JPH0619832B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH0619832B2 JPH0619832B2 JP59177949A JP17794984A JPH0619832B2 JP H0619832 B2 JPH0619832 B2 JP H0619832B2 JP 59177949 A JP59177949 A JP 59177949A JP 17794984 A JP17794984 A JP 17794984A JP H0619832 B2 JPH0619832 B2 JP H0619832B2
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
テープ装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
テープ装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式。以下ＣＳＳ方式と呼ぶ）。この方法では操作終了時
に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶
体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘッド磁気記憶体の間に
生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩擦させつ
いにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめることが
ある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな
姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッド
および磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体を摩擦させつ
いにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめることが
ある。また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな
姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッド
および磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
さらに長時間のヘッドと磁気記憶体とは接触により互い
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−498051に示される様な以
下に示す様な構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテ
ル又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とす
る種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣＳＳに
より徐々に潤滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返し
において磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された漏滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
に吸着し、離れにくくなる。この傷の発生及び吸着を防
ぐために従来から特開昭５２−498051に示される様な以
下に示す様な構造の側鎖パーフロロアルキルポリエーテ
ル又は、直鎖パーフロロアルキルポリエーテルを例とす
る種々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれもＣＳＳに
より徐々に潤滑層が除去され多数回のＣＳＳの繰り返し
において磁気記憶体の傷の発生を防ぐことができなかっ
た。また除去された漏滑剤が接触摺動面に厚く局在し、
ヘッドとの吸着を生じるという欠点もあった。
（発明の目的） 本発明の目的は潤滑特性に優れかつ、ヘッド吸着が少な
くしかも磁気記録媒体表面との密着性の良い（すなわち
ヘッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気
記憶体を提供することにある。
くしかも磁気記録媒体表面との密着性の良い（すなわち
ヘッドの浮陽特性を悪化させない）潤滑剤を有する磁気
記憶体を提供することにある。
（発明の構成） 本発明は下地体の上に磁性媒体が被覆され、該媒体上に
直接又は保護膜を介して、 なる構造の−CF2−J−を繰り返し単位とするパーフロロ
アルキル化合物 もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤滑層が被
覆されてなる構造を備えたことを特徴とする磁気記憶
体、及び下地体の上に磁性媒体が被覆され、該媒体上に
直接又は保護膜を介して なる構造の少なくとも一端に官能基を有し、−CF2−J−
を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物 もしくは該化合物と潤滑剤の混合からなる潤滑層が被覆
されてなる構造を備えたことを特徴とする磁気記憶体で
ある。
直接又は保護膜を介して、 なる構造の−CF2−J−を繰り返し単位とするパーフロロ
アルキル化合物 もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤滑層が被
覆されてなる構造を備えたことを特徴とする磁気記憶
体、及び下地体の上に磁性媒体が被覆され、該媒体上に
直接又は保護膜を介して なる構造の少なくとも一端に官能基を有し、−CF2−J−
を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物 もしくは該化合物と潤滑剤の混合からなる潤滑層が被覆
されてなる構造を備えたことを特徴とする磁気記憶体で
ある。
（構成に関する説明） 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。第１図は
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ膜、Cr，
FeNi，MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサルフォ
ン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr，
FeNi，Mo，Ｗなどの金属、又はガラス板である。次にこ
の下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4，γ−Fe2O3な
どの鉄酸化物又はCo−Ni，Co−Ni−Ｐ，Co−Mn−Ｐ，Co
−Ni−Mn−Ｐ，Co−Re，Co−Mn−Re−Ｐ，Co−Ni−Mn−
Re−Ｐ，Co−Cr，Co−Ｖ，Co−Pt，Co−Ni−Pt，Co−Pt
−Cr，Co−Pt−Ｖ，Co−Rh，Co−Ni−Mo又はCo−Smなど
の金属又は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上に を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物もしく
は一端または両端に官能基を有し−CF2−Ｊ−を繰り返
し単位とするパーフロロアルキル化合物もしくは前記化
合物と潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されてい
る。
本発明の磁気記憶体の部分断面図で、下地体１はアルミ
合金又は、陽極酸化アルマイト、Ni−Ｐメッキ膜、Cr，
FeNi，MoまたはＷ等を被覆のアルミ合金、又はポリエス
テル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリサルフォ
ン、芳香族ポリエーテルなどのプラスチック、又はCr，
FeNi，Mo，Ｗなどの金属、又はガラス板である。次にこ
の下地体１の上に磁性媒体２としてFe3O4，γ−Fe2O3な
どの鉄酸化物又はCo−Ni，Co−Ni−Ｐ，Co−Mn−Ｐ，Co
−Ni−Mn−Ｐ，Co−Re，Co−Mn−Re−Ｐ，Co−Ni−Mn−
Re−Ｐ，Co−Cr，Co−Ｖ，Co−Pt，Co−Ni−Pt，Co−Pt
−Cr，Co−Pt−Ｖ，Co−Rh，Co−Ni−Mo又はCo−Smなど
の金属又は合金を被覆する。さらに該磁性媒体２の上に を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物もしく
は一端または両端に官能基を有し−CF2−Ｊ−を繰り返
し単位とするパーフロロアルキル化合物もしくは前記化
合物と潤滑剤の混合物からなる潤滑層４が被覆されてい
る。
本発明で用いられる を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物の一例
としては次の様な構造の化合物が有る。まず、 がある。ただしRfはClF2l+1（ｌは１以上の整数、ｎは
５以上の整数）、Ｊは などの結合単位である。
としては次の様な構造の化合物が有る。まず、 がある。ただしRfはClF2l+1（ｌは１以上の整数、ｎは
５以上の整数）、Ｊは などの結合単位である。
ClF2l+1、Rf′はClF2l（ｌは以上の整数、ｎは５以上の
整数、ＧまたはＧ′は官能基）である。ここで官能基
Ｇ，Ｇ′は−NCO，−SH，−SO3H，−SO3M（ＭはNa，
Ｋ，Liのいづれか）、−CN，−NCS，−NO2， −CONH2，−Ｉ，COOH，−COOCjH2j+1（ｊは１以上の整
数）、−CiH2iOH（ｉは０又は１以上の整数）、NH2，−
CH2＝CH2，−Si(ChH2h+1)gX3-g（ｈは１以上の整数、ｇ
は０，１又は２、ＸはCl又は−OH又はOCfH2f+1（ｆは１
以上の整数））、または −Ａ−Si（ChH2h+1）ｇＸ３−ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる化合物）である。
整数、ＧまたはＧ′は官能基）である。ここで官能基
Ｇ，Ｇ′は−NCO，−SH，−SO3H，−SO3M（ＭはNa，
Ｋ，Liのいづれか）、−CN，−NCS，−NO2， −CONH2，−Ｉ，COOH，−COOCjH2j+1（ｊは１以上の整
数）、−CiH2iOH（ｉは０又は１以上の整数）、NH2，−
CH2＝CH2，−Si(ChH2h+1)gX3-g（ｈは１以上の整数、ｇ
は０，１又は２、ＸはCl又は−OH又はOCfH2f+1（ｆは１
以上の整数））、または −Ａ−Si（ChH2h+1）ｇＸ３−ｇ （ｈ，ｇ，Ｘは上記と同様。又ＡはＣ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
の１つ以上の元素からなる化合物）である。
例えば−CO−NH−CH2−CH2，NH−CH2−CH(OH)−CH2−CH
2−，−NH−CO−CH2−CH2−，−Ｏ−CH2−CH2−，−Ｓ
−CH2−CH2， などである。
2−，−NH−CO−CH2−CH2−，−Ｏ−CH2−CH2−，−Ｓ
−CH2−CH2， などである。
上記一般式中官能基Ｇは磁性媒体２又は、第２図に示す
ような磁性媒体２上に形成された保護膜３の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。
ような磁性媒体２上に形成された保護膜３の上に強固に
反応して固着するため、ヘッドの摺動によって除去され
ない。
この効果は官能基の中でも−Si（ChH2h+1）gX3-1（ｈは
１以上の整数、ｇは０，１又は２、ＸはCl又は−OH又は
OCfH2f+1（ｆは１以上の整数））で表わされるシランが
最も効果が有る。また、主鎖中の繰り返し単位の−CF2
−Ｊ−の部分−Ｊ−の極性により磁性媒体２又は保護膜
３に吸着し、固着する。この場合、繰り返し単位中の などよりより容易に分子が極性媒体２又は保護膜３へ強
く吸着する作用を有している。
１以上の整数、ｇは０，１又は２、ＸはCl又は−OH又は
OCfH2f+1（ｆは１以上の整数））で表わされるシランが
最も効果が有る。また、主鎖中の繰り返し単位の−CF2
−Ｊ−の部分−Ｊ−の極性により磁性媒体２又は保護膜
３に吸着し、固着する。この場合、繰り返し単位中の などよりより容易に分子が極性媒体２又は保護膜３へ強
く吸着する作用を有している。
以上の様に繰り返し単位の構造または官能基により前記
パーフロロアルキル化合物の、保護膜又は磁性媒体への
固着が特に強固になる。
パーフロロアルキル化合物の、保護膜又は磁性媒体への
固着が特に強固になる。
この様な強い固着能の為にヘッドとの摺動に対し傷を防
止する潤滑性の持続効果およびヘッド−ディスク間の凝
集力の減少により両者の吸着を防止する効果の２つの効
果が同時に得られる。また上記パーフロロアルキル化合
物の粘度は分子鎖長および官能基の種類により１０〜10
00000CPSまで変化させることが出来る。
止する潤滑性の持続効果およびヘッド−ディスク間の凝
集力の減少により両者の吸着を防止する効果の２つの効
果が同時に得られる。また上記パーフロロアルキル化合
物の粘度は分子鎖長および官能基の種類により１０〜10
00000CPSまで変化させることが出来る。
前記パーフロロアルキル化合物４と混合する潤滑剤の一
例としては を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエステル、
ポリフェニルエーテルなどがある。
例としては を繰り返し単位とするパーフロロアルキルポリエーテ
ル、ポリテトラフロロエチレン、ポリテトラフロロエチ
レンテロマー、パーフロロカルボン酸、パーフロロアル
コール、パーフロロカルボン酸エステル、パーフロロア
ルコールの脂肪酸エステル、パーフロロアルキルアルコ
キシシラン、フロロシリコーン、パーフロロアルキルス
ルホン酸、パーフロロアルキルスルホン酸アンモニウ
ム、脂肪族アルキルアルコキシシラン、高級脂肪酸、高
級脂肪アルコール、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸ア
ミド脂肪アミン、不飽和高級脂肪酸、長鎖脂肪族炭化水
素、ポリアルキレングリコール、シリコーンオイル、ポ
リオキシエチレン、ネオペンチルポリオールエステル、
ポリフェニルエーテルなどがある。
第２図は、本発明の別の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび−CF2−Ｊ−を繰り返し単位とするパーフロロアル
ル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤
滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層
４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2，
Si3N4，SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物または
CoO，Co3O4，Co2O3，α−Fe2O3，Cr2O3，CrO3，TiO2，
又はZrO2などの金属酸化物またはTiN，ZrN，CrN又はTaN
などの金属窒化物またはTiC，ZrC，CrC又はTaCなどの金
属炭化物またはＷ，Cr，Ir，NiP，Ru，Rh，Mn，Mo，Os
またはTa又はそれらの合金などの金属又は合金が用いら
れる。
る。第２図において、下地体１、および磁性媒体２、お
よび−CF2−Ｊ−を繰り返し単位とするパーフロロアル
ル化合物もしくは該化合物と潤滑剤の混合物からなる潤
滑層４は第１図と同じであるが磁性媒体２と前記潤滑層
４の間に保護膜が被覆されている。該保護膜３はSiO2，
Si3N4，SiC又はケイ酸重合物などのケイ素化合物または
CoO，Co3O4，Co2O3，α−Fe2O3，Cr2O3，CrO3，TiO2，
又はZrO2などの金属酸化物またはTiN，ZrN，CrN又はTaN
などの金属窒化物またはTiC，ZrC，CrC又はTaCなどの金
属炭化物またはＷ，Cr，Ir，NiP，Ru，Rh，Mn，Mo，Os
またはTa又はそれらの合金などの金属又は合金が用いら
れる。
いずれも前記潤滑層４と良く反応し、強固に該潤滑層４
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
を保持することが出来る。特にニッケル酸化物またはコ
バルト酸化物またはSiO2はその効果が著るしい。
なお前記潤滑層４を被覆後、１００〜３００℃で焼成し
ても良い。
ても良い。
（実施例） 次に実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ ニッケル−燐めっき膜が被覆された表面粗さ０．０２μ
ｍに鏡面仕上げされた下地体１上に磁性媒体２としてコ
バルト−ニッケル−燐合金を０．０５μｍの厚さにめっ
きした。次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開
昭52-20804号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合
物）を回転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の
上に潤滑層４とし下記に示す構造の−CF2−Ｏ−を繰り
返し単位とするパーフロロアルキル化合物 の０．１重量％トフロロトリクロルエタン（以下クレオ
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
ｍに鏡面仕上げされた下地体１上に磁性媒体２としてコ
バルト−ニッケル−燐合金を０．０５μｍの厚さにめっ
きした。次にこの磁性媒体２の上に保護膜３として特開
昭52-20804号公報に示された様なポリ珪酸（珪酸重合
物）を回転塗布法により被覆する。次にこの保護膜３の
上に潤滑層４とし下記に示す構造の−CF2−Ｏ−を繰り
返し単位とするパーフロロアルキル化合物 の０．１重量％トフロロトリクロルエタン（以下クレオ
ンと称する）溶液を回転塗布法により被覆して、磁気デ
ィスクを作った。この磁気ディスクを後述の評価法によ
り評価したところ、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。
実施例２ 実施例１と同様にして但し潤滑層４としてｎ＝２０〜３
０の−CF2−Ｏ−を繰り返し単位とするパーフロロアル
キル化合物の０．０５重量％フレオン溶液を用いて磁気
ディスクを作った。
０の−CF2−Ｏ−を繰り返し単位とするパーフロロアル
キル化合物の０．０５重量％フレオン溶液を用いて磁気
ディスクを作った。
実施例３ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例４ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例５ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、 を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物を用い
て磁気ディスクを作った。
造の両端に官能基を有し、 を繰り返し単位とするパーフロロアルキル化合物を用い
て磁気ディスクを作った。
実施例６ 実施例３と同様にして但し潤滑層として下記に示す構造
の一端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
の一端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例７ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例８ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例９ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例１０ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例１１ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
造の両端に官能基を有し、−CF2−Ｏ−を繰り返し単位
とするパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例１２ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例１３ 実施例３と同様にして但し潤滑層４として下記に示す構
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
造の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単位と
するパーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを
作った。
実施例１４ 実施例１と同様にして但し潤滑層４保護膜３としてNiP
を５００Åめっきし、後２８０℃で焼成して表面にNiO
を形成させて磁気ディスクを作った。
を５００Åめっきし、後２８０℃で焼成して表面にNiO
を形成させて磁気ディスクを作った。
実施例１５ 実施例３と同様にして但し潤滑層４と保護膜３としてSi
O2を２００Åスパッタリングにより被覆して磁気ディス
クを作った。
O2を２００Åスパッタリングにより被覆して磁気ディス
クを作った。
実施例１６ 実施例１と同様にして但し磁性媒体２としてCoCr合金を
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４として
実施例３と同様の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰
り返し単位とするパーフロロアルキル化合物を被覆して
磁気ディスクを作った。
スパッタリング法により被覆しその上に潤滑層４として
実施例３と同様の両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰
り返し単位とするパーフロロアルキル化合物を被覆して
磁気ディスクを作った。
実施例１７ 実施例１６と同様にして但し磁性媒体２としてγ−Fe2O
3をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作
った。
3をスパッタリング法により被覆して磁気ディスクを作
った。
実施例１８ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
実施例１９ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
実施例２０ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
実施例２１ 実施例１と同様にして但し潤滑層４として下記の構造の
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
パーフロロアルキル化合物を用いて磁気ディスクを作っ
た。
比較例１ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
比較例２ 実施例１と同様にして但し保護膜３の上に潤滑層４とし
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
て下記の構造を有するパーフロロアルキルポリエーテル
を被覆して磁気ディスクを作った。
実施例１〜２１で用いられた潤滑層を表１〜３に示す。
実施例１〜２１及び比較例１，２で示した磁気ディスク
を用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有するヘッド
スライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・スト
ップ（CSS）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
を用いて荷重１５ｇのAl2O3・TiC製コアを有するヘッド
スライダを用いて多数回のコンタクト・スタート・スト
ップ（CSS）の繰り返し摩耗試験と、ヘッド吸着の始ま
る臨界膜厚を測定したところ次表の結果を得た。
上表の結果より比較例１，２のパーフロロアルキルポリ
エーテルに比べとくに実施例１，２，１４，，１５，１
８−２１のパーフロロアルキル化合物の耐久性が格段に
向上することが分った。また実施例３〜１３のパーフロ
ロアルキル化合物はさらに耐久性を有していることが分
った。実施例１６，１７は保護膜を有しない為、他の実
