、誘電損失が小さい誘電体板 30により気密状態に封止されており、誘電体板端部下面31と反応器上部壁1 0a、及び誘電体板側面32と反応器上部壁10bとがそれぞれ密接状態に配設 されている。この誘電体板30は例えばセラミックス材料を用い、図4に示した ように長さLが略380mm、幅Wが略380mm、厚さtが略20mmの板状に形成 されており、4個の角部35には半径Rが略10mmの曲面が形成され、8個の稜 線部34には半径rが約0.5mmの面取りが施されている。
【0003】 一方、反応器10の上方には誘電損失が小さいフッ素樹脂、ポリエチレンある いはポリスチレン等を用いて形成された誘電体線路21が配設されており、誘電 体線路21の上面21a及び側面21bには、これら上面21a及び側面21b を覆うアルミニウム等の金属板を用いて形成された蓋体22が配設されている。 また、誘電体線路21には導波管24を介してマイクロ波発振器23が連結され ており、マイクロ波発振器23から発振されたマイクロ波が誘電体線路21に導 入されるようになっている。
【0004】 このように構成されたマイクロ波プラズマ装置を用い、例えば試料台14上に 載置された試料S表面にレジストのアッシング処理を施す場合、まず排気口15 から排気を行ない、反応器10内を所要の真空度に設定した後、ガス供給管16 からプラズマ室11内に所要の反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器 23においてマイクロ波を発振させ、このマイクロ波を誘電体線路21に導入す る。すると誘電体線路21下方に電界が形成され、形成された電界が誘電体板3 0を透過し、プラズマ室11に供給されてプラズマを生成する。生成されたプラ ズマ中の荷電粒子はシャワーヘッド13により捕獲され、主にラジカル等の中性 粒子のみがシャワーヘッド13の孔を透過して反応室12内の試料S周辺に導か れ、試料S上のレジストをアッシングする。
【0005】
上記したマイクロ波プラズマ処理装置においては、プラズマ処理を施す際、誘 電体板中央部33の温度は略180℃にまで上昇する一方、反応器上部壁10a 、10bは熱放散に優れ、誘電体板端部31下面及び誘電体板側面32から反応 器10側に熱は逃げ、誘電体版30端部近傍の温度は上昇し難い。このため、誘 電体板30内に熱応力が生じ易いという課題があった。また誘電体板30はその 周辺端部において反応器上部壁10a、10bにより拘束されているため、誘電 体板30内に内部応力が生じ易いという課題があった。このためこれら熱応力と 機械的応力との複雑な相互作用により、強度が比較的に弱い稜線部34近傍や繰 り返し曲げ応力が掛かる部分に破損が生じ易いという課題があった。
【0006】 本考案はこのような課題に鑑みなされたものであり、誘電体板の破損を防止す ることができるマイクロ波プラズマ装置を提供することを目的としている。
【0007】
上記目的を達成するために本考案に係るマイクロ波プラズマ装置は、マイクロ 波発振器と、マイクロ波を伝搬する誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置され た誘電体板を有する反応器とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、 前記誘電体板の側面が丸みを有する形状に形成されていることを特徴としている 。
【0008】
本考案に係るマイクロ波プラズマ装置によれば、誘電体板の側面が丸みを有す る形状に形成されているので、熱放散面積が縮小されるために前記誘電体板の周 辺端部に発生する熱応力が減少することとなる。また誘電体板において、強度の 弱い稜線部がなくなるため、該稜線部に集中荷重が作用することもなくなり、前 記誘電体板の強度が全体的に高められることとなり、前記誘電体板の破損が防止 されることとなる。
【0009】
以下、本考案に係るマイクロ波プラズマ装置の実施例を図面に基づいて説明す る。なお、実施例に係る装置の構成は図3に示した従来のマイクロ波プラズマ装 置の構成と略同様であるため、ここではその同じ部分の説明は省略し、従来のも のと相違する箇所についてのみその構成を説明する。また、従来例と同一の構成 部品には、同一の符合を付すこととする。 図1は実施例に係るマイクロ波プラズマ装置を模式的に示した断面図であり、 図中40は誘電体板を示している。誘電体板40は従来例の場合と同様に例えば セラミックス材料を用い、図2に示したように長さLが略380mm、幅Wが略3 80mm、厚さtが略20mmの板状に形成されている。そして誘電体板40におけ る4個の側面41の断面形状及び4個の角部35は半径Rが略10mmの丸みを有 する形状に形成されている。これに対応して、誘電体板40の側面41と同様の 丸みを有する形状に反応器上部壁10cが形成され、この反応器上部壁10cに 誘電体板40の周辺端部が密接状態に配設されることにより、反応器20が気密 状態に封止されている。
【0010】 以下に、実施例及び比較例に係るマイクロ波プラズマ装置を用いて、繰り返し プラズマ処理を行ない、誘電体板が破損した処理回数を測定した結果について説 明する。測定条件としては、ガス供給管16から酸素ガスを950sccm、N2ガス を50sccm流し、反応室12内の圧力を1Torr、マイクロ波パワーを1.5kWに 設定し、プラズマ10分間オン、1.5分間オフのプラズマ処理を繰り返し行な った。
【0011】 その結果を下記の表1に示す。従来のマイクロ波プラズマ装置の場合、誘電体 板30は5回のプラズマ処理で破損した。これに対し、実施例に係るマイクロ波 プラズマ装置の場合、誘電体板40は25回のプラズマ処理後においても破損し なかった。
【0012】
【表1】
【0013】 異常の説明により明らかなように、本実施例に係るマイクロ波プラズマ装置で は、誘電体板40の側面42が丸みを有する形状に形成されているので、誘電体 板40周辺部における熱放散面積が縮小されるために誘電体板40に作用する熱 応力を減少させることができ、また強度の弱い稜線部34をなくすことにより誘 電体板稜線部34に作用していた集中荷重を排除することができ、誘電体板40 の強度を全体的に高ることができる。さらには誘電体板40がこの側面42形状 と同一形状の凹部を有する反応器上部壁10cによって支持されるために、誘電 体板40に対する反応器上部壁10cからの拘束力が緩和され、上記したように 誘電体板40の破損を防止することができる。
【0014】
以上詳述したように本考案に係るマイクロ波プラズマ装置にあっては、誘電体 板の側面が丸みを有する形状に形成されているので、熱放散面積が縮小されるた めに前記誘電体板に作用する熱応力を減少させることができ、また強度の弱い稜 線部をなくすことにより前記誘電体板の強度を全体的に高めることができ、前記 誘電体板の破損を防止することができる。
【図1】本考案に係るマイクロ波プラズマ装置の一実施
例を模式的に示した断面図である。
例を模式的に示した断面図である。
【図2】実施例に係る誘電体板の形状及び寸法を示した
図であり、(a)は平面図、(b)は側面図である。
図であり、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図3】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。
示した断面図である。
【図4】従来のマイクロ波プラズマ処理装置における誘
電体板の形状及び寸法を示した図であり、(a)は平面
図、(b)は側面図である。
電体板の形状及び寸法を示した図であり、(a)は平面
図、(b)は側面図である。
10 反応器 21 誘電体線路 23 マイクロ波発振器 40 誘電体板 42 側面
Claims (1)
- 【請求項1】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝搬
する誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置された誘電
体板を有する反応器とを備えたマイクロ波プラズマ装置
において、前記誘電体板の側面が丸みを有する形状に形
成されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8839292U JPH0654300U (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8839292U JPH0654300U (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0654300U true JPH0654300U (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=13941531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8839292U Pending JPH0654300U (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654300U (ja) |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP8839292U patent/JPH0654300U/ja active Pending
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