JPH0654539B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH0654539B2 JPH0654539B2 JP60024757A JP2475785A JPH0654539B2 JP H0654539 B2 JPH0654539 B2 JP H0654539B2 JP 60024757 A JP60024757 A JP 60024757A JP 2475785 A JP2475785 A JP 2475785A JP H0654539 B2 JPH0654539 B2 JP H0654539B2
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Links
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずか
な姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52-49805号公報に示される様な
以下に示す構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテル
又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする
種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣＳＳによ
り除々に潤滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返しに
おいて磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭52-49805号公報に示される様な
以下に示す構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテル
又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とする
種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣＳＳによ
り除々に潤滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返しに
おいて磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された潤滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
（発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
くしかも磁気記憶体表面との密着性の良い（すなわちヘ
ッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気記
憶体を提供することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、下地体の上に磁
性媒体が被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接又は保
護膜を介してパーフロロアルキルポリマー構造を分子鎖
中に含むシリコーンもしくは前記シリコーンと潤滑剤の
混合物を被覆してなる構造を有するようにしたものであ
る。
性媒体が被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接又は保
護膜を介してパーフロロアルキルポリマー構造を分子鎖
中に含むシリコーンもしくは前記シリコーンと潤滑剤の
混合物を被覆してなる構造を有するようにしたものであ
る。
また、上記目的を達成するために、本発明は、下地体の
上に磁性媒体が被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接
又は保護膜を介してパーフロロアルキルポリマー構造と
シリコーン鎖が２価官能基で結ばれてなるシリコーンも
しくは前記シリコーンと潤滑剤の混合物を被覆してなる
構造を有するようにしたものである。
上に磁性媒体が被覆し、更に、前記磁性媒体の上に直接
又は保護膜を介してパーフロロアルキルポリマー構造と
シリコーン鎖が２価官能基で結ばれてなるシリコーンも
しくは前記シリコーンと潤滑剤の混合物を被覆してなる
構造を有するようにしたものである。
（作 用） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ｎi−Ｐメッキ膜、Cr,
FeNi,Mo またはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド，ポリサルフォ
ン，芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr,F
e Ni,Mo,W などの金属、又はガラス板である。次にこの
下地体１の上に磁性媒体２としてFe2O4，γ−Fe2O3 な
どの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn-P,C
o-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-Pt-C
r,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は合
金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパーフロロア
ルキルポリマー構造を分子鎖中に１つ以上含むシリコー
ンもしくは該シリコーンと潤滑剤の混合物またはパーフ
ロロアルキルポリマーとシリコーン鎖が２価官能基で結
ばれてなるシリコーンもしくは前記シリコーンと潤滑剤
の混合物からなる潤滑層４が被覆されている。
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ｎi−Ｐメッキ膜、Cr,
FeNi,Mo またはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド，ポリサルフォ
ン，芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr,F
e Ni,Mo,W などの金属、又はガラス板である。次にこの
下地体１の上に磁性媒体２としてFe2O4，γ−Fe2O3 な
どの鉄酸化物又はCo-Ni,Co-Ni-P,Co-Mn-P,Co-Ni-Mn-P,C
o-Re,Co-Mn-Re-P,Co-Cr,Co-V,Co-Pt,Co-Ni-Pt,Co-Pt-C
r,Co-Pt-V,Co-Rh,Co-Ni-Mo又はCo-Smなどの金属又は合
金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上にパーフロロア
ルキルポリマー構造を分子鎖中に１つ以上含むシリコー
ンもしくは該シリコーンと潤滑剤の混合物またはパーフ
ロロアルキルポリマーとシリコーン鎖が２価官能基で結
ばれてなるシリコーンもしくは前記シリコーンと潤滑剤
の混合物からなる潤滑層４が被覆されている。
本発明で用いられるパーフロロアルキルポリマー構造を
分子鎖中に１つ以上含むシリコーンの例としては次式の
様な構造の化合物がある。
分子鎖中に１つ以上含むシリコーンの例としては次式の
様な構造の化合物がある。
ただしＲf，Ｒf *はClx2l+1（ｌは１以上の整数、Ｘは
Ｈ，Ｆ，Cl，Br，Ｉ）ｍ，ｍ′又はｎは１以上の整数 Ｒf′はふっ素化炭化水素で−Ｃh（ＣhＦ2k+1）２ｈ−
（ｈは１以上の整数，ｋは０又は１以上の整数であ
る。） ｍ又はｎは１以上の整数 ＲＲ*はＣiＸ2i+1（ｉは１以上の整数、ＸはＨ又はＦ又
はCl，Br，Ｉ）Ｊは−Ｏ−，−Ｓ−， ＮＨＣＯ−，−ＮＨＣＯＯ−，−ＮＨ−， 又などの２価官能基又はその異種同士の組み合わせであ
る。
Ｈ，Ｆ，Cl，Br，Ｉ）ｍ，ｍ′又はｎは１以上の整数 Ｒf′はふっ素化炭化水素で−Ｃh（ＣhＦ2k+1）２ｈ−
（ｈは１以上の整数，ｋは０又は１以上の整数であ
る。） ｍ又はｎは１以上の整数 ＲＲ*はＣiＸ2i+1（ｉは１以上の整数、ＸはＨ又はＦ又
はCl，Br，Ｉ）Ｊは−Ｏ−，−Ｓ−， ＮＨＣＯ−，−ＮＨＣＯＯ−，−ＮＨ−， 又などの２価官能基又はその異種同士の組み合わせであ
る。
本発明で用いられるパーフロロアルキルポリマーとシリ
コーン鎖が２価官能基で結ばれてなるシリコーンの例と
しては次式の様な構造が有る。
コーン鎖が２価官能基で結ばれてなるシリコーンの例と
しては次式の様な構造が有る。
各記号は，式で表わしたものと同様である。Ｊ″は
Ｊ又はＪ′と同様の２価官能基である。
Ｊ又はＪ′と同様の２価官能基である。
Ｊ′はＪと同種の２価官能基を除く前記２価官能基であ
る。
る。
また〜式の中に官能基を含んでいても良い。
有効な官能基は −ＮＣＯ，−ＳＨ，−ＳＯ３Ｈ，−ＳＯ３Ｍ（ＭはＮ
ａ，Ｋ，Ｌｉ）， （ｊは１以上の整数）、−ＣｉＨ２ｉＯＨ（ｉは０又は
１以上の整数）、ＮＨ２，−ＣＨ２＝ＣＨ２，−Ｓｉ
（ＣｈＨ２ h+1）ｇＸ３−ｇ（ｈは１以上の整数、ｇは
０，１又は２、ＸはCl又は−ＯＨ又はＯＣfＨ2f+1（ｆ
は１以上の整数））、または −Ａ−Ｓｉ（ＣｈＨ2 h+1）ｇＸ3＝ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる有機物）である。
ａ，Ｋ，Ｌｉ）， （ｊは１以上の整数）、−ＣｉＨ２ｉＯＨ（ｉは０又は
１以上の整数）、ＮＨ２，−ＣＨ２＝ＣＨ２，−Ｓｉ
（ＣｈＨ２ h+1）ｇＸ３−ｇ（ｈは１以上の整数、ｇは
０，１又は２、ＸはCl又は−ＯＨ又はＯＣfＨ2f+1（ｆ
は１以上の整数））、または −Ａ−Ｓｉ（ＣｈＨ2 h+1）ｇＸ3＝ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる有機物）である。
例えば などである。
上記一般式中官能基Ｇは磁性媒体２又は、第２図に示す
ような磁性媒体２上に形成された保護膜３の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。
ような磁性媒体２上に形成された保護膜３の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。
この効果は官能基の中でも−Ｓｉ(ChH2h+1)ｇＸ3-g（ｈ
は１以上の整数、ｇは０、１又は２、ＸはCl又は−ＯＨ
又はＯＣfＨ2f+1（ｆは１以上の整数））で表わされる
シランが最も効果が有る。
は１以上の整数、ｇは０、１又は２、ＸはCl又は−ＯＨ
又はＯＣfＨ2f+1（ｆは１以上の整数））で表わされる
シランが最も効果が有る。
この様な強い固着能と底表面エネルギーの為にヘッドと
の摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッド・
ディスク間への潤滑層の集積を防止し、ヘッドとディス
クの吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られ
る。また上記シリコーンの粘度は分子鎖長および官能基
の種類により10〜1000000cstまで変化させることが出来
る。
の摺動に対し傷を防止する潤滑性の持続効果とヘッド・
ディスク間への潤滑層の集積を防止し、ヘッドとディス
クの吸着を防止する効果の２つの効果が同時に得られ
る。また上記シリコーンの粘度は分子鎖長および官能基
の種類により10〜1000000cstまで変化させることが出来
る。
〜式に示された前記シリコンと混合する潤滑剤の一
例としては や−（−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−）−（−ＣＦ2−Ｏ−）−か
らなるパーフロロアルキルポリエーテル、ポリテトラフ
ロロエチレン、ポリテトラフロロエチレンテロマー、パ
ーフロロカルボン酸、パーフロロアルコール、パーフロ
ロカルボン酸エステル、パーフロロアルコールの脂肪酸
エステル、パーフロロアルキルアルコキシシラン、フロ
ロシリコーン、パーフロロアルキルスルホン酸、パーフ
ロロアルキルスルホン酸アンモニウム、脂肪族アルキル
アルコキシシラン、高級脂肪酸、高級脂肪酸アルコー
ル、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸アミド脂肪アミ
ン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、ポリアル
キレングリコール，シリコーンオイル，ポリオキシェチ
レン，ネオペンチルポリオールエステル，ポリフェニル
エーテルなどがある。
例としては や−（−ＣＦ2ＣＦ2−Ｏ−）−（−ＣＦ2−Ｏ−）−か
らなるパーフロロアルキルポリエーテル、ポリテトラフ
ロロエチレン、ポリテトラフロロエチレンテロマー、パ
ーフロロカルボン酸、パーフロロアルコール、パーフロ
ロカルボン酸エステル、パーフロロアルコールの脂肪酸
エステル、パーフロロアルキルアルコキシシラン、フロ
ロシリコーン、パーフロロアルキルスルホン酸、パーフ
ロロアルキルスルホン酸アンモニウム、脂肪族アルキル
アルコキシシラン、高級脂肪酸、高級脂肪酸アルコー
ル、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸アミド脂肪アミ
ン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水素、ポリアル
キレングリコール，シリコーンオイル，ポリオキシェチ
レン，ネオペンチルポリオールエステル，ポリフェニル
エーテルなどがある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、潤
滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層
４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2,S
i3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはCo
O,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又はZrO2
などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaN などの金
属窒化物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物ま
たはW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa 又はそれら
の合金などの金属又は合金が用いられる。
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、潤
滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層
４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2,S
i3N4,SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物またはCo
O,Co3O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,CrO3,TiO2,又はZrO2
などの金属酸化物またはTiN,ZrN,CrN又はTaN などの金
属窒化物またはTiC,ZrC,CrC又はTaCなどの金属炭化物ま
たはW,Cr,Ir,NiP,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTa 又はそれら
の合金などの金属又は合金が用いられる。
いずれも前記潤滑剤４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
なお前記潤滑層４を被覆後、１００〜３００℃で焼成し
ても良い。
ても良い。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆され表面租さ0.02μｍに鏡
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑層
４として下記に示すシリコーン ここでｍ＝10，ｎ＝10である。
面仕上げされた下地体１の上に磁性媒体２としてコバル
ト−ニッケル−燐合金を0.05μｍの厚さにめっきした。
次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開昭52-208
04号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合物）を回転
塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の上に潤滑層
４として下記に示すシリコーン ここでｍ＝10，ｎ＝10である。
の0.1重量％トリフロロトリクロルエタン（以下フレオ
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
実施例２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍ＝10，ｎ＝10である。
実施例３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍ＝10，ｎ＝20である。
実施例４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍ＝10，ｎ＝50である。
実施例５ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍ＝10，ｎ＝20である。
実施例６ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として保護膜３とし
てNiPを500Åめっきし、後280℃で焼成して表面にNiOを
形成させて磁気ディスクを作った。
てNiPを500Åめっきし、後280℃で焼成して表面にNiOを
形成させて磁気ディスクを作った。
実施例７ 実施例３と同様にして但し保護膜３としてSiO2を200Å
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
スパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作った。
実施例８ 実施例１と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr 合金
をスパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４とし
て実施例７と同様の潤滑層を被覆して磁気ディスクを作
った。
をスパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４とし
て実施例７と同様の潤滑層を被覆して磁気ディスクを作
った。
実施例９ 実施例16と同様にして但し磁性媒体２としてγ−Fe2O3
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作っ
た。
実施例10 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍは15である。
実施例11 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍは10 実施例12 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
ここでｍは５である。
実施例13 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
実施例14 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
シリコーンを用いて磁気ディスクを作った。
比較例１ 実施例と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４として
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルを
被覆して磁気ディスクを作った。
下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテルを
被覆して磁気ディスクを作った。
ｎ＝30〜50 比較例２ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
Ｆ３ＣＣ２Ｆ４ＯmＣＦ２−ＯnＣＦ３ ｍ＝ｎ＝20〜30 実施例11〜14及び比較例１，２で示した磁気ディスクを
用いて荷重150ｇのAl2O3・TiC 製コアを有するヘッドス
ライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストッ
プ（ＣＳＳ）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
用いて荷重150ｇのAl2O3・TiC 製コアを有するヘッドス
ライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・ストッ
プ（ＣＳＳ）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
上表の結果より比較例１，２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べ実施例１〜14のシリコーンの耐久性が格
段に向上することが分った。
エーテルに比べ実施例１〜14のシリコーンの耐久性が格
段に向上することが分った。
実施例８，９は保護膜を有しない為、他の実施例より耐
久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有している
また臨界膜厚についても比較例１，２のパーフロロアル
キルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド吸着が
始まるが、実施例１〜14のシリコーンは50〜120Åとよ
り厚い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージンを
有していることが分った。
久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を有している
また臨界膜厚についても比較例１，２のパーフロロアル
キルポリエーテルは極くわずかの膜厚でもヘッド吸着が
始まるが、実施例１〜14のシリコーンは50〜120Åとよ
り厚い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージンを
有していることが分った。
（発明の効果） 以上の様に本発明の磁気記憶体は耐久性に優れまたヘッ
ド吸着を生じにくく、磁気ディスク装置の信頼性を飛躍
的に向上出来ることが分った。
ド吸着を生じにくく、磁気ディスク装置の信頼性を飛躍
的に向上出来ることが分った。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
第１図及び第２図は本発明を示す部分断面図である。 １……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４……
潤滑層である。
潤滑層である。
Claims (2)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、更に、
前記磁性媒体の上に直接又は保護膜を介してパーフロロ
アルキルポリマー構造を分子鎖中に含むシリコーンもし
くは前記シリコーンと潤滑剤の混合物が被覆されてなる
構造を有すること特徴とする磁気記憶体。 - 【請求項２】下地体の上に磁性媒体が被覆され、更に、
前記磁性媒体の上に直接又は保護膜を介してパーフロロ
アルキルポリマー構造とシリコーン鎖が２価官能基で結
ばれてなるシリコーンもしくは前記シリコーンと潤滑剤
の混合物が被覆されてなる構造を有することを特徴とす
る磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024757A JPH0654539B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024757A JPH0654539B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184720A JPS61184720A (ja) | 1986-08-18 |
| JPH0654539B2 true JPH0654539B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=12147016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60024757A Expired - Lifetime JPH0654539B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654539B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5930243A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59203239A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60024757A patent/JPH0654539B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61184720A (ja) | 1986-08-18 |
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