JPH065569A - 半導体ウエハのチャック機構 - Google Patents
半導体ウエハのチャック機構Info
- Publication number
- JPH065569A JPH065569A JP18155292A JP18155292A JPH065569A JP H065569 A JPH065569 A JP H065569A JP 18155292 A JP18155292 A JP 18155292A JP 18155292 A JP18155292 A JP 18155292A JP H065569 A JPH065569 A JP H065569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- chuck mechanism
- mounting table
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウエハの結晶成長方向とウエハ乗載台
の方向を一致させることができ、均一化された高精度を
保持できるチャック機構を提供する。 【構成】 チャック機構１のチャック基台２へ嵌置させ
るウエハ乗載台を短円柱形状の通気性部材で形成し、ウ
エハ乗載台の外周縁の一部を直線状に切欠した半導体ウ
エハＷのオリフラ部の形状と合致させた切欠部を形成
し、ウエハ乗載台の周側面と切欠部の平側面とを不通気
性部材の被覆材３Ｃで被覆し、ウエハ乗載台を半導体ウ
エハとの形状を同一形状にした。チャック機構では半導
体ウエハのバキューム吸着を行う。
の方向を一致させることができ、均一化された高精度を
保持できるチャック機構を提供する。 【構成】 チャック機構１のチャック基台２へ嵌置させ
るウエハ乗載台を短円柱形状の通気性部材で形成し、ウ
エハ乗載台の外周縁の一部を直線状に切欠した半導体ウ
エハＷのオリフラ部の形状と合致させた切欠部を形成
し、ウエハ乗載台の周側面と切欠部の平側面とを不通気
性部材の被覆材３Ｃで被覆し、ウエハ乗載台を半導体ウ
エハとの形状を同一形状にした。チャック機構では半導
体ウエハのバキューム吸着を行う。
Description
【０００１】本発明は、研削盤、ラップ盤、ポリッシン
グ盤等において、半導体ウエハをバキューム吸着し、半
導体ウエハの上面へ加工を施す時の乗載台と成るチャッ
ク機構に関するものであり、詳しくは、半導体ウエハと
ウエハ乗載台とを同一形状に形成したものである。
グ盤等において、半導体ウエハをバキューム吸着し、半
導体ウエハの上面へ加工を施す時の乗載台と成るチャッ
ク機構に関するものであり、詳しくは、半導体ウエハと
ウエハ乗載台とを同一形状に形成したものである。
【０００２】従来、この種のチャック機構のウエハ乗載
台は殆ど短円柱形状で通気性を有するポーラスセラミッ
ク等の通気性部材で形成され、該通気性部材の外周を別
体の環状の不通気性部材で囲っているものであったが、
半導体ウエハへはシリコン結晶の成長方向を示すために
「オリフラ部」と称される一部が直線状にカットされた
部分を設けられているために円形状に形成されたウエハ
乗載台ではオリフラ部分からバキューム吸着を保持する
ための空気を無駄に通気させており、効率的とは云え
ず、その為に、通気部材と不通気部材とは硬度が相違
し、バキューム吸着の際裏面へ硬度差による跡が残留す
る虞れがあった。
台は殆ど短円柱形状で通気性を有するポーラスセラミッ
ク等の通気性部材で形成され、該通気性部材の外周を別
体の環状の不通気性部材で囲っているものであったが、
半導体ウエハへはシリコン結晶の成長方向を示すために
「オリフラ部」と称される一部が直線状にカットされた
部分を設けられているために円形状に形成されたウエハ
乗載台ではオリフラ部分からバキューム吸着を保持する
ための空気を無駄に通気させており、効率的とは云え
ず、その為に、通気部材と不通気部材とは硬度が相違
し、バキューム吸着の際裏面へ硬度差による跡が残留す
る虞れがあった。
【０００３】又、昨今要求される半導体ウエハの加工精
度は採取製品の歩留まりの観点から高品質で且つ均一化
されたものであり、円形状のウエハ乗載台では半導体ウ
エハの結晶成長方向とウエハ乗載台の方向が絶えず相違
し、チャック機構そのものの加工精度の狂いが半導体ウ
エハの何処に現われるかが特定できなかった。
度は採取製品の歩留まりの観点から高品質で且つ均一化
されたものであり、円形状のウエハ乗載台では半導体ウ
エハの結晶成長方向とウエハ乗載台の方向が絶えず相違
し、チャック機構そのものの加工精度の狂いが半導体ウ
エハの何処に現われるかが特定できなかった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記の事由に着目し鋭意研鑚の
結果、半導体ウエハの形状と同一形状として能率的に且
つ確実に半導体ウエハをチャックすると共に、半導体ウ
エハの結晶成長方向とチャック機構のウエハ乗載台の方
向を一致させることができるため均一化された高精度を
保持できるチャック機構を創作し、これを提供する目的
である。
結果、半導体ウエハの形状と同一形状として能率的に且
つ確実に半導体ウエハをチャックすると共に、半導体ウ
エハの結晶成長方向とチャック機構のウエハ乗載台の方
向を一致させることができるため均一化された高精度を
保持できるチャック機構を創作し、これを提供する目的
である。
【０００５】
【発明の構成】本発明の構成は、チャック機構のウエハ
乗載台を通気性部材で形成し、ウエハ乗載台を直線状に
切欠した切欠部を形成し、ウエハ乗載台の周側面と切欠
部の平側面を不通気性部材の被覆材で被覆した構成であ
る。
乗載台を通気性部材で形成し、ウエハ乗載台を直線状に
切欠した切欠部を形成し、ウエハ乗載台の周側面と切欠
部の平側面を不通気性部材の被覆材で被覆した構成であ
る。
【０００６】
【発明の作用】本発明の作用は、ウエハ乗載台と半導体
ウエハの形状とを同一形状としたことによって、ウエハ
乗載台と半導体ウエハの乗載方向を絶えず一定とし、且
つ、バキューム吸着の効率を向上させる作用を有するも
のである。
ウエハの形状とを同一形状としたことによって、ウエハ
乗載台と半導体ウエハの乗載方向を絶えず一定とし、且
つ、バキューム吸着の効率を向上させる作用を有するも
のである。
【０００７】斯る目的を達成した本発明の半導体ウエハ
のチャック機構を実施例の図面によって説明する。
のチャック機構を実施例の図面によって説明する。
【０００８】図１は本発明のチャック機構の平面図であ
り、図２は本発明のチャック機構に半導体ウエハを乗載
させた状態の側面説明図である。
り、図２は本発明のチャック機構に半導体ウエハを乗載
させた状態の側面説明図である。
【０００９】本発明は、研削盤、ラップ盤、ポリッシン
グ盤等の半導体ウエハをバキューム吸着し、半導体ウエ
ハＷの上面へ加工を施す時の乗載台と成るチャック機構
１に関するものであり、詳しくは、半導体ウエハＷとウ
エハ乗載台３とを同一形状に形成したものであり、半導
体ウエハＷをバキューム吸着して研削又は研磨するチャ
ック機構１において、前記チャック機構１のチャック基
台２へ嵌置させるウエハ乗載台３を短円柱形状の通気性
部材で形成し、該ウエハ乗載台３の外周縁の一部を直線
状に切欠した半導体ウエハＷのオリフラ部Ｏの形状と合
致させた切欠部３ａを形成し、該ウエハ載置台３の周側
面と切欠部３ａの平側面３ｂとを不通気性部材の被覆材
３ｃで被覆し、該ウエハ乗載台３の形状を半導体ウエハ
Ｗの形状と同一形状としたものである。
グ盤等の半導体ウエハをバキューム吸着し、半導体ウエ
ハＷの上面へ加工を施す時の乗載台と成るチャック機構
１に関するものであり、詳しくは、半導体ウエハＷとウ
エハ乗載台３とを同一形状に形成したものであり、半導
体ウエハＷをバキューム吸着して研削又は研磨するチャ
ック機構１において、前記チャック機構１のチャック基
台２へ嵌置させるウエハ乗載台３を短円柱形状の通気性
部材で形成し、該ウエハ乗載台３の外周縁の一部を直線
状に切欠した半導体ウエハＷのオリフラ部Ｏの形状と合
致させた切欠部３ａを形成し、該ウエハ載置台３の周側
面と切欠部３ａの平側面３ｂとを不通気性部材の被覆材
３ｃで被覆し、該ウエハ乗載台３の形状を半導体ウエハ
Ｗの形状と同一形状としたものである。
【００１０】即ち、本発明は、研削盤、ラップ盤、ポリ
ッシング盤等のチャック機構１であって、該チャック機
構１はチャック基台２と、該チャック基台２の上面に嵌
置する半導体ウエハＷを乗載させるウエハ乗載台３から
成るものである。
ッシング盤等のチャック機構１であって、該チャック機
構１はチャック基台２と、該チャック基台２の上面に嵌
置する半導体ウエハＷを乗載させるウエハ乗載台３から
成るものである。
【００１１】前記チャック基台２の中心へは貫通する中
心孔２ａを設けたものであり、該中心孔２ａは真空ポン
プ等のバキューム機構（図示しない）へ連通させると共
に、送水を可能とする送水ポンプ等（図示しない）と連
通する通気通水系を兼ねるものである。
心孔２ａを設けたものであり、該中心孔２ａは真空ポン
プ等のバキューム機構（図示しない）へ連通させると共
に、送水を可能とする送水ポンプ等（図示しない）と連
通する通気通水系を兼ねるものである。
【００１２】前記中心孔２ａは前記バキューム機構を作
動させることによって空気を吸引して負圧をかけて半導
体ウエハＷをバキューム吸着すると共に、半導体ウエハ
Ｗの開放時には空気を逆送するか送水するかして半導体
ウエハＷを浮揚状態とするものであり、又、半導体ウエ
ハＷの下面或いはチャック機構１を洗浄するために送水
をも可能とするものである。
動させることによって空気を吸引して負圧をかけて半導
体ウエハＷをバキューム吸着すると共に、半導体ウエハ
Ｗの開放時には空気を逆送するか送水するかして半導体
ウエハＷを浮揚状態とするものであり、又、半導体ウエ
ハＷの下面或いはチャック機構１を洗浄するために送水
をも可能とするものである。
【００１３】そして、前記チャック基台２の上面の中央
辺へは前記中心孔２ａと連通するウエハ乗載台３を嵌置
させるための凹陥部２ｂを形成するものであるが、該凹
陥部２ｂは後述するウエハ乗載台３の形状と同一形状に
形成するのが望ましいものである。
辺へは前記中心孔２ａと連通するウエハ乗載台３を嵌置
させるための凹陥部２ｂを形成するものであるが、該凹
陥部２ｂは後述するウエハ乗載台３の形状と同一形状に
形成するのが望ましいものである。
【００１４】一般的に半導体ウエハＷにはシリコン結晶
の成長方向を示すためにオリフラ部Ｏと称される切欠部
３ａを形成されているものであり、前記半導体ウエハＷ
をバキューム吸着させるためのウエハ乗載台３はポーラ
スセラミック等の通気性部材で短円柱形状に形成し、該
短円柱形状の外周縁の一部を直線状に平側面３ｂを有し
て切欠させ切欠部３ａを前記半導体ウエハＷのオリフラ
部Ｏの形状と一致させて形成したものである。
の成長方向を示すためにオリフラ部Ｏと称される切欠部
３ａを形成されているものであり、前記半導体ウエハＷ
をバキューム吸着させるためのウエハ乗載台３はポーラ
スセラミック等の通気性部材で短円柱形状に形成し、該
短円柱形状の外周縁の一部を直線状に平側面３ｂを有し
て切欠させ切欠部３ａを前記半導体ウエハＷのオリフラ
部Ｏの形状と一致させて形成したものである。
【００１５】そして、通気性部材で形成したウエハ乗載
台３の周側面及び前記切欠部３ａの平側面３ｂを不通気
性部材のアルミナセラミック等の被覆材３ｃで被覆する
ものであり、つまり、ウエハ乗載台３の上下方向は通気
及び通水が可能であるが水平方向へは通気及び通水は不
可能としているものである。
台３の周側面及び前記切欠部３ａの平側面３ｂを不通気
性部材のアルミナセラミック等の被覆材３ｃで被覆する
ものであり、つまり、ウエハ乗載台３の上下方向は通気
及び通水が可能であるが水平方向へは通気及び通水は不
可能としているものである。
【００１６】換言するならば、半導体ウエハＷの平面形
状と上下方向に通気通水性を有したウエハ乗載台３の平
面形状とは同一形状として形成したものである。
状と上下方向に通気通水性を有したウエハ乗載台３の平
面形状とは同一形状として形成したものである。
【００１７】本発明の半導体ウエハＷのチャック機構１
は、チャック基台２の凹陥部２ｂへウエハ乗載台３を嵌
置し、該ウエハ乗載台３の上面へ半導体ウエハＷを乗載
させるものであるが、この際、半導体ウエハＷのオリフ
ラ部Ｏとウエハ乗載台３の切欠部３ａとを合わせて適宜
な手段によって載置するものであり、従って、半導体ウ
エハＷとウエハ乗載台３との夫々の形状は同一形状とし
ているために合致するものである。
は、チャック基台２の凹陥部２ｂへウエハ乗載台３を嵌
置し、該ウエハ乗載台３の上面へ半導体ウエハＷを乗載
させるものであるが、この際、半導体ウエハＷのオリフ
ラ部Ｏとウエハ乗載台３の切欠部３ａとを合わせて適宜
な手段によって載置するものであり、従って、半導体ウ
エハＷとウエハ乗載台３との夫々の形状は同一形状とし
ているために合致するものである。
【００１８】次いで、チャック基台２の中心孔２ｂを利
してバキューム吸着するものであり、前記ウエハ乗載台
３の周側面及び平側面３ｂは不通気部材の被覆材３ｃで
被覆されているため効率良く吸着されると共に、半導体
ウエハＷのオリフラ部Ｏの位置とウエハ乗載台３の切欠
部３ａの位置とが半導体ウエハＷを取り替えても絶えず
一致しており、加工後の精度は各半導体ウエハＷ共に均
一化されるものである。
してバキューム吸着するものであり、前記ウエハ乗載台
３の周側面及び平側面３ｂは不通気部材の被覆材３ｃで
被覆されているため効率良く吸着されると共に、半導体
ウエハＷのオリフラ部Ｏの位置とウエハ乗載台３の切欠
部３ａの位置とが半導体ウエハＷを取り替えても絶えず
一致しており、加工後の精度は各半導体ウエハＷ共に均
一化されるものである。
【００１９】以上の如く構成した本発明の半導体ウエハ
のチャック機構は、半導体ウエハの平面形状とウエハ乗
載台の上面形状と同一形状であり、加工後の精度が各半
導体ウエハ共同一のもので有り、品質の均一化が計れ、
且つ、効率的なバキューム吸着を可能とするものであ
り、その貢献性は計り知れないものがあり、極めて有意
義な効果を奏することができるものである。
のチャック機構は、半導体ウエハの平面形状とウエハ乗
載台の上面形状と同一形状であり、加工後の精度が各半
導体ウエハ共同一のもので有り、品質の均一化が計れ、
且つ、効率的なバキューム吸着を可能とするものであ
り、その貢献性は計り知れないものがあり、極めて有意
義な効果を奏することができるものである。
【００２０】
【図１】図１は本発明のチャック機構の平面図である。
【図２】図２は本発明のチャック機構に半導体ウエハを
乗載させた状態の側面説明図である。
乗載させた状態の側面説明図である。
【００２１】
Ｗ 半導体ウエハ Ｏ オリフラ部 １ チャック機構 ２ チャック基台 ２ａ 貫通孔 ２ｂ 凹陥部 ３ ウエハ乗載台 ３ａ 切欠部 ３ｂ 平側面 ３ｃ 被覆材
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハをバキューム吸着して研削又
は研磨する研削盤、ラップ盤、ポリッシング盤等のチャ
ック機構において、前記チャック機構のチャック基台へ
嵌置させるウエハ乗載台を短円柱形状の通気性部材で形
成し、該ウエハ乗載台の外周縁の一部を直線状に切欠し
た半導体ウエハのオリフラ部の形状と合致させた切欠部
を形成し、該ウエハ載置台の周側面と切欠部の平側面と
を不通気性部材の被覆材で被覆し、該ウエハ乗載台の形
状を半導体ウエハの形状と同一形状としたことを特徴と
する半導体ウエハのチャック機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18155292A JPH065569A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体ウエハのチャック機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18155292A JPH065569A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体ウエハのチャック機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065569A true JPH065569A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16102784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18155292A Pending JPH065569A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 半導体ウエハのチャック機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4345007A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit einer einkristallinen Siliziumschicht |
| FR2815772A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Tranche de semi-conducteur, procede de fabrication et appareil de fabrication |
| US7291542B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
| US7708854B2 (en) | 2002-12-20 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Work carrier and method of processing a workpiece |
| JP2017019055A (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルを備えた加工装置 |
| CN111993136A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-11-27 | 宜昌市蓝德光电机械有限公司 | 一种旋转式真空夹具 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP18155292A patent/JPH065569A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4345007A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung mit einer einkristallinen Siliziumschicht |
| FR2815772A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Tranche de semi-conducteur, procede de fabrication et appareil de fabrication |
| US6864534B2 (en) | 2000-10-25 | 2005-03-08 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor wafer |
| US7291542B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-11-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
| US7708854B2 (en) | 2002-12-20 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Work carrier and method of processing a workpiece |
| JP2017019055A (ja) * | 2015-07-13 | 2017-01-26 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル及びチャックテーブルを備えた加工装置 |
| CN111993136A (zh) * | 2020-09-28 | 2020-11-27 | 宜昌市蓝德光电机械有限公司 | 一种旋转式真空夹具 |
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