JPH065497A - Correction method of x-ray mask - Google Patents
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクの修正方法
に係り、特に、ＵＬＳＩ等の製造に用いられる微細レジ
ストパターン形成に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for repairing an X-ray mask, and more particularly to the formation of a fine resist pattern used in the manufacture of ULSI and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、「Ｔａ／ＳｉＮ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｘ−Ｒ
ａｙ Ｍａｓｋｓ ｆｏｒ Ｓｕｂ−Ｈａｌｆ−Ｍｉｃ
ｒｏｎＬＳＩｓ」 Ｓｈｉｇｅｈｉｓａ Ｏｈｋｉ ｅ
ｔ ａｌ．Ｐｒｏｃ．ｏｆ１９８９ Ｉｎｔｅｒｎ．Ｓ
ｙｍｐ．ｏｎ ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｐｐ．９３−９８に記載されるものがあっ
た。2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, "Ta / SiN-Structure X-R
ay Masks for Sub-Half-Mic
ronLSIs "Shigehisa Ohki e
t al. Proc. of 1989 Intern. S
ymp. on MicroProcess Conf
Rence pp. 93-98.
【０００３】ＬＳＩの高集積化は３年で４倍に進んでお
り、２０００年には１Ｇｂ−ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ
Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）が量産
されると予想されている。この１Ｇｂ−ＤＲＡＭの最小
寸法は、０．１５μｍ程度となることは今までのスケー
リングより容易に予想できる。このような超微細加工を
行うリソグラフィ技術としては、ＳＯＲ（Ｓｙｎｃｒｏ
ｔｒｏｎ Ｏｒｂｉｔａｌ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）から
の５〜１５Ａの軟Ｘ線を用いたプロキシミティ露光によ
るＸ線リソグラフィが有望である。このＸ線リソグラフ
ィを実用化するために、小型ＳＯＲ，ビームライン，Ｘ
線マスク，レジストの開発が進められているが、特に高
精度のＸ線マスクの実現がキーポイントとされている。High integration of LSI has been quadrupled in 3 years, and in 2000, 1Gb-DRAM (Dynamic)
Random Access Memory) is expected to be mass-produced. It can be easily predicted that the minimum size of this 1 Gb-DRAM will be about 0.15 μm as compared with the scaling so far. As a lithography technique for performing such ultra-fine processing, SOR (Syncro
X-ray lithography with proximity exposure using soft X-rays from 5 to 15 A from Tron Orbital Radiation is promising. In order to put this X-ray lithography into practical use, a small SOR, beam line, X
The development of X-ray masks and resists is in progress, but the key point is to realize highly accurate X-ray masks.
【０００４】Ｘ線マスクの課題としては、吸収体の寸法
制御，無欠陥マスク，吸収体パターンの配列精度等があ
る。その中でも、吸収体パターンの配列精度は最大の課
題である。図５はかかる従来のＸ線マスクの製造工程断
面図である。まず、図５（ａ）に示すように、ウエハ１
上にメンブレン２と吸収体３をそれぞれ形成する。Problems with the X-ray mask include dimensional control of the absorber, defect-free mask, and alignment accuracy of the absorber pattern. Among them, the arrangement accuracy of the absorber pattern is the greatest issue. FIG. 5 is a sectional view of a manufacturing process of such a conventional X-ray mask. First, as shown in FIG.
The membrane 2 and the absorber 3 are respectively formed on the top.
【０００５】次に、図５（ｂ）に示すように、吸収体３
上にレジストを塗布し、ホトリソにより、レジストパタ
ーン４を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、レ
ジストパターン４をマスクとして吸収体３のパターニン
グを行う。また、ウエハ１のバックエッチングを行う。
次に、図５（ｄ）に示すように、ウエハ１にフレーム５
の貼り付けを行う。Next, as shown in FIG. 5B, the absorber 3
A resist is applied on top and a resist pattern 4 is formed by photolithography. Next, as shown in FIG. 5C, the absorber 3 is patterned using the resist pattern 4 as a mask. Further, back etching of the wafer 1 is performed.
Next, as shown in FIG.
Paste.
【０００６】なお、上記した全てのプロセスで吸収体パ
ターンの配列の歪みが起こる。特に、大きな要因となる
プロセスは（１）電子線の描画、（２）シリコンのバッ
クエッチ、及び（３）フレームへの貼り付けプロセスに
おいてである。これらのプロセスでの位置歪みをできる
だけ小さくするように改良が行われており、上記先行技
術文献（Ｐｒｏｃ．ｏｆ １９８９ Ｓｙｍｐ．ｏｎ
Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆ． ｐｐ．９３
〜９８）において、大木等は配列精度として０．０８５
μｍ（３σ）の値を得ている。Distortion of the absorber pattern arrangement occurs in all of the above processes. In particular, the major processes are (1) electron beam writing, (2) silicon back etching, and (3) frame attachment process. Improvements have been made to minimize positional distortion in these processes, and the above-mentioned prior art document (Proc. Of 1989 Symp.
Micro Process Conf. pp. 93
~ 98), Oki and others have an array precision of 0.085.
The value of μm (3σ) is obtained.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｘ線マ
スクの吸収体パターンの配列精度は、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ
では０．０３μｍ以下が要求される。これを実現するた
めには、電子線描画、バックエッチ、貼り付けのプロセ
スにおいて、それぞれ０．０２μｍ（３σ）の実現が必
要となる。バックエッチ１つの工程をとっても、メンブ
レンの応力制御（３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 ±１０
％）、膜厚の均一性（±０．５％）、吸収体の低応力化
（＜３×１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 ）、膜厚の均一性（±
０．５％）等全てを必要とし、実現には非常に大きな困
難がある。However, the alignment accuracy of the absorber pattern of the X-ray mask is 1 Gb-DRAM.
Then, 0.03 μm or less is required. In order to realize this, it is necessary to realize 0.02 μm (3σ) in the processes of electron beam drawing, back etching, and pasting. Back etch Even if one step is used, stress control of the membrane (3 × 10 8 dyn / cm 2 ± 10
%), Film thickness uniformity (± 0.5%), absorber stress reduction (<3 × 10 7 dyn / cm 2 ), film thickness uniformity (±
0.5%), etc. are all required, and it is very difficult to realize.
【０００８】本発明は、以上述べたＸ線マスクの吸収体
パターンの配列精度が不十分である点を解決するため
に、Ｘ線マスクを作製後、マスクの一部分にメタル，シ
リコン，シリコン化合物を堆積させることにより、マス
クの吸収体パターンの配列を計算通りに修正し、配列精
度の優れたＸ線マスクの修正方法を提供することを目的
とする。In order to solve the above-mentioned insufficiency in the array accuracy of the absorber pattern of the X-ray mask, the present invention prepares a metal, silicon, or silicon compound in a part of the mask after the X-ray mask is manufactured. It is an object of the present invention to provide an X-ray mask repairing method with excellent array accuracy by correcting the array of the absorber pattern of the mask as calculated by depositing.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、Ｘ線リソグラフィに用いるＸ線マスクの
修正方法において、Ｘ線マスクを加工した後に光源を用
いたＣＶＤにより、前記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄
膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたものであ
る。In order to achieve the above object, the present invention provides a method for repairing an X-ray mask used in X-ray lithography, wherein the X-ray mask is processed, and then CVD is performed by using a light source. A thin film for compensating the distortion of the line mask is formed to correct the positional distortion.
【００１０】また、前記光源として光学的に集束したエ
キシマレーザ、Ａｒレーザ又はイオンビームを用い、前
記薄膜はＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、多結晶シリコン，
Ｗ又はＴａである。An optically focused excimer laser, Ar laser or ion beam is used as the light source, and the thin film is made of SiN, SiC, SiO 2 , polycrystalline silicon,
W or Ta.
【００１１】[0011]
【作用】本発明によれば、上記したように、Ｘ線マスク
の加工を行なった後に、光ＣＶＤにより歪みを補償する
薄膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたので、Ｘ
線マスクの吸収体パターンの配列精度が向上し、２５６
ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等のＸ線リソグラフィに
利用できる。According to the present invention, as described above, after the X-ray mask is processed, the thin film for compensating the distortion is formed by the photo-CVD to correct the positional distortion.
Alignment accuracy of the absorber pattern of the line mask is improved, and 256
It can be used for X-ray lithography such as MDRAM and 1 Gb-DRAM.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＸ線
マスクの修正に用いられる光ＣＶＤ装置の概略構成図、
図２はその光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を
示す斜視図、図３は本発明のＸ線マスクのウエハの位置
歪みが起こっている場合の修正方法を示す図である。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an optical CVD apparatus used for repairing an X-ray mask showing an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a perspective view showing a method for repairing an X-ray mask by the photo-CVD apparatus, and FIG. 3 is a view showing a method for repairing an X-ray mask according to the present invention when the wafer has a positional distortion.
【００１３】本発明によれば、次の手順によってＸ線マ
スクの位置歪みの修正を行う。 （１）Ｘ線マスクの応力の分布を、平面度計のソリのデ
ータに基づいて測定する。 （２）膜の応力分布が均一になるように、図１及び図２
に示すように、光ＣＶＤ装置によって、メタル，多結晶
シリコン，ＳｉＮ，ＳｉＣ等の堆積をメンブレンの一部
に行う。According to the present invention, the positional distortion of the X-ray mask is corrected by the following procedure. (1) The stress distribution of the X-ray mask is measured based on the warp data of the flatness meter. (2) As shown in FIGS. 1 and 2 so that the stress distribution of the film becomes uniform.
As shown in FIG. 3, a photo CVD apparatus is used to deposit metal, polycrystalline silicon, SiN, SiC, etc. on a part of the membrane.
【００１４】光ＣＶＤ装置は、チャンバ１０内にレーザ
光源１１から光学系１２を介して集束されたレーザ光
を、ステージ１３に載置されたウエハ１４上のメンブレ
ン１５の一部を照射して、加熱するとともに、ガスをそ
のウエハ１４上のメンブレン１５へガス吸入口１６より
供給する。ここで、ステージ１３よりウエハ上の任意の
点にレーザ光を照射できるように構成されている。この
光ＣＶＤ装置により、任意の薄膜１８を任意の場所へ任
意の厚さだけ形成することができる。１７は排気口であ
る。The photo CVD apparatus irradiates a part of the membrane 15 on the wafer 14 mounted on the stage 13 with the laser light focused from the laser light source 11 through the optical system 12 in the chamber 10. While heating, the gas is supplied to the membrane 15 on the wafer 14 from the gas suction port 16. Here, it is configured so that the laser light can be irradiated from the stage 13 to an arbitrary point on the wafer. With this photo-CVD apparatus, it is possible to form an arbitrary thin film 18 at an arbitrary location and with an arbitrary thickness. Reference numeral 17 is an exhaust port.
【００１５】なお、ウエハの平面度が悪く、これによ
り、図３（ａ）に示すように、ウエハ２１の位置歪みが
起こっている場合には、図３（ｂ）に示すように、逆の
ソリを形成できる薄膜２２をその上に形成する。これに
より、図３（ｃ）に示すように、Ｘ線マスク２０の平面
度が良くなり、位置歪みが解消される。ＣＶＤ装置の光
源としては集束（＜数μｍφ）させる必要があり、ま
た、ガスを分解させる必要がある。このためには、ガス
を直接分解するエキシマレーザ（例えばＡｒＦエキシマ
レーザで、ＮＨ3 ，ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 などを分解）
や、ＦＩＢ（集束イオンビーム）で基板加熱を行い、基
板吸着ガスを分解することができるＡｒレーザ等があ
る。When the flatness of the wafer is poor and the positional distortion of the wafer 21 occurs due to this as shown in FIG. 3A, the opposite is true as shown in FIG. 3B. A thin film 22 on which a warp can be formed is formed thereon. Thereby, as shown in FIG. 3C, the flatness of the X-ray mask 20 is improved and the positional distortion is eliminated. As a light source of a CVD apparatus, it is necessary to focus (<several μmφ), and it is necessary to decompose gas. For this purpose, an excimer laser that directly decomposes gas (for example, ArF excimer laser decomposes NH 3 , SiH 4 , Si 2 H 6, etc.)
Alternatively, there is an Ar laser or the like capable of decomposing the substrate adsorption gas by heating the substrate with a FIB (focused ion beam).
【００１６】ガスは、通常ＣＶＤで用いているガスを用
いることができる。例えばＷの場合はＷＦ6 ＋Ｈ2 、多
結晶シリコンの場合はＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＮの
場合はＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 等である。また、多結晶シリコ
ンの皮膜を形成するには、水銀を増感剤として導入すれ
ば、紫外線ランプを用いることができる。また、光源と
しては集束できることが有利であるが、集束できないＸ
線やハロゲンランプでもマスクを用いれば利用できる。As the gas, a gas usually used in CVD can be used. For example, WF 6 + H 2 for W, SiH 4 , Si 2 H 6 for polycrystalline silicon, and SiH 4 + NH 3 for SiN. Further, an ultraviolet lamp can be used to form a film of polycrystalline silicon by introducing mercury as a sensitizer. Further, it is advantageous that the light source can be focused, but it is not possible to focus X
Even lines and halogen lamps can be used if a mask is used.
【００１７】形成する薄膜の応力については、事前に測
定しておけばよく、応力が大きい方が修正の膜厚が薄く
てすむため、修正をするときは有利な場合もある。膜の
選択はメンブレン内では光、Ｘ線に対して透過性のよい
ＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコン等が好まし
く、メンブレン外及び吸収体上では、Ｗ，Ｔａ，Ａｌ等
のメタルでもＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコ
ンでもどちらでもよい。The stress of the thin film to be formed may be measured in advance, and the larger the stress, the smaller the film thickness of the correction, and therefore the correction may be advantageous in some cases. The film is preferably selected from SiN, SiC, SiO 2 and polycrystalline silicon, which have good transparency to light and X-rays inside the membrane. , SiC, SiO 2 , or polycrystalline silicon may be used.
【００１８】上記した実施例では基準をマスクの設計基
準としたが、ウエハがプロセスを経て変形することはよ
く知られている。すなわち、ウエハでの基準にマスクを
合わせないと、重ね合わせの誤差要因となる。そこでウ
エハの変化を加味して、マスクの設計を修正し、これを
基準としてマスクの修正を行うことも可能である。以
下、具体的な実施例について説明する。In the above-mentioned embodiment, the standard is the mask design standard, but it is well known that the wafer is deformed through the process. That is, if the mask is not aligned with the reference on the wafer, it causes an overlay error. Therefore, it is also possible to correct the mask design by taking the changes of the wafer into consideration, and modify the mask based on this. Hereinafter, specific examples will be described.
【００１９】図４は本発明の一実施例を示すＸ線マスク
の吸収体パターンの配列精度を高めるためのＸ線マスク
の修正方法を示す図である。まず、３インチシリコン基
板３０上にメンブレンとなるＳｉＮの膜３１を２μｍの
厚さにＬＰ−ＣＶＤにて形成した。ここで、成膜条件
は、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラン６０ｓｃ
ｃｍとし、０．８Ｔｏｒｒのガス圧にて基板温度８００
℃で行った。堆積時間は１５時間とした。成膜した基板
の平面度を位相差を利用した平面度計（ダイゴＫ．Ｋ社
製）により測定し、これを用いて、ＳｉＮ膜３１の２次
元の応力マップを作製した〔図４（ａ）参照〕。FIG. 4 is a diagram showing a method of repairing an X-ray mask for improving the alignment accuracy of the absorber pattern of the X-ray mask according to an embodiment of the present invention. First, a SiN film 31 serving as a membrane was formed on the 3-inch silicon substrate 30 by LP-CVD to a thickness of 2 μm. Here, the film forming conditions are 10 sccm of ammonia and 60 sc of dichlorosilane.
cm, and the substrate temperature is 800 at a gas pressure of 0.8 Torr.
Performed at ° C. The deposition time was 15 hours. The flatness of the formed substrate was measured by a flatness meter (manufactured by Daigo KK) using a phase difference, and using this, a two-dimensional stress map of the SiN film 31 was prepared [Fig. 4 (a )reference〕.
【００２０】ここで、Ｘ線マスクを形成する２５ｍｍ角
の左下が応力が大きいことが分かった。つまり、各部の
応力を見ると、ａの部分は３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、
ｂの部分は４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ｃの部分は５×
１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 及びｄの部分は６×１０8 ｄｙｎ
／ｃｍ2 である。この基板の応力の大きい部分に、図１
及び図２に示すような光ＣＶＤ装置により、ＳｉＮを堆
積するために、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラ
ン２０ｓｃｃｍ，Ｎ2 １００ｓｃｃｍとし、３Ｔｏｒｒ
のガス圧とした。光照射にはＫｒＦのエキシマレーザ
（１ＫＷ）を用いた。照射エリアとしては、図４（ｂ）
に示すように、２５ｍｍ角の左下の２ｍｍ角ｅで２分間
の照射を行なった。すると、その照射部に０．２μｍ厚
のＳｉＮが形成された。Here, it was found that the stress was large at the lower left corner of the 25 mm square forming the X-ray mask. In other words, looking at the stress of each part, the part a is 3 × 10 8 dyn / cm 2 ,
The portion b is 4 × 10 8 dyn / cm 2 , and the portion c is 5 ×
The portion of 10 8 dyn / cm 2 and d is 6 × 10 8 dyn
/ Cm 2 . In the high stress area of this substrate,
And, in order to deposit SiN by an optical CVD apparatus as shown in FIG. 2, ammonia is set to 10 sccm, dichlorosilane is set to 20 sccm, N 2 is set to 100 sccm, and 3 Torr is set.
And the gas pressure. A KrF excimer laser (1 KW) was used for light irradiation. The irradiation area is shown in Fig. 4 (b).
As shown in FIG. 5, irradiation was performed for 2 minutes at 2 mm square e at the lower left of the 25 mm square. Then, 0.2 μm thick SiN was formed on the irradiated portion.
【００２１】そこで、ＳｉＮの応力分布を前記平面度計
により測定したところ、図４（ｃ）に示すように、２５
ｍｍ角の左下ｆを４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 の応力分布
に改善することができた。このように、Ｘ線マスクの修
正前である図４（ａ）と、Ｘ線マスクの修正後である図
４（ｃ）を比較すると、その改善のようすが明白であ
る。Then, when the stress distribution of SiN was measured by the flatness meter, as shown in FIG.
It was possible to improve the lower left f of the mm square to a stress distribution of 4 × 10 8 dyn / cm 2 . Thus, comparing FIG. 4A before the X-ray mask is modified and FIG. 4C after the X-ray mask is modified, the improvement is apparent.
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the spirit of the present invention, which are not excluded from the scope of the present invention.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、Ｘ線マスクの加工を行なった後に、光ＣＶＤに
より歪みを補償する薄膜を形成し、位置歪みを修正する
ようにしたので、Ｘ線マスクの吸収体パターンの配列精
度が向上し、２５６ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等の
Ｘ線リソグラフィに利用できる。As described above in detail, according to the present invention, after the X-ray mask is processed, the thin film for compensating the distortion is formed by the photo-CVD to correct the positional distortion. Therefore, the alignment accuracy of the absorber pattern of the X-ray mask is improved, and it can be used for X-ray lithography of 256M DRAM, 1Gb-DRAM and the like.
【００２４】また、マスクの加工後に位置歪みを修正す
るようにしたので、マスク自体の加工が容易となり、マ
スク加工の歩留まりが著しく向上する。更に、ウエハの
プロセスを経ることによる歪みも同時に修正が可能であ
る。Further, since the positional distortion is corrected after the mask is processed, the processing of the mask itself is facilitated and the yield of the mask processing is significantly improved. Further, the distortion due to the wafer process can be corrected at the same time.
【図１】本発明の実施例を示すＸ線マスクの修正に用い
られる光ＣＶＤ装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an optical CVD apparatus used for repairing an X-ray mask showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を示すＸ線マスクの修正に用い
られる光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を示す
斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an X-ray mask repairing method by an optical CVD apparatus used for repairing an X-ray mask showing an embodiment of the present invention.
【図３】本発明のＸ線マスクのウエハの位置歪みが起こ
っている場合の修正方法を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a correction method in the case where the X-ray mask of the present invention has positional distortion of the wafer.
【図４】本発明の一実施例を示すＸ線マスクの吸収体パ
ターンの配列精度を高めるためのＸ線マスクの修正方法
を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a method of correcting an X-ray mask for increasing the alignment accuracy of the absorber pattern of the X-ray mask showing one embodiment of the present invention.
【図５】従来のＸ線マスクの製造工程断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a manufacturing process of a conventional X-ray mask.
１０ チャンバ １１ レーザ光源 １２ 光学系 １３ ステージ １４ ウエハ １５ メンブレン １６ ガス吸入口 １７ 排気口 １８，２１ 薄膜 ３０ シリコン基板 ３１ ＳｉＮ膜（メンブレン） 10 Chamber 11 Laser Light Source 12 Optical System 13 Stage 14 Wafer 15 Membrane 16 Gas Intake Port 17 Exhaust Port 18, 21 Thin Film 30 Silicon Substrate 31 SiN Film (Membrane)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河津 佳幸 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Yoshiyuki Kawazu 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (3)
修正方法において、Ｘ線マスクを加工した後に光源を用
いたＣＶＤにより前記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄膜
を形成し、位置歪みを修正するようにしたことを特徴と
するＸ線マスクの修正方法。1. A method for repairing an X-ray mask used in X-ray lithography, wherein after processing the X-ray mask, a thin film for compensating the distortion of the X-ray mask is formed by CVD using a light source to correct the positional distortion. A method for correcting an X-ray mask, characterized in that
おいて、前記光源として光学的に集束したエキシマレー
ザ、Ａｒレーザ又はイオンビームを用いることを特徴と
するＸ線マスクの修正方法。2. The method of repairing an X-ray mask according to claim 1, wherein an excimer laser, an Ar laser, or an ion beam that is optically focused is used as the light source.
おいて、前記薄膜がＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、多結晶
シリコン，Ｗ又はＴａであることを特徴とするＸ線マス
クの修正方法。3. The method of repairing an X-ray mask according to claim 1, wherein the thin film is SiN, SiC, SiO 2 , polycrystalline silicon, W or Ta.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16564592A JPH065497A (en) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Correction method of x-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16564592A JPH065497A (en) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Correction method of x-ray mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065497A true JPH065497A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=15816304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16564592A Withdrawn JPH065497A (en) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Correction method of x-ray mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065497A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010152031A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask pattern position correcting method, and position corrected photomask |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16564592A patent/JPH065497A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010152031A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask pattern position correcting method, and position corrected photomask |
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