施例より耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を
有している、また臨界膜厚についても比較例１，２のパ
ーフロロアルキルポリエーテルは若くわずかの膜厚でも
ヘッダ吸着が始まるが、実施例１，２，１４，１５，１
８〜２１のパーフロロアルキル化合物は５０〜９０Åと
より厚い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージン
を有していることが分った。さらに実施例３〜１３，１
６，１７のパーフロロアルキル化合物は９０〜１５０Å
とさらに臨界厚が増大し、よりヘッド吸着を起しにくい
ことが分った。
エーテルに比べとくに実施例１，２，１４，，１５，１
８−２１のパーフロロアルキル化合物の耐久性が格段に
向上することが分った。また実施例３〜１３のパーフロ
ロアルキル化合物はさらに耐久性を有していることが分
った。実施例１６，１７は保護膜を有しない為、他の実
施例より耐久性は悪いが、比較例よりは優れた耐久性を
有している、また臨界膜厚についても比較例１，２のパ
ーフロロアルキルポリエーテルは若くわずかの膜厚でも
ヘッダ吸着が始まるが、実施例１，２，１４，１５，１
８〜２１のパーフロロアルキル化合物は５０〜９０Åと
より厚い膜厚までヘッド吸着を生じず、大きなマージン
を有していることが分った。さらに実施例３〜１３，１
６，１７のパーフロロアルキル化合物は９０〜１５０Å
とさらに臨界厚が増大し、よりヘッド吸着を起しにくい
ことが分った。
（発明の効果） 以上の様に実施例１〜２１で示した−CF2−Ｏ−を繰り
返し単位をもつパーフロロアルキルポリエーテルまたは
一端又は両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単
位とするパーフロロアルキルポリエーテルは耐久性に優
れ、またヘッド吸着を生じにくく、磁気ディスク装置の
信頼性を飛躍的に向上出来ることが判った。
返し単位をもつパーフロロアルキルポリエーテルまたは
一端又は両端に官能基を有し−CF2−Ｏ−を繰り返し単
位とするパーフロロアルキルポリエーテルは耐久性に優
れ、またヘッド吸着を生じにくく、磁気ディスク装置の
信頼性を飛躍的に向上出来ることが判った。
なお本発明の実施例では磁気ディスクについて述べたが
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードにも本発
明が有効であることは明らかである。
第１図及び第２図は本発明の一例を示す部分断面図であ
る。 図中１……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４
……潤滑層である。
る。 図中１……下地体、２……磁性媒体、３……保護膜、４
……潤滑層である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/71 7215−5Ｄ // Ｃ１０Ｎ 40:18
Claims (2)
- 【請求項１】下地体の上に磁性媒体が被覆され、該媒体
上に直接又は保護膜を介して、 なる構造の−ＣＦ2−Ｊ−を繰り返し単位とするパーフ
ロロアルキル化合物 からなる潤滑層が被覆されてなる構造を備えた事を特徴
とする磁気記憶体。 - 【請求項２】下地体の上に磁性媒体が被覆され、該媒体
上 造の、官能基ＧまたはＧ′を有し、−ＣＦ2−Ｊ−を繰
り返し単位とするパーフロロアルキル化合物 からなる潤滑層が被覆されてなる構造を備えた事を特徴
とする磁気記憶体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177949A JPH0619832B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気記憶体 |
| US06/768,834 US4696845A (en) | 1984-08-27 | 1985-08-23 | Magnetic storage medium with lubricating coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59177949A JPH0619832B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6157038A JPS6157038A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0619832B2 true JPH0619832B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16039894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59177949A Expired - Lifetime JPH0619832B2 (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619832B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE97758T1 (de) * | 1986-08-28 | 1993-12-15 | Unisys Corp | Oberflaechenschmiermittel fuer speicheroberflaeche und verfahren zur verminderung ihrer abnutzung. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167848A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-21 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP59177949A patent/JPH0619832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157038A (ja) | 1986-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |