JPH0655345A - 放電加工方法 - Google Patents
放電加工方法Info
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- JPH0655345A JPH0655345A JP24705592A JP24705592A JPH0655345A JP H0655345 A JPH0655345 A JP H0655345A JP 24705592 A JP24705592 A JP 24705592A JP 24705592 A JP24705592 A JP 24705592A JP H0655345 A JPH0655345 A JP H0655345A
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Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放電加工において、放電の分散性を高め、そ
れにより鏡面加工ができ、加工速度を向上しようとする
ものである。 【構成】 電極２と被加工体１を対向した加工間隙に循
環供給装置８により加工液５を供給しながらパルス電源
７によりパルス放電を繰返して加工する放電加工に於い
て、前記循環供給装置８の加工液供給管９にホッパ１５
に収納する粒子１６をスクリュ１３の制御により供給添
加混合して加工間隙に供給し介在させて放電加工する。
そして前記供給粒子１６として砥粒もしくは炭素と化合
物を作り易い金属粒子であって且つ半導体特性を有する
粒子を供給するようにしたことを特徴とする。
れにより鏡面加工ができ、加工速度を向上しようとする
ものである。 【構成】 電極２と被加工体１を対向した加工間隙に循
環供給装置８により加工液５を供給しながらパルス電源
７によりパルス放電を繰返して加工する放電加工に於い
て、前記循環供給装置８の加工液供給管９にホッパ１５
に収納する粒子１６をスクリュ１３の制御により供給添
加混合して加工間隙に供給し介在させて放電加工する。
そして前記供給粒子１６として砥粒もしくは炭素と化合
物を作り易い金属粒子であって且つ半導体特性を有する
粒子を供給するようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、型彫、ワイヤカット等
の放電加工方法に関する。
の放電加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、加工液にＡｇ，Ｆｅ，Ｎｉ，グラ
ファイト等の微粒子を混合して、電極と被加工体の間隙
に供給し放電加工すると、液中に分散する導電粒子が媒
介して放電開始し、放電開始電位傾度を低下することに
よってパルス放電の繰返しを高め、又、分散粒子を介し
て放電を発生することにより放電の分散性を高めること
ができ、これにより加工速度の向上をはかることが知ら
れている。しかし、このような従来の導電粒子の混合
は、単に混合粒子の導電性を利用するもので、放電の分
散性は微粒子の混合量によるが、その分散効果を高める
ために混合量を増加すれば、今度は電位傾度が低下して
放電がかえって集中するようになり、安定加工が出来な
くなって加工速度が低下するといった欠点があった。
ファイト等の微粒子を混合して、電極と被加工体の間隙
に供給し放電加工すると、液中に分散する導電粒子が媒
介して放電開始し、放電開始電位傾度を低下することに
よってパルス放電の繰返しを高め、又、分散粒子を介し
て放電を発生することにより放電の分散性を高めること
ができ、これにより加工速度の向上をはかることが知ら
れている。しかし、このような従来の導電粒子の混合
は、単に混合粒子の導電性を利用するもので、放電の分
散性は微粒子の混合量によるが、その分散効果を高める
ために混合量を増加すれば、今度は電位傾度が低下して
放電がかえって集中するようになり、安定加工が出来な
くなって加工速度が低下するといった欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の欠点を除去し、放電分散性を著しく高め、それに
より微細な表面粗さで加工速度を向上させることを目的
とする。
従来の欠点を除去し、放電分散性を著しく高め、それに
より微細な表面粗さで加工速度を向上させることを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】電極と被加工体の加工間
隙に加工液を供給しながら、パルス放電を繰返して加工
する放電加工において、前記加工間隙に砥粒もしくは炭
素と化合物を作り易い金属粒子であって、且つ半導体特
性を有する粒子を介在させた状態で放電を行うことを特
徴とする。
隙に加工液を供給しながら、パルス放電を繰返して加工
する放電加工において、前記加工間隙に砥粒もしくは炭
素と化合物を作り易い金属粒子であって、且つ半導体特
性を有する粒子を介在させた状態で放電を行うことを特
徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は前記のように、超高硬度を有する砥粒
の中の半導体特性を有する砥粒、例えば、Ｂ４Ｃ，Ｂ
１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，Ｔａ
Ｃ，ＷＣ等、又は炭素と化合物を作り易く、炭化物とな
って超高硬度を有する金属粒子の中の半導体特性を有す
る粒子、例えば、Ｖ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等を加工間
隙に介在させた状態で放電を行うものであり、介在粒子
の運動による超高硬度を利用した研磨作用により、加工
表面を研磨して微細な表面粗さに加工すると共に、又、
超高硬度で半導体特性を有する介在粒子が放電による電
子、イオン衝撃により分解散乱しながら加工面に衝突
し、そこで再び電子放出する等、容易電子発生効果があ
り、半導体効果により放電分散を電気的に誘発し、更に
エキシトン効果（表面より電子放出すること）により放
電分散を助長し、著しく分散効果を高める。このため、
加工面は放電の分散によって電蝕され、微細なクレータ
で加工されるから、表面粗さが微細に精密に加工される
ようになる。
の中の半導体特性を有する砥粒、例えば、Ｂ４Ｃ，Ｂ
１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，Ｔａ
Ｃ，ＷＣ等、又は炭素と化合物を作り易く、炭化物とな
って超高硬度を有する金属粒子の中の半導体特性を有す
る粒子、例えば、Ｖ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等を加工間
隙に介在させた状態で放電を行うものであり、介在粒子
の運動による超高硬度を利用した研磨作用により、加工
表面を研磨して微細な表面粗さに加工すると共に、又、
超高硬度で半導体特性を有する介在粒子が放電による電
子、イオン衝撃により分解散乱しながら加工面に衝突
し、そこで再び電子放出する等、容易電子発生効果があ
り、半導体効果により放電分散を電気的に誘発し、更に
エキシトン効果（表面より電子放出すること）により放
電分散を助長し、著しく分散効果を高める。このため、
加工面は放電の分散によって電蝕され、微細なクレータ
で加工されるから、表面粗さが微細に精密に加工される
ようになる。
【０００６】
【実施例】以下本発明を図面の一実施例により説明す
る。図１において、１は被加工体、２は電極である。被
加工体１は加工台３にセットされ、加工槽４の中に納め
られ、加工液５に浸漬される。電極２はサーボ送りされ
るスピンドル６の先端に取付支持され、前記加工液中に
おいて被加工体１に対向して加工間隙を形成する。７は
加工パルス電源で、前記の電極２及び被加工体１間に接
続され、加工パルスを供給する。８は加工液の循環供給
装置で、図示しないポンプによって貯蔵タンク内の加工
液を配管９を通して供給し、電極２に設けた加工液噴流
孔を通して間隙に噴流し、加工槽４内加工液５を配管１
０を通して排出し、装置８内のフィルタ等により濾過清
浄して、再び加工間隙に供給するよう循環させながら加
工する。１１は配管９の途中に分岐した配管で、これに
はシリンダ１２が接続され、スクリュ１３のモータ１４
による回転制御によってホッパ１５から流下する粒子１
６を供給し、加工間隙に供給する加工液中に粒子１６を
混合する。加工液として、純水、その他水系加工液、チ
ロシン、トランス油等の油性加工液のいずれでも用いら
れ、これに混合する粒子１６に超高硬度の砥粒として
は、Ｂ４Ｃ，Ｂ１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｖ
Ｃ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＷＣ等を、又、炭素と化合物を作
り易い金属粒子としてはＶ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等を
用いる。このような粒子１６の混合に際しては、界面活
性剤を添加することによって混合分散性を良くする。
る。図１において、１は被加工体、２は電極である。被
加工体１は加工台３にセットされ、加工槽４の中に納め
られ、加工液５に浸漬される。電極２はサーボ送りされ
るスピンドル６の先端に取付支持され、前記加工液中に
おいて被加工体１に対向して加工間隙を形成する。７は
加工パルス電源で、前記の電極２及び被加工体１間に接
続され、加工パルスを供給する。８は加工液の循環供給
装置で、図示しないポンプによって貯蔵タンク内の加工
液を配管９を通して供給し、電極２に設けた加工液噴流
孔を通して間隙に噴流し、加工槽４内加工液５を配管１
０を通して排出し、装置８内のフィルタ等により濾過清
浄して、再び加工間隙に供給するよう循環させながら加
工する。１１は配管９の途中に分岐した配管で、これに
はシリンダ１２が接続され、スクリュ１３のモータ１４
による回転制御によってホッパ１５から流下する粒子１
６を供給し、加工間隙に供給する加工液中に粒子１６を
混合する。加工液として、純水、その他水系加工液、チ
ロシン、トランス油等の油性加工液のいずれでも用いら
れ、これに混合する粒子１６に超高硬度の砥粒として
は、Ｂ４Ｃ，Ｂ１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｖ
Ｃ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＷＣ等を、又、炭素と化合物を作
り易い金属粒子としてはＶ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等を
用いる。このような粒子１６の混合に際しては、界面活
性剤を添加することによって混合分散性を良くする。
【０００７】又、前記の炭素と化合物を作り易い金属粒
子の混合は、油等の液中に炭素を含有する加工液とかエ
マルジョン化した液、又は炭素粉を混合した液を用いる
ことによって、加工間隙に供給されて金属粒子と化合し
て炭化物を作ることができ、生成炭化物が加工間隙に介
在するようになる。ホッパ１５から添加する粒子１６は
０．１〜１５μｍφ程度の微粒子を加工液に対して３〜
１５ｖｏｌ％程度の範囲、好ましくは３〜５ｖｏｌ％程
度をモータ１４の制御によって調整しながら混入し加工
間隙に供給介在させる。混合量の制御は加工間隙におけ
る放電状態を検出し観察しながら行い、混合量が多くな
り過ぎないようにして加工する。このようにして介在さ
せた超高硬度粒子は、加工間隙において加工液と共に分
散攪拌運動し加工面に衝突を繰返して機械的に表面を研
磨する作用をする。
子の混合は、油等の液中に炭素を含有する加工液とかエ
マルジョン化した液、又は炭素粉を混合した液を用いる
ことによって、加工間隙に供給されて金属粒子と化合し
て炭化物を作ることができ、生成炭化物が加工間隙に介
在するようになる。ホッパ１５から添加する粒子１６は
０．１〜１５μｍφ程度の微粒子を加工液に対して３〜
１５ｖｏｌ％程度の範囲、好ましくは３〜５ｖｏｌ％程
度をモータ１４の制御によって調整しながら混入し加工
間隙に供給介在させる。混合量の制御は加工間隙におけ
る放電状態を検出し観察しながら行い、混合量が多くな
り過ぎないようにして加工する。このようにして介在さ
せた超高硬度粒子は、加工間隙において加工液と共に分
散攪拌運動し加工面に衝突を繰返して機械的に表面を研
磨する作用をする。
【０００８】又、粒子は半導体特性を有し、放電による
電子、イオンの衝撃により分解散乱しながら加工面に衝
突を繰返し、衝突により再び電子放出する。このような
容易電子発生効果、半導体効果により放電分散を電気的
に誘発し、更にエキシトン効果により放電分散を助長し
て著しく分数効果を高める。これによって、加工面は放
電が分散され、分散した放電によって電蝕加工されるよ
うになり、微細なクレータで加工され表面粗さが微細に
鏡面に精密加工される。放電条件は通常Ｉｐ＝１〜１０
Ａ，τｏｎ＝０．５〜２μｓ程度を利用し、これによる
加工面は１μＲｍａｘ以下の鏡面に仕上げられる。
電子、イオンの衝撃により分解散乱しながら加工面に衝
突を繰返し、衝突により再び電子放出する。このような
容易電子発生効果、半導体効果により放電分散を電気的
に誘発し、更にエキシトン効果により放電分散を助長し
て著しく分数効果を高める。これによって、加工面は放
電が分散され、分散した放電によって電蝕加工されるよ
うになり、微細なクレータで加工され表面粗さが微細に
鏡面に精密加工される。放電条件は通常Ｉｐ＝１〜１０
Ａ，τｏｎ＝０．５〜２μｓ程度を利用し、これによる
加工面は１μＲｍａｘ以下の鏡面に仕上げられる。
【０００９】加工槽４から排出され配管１０を経て帰還
する加工液は装置８において、混合粒子がフイルタで分
離されメッシュ選別を行って一定寸法以外のものは排除
され、再びホッパ１５から添加し混合し、常に一定濃動
になるように制御する。例えば、２μｍφのＢ４Ｃ材を
ケロシンに混合するとき、分散剤としてオレイン酸ソー
ダを粒子の２０〜４０％を用い、オレイン酸ソーダ１０
−３ｍｏｌ％の濃度とし、これを水洗して後、ケロシン
に２０ｗｔ％で混合して加工間隙に供給したとき、極め
て安定放電加工をすることができた。加工液に水を用い
るときはコハク酸系、脂肪酸アミノエステル塩等を用い
ることができる。水を用いてワイヤカット放電加工を行
う場合に有効である。
する加工液は装置８において、混合粒子がフイルタで分
離されメッシュ選別を行って一定寸法以外のものは排除
され、再びホッパ１５から添加し混合し、常に一定濃動
になるように制御する。例えば、２μｍφのＢ４Ｃ材を
ケロシンに混合するとき、分散剤としてオレイン酸ソー
ダを粒子の２０〜４０％を用い、オレイン酸ソーダ１０
−３ｍｏｌ％の濃度とし、これを水洗して後、ケロシン
に２０ｗｔ％で混合して加工間隙に供給したとき、極め
て安定放電加工をすることができた。加工液に水を用い
るときはコハク酸系、脂肪酸アミノエステル塩等を用い
ることができる。水を用いてワイヤカット放電加工を行
う場合に有効である。
【００１０】尚、以上は一実施例について本発明を説明
したが、加工間隙に粒子を供給するのに、加工液の循環
供給装置８において粒子を加工液に添加混合して供給す
るとか、加工タンク４内の加工液５に粒子を攪拌混合す
ることもできる。微小な加工間隙への粒子の供給介在は
電極を上下方向にレシプロ運動させるとかワイヤ電極に
振動を与えることによって好ましい結果が得られる。
したが、加工間隙に粒子を供給するのに、加工液の循環
供給装置８において粒子を加工液に添加混合して供給す
るとか、加工タンク４内の加工液５に粒子を攪拌混合す
ることもできる。微小な加工間隙への粒子の供給介在は
電極を上下方向にレシプロ運動させるとかワイヤ電極に
振動を与えることによって好ましい結果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、超高硬度
を有する砥粒の内の半導体特性を有する砥粒、例えばＢ
４Ｃ，Ｂ１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，Ｎｂ
Ｃ，ＴａＣ，ＷＣ等、又は炭素と化合物を作り易く、炭
化物となって超高硬度を有する金属粒子の内の半導体特
性を有する粒子、例えば、Ｖ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等
を加工間隙に介在させた状態で放電を行うものであり、
介在粒子の運動により超高硬度を利用した研磨作用によ
り加工表面を研磨して微細な表面粗さに加工すると共
に、又、超高硬度に半導体特性を有する介在粒子が放電
による電子、イオン衝撃により分解散乱しながら加工面
に衝突し、そこで再び電子放出する等、容易電子発生効
果があり、半導体効果により放電分散を電気的に誘発
し、更にエキシトン効果（表面より電子放出すること）
により放電分散を助長し著しく分数効果を高める。この
ため加工面は放電の分散によって電蝕され、微細なクレ
ータで加工されるから表面租さが微細に精密に加工され
るようになる。したがってこれによれば、加工面粗さが
１μＲｍａｘ以下の鏡面加工が容易に高速度で加工でき
る効果がある。
を有する砥粒の内の半導体特性を有する砥粒、例えばＢ
４Ｃ，Ｂ１０Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，Ｎｂ
Ｃ，ＴａＣ，ＷＣ等、又は炭素と化合物を作り易く、炭
化物となって超高硬度を有する金属粒子の内の半導体特
性を有する粒子、例えば、Ｖ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂ等
を加工間隙に介在させた状態で放電を行うものであり、
介在粒子の運動により超高硬度を利用した研磨作用によ
り加工表面を研磨して微細な表面粗さに加工すると共
に、又、超高硬度に半導体特性を有する介在粒子が放電
による電子、イオン衝撃により分解散乱しながら加工面
に衝突し、そこで再び電子放出する等、容易電子発生効
果があり、半導体効果により放電分散を電気的に誘発
し、更にエキシトン効果（表面より電子放出すること）
により放電分散を助長し著しく分数効果を高める。この
ため加工面は放電の分散によって電蝕され、微細なクレ
ータで加工されるから表面租さが微細に精密に加工され
るようになる。したがってこれによれば、加工面粗さが
１μＲｍａｘ以下の鏡面加工が容易に高速度で加工でき
る効果がある。
【図１】本発明の一実施例構成図。
１ 被加工体 ２ 電極 ４ 加工槽 ５ 加工液 ７ 加工電源 ８ 加工液循環供給装置 １５ ホッパ １６ 粒子
Claims (3)
- 【請求項１】 電極と被加工体の加工間隙に加工液を供
給しながらパルス放電を繰返して加工する放電加工にお
いて、前記加工間隙に砥粒もしくは炭素と化合物を作り
易い金属粒子であって、且つ半導体特性を有する粒子を
介在させた状態で放電を行うことを特徴とする放電加工
方法。 - 【請求項２】 前記砥粒として、Ｂ４Ｃ，Ｂ１０Ｃ，Ｔ
ｉＣ，ＺｒＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＷＣの単独もし
くは混合物を用いるようにしたことを特徴とする請求項
１に記載の放電加工方法。 - 【請求項３】 前記炭素と化合物を作り易い金属粒子と
して、Ｖ，Ｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂの単独もしくは混合物
を主体とした粒子を用い、且つ前記加工液として、炭素
もしくは炭化水素を含む液を用いるようにしたことを特
徴とする請求項１に記載の放電加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24705592A JPH0655345A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 放電加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24705592A JPH0655345A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 放電加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0655345A true JPH0655345A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=17157753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24705592A Pending JPH0655345A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 放電加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0655345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005329451A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | アルミニウム板の表面加工方法及び平版印刷版用支持体並びに平版印刷版 |
| EP2489456A3 (en) * | 2011-02-21 | 2013-10-30 | General Electric Company | Electroerosion machining systems and methods |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP24705592A patent/JPH0655345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005329451A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | アルミニウム板の表面加工方法及び平版印刷版用支持体並びに平版印刷版 |
| EP2489456A3 (en) * | 2011-02-21 | 2013-10-30 | General Electric Company | Electroerosion machining systems and methods |
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