JPH0655437A - 両面同時ラッピング方法 - Google Patents
両面同時ラッピング方法Info
- Publication number
- JPH0655437A JPH0655437A JP21277892A JP21277892A JPH0655437A JP H0655437 A JPH0655437 A JP H0655437A JP 21277892 A JP21277892 A JP 21277892A JP 21277892 A JP21277892 A JP 21277892A JP H0655437 A JPH0655437 A JP H0655437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lapping
- carrier
- grinding
- relative speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】同時平面研削スライサで切断されたウエハをラ
ッピングするに当り、片面ラッピング工程を省略できる
新規な両面ラッピング技術を提供すること。 【構成】同時平面研削スライサで切断されたウエハをキ
ャリアに保持し、それぞれ回転数の異なる上下定盤で両
面を同時にラッピングするに当り、ラップ作業を２段階
に分け、前半はウエハの研削面に向かいあう定盤はウエ
ハキャリアの公転運動と同方向へ、ウエハのスライス面
に向かいあう定盤は逆方向へ回転させ、後半はウエハキ
ャリアと上下定盤が各々同じ相対速度になるように回転
させる。なお、前半のラップ作業において、キャリアと
ウエハの研削面に向かいあう定盤の相対速度は、キャリ
アとウエハのスライス面に向かいあう定盤の相対速度の
五分の一以下とすることが好ましい。
ッピングするに当り、片面ラッピング工程を省略できる
新規な両面ラッピング技術を提供すること。 【構成】同時平面研削スライサで切断されたウエハをキ
ャリアに保持し、それぞれ回転数の異なる上下定盤で両
面を同時にラッピングするに当り、ラップ作業を２段階
に分け、前半はウエハの研削面に向かいあう定盤はウエ
ハキャリアの公転運動と同方向へ、ウエハのスライス面
に向かいあう定盤は逆方向へ回転させ、後半はウエハキ
ャリアと上下定盤が各々同じ相対速度になるように回転
させる。なお、前半のラップ作業において、キャリアと
ウエハの研削面に向かいあう定盤の相対速度は、キャリ
アとウエハのスライス面に向かいあう定盤の相対速度の
五分の一以下とすることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ、特に同時平面
研削スライサで切断されたウエハのラッピング方法に関
するものである。
研削スライサで切断されたウエハのラッピング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの生産において、引き上げ
結晶からウエハを切りだす際に用いられているスライサ
は内周刃スライサが一般的である。内周刃スライサでの
大口径ウエハの切断は非常に微妙なブレード管理下に生
産が行われており、そのウエハ精度はオペレータの技量
により大きく左右されているのが現状である。
結晶からウエハを切りだす際に用いられているスライサ
は内周刃スライサが一般的である。内周刃スライサでの
大口径ウエハの切断は非常に微妙なブレード管理下に生
産が行われており、そのウエハ精度はオペレータの技量
により大きく左右されているのが現状である。
【０００３】さらにデバイスの高集積度用化が進み、Ｇ
ａＡｓウエハでのそり要求精度は３インチウエハで完成
時５μｍ、３μｍと厳しくなり、通常の内周刃スライサ
でこの値を満足させるのは不可能になってきている。
ａＡｓウエハでのそり要求精度は３インチウエハで完成
時５μｍ、３μｍと厳しくなり、通常の内周刃スライサ
でこの値を満足させるのは不可能になってきている。
【０００４】ここでいうそりとは、ブレードの状態（台
金の剛性・平坦度）や刃先の状態（形状・磨耗・目詰ま
り）およびクーラントの状態によって、切断部分におい
て部分的な切断抵抗の差が生じ、ブレードの面の形状と
して刻み込まれて生まれるものである。
金の剛性・平坦度）や刃先の状態（形状・磨耗・目詰ま
り）およびクーラントの状態によって、切断部分におい
て部分的な切断抵抗の差が生じ、ブレードの面の形状と
して刻み込まれて生まれるものである。
【０００５】ブレードだけの管理でそりの発生を抑え込
んできたがほぼ限界にきたため、同時平面研削付きスラ
イサーが考え出された。
んできたがほぼ限界にきたため、同時平面研削付きスラ
イサーが考え出された。
【０００６】内周刃スライサのテンションヘッド（ブレ
ードに張力を与えることのできるブレード取り付け具）
の内部に上下および回転機構を有するカップ型平面研削
砥石を付加し、インゴットの状態で平面研削を行い、そ
の直後に内周刃による切断を行う加工方法である。（図
２） 平面研削された面は薄板化されていない半導体のインゴ
ットの状態で、かつ内周刃のように曲がり易い薄板ブレ
ードではなく、剛性のあるカップ型ダイヤモンド砥石で
端面を平面研削するため、研削面は安定して高精度を持
った面になる。この研削面が後工程のラップ工程の基準
面になる。研削面をラップ定盤に貼り付け、凹凸のある
スライス面のみを加工することでスライス面側も研削面
と同様の面となり（転写）、両面共に平坦で平行性の良
いウエハが得られる。
ードに張力を与えることのできるブレード取り付け具）
の内部に上下および回転機構を有するカップ型平面研削
砥石を付加し、インゴットの状態で平面研削を行い、そ
の直後に内周刃による切断を行う加工方法である。（図
２） 平面研削された面は薄板化されていない半導体のインゴ
ットの状態で、かつ内周刃のように曲がり易い薄板ブレ
ードではなく、剛性のあるカップ型ダイヤモンド砥石で
端面を平面研削するため、研削面は安定して高精度を持
った面になる。この研削面が後工程のラップ工程の基準
面になる。研削面をラップ定盤に貼り付け、凹凸のある
スライス面のみを加工することでスライス面側も研削面
と同様の面となり（転写）、両面共に平坦で平行性の良
いウエハが得られる。
【０００７】この後は通常と同様に両面ラップポリシュ
工程を経て完成品となる。
工程を経て完成品となる。
【０００８】図３に従来の同時研削スライサで切断した
ウエハの加工工程を示す。加工精度のよい研削面を基準
にしたいために、片面ラッピング工程とこれに付随する
定盤にウエハを貼り付ける作業および取り外す作業が加
わる。
ウエハの加工工程を示す。加工精度のよい研削面を基準
にしたいために、片面ラッピング工程とこれに付随する
定盤にウエハを貼り付ける作業および取り外す作業が加
わる。
【０００９】ウエハを定盤に貼り付ける作業はワックス
を用いて行うが、ミクロンオーダで均一に貼り付けるの
は高度の技術が必要であり、またワックスを剥がすのに
は塩素系有機溶剤をもちいるため安全上の問題がある。
を用いて行うが、ミクロンオーダで均一に貼り付けるの
は高度の技術が必要であり、またワックスを剥がすのに
は塩素系有機溶剤をもちいるため安全上の問題がある。
【００１０】このような問題の他、余分な工程が加わっ
たため必要工数も増加した。
たため必要工数も増加した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
した従来の技術の欠点を解消し、片面ラッピング工程を
省略できる新規な両面ラッピング技術を提供することに
ある。
した従来の技術の欠点を解消し、片面ラッピング工程を
省略できる新規な両面ラッピング技術を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の両
面同時ラッピング方法によって達成される。すなわち、
ウエハをキャリアに保持し、それぞれ回転数の異なる上
下定盤で両面を同時にラッピングする方法において、同
時平面研削スライサにより切断されたウエハの場合に、
ラップ作業を２段階に分け、前半はウエハの研削面に向
かいあう定盤はウエハキャリアの公転運動と同方向へ、
ウエハのスライス面に向かいあう定盤は逆方向へ回転さ
せ、後半はウエハキャリアと上下定盤が各々同じ相対速
度になるように回転させることを特徴とする両面同時ラ
ッピング方法である。
面同時ラッピング方法によって達成される。すなわち、
ウエハをキャリアに保持し、それぞれ回転数の異なる上
下定盤で両面を同時にラッピングする方法において、同
時平面研削スライサにより切断されたウエハの場合に、
ラップ作業を２段階に分け、前半はウエハの研削面に向
かいあう定盤はウエハキャリアの公転運動と同方向へ、
ウエハのスライス面に向かいあう定盤は逆方向へ回転さ
せ、後半はウエハキャリアと上下定盤が各々同じ相対速
度になるように回転させることを特徴とする両面同時ラ
ッピング方法である。
【００１３】ここで、上記本発明の両面同時ラッピング
方法の前半のラップ作業において、キャリアとウエハの
研削面に向かいあう定盤の相対速度は、キャリアとウエ
ハのスライス面に向かいあう定盤の相対速度の五分の一
以下とすることが好ましい。
方法の前半のラップ作業において、キャリアとウエハの
研削面に向かいあう定盤の相対速度は、キャリアとウエ
ハのスライス面に向かいあう定盤の相対速度の五分の一
以下とすることが好ましい。
【００１４】本発明の要旨は、両面同時ラッピング作業
の初期に上部定盤・下部定盤のウエハキャリアに対する
速度を変えてやることで、それによりスライス面側のラ
ッピング速度を上げることでウエハのそりを大幅に低減
したものである。
の初期に上部定盤・下部定盤のウエハキャリアに対する
速度を変えてやることで、それによりスライス面側のラ
ッピング速度を上げることでウエハのそりを大幅に低減
したものである。
【００１５】本発明は、ＧａＡｓなどの半導体の他、Ｓ
ｉなどのウエハの製造にも適用できる。
ｉなどのウエハの製造にも適用できる。
【００１６】本発明のラッピング方法の前半のウエハの
研削面に向かいあう定盤の相対速度が、ウエハのスライ
ス面に向かいあう定盤の相対速度との速度比で五分の一
よりも大きくなれば研削面側のラッピング量が大きくな
るためそりが悪化する。
研削面に向かいあう定盤の相対速度が、ウエハのスライ
ス面に向かいあう定盤の相対速度との速度比で五分の一
よりも大きくなれば研削面側のラッピング量が大きくな
るためそりが悪化する。
【００１７】
【実施例】本発明の実施例を以下に述べる。しかしなが
ら本発明は以下の実施例によって制限されるものではな
い。
ら本発明は以下の実施例によって制限されるものではな
い。
【００１８】（実施例１）ラッピング装置としては、直
径１０００ｍｍのガラス製の上下定盤を有し、ウエハを
保持させるウエハキャリアを自転・公転させる太陽歯車
・内歯車で構成される２Ｗａｙ方式の装置を用いた。
径１０００ｍｍのガラス製の上下定盤を有し、ウエハを
保持させるウエハキャリアを自転・公転させる太陽歯車
・内歯車で構成される２Ｗａｙ方式の装置を用いた。
【００１９】ウエハは４インチＧａＡｓウエハで、研削
付き内周刃スライサで切断したものを用いた。ウエハキ
ャリアは１０インチで４インチＧａＡｓウエハを４枚保
持できるものを使用した。
付き内周刃スライサで切断したものを用いた。ウエハキ
ャリアは１０インチで４インチＧａＡｓウエハを４枚保
持できるものを使用した。
【００２０】研磨液は約６μｍのアルミナ粉末を脱イオ
ン水に、重量比１：４の割合で混合したものを用いた。
ン水に、重量比１：４の割合で混合したものを用いた。
【００２１】ウエハは上側がスライス面、下側が研削面
になるようにセットされた。ラッピングの前半はウエハ
に５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を加え、上定盤は右廻りに１０
ｒｐｍ、キャリアの公転速度は左廻りに１０ｒｐｍ、下
定盤も左廻りに１０ｒｐｍの条件でラッピング加工を行
った。この時、ウエハの自転運動は行わない。
になるようにセットされた。ラッピングの前半はウエハ
に５０ｇ／ｃｍ2 の圧力を加え、上定盤は右廻りに１０
ｒｐｍ、キャリアの公転速度は左廻りに１０ｒｐｍ、下
定盤も左廻りに１０ｒｐｍの条件でラッピング加工を行
った。この時、ウエハの自転運動は行わない。
【００２２】基板の厚さが８００μｍから７８０μｍに
なった時、すなわち表と裏の両方を合わせたラッピング
量が２０μｍに達した時、条件を切り替え、ウエハに１
５９ｇ／ｃｍ2 の圧力を加え、上定盤は右廻りに３０ｒ
ｐｍ、キャリアの公転速度は右廻りに２０ｒｐｍ、下定
盤は右廻りに１０ｒｐｍの条件で基板厚７００μｍにな
るまでラッピングを行った。
なった時、すなわち表と裏の両方を合わせたラッピング
量が２０μｍに達した時、条件を切り替え、ウエハに１
５９ｇ／ｃｍ2 の圧力を加え、上定盤は右廻りに３０ｒ
ｐｍ、キャリアの公転速度は右廻りに２０ｒｐｍ、下定
盤は右廻りに１０ｒｐｍの条件で基板厚７００μｍにな
るまでラッピングを行った。
【００２３】そりは触針式の測定機を用いて測定を行っ
た。その結果、従来式の片面ラッピング工程を含むもの
は２〜５μｍ、本方式によるものは３〜５μｍと殆ど遜
色なく、平坦になっていた。
た。その結果、従来式の片面ラッピング工程を含むもの
は２〜５μｍ、本方式によるものは３〜５μｍと殆ど遜
色なく、平坦になっていた。
【００２４】参考のため、片面ラップを行わず、かつ通
常通りの両面ラッピング作業を行ったもののそりは７〜
１５μｍ程度である。
常通りの両面ラッピング作業を行ったもののそりは７〜
１５μｍ程度である。
【００２５】
【発明の効果】本発明の両面同時ラッピング方法を採用
することにより、従来技術では必要不可欠であった片面
ラッピング工程を省略することができ、工数の削減や安
全性の面でメリットが生じた。
することにより、従来技術では必要不可欠であった片面
ラッピング工程を省略することができ、工数の削減や安
全性の面でメリットが生じた。
【００２６】これはウエハの研削面側のラッピング量を
小さくし、スライス面側を研削面基準にラッピングする
ことで、片面ラッピングと同等の効果を得ることができ
たためである。
小さくし、スライス面側を研削面基準にラッピングする
ことで、片面ラッピングと同等の効果を得ることができ
たためである。
【図１】同時研削スライサで切断したウエハに対する、
本発明の加工工程の作業チャートを示す。
本発明の加工工程の作業チャートを示す。
【図２】同時研削スライサの加工時の加工模式図。
【図３】同時研削スライサで切断したウエハに対する、
従来の加工工程の作業チャートを示す。
従来の加工工程の作業チャートを示す。
１ 半導体のインゴット ２ ブレード ３ 同時研削用カップ形面砥石
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハをキャリアに保持し、それぞれ回転
数の異なる上下定盤で両面を同時にラッピングする方法
において、同時平面研削スライサにより切断されたウエ
ハの場合に、ラップ作業を２段階に分け、前半はウエハ
の研削面に向かいあう定盤はウエハキャリアの公転運動
と同方向へ、ウエハのスライス面に向かいあう定盤は逆
方向へ回転させ、後半はウエハキャリアと上下定盤が各
々同じ相対速度になるように回転させることを特徴とす
る両面同時ラッピング方法。 - 【請求項２】前半のラップ作業において、キャリアとウ
エハの研削面に向かいあう定盤の相対速度は、キャリア
とウエハのスライス面に向かいあう定盤の相対速度の五
分の一以下とすることを特徴とする請求項１記載の両面
同時ラッピング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21277892A JPH0655437A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 両面同時ラッピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21277892A JPH0655437A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 両面同時ラッピング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0655437A true JPH0655437A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16628239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21277892A Pending JPH0655437A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 両面同時ラッピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0655437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108161662A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-06-15 | 遵义市汇川区吉美电镀有限责任公司 | 一种电镀打磨装置 |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP21277892A patent/JPH0655437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108161662A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-06-15 | 遵义市汇川区吉美电镀有限责任公司 | 一种电镀打磨装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3925580B2 (ja) | ウェーハ加工装置および加工方法 | |
| US3475867A (en) | Processing of semiconductor wafers | |
| US6214704B1 (en) | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage | |
| JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP3924641B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH10180624A (ja) | ラッピング装置及び方法 | |
| EP1307321A2 (en) | Method for processing a semiconductor wafer using double-side polishing | |
| KR20020020692A (ko) | 웨이퍼 연마 패드의 조절 방법 | |
| US3699722A (en) | Precision polishing of semiconductor crystal wafers | |
| JPH0655437A (ja) | 両面同時ラッピング方法 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JP2001007064A (ja) | 半導体ウエーハの研削方法 | |
| JPH03104545A (ja) | 平面研削装置 | |
| JP2001071244A (ja) | 半導体ウェーハの精密面取り法 | |
| JPS61114813A (ja) | 切断方法 | |
| JPH07100737A (ja) | 半導体ウエーハの研磨方法 | |
| JPS58143948A (ja) | ウエハ研削装置 | |
| JP2613081B2 (ja) | ウエハ外周部の鏡面研磨方法 | |
| WO2001082353A1 (fr) | Dispositif et procede de polissage du chanfrein peripherique d'une tranche de silicium | |
| JP4154683B2 (ja) | 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置 | |
| JP2007221030A (ja) | 基板の加工方法 | |
| JPH029535A (ja) | 薄基板製造方法およびその装置 | |
| JP2688584B2 (ja) | 薄板研磨方法 | |
| JP2762200B2 (ja) | ウエーハ面取部研磨用バフの総形溝加工装置 | |
| JP2004330345A (ja) | 薄片ワークの研削加工法およびその装置 |