JPH0741155Y2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0741155Y2 JPH0741155Y2 JP1989037071U JP3707189U JPH0741155Y2 JP H0741155 Y2 JPH0741155 Y2 JP H0741155Y2 JP 1989037071 U JP1989037071 U JP 1989037071U JP 3707189 U JP3707189 U JP 3707189U JP H0741155 Y2 JPH0741155 Y2 JP H0741155Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plasma etching
- chamber
- wafer table
- cylindrical insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000153444 Verger Species 0.000 description 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はプラズマエッチング装置のチャンバー内に設け
られるウェハーテーブルに特徴を持たせたプラズマエッ
チング装置に関する。
られるウェハーテーブルに特徴を持たせたプラズマエッ
チング装置に関する。
（従来の技術） プラズマによって反応ガスを活性化し、この活性化した
粒子によってウエハー表面をエッチングする装置は従来
から知られており、特に最近では高密度のプラズマを発
生させて微細加工を行うべく、マイクロ波（2.45GHz）
によってプラズマを発生させるエッチング装置が特公昭
59−39508号公報等によって知られている。
粒子によってウエハー表面をエッチングする装置は従来
から知られており、特に最近では高密度のプラズマを発
生させて微細加工を行うべく、マイクロ波（2.45GHz）
によってプラズマを発生させるエッチング装置が特公昭
59−39508号公報等によって知られている。
そして、マイクロ波によって発生させたプラズマ内にウ
エハーを晒してエッチングする場合には、ウエハーを載
置するテーブルを交流電源、例えば13.56MHzの高周波電
源に接続し、プラズマに方向性を与えて異方性エッチン
グを行うようにしている。
エハーを晒してエッチングする場合には、ウエハーを載
置するテーブルを交流電源、例えば13.56MHzの高周波電
源に接続し、プラズマに方向性を与えて異方性エッチン
グを行うようにしている。
（考案が解決しようとする課題） 上述したウエハーテーブルはアースされている装置本体
に近接して配設されるため、ウエハーテーブルと装置本
体との間で放電が発生して電界が不安定となり、エッチ
ングしたパターンの右側と左側の一方が山裾状となる等
の非対称エッチングが発生する。
に近接して配設されるため、ウエハーテーブルと装置本
体との間で放電が発生して電界が不安定となり、エッチ
ングしたパターンの右側と左側の一方が山裾状となる等
の非対称エッチングが発生する。
特に、この傾向はウエハーの径が大径化し、ウエハーテ
ーブルの径にウエハーの径が近くなるにしたがって顕著
となり、ウエハーの中央部でも非対称エッチングが発生
することがある。
ーブルの径にウエハーの径が近くなるにしたがって顕著
となり、ウエハーの中央部でも非対称エッチングが発生
することがある。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決すべく本考案は、ウエハーテーブル上
に、ウエハーを囲むように筒状絶縁体を設けた。
に、ウエハーを囲むように筒状絶縁体を設けた。
（作用） ウエハーテーブル上に筒状絶縁体を設け、この中にウエ
ハーをセットすることで、電界に乱れを生じない空間内
にてウエハーをエッチングすることになる。
ハーをセットすることで、電界に乱れを生じない空間内
にてウエハーをエッチングすることになる。
（実施例） 以下に本考案の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本考案に係るウエハーテーブルを適用したプラ
ズマエッチング装置の概略図であり、プラズマエッチン
グ装置は、アースされた装置本体１の開口２上に合成石
英からなるヴェルジャ型チャンバー３を固定し、このチ
ャンバー３内に半導体ウエハー４を載置するウエハーテ
ーブル５を配置している。
ズマエッチング装置の概略図であり、プラズマエッチン
グ装置は、アースされた装置本体１の開口２上に合成石
英からなるヴェルジャ型チャンバー３を固定し、このチ
ャンバー３内に半導体ウエハー４を載置するウエハーテ
ーブル５を配置している。
ウエハーテーブル５は13.56MHzの高周波電源６に接続さ
れ、上面外周縁にはAl2O3等からなる筒状絶縁体７の下
端部を嵌着している。筒状絶縁体７は内部にウエハー４
を収めるべくその内径寸法をウエハー４の外径寸法より
も大きくし、また第２図に示すように周方向に等間隔離
間して多数の反応ガス給排穴８…を形成している。
れ、上面外周縁にはAl2O3等からなる筒状絶縁体７の下
端部を嵌着している。筒状絶縁体７は内部にウエハー４
を収めるべくその内径寸法をウエハー４の外径寸法より
も大きくし、また第２図に示すように周方向に等間隔離
間して多数の反応ガス給排穴８…を形成している。
また、チャンバー３内はバルブ９を介して真空ポンプ10
につながっており、チャンバー３内には反応ガス供給源
11からエッチング用反応ガスを導入するようにしてい
る。
につながっており、チャンバー３内には反応ガス供給源
11からエッチング用反応ガスを導入するようにしてい
る。
一方、チャンバー３は2.45GHzのマイクロ波発振器12か
らのマイクロ波を伝播する導波管13内に設けられ、この
導波管13の外側にはマイクロ波電界に直交する方向の磁
場を発生させるコイル14を配置し、プラズマによって発
生する活性種に方向性をもたせ、異方性エッチングがな
されるようにしている。
らのマイクロ波を伝播する導波管13内に設けられ、この
導波管13の外側にはマイクロ波電界に直交する方向の磁
場を発生させるコイル14を配置し、プラズマによって発
生する活性種に方向性をもたせ、異方性エッチングがな
されるようにしている。
第３図は別実施例を示し、この実施例にあってはウエハ
ーテーブル５表面に筒状絶縁体７を取外し自在に載置す
るようにしている。
ーテーブル５表面に筒状絶縁体７を取外し自在に載置す
るようにしている。
以上において、チャンバー内を減圧し、チャンバー３内
に反応バスを導入するとともにマイクロ波によってプラ
ズマを発生せしめ、ウエハー４表面をエッチングする。
に反応バスを導入するとともにマイクロ波によってプラ
ズマを発生せしめ、ウエハー４表面をエッチングする。
尚、図示例にあってはマイクロ波（プラズマエッチング
装置を示したが、本考案に係るウエハーテーブルは例え
ば平行平板型エッチング装置の下部電極としても用いる
ことができる。
装置を示したが、本考案に係るウエハーテーブルは例え
ば平行平板型エッチング装置の下部電極としても用いる
ことができる。
（考案の効果） 以上に説明した如く本考案に係るエッチング装置のウエ
ハーテーブルは、その上面に筒状絶縁体を設けたので、
安定した電界内でウエハーのエッチングを行うことがで
き、ウエハーが大径化しても左右非対称の如き異常エッ
チングが発生することを防止できる。
ハーテーブルは、その上面に筒状絶縁体を設けたので、
安定した電界内でウエハーのエッチングを行うことがで
き、ウエハーが大径化しても左右非対称の如き異常エッ
チングが発生することを防止できる。
第１図は本考案に係るウエハーテーブルを適用したエッ
チング装置の概略全体図、第２図は筒状絶縁体の斜視
図、第３図は別実施例を示すウエハーテーブルの断面図
である。 尚、図面中１は装置本体、３はチャンバー、４はウエハ
ー、５はウエハーテーブル、６は高周波電源、７は筒状
絶縁体、８は反応ガス給排穴、12はマイクロ波発振器で
ある。
チング装置の概略全体図、第２図は筒状絶縁体の斜視
図、第３図は別実施例を示すウエハーテーブルの断面図
である。 尚、図面中１は装置本体、３はチャンバー、４はウエハ
ー、５はウエハーテーブル、６は高周波電源、７は筒状
絶縁体、８は反応ガス給排穴、12はマイクロ波発振器で
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】アースされた装置本体の開口上にチャンバ
ーを配置し、このチャンバー外側をマイクロ波を伝播す
る導波管で覆うとともにチャンバー内に高周波電源に接
続されるウェハーテーブルを配置したプラズマエッチン
グ装置において、前記ウェハーテーブル上面には筒状絶
縁体が設けられ、この筒状絶縁体は内径寸法をウェハー
の外径寸法よりも大としたことを特徴とするプラズマエ
ッチング装置。 - 【請求項２】実用新案登録請求の範囲第１項に記載のプ
ラズマエッチング装置において、前記筒状絶縁体には周
方向に離間して多数の反応ガス給排穴が形成されている
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989037071U JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989037071U JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02127030U JPH02127030U (ja) | 1990-10-19 |
| JPH0741155Y2 true JPH0741155Y2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=31543854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989037071U Expired - Lifetime JPH0741155Y2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741155Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2684868B2 (ja) * | 1991-05-09 | 1997-12-03 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196724A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 容量結合型プラズマｃｖｄ装置 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1989037071U patent/JPH0741155Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02127030U (ja) | 1990-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |