JPH065497A - Ｘ線マスクの修正方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの修正方法Info
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- JPH065497A JPH065497A JP16564592A JP16564592A JPH065497A JP H065497 A JPH065497 A JP H065497A JP 16564592 A JP16564592 A JP 16564592A JP 16564592 A JP16564592 A JP 16564592A JP H065497 A JPH065497 A JP H065497A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000012937 correction Methods 0.000 title description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクを作製後、マスクの一部分にメタ
ル，シリコン，シリコン化合物を堆積させることによ
り、マスクの吸収体パターンの配列を計算通りに修正す
る。 【構成】 ウエハ１４にメンブレン１５を有するＸ線マ
スクを加工した後に、レーザ光を用いたＣＶＤにより前
記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄膜１８を形成し、位置
歪みを修正する。
ル，シリコン，シリコン化合物を堆積させることによ
り、マスクの吸収体パターンの配列を計算通りに修正す
る。 【構成】 ウエハ１４にメンブレン１５を有するＸ線マ
スクを加工した後に、レーザ光を用いたＣＶＤにより前
記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄膜１８を形成し、位置
歪みを修正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクの修正方法
に係り、特に、ＵＬＳＩ等の製造に用いられる微細レジ
ストパターン形成に関するものである。
に係り、特に、ＵＬＳＩ等の製造に用いられる微細レジ
ストパターン形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、「Ｔａ／ＳｉＮ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｘ−Ｒ
ａｙ Ｍａｓｋｓ ｆｏｒ Ｓｕｂ−Ｈａｌｆ−Ｍｉｃ
ｒｏｎＬＳＩｓ」 Ｓｈｉｇｅｈｉｓａ Ｏｈｋｉ ｅ
ｔ ａｌ．Ｐｒｏｃ．ｏｆ１９８９ Ｉｎｔｅｒｎ．Ｓ
ｙｍｐ．ｏｎ ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｐｐ．９３−９８に記載されるものがあっ
た。
例えば、「Ｔａ／ＳｉＮ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｘ−Ｒ
ａｙ Ｍａｓｋｓ ｆｏｒ Ｓｕｂ−Ｈａｌｆ−Ｍｉｃ
ｒｏｎＬＳＩｓ」 Ｓｈｉｇｅｈｉｓａ Ｏｈｋｉ ｅ
ｔ ａｌ．Ｐｒｏｃ．ｏｆ１９８９ Ｉｎｔｅｒｎ．Ｓ
ｙｍｐ．ｏｎ ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｐｐ．９３−９８に記載されるものがあっ
た。
【０００３】ＬＳＩの高集積化は３年で４倍に進んでお
り、２０００年には１Ｇｂ−ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ
Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）が量産
されると予想されている。この１Ｇｂ−ＤＲＡＭの最小
寸法は、０．１５μｍ程度となることは今までのスケー
リングより容易に予想できる。このような超微細加工を
行うリソグラフィ技術としては、ＳＯＲ（Ｓｙｎｃｒｏ
ｔｒｏｎ Ｏｒｂｉｔａｌ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）から
の５〜１５Ａの軟Ｘ線を用いたプロキシミティ露光によ
るＸ線リソグラフィが有望である。このＸ線リソグラフ
ィを実用化するために、小型ＳＯＲ，ビームライン，Ｘ
線マスク，レジストの開発が進められているが、特に高
精度のＸ線マスクの実現がキーポイントとされている。
り、２０００年には１Ｇｂ−ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ
Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）が量産
されると予想されている。この１Ｇｂ−ＤＲＡＭの最小
寸法は、０．１５μｍ程度となることは今までのスケー
リングより容易に予想できる。このような超微細加工を
行うリソグラフィ技術としては、ＳＯＲ（Ｓｙｎｃｒｏ
ｔｒｏｎ Ｏｒｂｉｔａｌ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）から
の５〜１５Ａの軟Ｘ線を用いたプロキシミティ露光によ
るＸ線リソグラフィが有望である。このＸ線リソグラフ
ィを実用化するために、小型ＳＯＲ，ビームライン，Ｘ
線マスク，レジストの開発が進められているが、特に高
精度のＸ線マスクの実現がキーポイントとされている。
【０００４】Ｘ線マスクの課題としては、吸収体の寸法
制御，無欠陥マスク，吸収体パターンの配列精度等があ
る。その中でも、吸収体パターンの配列精度は最大の課
題である。図５はかかる従来のＸ線マスクの製造工程断
面図である。まず、図５（ａ）に示すように、ウエハ１
上にメンブレン２と吸収体３をそれぞれ形成する。
制御，無欠陥マスク，吸収体パターンの配列精度等があ
る。その中でも、吸収体パターンの配列精度は最大の課
題である。図５はかかる従来のＸ線マスクの製造工程断
面図である。まず、図５（ａ）に示すように、ウエハ１
上にメンブレン２と吸収体３をそれぞれ形成する。
【０００５】次に、図５（ｂ）に示すように、吸収体３
上にレジストを塗布し、ホトリソにより、レジストパタ
ーン４を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、レ
ジストパターン４をマスクとして吸収体３のパターニン
グを行う。また、ウエハ１のバックエッチングを行う。
次に、図５（ｄ）に示すように、ウエハ１にフレーム５
の貼り付けを行う。
上にレジストを塗布し、ホトリソにより、レジストパタ
ーン４を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、レ
ジストパターン４をマスクとして吸収体３のパターニン
グを行う。また、ウエハ１のバックエッチングを行う。
次に、図５（ｄ）に示すように、ウエハ１にフレーム５
の貼り付けを行う。
【０００６】なお、上記した全てのプロセスで吸収体パ
ターンの配列の歪みが起こる。特に、大きな要因となる
プロセスは（１）電子線の描画、（２）シリコンのバッ
クエッチ、及び（３）フレームへの貼り付けプロセスに
おいてである。これらのプロセスでの位置歪みをできる
だけ小さくするように改良が行われており、上記先行技
術文献（Ｐｒｏｃ．ｏｆ １９８９ Ｓｙｍｐ．ｏｎ
Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆ． ｐｐ．９３
〜９８）において、大木等は配列精度として０．０８５
μｍ（３σ）の値を得ている。
ターンの配列の歪みが起こる。特に、大きな要因となる
プロセスは（１）電子線の描画、（２）シリコンのバッ
クエッチ、及び（３）フレームへの貼り付けプロセスに
おいてである。これらのプロセスでの位置歪みをできる
だけ小さくするように改良が行われており、上記先行技
術文献（Ｐｒｏｃ．ｏｆ １９８９ Ｓｙｍｐ．ｏｎ
Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｆ． ｐｐ．９３
〜９８）において、大木等は配列精度として０．０８５
μｍ（３σ）の値を得ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｘ線マ
スクの吸収体パターンの配列精度は、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ
では０．０３μｍ以下が要求される。これを実現するた
めには、電子線描画、バックエッチ、貼り付けのプロセ
スにおいて、それぞれ０．０２μｍ（３σ）の実現が必
要となる。バックエッチ１つの工程をとっても、メンブ
レンの応力制御（３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 ±１０
％）、膜厚の均一性（±０．５％）、吸収体の低応力化
（＜３×１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 ）、膜厚の均一性（±
０．５％）等全てを必要とし、実現には非常に大きな困
難がある。
スクの吸収体パターンの配列精度は、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ
では０．０３μｍ以下が要求される。これを実現するた
めには、電子線描画、バックエッチ、貼り付けのプロセ
スにおいて、それぞれ０．０２μｍ（３σ）の実現が必
要となる。バックエッチ１つの工程をとっても、メンブ
レンの応力制御（３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 ±１０
％）、膜厚の均一性（±０．５％）、吸収体の低応力化
（＜３×１０7 ｄｙｎ／ｃｍ2 ）、膜厚の均一性（±
０．５％）等全てを必要とし、実現には非常に大きな困
難がある。
【０００８】本発明は、以上述べたＸ線マスクの吸収体
パターンの配列精度が不十分である点を解決するため
に、Ｘ線マスクを作製後、マスクの一部分にメタル，シ
リコン，シリコン化合物を堆積させることにより、マス
クの吸収体パターンの配列を計算通りに修正し、配列精
度の優れたＸ線マスクの修正方法を提供することを目的
とする。
パターンの配列精度が不十分である点を解決するため
に、Ｘ線マスクを作製後、マスクの一部分にメタル，シ
リコン，シリコン化合物を堆積させることにより、マス
クの吸収体パターンの配列を計算通りに修正し、配列精
度の優れたＸ線マスクの修正方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、Ｘ線リソグラフィに用いるＸ線マスクの
修正方法において、Ｘ線マスクを加工した後に光源を用
いたＣＶＤにより、前記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄
膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたものであ
る。
成するために、Ｘ線リソグラフィに用いるＸ線マスクの
修正方法において、Ｘ線マスクを加工した後に光源を用
いたＣＶＤにより、前記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄
膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたものであ
る。
【００１０】また、前記光源として光学的に集束したエ
キシマレーザ、Ａｒレーザ又はイオンビームを用い、前
記薄膜はＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、多結晶シリコン，
Ｗ又はＴａである。
キシマレーザ、Ａｒレーザ又はイオンビームを用い、前
記薄膜はＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、多結晶シリコン，
Ｗ又はＴａである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記したように、Ｘ線マスク
の加工を行なった後に、光ＣＶＤにより歪みを補償する
薄膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたので、Ｘ
線マスクの吸収体パターンの配列精度が向上し、２５６
ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等のＸ線リソグラフィに
利用できる。
の加工を行なった後に、光ＣＶＤにより歪みを補償する
薄膜を形成し、位置歪みを修正するようにしたので、Ｘ
線マスクの吸収体パターンの配列精度が向上し、２５６
ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等のＸ線リソグラフィに
利用できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＸ線
マスクの修正に用いられる光ＣＶＤ装置の概略構成図、
図２はその光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を
示す斜視図、図３は本発明のＸ線マスクのウエハの位置
歪みが起こっている場合の修正方法を示す図である。
がら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＸ線
マスクの修正に用いられる光ＣＶＤ装置の概略構成図、
図２はその光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を
示す斜視図、図３は本発明のＸ線マスクのウエハの位置
歪みが起こっている場合の修正方法を示す図である。
【００１３】本発明によれば、次の手順によってＸ線マ
スクの位置歪みの修正を行う。 （１）Ｘ線マスクの応力の分布を、平面度計のソリのデ
ータに基づいて測定する。 （２）膜の応力分布が均一になるように、図１及び図２
に示すように、光ＣＶＤ装置によって、メタル，多結晶
シリコン，ＳｉＮ，ＳｉＣ等の堆積をメンブレンの一部
に行う。
スクの位置歪みの修正を行う。 （１）Ｘ線マスクの応力の分布を、平面度計のソリのデ
ータに基づいて測定する。 （２）膜の応力分布が均一になるように、図１及び図２
に示すように、光ＣＶＤ装置によって、メタル，多結晶
シリコン，ＳｉＮ，ＳｉＣ等の堆積をメンブレンの一部
に行う。
【００１４】光ＣＶＤ装置は、チャンバ１０内にレーザ
光源１１から光学系１２を介して集束されたレーザ光
を、ステージ１３に載置されたウエハ１４上のメンブレ
ン１５の一部を照射して、加熱するとともに、ガスをそ
のウエハ１４上のメンブレン１５へガス吸入口１６より
供給する。ここで、ステージ１３よりウエハ上の任意の
点にレーザ光を照射できるように構成されている。この
光ＣＶＤ装置により、任意の薄膜１８を任意の場所へ任
意の厚さだけ形成することができる。１７は排気口であ
る。
光源１１から光学系１２を介して集束されたレーザ光
を、ステージ１３に載置されたウエハ１４上のメンブレ
ン１５の一部を照射して、加熱するとともに、ガスをそ
のウエハ１４上のメンブレン１５へガス吸入口１６より
供給する。ここで、ステージ１３よりウエハ上の任意の
点にレーザ光を照射できるように構成されている。この
光ＣＶＤ装置により、任意の薄膜１８を任意の場所へ任
意の厚さだけ形成することができる。１７は排気口であ
る。
【００１５】なお、ウエハの平面度が悪く、これによ
り、図３（ａ）に示すように、ウエハ２１の位置歪みが
起こっている場合には、図３（ｂ）に示すように、逆の
ソリを形成できる薄膜２２をその上に形成する。これに
より、図３（ｃ）に示すように、Ｘ線マスク２０の平面
度が良くなり、位置歪みが解消される。ＣＶＤ装置の光
源としては集束（＜数μｍφ）させる必要があり、ま
た、ガスを分解させる必要がある。このためには、ガス
を直接分解するエキシマレーザ（例えばＡｒＦエキシマ
レーザで、ＮＨ3 ，ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 などを分解）
や、ＦＩＢ（集束イオンビーム）で基板加熱を行い、基
板吸着ガスを分解することができるＡｒレーザ等があ
る。
り、図３（ａ）に示すように、ウエハ２１の位置歪みが
起こっている場合には、図３（ｂ）に示すように、逆の
ソリを形成できる薄膜２２をその上に形成する。これに
より、図３（ｃ）に示すように、Ｘ線マスク２０の平面
度が良くなり、位置歪みが解消される。ＣＶＤ装置の光
源としては集束（＜数μｍφ）させる必要があり、ま
た、ガスを分解させる必要がある。このためには、ガス
を直接分解するエキシマレーザ（例えばＡｒＦエキシマ
レーザで、ＮＨ3 ，ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 などを分解）
や、ＦＩＢ（集束イオンビーム）で基板加熱を行い、基
板吸着ガスを分解することができるＡｒレーザ等があ
る。
【００１６】ガスは、通常ＣＶＤで用いているガスを用
いることができる。例えばＷの場合はＷＦ6 ＋Ｈ2 、多
結晶シリコンの場合はＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＮの
場合はＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 等である。また、多結晶シリコ
ンの皮膜を形成するには、水銀を増感剤として導入すれ
ば、紫外線ランプを用いることができる。また、光源と
しては集束できることが有利であるが、集束できないＸ
線やハロゲンランプでもマスクを用いれば利用できる。
いることができる。例えばＷの場合はＷＦ6 ＋Ｈ2 、多
結晶シリコンの場合はＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＮの
場合はＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 等である。また、多結晶シリコ
ンの皮膜を形成するには、水銀を増感剤として導入すれ
ば、紫外線ランプを用いることができる。また、光源と
しては集束できることが有利であるが、集束できないＸ
線やハロゲンランプでもマスクを用いれば利用できる。
【００１７】形成する薄膜の応力については、事前に測
定しておけばよく、応力が大きい方が修正の膜厚が薄く
てすむため、修正をするときは有利な場合もある。膜の
選択はメンブレン内では光、Ｘ線に対して透過性のよい
ＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコン等が好まし
く、メンブレン外及び吸収体上では、Ｗ，Ｔａ，Ａｌ等
のメタルでもＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコ
ンでもどちらでもよい。
定しておけばよく、応力が大きい方が修正の膜厚が薄く
てすむため、修正をするときは有利な場合もある。膜の
選択はメンブレン内では光、Ｘ線に対して透過性のよい
ＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコン等が好まし
く、メンブレン外及び吸収体上では、Ｗ，Ｔａ，Ａｌ等
のメタルでもＳｉＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2 ，多結晶シリコ
ンでもどちらでもよい。
【００１８】上記した実施例では基準をマスクの設計基
準としたが、ウエハがプロセスを経て変形することはよ
く知られている。すなわち、ウエハでの基準にマスクを
合わせないと、重ね合わせの誤差要因となる。そこでウ
エハの変化を加味して、マスクの設計を修正し、これを
基準としてマスクの修正を行うことも可能である。以
下、具体的な実施例について説明する。
準としたが、ウエハがプロセスを経て変形することはよ
く知られている。すなわち、ウエハでの基準にマスクを
合わせないと、重ね合わせの誤差要因となる。そこでウ
エハの変化を加味して、マスクの設計を修正し、これを
基準としてマスクの修正を行うことも可能である。以
下、具体的な実施例について説明する。
【００１９】図４は本発明の一実施例を示すＸ線マスク
の吸収体パターンの配列精度を高めるためのＸ線マスク
の修正方法を示す図である。まず、３インチシリコン基
板３０上にメンブレンとなるＳｉＮの膜３１を２μｍの
厚さにＬＰ−ＣＶＤにて形成した。ここで、成膜条件
は、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラン６０ｓｃ
ｃｍとし、０．８Ｔｏｒｒのガス圧にて基板温度８００
℃で行った。堆積時間は１５時間とした。成膜した基板
の平面度を位相差を利用した平面度計（ダイゴＫ．Ｋ社
製）により測定し、これを用いて、ＳｉＮ膜３１の２次
元の応力マップを作製した〔図４（ａ）参照〕。
の吸収体パターンの配列精度を高めるためのＸ線マスク
の修正方法を示す図である。まず、３インチシリコン基
板３０上にメンブレンとなるＳｉＮの膜３１を２μｍの
厚さにＬＰ−ＣＶＤにて形成した。ここで、成膜条件
は、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラン６０ｓｃ
ｃｍとし、０．８Ｔｏｒｒのガス圧にて基板温度８００
℃で行った。堆積時間は１５時間とした。成膜した基板
の平面度を位相差を利用した平面度計（ダイゴＫ．Ｋ社
製）により測定し、これを用いて、ＳｉＮ膜３１の２次
元の応力マップを作製した〔図４（ａ）参照〕。
【００２０】ここで、Ｘ線マスクを形成する２５ｍｍ角
の左下が応力が大きいことが分かった。つまり、各部の
応力を見ると、ａの部分は３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、
ｂの部分は４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ｃの部分は５×
１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 及びｄの部分は６×１０8 ｄｙｎ
／ｃｍ2 である。この基板の応力の大きい部分に、図１
及び図２に示すような光ＣＶＤ装置により、ＳｉＮを堆
積するために、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラ
ン２０ｓｃｃｍ，Ｎ2 １００ｓｃｃｍとし、３Ｔｏｒｒ
のガス圧とした。光照射にはＫｒＦのエキシマレーザ
（１ＫＷ）を用いた。照射エリアとしては、図４（ｂ）
に示すように、２５ｍｍ角の左下の２ｍｍ角ｅで２分間
の照射を行なった。すると、その照射部に０．２μｍ厚
のＳｉＮが形成された。
の左下が応力が大きいことが分かった。つまり、各部の
応力を見ると、ａの部分は３×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、
ｂの部分は４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ｃの部分は５×
１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 及びｄの部分は６×１０8 ｄｙｎ
／ｃｍ2 である。この基板の応力の大きい部分に、図１
及び図２に示すような光ＣＶＤ装置により、ＳｉＮを堆
積するために、アンモニア１０ｓｃｃｍ，ジクロルシラ
ン２０ｓｃｃｍ，Ｎ2 １００ｓｃｃｍとし、３Ｔｏｒｒ
のガス圧とした。光照射にはＫｒＦのエキシマレーザ
（１ＫＷ）を用いた。照射エリアとしては、図４（ｂ）
に示すように、２５ｍｍ角の左下の２ｍｍ角ｅで２分間
の照射を行なった。すると、その照射部に０．２μｍ厚
のＳｉＮが形成された。
【００２１】そこで、ＳｉＮの応力分布を前記平面度計
により測定したところ、図４（ｃ）に示すように、２５
ｍｍ角の左下ｆを４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 の応力分布
に改善することができた。このように、Ｘ線マスクの修
正前である図４（ａ）と、Ｘ線マスクの修正後である図
４（ｃ）を比較すると、その改善のようすが明白であ
る。
により測定したところ、図４（ｃ）に示すように、２５
ｍｍ角の左下ｆを４×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 の応力分布
に改善することができた。このように、Ｘ線マスクの修
正前である図４（ａ）と、Ｘ線マスクの修正後である図
４（ｃ）を比較すると、その改善のようすが明白であ
る。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、Ｘ線マスクの加工を行なった後に、光ＣＶＤに
より歪みを補償する薄膜を形成し、位置歪みを修正する
ようにしたので、Ｘ線マスクの吸収体パターンの配列精
度が向上し、２５６ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等の
Ｘ線リソグラフィに利用できる。
よれば、Ｘ線マスクの加工を行なった後に、光ＣＶＤに
より歪みを補償する薄膜を形成し、位置歪みを修正する
ようにしたので、Ｘ線マスクの吸収体パターンの配列精
度が向上し、２５６ＭＤＲＡＭ、１Ｇｂ−ＤＲＡＭ等の
Ｘ線リソグラフィに利用できる。
【００２４】また、マスクの加工後に位置歪みを修正す
るようにしたので、マスク自体の加工が容易となり、マ
スク加工の歩留まりが著しく向上する。更に、ウエハの
プロセスを経ることによる歪みも同時に修正が可能であ
る。
るようにしたので、マスク自体の加工が容易となり、マ
スク加工の歩留まりが著しく向上する。更に、ウエハの
プロセスを経ることによる歪みも同時に修正が可能であ
る。
【図１】本発明の実施例を示すＸ線マスクの修正に用い
られる光ＣＶＤ装置の概略構成図である。
られる光ＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例を示すＸ線マスクの修正に用い
られる光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を示す
斜視図である。
られる光ＣＶＤ装置によるＸ線マスクの修正方法を示す
斜視図である。
【図３】本発明のＸ線マスクのウエハの位置歪みが起こ
っている場合の修正方法を示す図である。
っている場合の修正方法を示す図である。
【図４】本発明の一実施例を示すＸ線マスクの吸収体パ
ターンの配列精度を高めるためのＸ線マスクの修正方法
を示す図である。
ターンの配列精度を高めるためのＸ線マスクの修正方法
を示す図である。
【図５】従来のＸ線マスクの製造工程断面図である。
１０ チャンバ １１ レーザ光源 １２ 光学系 １３ ステージ １４ ウエハ １５ メンブレン １６ ガス吸入口 １７ 排気口 １８，２１ 薄膜 ３０ シリコン基板 ３１ ＳｉＮ膜（メンブレン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河津 佳幸 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線リソグラフィに用いるＸ線マスクの
修正方法において、Ｘ線マスクを加工した後に光源を用
いたＣＶＤにより前記Ｘ線マスクの歪みを補償する薄膜
を形成し、位置歪みを修正するようにしたことを特徴と
するＸ線マスクの修正方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線マスクの修正方法に
おいて、前記光源として光学的に集束したエキシマレー
ザ、Ａｒレーザ又はイオンビームを用いることを特徴と
するＸ線マスクの修正方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のＸ線マスクの修正方法に
おいて、前記薄膜がＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、多結晶
シリコン，Ｗ又はＴａであることを特徴とするＸ線マス
クの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16564592A JPH065497A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Ｘ線マスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16564592A JPH065497A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Ｘ線マスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065497A true JPH065497A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15816304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16564592A Withdrawn JPH065497A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | Ｘ線マスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065497A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010152031A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16564592A patent/JPH065497A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010152031A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |