JPH065585B2 - 光磁気記憶装置 - Google Patents
光磁気記憶装置Info
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- JPH065585B2 JPH065585B2 JP59025032A JP2503284A JPH065585B2 JP H065585 B2 JPH065585 B2 JP H065585B2 JP 59025032 A JP59025032 A JP 59025032A JP 2503284 A JP2503284 A JP 2503284A JP H065585 B2 JPH065585 B2 JP H065585B2
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- actuator
- recording
- recording medium
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- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
- G11B11/10536—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording using thermic beams, e.g. lasers
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、光磁気記憶装置に係り特に情報の書き換え可
能な光磁気記憶装置に関する。
能な光磁気記憶装置に関する。
書き換え可能な光磁気記憶装置として、垂直磁性膜を有
する記録媒体にレーザ光束を照射し、その光エネルギー
の吸収によりその磁化方向を反転させて情報の記録およ
び又は消去を行い、該記録媒体からの反射光の偏光面回
転を検出して情報の再生を行う光磁気ディスク装置が知
られている（例えばY,T OGAMI etal"Amorphous thim fi
lm disk for magnetro-optical memony"SPIEvol.329 Op
tical Disk Technology(1982)pp208-214を参照のこ
と）。この種の装置において、磁化方向を反転させるに
は、キュリー点記録方式と補償温度記録方式がある。い
ずれも記録媒体の温度による保磁力と磁化の変化を利用
するのである。ここではキュリー点記録方式を例にとっ
て情報の記憶および消去の動作原理について第１図及び
第２図により説明する。
する記録媒体にレーザ光束を照射し、その光エネルギー
の吸収によりその磁化方向を反転させて情報の記録およ
び又は消去を行い、該記録媒体からの反射光の偏光面回
転を検出して情報の再生を行う光磁気ディスク装置が知
られている（例えばY,T OGAMI etal"Amorphous thim fi
lm disk for magnetro-optical memony"SPIEvol.329 Op
tical Disk Technology(1982)pp208-214を参照のこ
と）。この種の装置において、磁化方向を反転させるに
は、キュリー点記録方式と補償温度記録方式がある。い
ずれも記録媒体の温度による保磁力と磁化の変化を利用
するのである。ここではキュリー点記録方式を例にとっ
て情報の記憶および消去の動作原理について第１図及び
第２図により説明する。
第１図は記録動作の原理を示す。まず(a)は磁性簿膜に
おける記憶前の一方向の磁化Ｍｓを示す。このように、
一方向に磁化されている状態を初期磁化の状態とする。
(b)はレーザ光束１を磁性薄膜面にスポットとして照射
すると、その微小部分がキュリー点温度以上に加熱され
保磁力と磁化が零になることを示す。(c)は(d)の状態に
磁化Ｍｓと逆方向に記録磁界Ｈｂ（約100 Oe）を印加し
た状態である。温度下降時に記録磁界Ｈｂと磁化Ｍｓに
よる反磁界Ｈｄの和（実際の記録磁界＝Ｈｂ＋Ｈｄ）に
よって反転した磁化が発生する。(d)は、微小部分が冷
えた状態（室温）で安定した反転磁化状態（記録ドメイ
ン）を示す。このような順序により情報の記録が行なわ
れる。次に第２図に消去動作の原理を示す。(a)は第１
図で説明した(d)の状態である。(b)は記録された微小部
分にレーザ光をスポットとして照射し、キュリー点温度
以上に加熱した状態を示す（第１図(b)と同じ状態）。
(c)は(b)の状態に磁化Ｍｓと同一方向に消去磁界Ｈｂ１
（約200 Oe）を印加した状態である。このとき、消去磁
界Ｈｂ１とそれに抵抗する反磁界Ｈｄの差（実際の消去
磁界＝Ｈｂ１−Ｈｄ）によって周囲の磁化Ｍｓと同一の
向きとなる。(d)は微小部分が冷えた状態（室温）で安
定した磁化Ｍｓ状態を示す。以上のようにして消去が行
なわれる。
おける記憶前の一方向の磁化Ｍｓを示す。このように、
一方向に磁化されている状態を初期磁化の状態とする。
(b)はレーザ光束１を磁性薄膜面にスポットとして照射
すると、その微小部分がキュリー点温度以上に加熱され
保磁力と磁化が零になることを示す。(c)は(d)の状態に
磁化Ｍｓと逆方向に記録磁界Ｈｂ（約100 Oe）を印加し
た状態である。温度下降時に記録磁界Ｈｂと磁化Ｍｓに
よる反磁界Ｈｄの和（実際の記録磁界＝Ｈｂ＋Ｈｄ）に
よって反転した磁化が発生する。(d)は、微小部分が冷
えた状態（室温）で安定した反転磁化状態（記録ドメイ
ン）を示す。このような順序により情報の記録が行なわ
れる。次に第２図に消去動作の原理を示す。(a)は第１
図で説明した(d)の状態である。(b)は記録された微小部
分にレーザ光をスポットとして照射し、キュリー点温度
以上に加熱した状態を示す（第１図(b)と同じ状態）。
(c)は(b)の状態に磁化Ｍｓと同一方向に消去磁界Ｈｂ１
（約200 Oe）を印加した状態である。このとき、消去磁
界Ｈｂ１とそれに抵抗する反磁界Ｈｄの差（実際の消去
磁界＝Ｈｂ１−Ｈｄ）によって周囲の磁化Ｍｓと同一の
向きとなる。(d)は微小部分が冷えた状態（室温）で安
定した磁化Ｍｓ状態を示す。以上のようにして消去が行
なわれる。
このようにして記録媒体の磁性薄膜面の磁化反転により
情報の記録および消去が行なわれるが、磁性薄膜面の所
定部分での情報の記録および消去を正確に行うために
は、記録媒体の動きに追従して一定のレーザ光スポット
を記録媒体の磁性薄膜面上に照射させるいわゆるオート
フォカス動作が必要である。このため、通常レンズの微
調整を行うアクチュエータが使用される。
情報の記録および消去が行なわれるが、磁性薄膜面の所
定部分での情報の記録および消去を正確に行うために
は、記録媒体の動きに追従して一定のレーザ光スポット
を記録媒体の磁性薄膜面上に照射させるいわゆるオート
フォカス動作が必要である。このため、通常レンズの微
調整を行うアクチュエータが使用される。
しかしながら、従来の光磁気記憶装置では、記録ドメイ
ン径が変化したり、不完全な消去状態をともなったりし
て、情報の記録再生および消去が正確に行えない欠点が
あった。
ン径が変化したり、不完全な消去状態をともなったりし
て、情報の記録再生および消去が正確に行えない欠点が
あった。
本発明の目的は、従来の磁気記憶装置における上述の如
き欠点を解消し、正確な情報の記録および消去が可能な
磁気記憶装置を提供することにある。
き欠点を解消し、正確な情報の記録および消去が可能な
磁気記憶装置を提供することにある。
かかる目的を達成するために、本発明では上述の如き欠
点がアクチュエータに原因すること、すなわち、アクチ
ュエータの漏洩磁場の大きさと、その方向によって記録
媒体の磁性薄膜の情報の記録，消去状態が左右されるこ
とを突き止め、上記アクチュエータの漏洩磁場の影響を
考慮し、その漏洩磁場を、磁場印加手段から消去時に印
加される消去磁場とともに、消去状態の磁化を形成する
ための磁場として用いることを特徴とする。本発明の１
つの特徴によれば、アクチュエータ内の永久磁石の及ぼ
す磁場が磁場印加手段から印加される消去磁場の補助と
なるように、アクチュエータを配置する。
点がアクチュエータに原因すること、すなわち、アクチ
ュエータの漏洩磁場の大きさと、その方向によって記録
媒体の磁性薄膜の情報の記録，消去状態が左右されるこ
とを突き止め、上記アクチュエータの漏洩磁場の影響を
考慮し、その漏洩磁場を、磁場印加手段から消去時に印
加される消去磁場とともに、消去状態の磁化を形成する
ための磁場として用いることを特徴とする。本発明の１
つの特徴によれば、アクチュエータ内の永久磁石の及ぼ
す磁場が磁場印加手段から印加される消去磁場の補助と
なるように、アクチュエータを配置する。
本発明によれば、アクチュエータの漏洩磁場が、光ビー
ムが照射された部分の周囲の磁化から生じる反磁場の影
響を打ち消すように働き、アクチュエータの漏洩磁場
は、光ビームの照射領域に消去状態の磁化を形成するた
め磁場印加手段から印加される消去磁場を補助するよう
に用いられる。
ムが照射された部分の周囲の磁化から生じる反磁場の影
響を打ち消すように働き、アクチュエータの漏洩磁場
は、光ビームの照射領域に消去状態の磁化を形成するた
め磁場印加手段から印加される消去磁場を補助するよう
に用いられる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第３
図は本発明による光磁気記憶装置の一実施例を示す概要
構成図である。
図は本発明による光磁気記憶装置の一実施例を示す概要
構成図である。
レーザ１１から出射した光は、集光レンズ１２によって
平行光となる。ハーフミラー１３を通過しガルバノミラ
ー１４により反射された光は絞り込みレンズ１５によっ
て記録媒体１７にスポットとして照射される。記録媒体
１７は透明基板１７ａ（例えばガラス基板）と、磁性薄
膜１７ｂ（例えばＧｄ，Ｔｂなどの希土類とＦｅ，Ｃｏ
など遷移金属との非晶質合金薄膜で1000Å程の厚さ）と
からなり、レーザ光は透明基板１７ａを介して磁性薄膜
１７ｂ上に微小スポットとして集光される。レンズ１５
は、記録媒体１７の動きに集光スポットが追従するよう
にアクチュエータ１６に組み込まれている。
平行光となる。ハーフミラー１３を通過しガルバノミラ
ー１４により反射された光は絞り込みレンズ１５によっ
て記録媒体１７にスポットとして照射される。記録媒体
１７は透明基板１７ａ（例えばガラス基板）と、磁性薄
膜１７ｂ（例えばＧｄ，Ｔｂなどの希土類とＦｅ，Ｃｏ
など遷移金属との非晶質合金薄膜で1000Å程の厚さ）と
からなり、レーザ光は透明基板１７ａを介して磁性薄膜
１７ｂ上に微小スポットとして集光される。レンズ１５
は、記録媒体１７の動きに集光スポットが追従するよう
にアクチュエータ１６に組み込まれている。
このアクチュエータの構造の一例を第４図に示す。第４
図において永久磁石１０１に第１，第２の固定ヨーク１
０２，１０２′が連結し矢印Ａで示すような閉磁路を形
成する磁気回路を構成している。これら第１，第２の固
定ヨーク１０２と１０２′との空隙にレンズ１５を保持
する可動ホルダ１０４のうで１０４′がそう入されてい
る。可動ホルダのうで１０４′にはコイル１０３が巻い
てあり、コイル１０３に電流を流すことにより可動ホル
ダは矢印Ｂの方向に移動する。また、可動ホルダ１０４
は板バネ１０５で固定ヨーク１０２，１０２′にささえ
られている。上記構成において、コイル１０３に流す電
流を制御することによりレンズ１５の位置調整ができ、
上下にばたつく記録媒体上にレーザ光束を一定のスポッ
ト状に照射することができる。なお、永久磁石のとりつ
け方向は任意に決定できる。
図において永久磁石１０１に第１，第２の固定ヨーク１
０２，１０２′が連結し矢印Ａで示すような閉磁路を形
成する磁気回路を構成している。これら第１，第２の固
定ヨーク１０２と１０２′との空隙にレンズ１５を保持
する可動ホルダ１０４のうで１０４′がそう入されてい
る。可動ホルダのうで１０４′にはコイル１０３が巻い
てあり、コイル１０３に電流を流すことにより可動ホル
ダは矢印Ｂの方向に移動する。また、可動ホルダ１０４
は板バネ１０５で固定ヨーク１０２，１０２′にささえ
られている。上記構成において、コイル１０３に流す電
流を制御することによりレンズ１５の位置調整ができ、
上下にばたつく記録媒体上にレーザ光束を一定のスポッ
ト状に照射することができる。なお、永久磁石のとりつ
け方向は任意に決定できる。
このようなアクチュエータでは第４図のようにレンズ１
５の光軸方向と同方向に永久磁石１０１を配置している
ので、永久磁石１０１の漏洩磁場Ｈａが光軸に平行に発
生する。
５の光軸方向と同方向に永久磁石１０１を配置している
ので、永久磁石１０１の漏洩磁場Ｈａが光軸に平行に発
生する。
アクチュエータと記録媒体の距離は約２mm程であり、記
録媒体と鎖交する漏洩磁場Ｈａの値は記録媒体上で約10
0 Oeにもなる。従つて、アクチュエータの漏洩磁場は情
報の記録と消去時に印加する外部磁場に影響を及ぼす。
録媒体と鎖交する漏洩磁場Ｈａの値は記録媒体上で約10
0 Oeにもなる。従つて、アクチュエータの漏洩磁場は情
報の記録と消去時に印加する外部磁場に影響を及ぼす。
そこで、本発明では上記スポットによって磁性薄膜１７
ｂの微小部分がキュリー点温度に加熱され、電磁コイル
１８により磁化反転される際にこの漏洩磁場が消去時に
は、消去磁界と同一方向で加わるようにし、漏洩磁場を
消去磁場の補助磁場として用いることにより上述の如き
従来の欠点を解消する。アクチュエータの漏洩磁場Ｈａ
と電磁コイル１８による記録，消去磁界Ｈｂ，Ｈｂ１と
の関係は後述することにし、次に再生について説明す
る。
ｂの微小部分がキュリー点温度に加熱され、電磁コイル
１８により磁化反転される際にこの漏洩磁場が消去時に
は、消去磁界と同一方向で加わるようにし、漏洩磁場を
消去磁場の補助磁場として用いることにより上述の如き
従来の欠点を解消する。アクチュエータの漏洩磁場Ｈａ
と電磁コイル１８による記録，消去磁界Ｈｂ，Ｈｂ１と
の関係は後述することにし、次に再生について説明す
る。
再生においても記録時と同様な光学系を用いレーザ１１
（再生時には記録消去時よりPowerが小さい）のレーザ
光束を磁性薄膜１７ｂに集光する。この磁性薄膜１７ｂ
で反射された光は、レーザ１１で出射された光の偏光面
に対して微小な偏光面の回転をともなう。この回転方向
（右回りまたは左回り）は磁性薄膜１７ｂの磁化の向き
によって決定される。この反射光は絞り込みレンズ１５
を再度通過し、ガルバノミラー１４及びハーフミラー１
３で反射されハーフミラー１９に入射する。ここで透過
した光は、凸レンズ２０と円柱レンズ２１を通過して４
分割受光器２２に入射する。この受光器２２からの出力
信号により焦点ズレ信号及びトラッキングが得られる
（焦点ズレ信号及びトラッキング信号のとり出し方法は
例えば、特公昭54-41883号公報に詳しいので参照のこ
と）。これらの制御信号はアクチュエータ１６及びガル
バノミラー１４の駆動装置（図は省略してある）にフィ
ードバックされる。
（再生時には記録消去時よりPowerが小さい）のレーザ
光束を磁性薄膜１７ｂに集光する。この磁性薄膜１７ｂ
で反射された光は、レーザ１１で出射された光の偏光面
に対して微小な偏光面の回転をともなう。この回転方向
（右回りまたは左回り）は磁性薄膜１７ｂの磁化の向き
によって決定される。この反射光は絞り込みレンズ１５
を再度通過し、ガルバノミラー１４及びハーフミラー１
３で反射されハーフミラー１９に入射する。ここで透過
した光は、凸レンズ２０と円柱レンズ２１を通過して４
分割受光器２２に入射する。この受光器２２からの出力
信号により焦点ズレ信号及びトラッキングが得られる
（焦点ズレ信号及びトラッキング信号のとり出し方法は
例えば、特公昭54-41883号公報に詳しいので参照のこ
と）。これらの制御信号はアクチュエータ１６及びガル
バノミラー１４の駆動装置（図は省略してある）にフィ
ードバックされる。
ここで、アクチュエータ１６の漏洩磁場Ｈａと記録，消
去磁界Ｈｂ，Ｈｂ１との関係について説明する。
去磁界Ｈｂ，Ｈｂ１との関係について説明する。
第５図は、本発明による光磁気記憶装置の記録動作を説
明するための図である。
明するための図である。
第５図の(a)は、磁性薄膜１７ｂの磁化Ｍｓとアクチュ
エータの漏洩磁場Ｈａを示す。ここで、ＨａとＭｓの向
きが同じであるように設定しておく。(b)はレーザ光を
上記膜面にスポットとして照射し、微小部分をキュリー
点温度以上に加熱する。(c)は、(b)の状態に記録磁界Ｈ
ｂを印加した状態である。実際の記録に用いられる有効
磁界Ｈｆは、Ｈｆ＝Ｈｂ＋Ｈｄ−Ｈａである。従って、
記録時は、Ｈａの存在によってＨｆは小さくなってしま
う。しかし、記録時はＨｄが加わるのでＨｂとしては消
去時より小さい値で済む。(d)は微小部分が冷えた状態
（室温）で安定した反転磁化状態（記録ドメイン）を示
す。
エータの漏洩磁場Ｈａを示す。ここで、ＨａとＭｓの向
きが同じであるように設定しておく。(b)はレーザ光を
上記膜面にスポットとして照射し、微小部分をキュリー
点温度以上に加熱する。(c)は、(b)の状態に記録磁界Ｈ
ｂを印加した状態である。実際の記録に用いられる有効
磁界Ｈｆは、Ｈｆ＝Ｈｂ＋Ｈｄ−Ｈａである。従って、
記録時は、Ｈａの存在によってＨｆは小さくなってしま
う。しかし、記録時はＨｄが加わるのでＨｂとしては消
去時より小さい値で済む。(d)は微小部分が冷えた状態
（室温）で安定した反転磁化状態（記録ドメイン）を示
す。
第６図は、本発明による消去動作を説明する図である。
第６図の(a)は、第５図(d)で説明した状態である。未記
録時のＭｓの向きはＨａの向さと同じであるように初期
設定されている。(b)は記録された微小部分にレーザ光
をスポットとして照射し、キュリー点温度以上に加熱し
た状態を示す。(c)は、消去磁界Ｈｂ１を印加した状態
である。実際の有効消去磁界Ｈｆ１は、Ｈｆ１＝Ｈｂ１
−Ｈｄ＋Ｈａである。(d)は微小部分が冷えた状態（室
温）で安定した磁化Ｍｓ状態を示す。
録時のＭｓの向きはＨａの向さと同じであるように初期
設定されている。(b)は記録された微小部分にレーザ光
をスポットとして照射し、キュリー点温度以上に加熱し
た状態を示す。(c)は、消去磁界Ｈｂ１を印加した状態
である。実際の有効消去磁界Ｈｆ１は、Ｈｆ１＝Ｈｂ１
−Ｈｄ＋Ｈａである。(d)は微小部分が冷えた状態（室
温）で安定した磁化Ｍｓ状態を示す。
このように漏洩磁場Ｈａをうまく利用することにより大
きな消去磁界Ｈｆを得ることができる。上述したように
情報の消去の場合は記憶の場合より数倍の磁場が必要が
あるから電磁コイルにより発生させる磁場の大きさは、
消去時を基準に考えなくてはならない。本発明では、消
去時には漏洩磁場が加わるため、電磁コイルで発生させ
る磁場は小さくて済み、その結果電磁コイルの小型軽量
化が図れる。
きな消去磁界Ｈｆを得ることができる。上述したように
情報の消去の場合は記憶の場合より数倍の磁場が必要が
あるから電磁コイルにより発生させる磁場の大きさは、
消去時を基準に考えなくてはならない。本発明では、消
去時には漏洩磁場が加わるため、電磁コイルで発生させ
る磁場は小さくて済み、その結果電磁コイルの小型軽量
化が図れる。
次に、上述したアクチュエータの漏洩磁場Ｈａと記録媒
体の磁性薄膜の磁化Ｍｓとの向きを一致させるための初
期設定について第７図により説明する。
体の磁性薄膜の磁化Ｍｓとの向きを一致させるための初
期設定について第７図により説明する。
第７図は、１０ｋＯｅ程度の磁場を発生できる電磁石を
示す。電磁石は、コイル２０１，２０１′と鉄心２０
２，２０２′からなり、コイル２０１，２０１′に流す
電流の向きを制御することにより、磁界の向きを任意に
決定できる。
示す。電磁石は、コイル２０１，２０１′と鉄心２０
２，２０２′からなり、コイル２０１，２０１′に流す
電流の向きを制御することにより、磁界の向きを任意に
決定できる。
磁界の方向は、第７図に示すように一定の向きに設定
し、その磁場の中へ基板１７ａと磁性薄膜１７ｂとを一
体にした記録媒体をそう入し基板面に対し磁性薄膜１７
ｂの磁化Ｍｓの方向が垂直になるよう初期磁化の設定を
行なう。
し、その磁場の中へ基板１７ａと磁性薄膜１７ｂとを一
体にした記録媒体をそう入し基板面に対し磁性薄膜１７
ｂの磁化Ｍｓの方向が垂直になるよう初期磁化の設定を
行なう。
このように磁性薄膜１７ｂの磁化Ｍｓの方向をあらかじ
め設定した記録媒体を、この磁化方向とアクチュエータ
の漏洩磁場Ｈａの方向とか一致するように配設すること
により、情報の記録，消去において、この漏洩磁場Ｈａ
を上述の如く有効に利用することができる。
め設定した記録媒体を、この磁化方向とアクチュエータ
の漏洩磁場Ｈａの方向とか一致するように配設すること
により、情報の記録，消去において、この漏洩磁場Ｈａ
を上述の如く有効に利用することができる。
尚、実施例ではトラッキングをガルバノミラーで行って
いるが、他の方法を用いてもよいことは言うまでもな
い。
いるが、他の方法を用いてもよいことは言うまでもな
い。
本発明によれば、光磁気記憶装置において、情報の正確
な記憶及び消去が可能で、しかも記憶ドメインを小さく
出来るため記憶の高密度化が図れる。
な記憶及び消去が可能で、しかも記憶ドメインを小さく
出来るため記憶の高密度化が図れる。
第１図と第２図は従来の記録および消去原理を示す図、
第３図は本発明の一実施例を示す構成図、第４図はアク
チュエータの一例を示す断面図、第５図と第６図は本発
明による記録および消去動作を説明するための図、第７
図は記録媒体の磁化の初期設定を説明する図である。 Ｍｓ…磁性薄膜の磁化、Ｈｄ…Ｍｓによる反磁界、Ｈａ
…アクチュエータによる漏洩磁界、Ｈｂ…記録磁界、Ｈ
ｂ１…消去磁界、Ｈｆ，Ｈｆ１…磁性薄膜面上での実際
の磁界、１５…絞り込みレンズ、１６…アクチュエー
タ、１７…記録媒体、１７ａ…透明基板、１７ｂ…磁性
薄膜、１８…電磁コイル、１０１…永久磁石、１０２，
１０２′…固定コーク、１０３…コイル、１０４…可動
ホルダ、１０５…板バネ。
第３図は本発明の一実施例を示す構成図、第４図はアク
チュエータの一例を示す断面図、第５図と第６図は本発
明による記録および消去動作を説明するための図、第７
図は記録媒体の磁化の初期設定を説明する図である。 Ｍｓ…磁性薄膜の磁化、Ｈｄ…Ｍｓによる反磁界、Ｈａ
…アクチュエータによる漏洩磁界、Ｈｂ…記録磁界、Ｈ
ｂ１…消去磁界、Ｈｆ，Ｈｆ１…磁性薄膜面上での実際
の磁界、１５…絞り込みレンズ、１６…アクチュエー
タ、１７…記録媒体、１７ａ…透明基板、１７ｂ…磁性
薄膜、１８…電磁コイル、１０１…永久磁石、１０２，
１０２′…固定コーク、１０３…コイル、１０４…可動
ホルダ、１０５…板バネ。
Claims (7)
- 【請求項１】レーザ光源と、 所定方向に磁化することにより情報が記憶される磁性薄
膜からなる記録面を有する記録媒体と、 前記レーザ光源から出射される光ビームを集光して前記
記録面に照射する光学系と、 前記光学系から照射される光ビームの焦点が前記記録媒
体の動きに追従するように前記光学系の位置を制御する
アクチュエータと、 前記記録媒体に対して前記アクチュエータと反対側に設
けられ、前記記録媒体に磁場を印加する磁場印加手段
と、 を備え、 前記磁性薄膜の消去状態の磁化の方向は、前記記録面か
ら前記光ビームが入射する面に向かう方向であり、 前記アクチュエータからの漏洩磁場を、前記磁場印加手
段から消去のために印加される消去磁場とともに、前記
磁性薄膜の上記光ビームが照射された部分に前記消去状
態の磁化を形成するための磁場として用いることを特徴
とする光磁気記憶装置。 - 【請求項２】前記磁性薄膜の記録状態の磁化の方向は、
前記光ビームが入射する面から前記記録面に向かう方向
で、前記消去状態の磁化の方向と逆向きであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記憶装
置。 - 【請求項３】レーザ光源と、 媒体面に垂直な方向に磁化することにより情報が記憶さ
れる磁性薄膜からなる記録面を有する記録媒体と、 前記レーザ光源から出射される光ビームを集光して前記
記録面に照射する光学系と、 前記光学系から照射される光ビームの焦点が前記記録媒
体の動きに追従するように前記光学系の位置を制御する
アクチュエータであって、少なくとも１つの永久磁石を
有し、前記永久磁石内の磁界の向きが前記光学系の光軸
と並行であるアクチュエータと、 前記記録媒体に対して前記アクチュエータと反対側に設
けられ、前記記録媒体に磁場を印加する磁場印加手段
と、 を備え、 前記アクチュエータ内の前記永久磁石からの漏洩磁場
が、前記磁場印加手段から消去のために印加される消去
磁場とともに、前記磁性薄膜の前記光ビームが照射され
た部分に消去状態の磁化を形成するための磁場として用
いられるように、前記アクチュエータを配置したことを
特徴とする光磁気記憶装置。 - 【請求項４】前記磁場印加手段から記録のために印加さ
れる記録磁場は、前記消去磁場と反対の方向であること
を特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の光磁気記憶
装置。 - 【請求項５】レーザ光線と、 所定方向に磁化することにより情報が記憶される磁性薄
膜からなる記録面を有する記録媒体と、 前記レーザ光源から出射される光ビームを集光して前記
記録面に照射する光学系と、 前記光学系から照射される光ビームの焦点が前記記録媒
体の動きに追従するように前記光学系の位置を制御する
アクチュエータと、 前記記録媒体に対して前記アクチュエータと反対側に設
けられ、前記記録媒体に磁場を印加する磁場印加手段
と、 を備え、 前記磁性薄膜の消去状態の磁化の方向は、前記記録面か
ら前記光ビームが入射する面に向かう方向に設定され、 前記アクチュエータからの漏洩磁場が前記磁性薄膜の前
記光ビームが照射された部分の周囲の磁化から生じる反
磁場の影響を打ち消すように上記アクチュエータを配置
し、前記漏洩磁場が前記光ビームの照射部分に前記消去
状態の磁化を形成するために前記磁場印加手段から印加
する消去磁場を補助するように用いられることを特徴と
する光磁気記憶装置。 - 【請求項６】前記光ビームの照射部分に前記消去状態の
磁化を形成するために用いられる有効磁場が、前記消去
磁場と前記漏洩磁場の和と前記反磁場との差であること
を特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の光磁気記憶
装置。 - 【請求項７】前記光ビームの照射部分に記録状態の磁化
を形成するために用いられる有効磁場が、前記磁場印加
手段から記録のために印加する記録磁場と前記反磁場の
和と前記漏洩磁場との差であることを特徴とする特許請
求の範囲第５項又は第６項に記載の光磁気記憶装置。
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-
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