JPH0656399B2 - 液晶デイスプレイ用ガラス基板特性測定装置 - Google Patents
液晶デイスプレイ用ガラス基板特性測定装置Info
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- JPH0656399B2 JPH0656399B2 JP60268626A JP26862685A JPH0656399B2 JP H0656399 B2 JPH0656399 B2 JP H0656399B2 JP 60268626 A JP60268626 A JP 60268626A JP 26862685 A JP26862685 A JP 26862685A JP H0656399 B2 JPH0656399 B2 JP H0656399B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ディスプレイ装置や液晶テレビ等液晶ディス
プレイのガラス基板製造過程において、ガラス基板上に
設けた各画素電極のスイッチング素子の電気特性を測定
するための測定装置に関するものである。
プレイのガラス基板製造過程において、ガラス基板上に
設けた各画素電極のスイッチング素子の電気特性を測定
するための測定装置に関するものである。
従来の測定器はプローブニードルを通して画素部の電気
特性を測定しその値を記憶し測定終了後必要に応じて出
力することが出来る。プローブニードルは方向合せして
固定してありガラス基板はその下方でプローバーのＸＹ
θテーブルに真空で吸着してある。ガラス基板をプロー
ブニードルに対し位置合せし上昇させると測定部にプロ
ーブニードルが所定の接触圧力で接触し測定器による測
定が可能になる。測定後ガラス基板が下降して次の測定
画素まで移動し順次測定を繰返す。
特性を測定しその値を記憶し測定終了後必要に応じて出
力することが出来る。プローブニードルは方向合せして
固定してありガラス基板はその下方でプローバーのＸＹ
θテーブルに真空で吸着してある。ガラス基板をプロー
ブニードルに対し位置合せし上昇させると測定部にプロ
ーブニードルが所定の接触圧力で接触し測定器による測
定が可能になる。測定後ガラス基板が下降して次の測定
画素まで移動し順次測定を繰返す。
従来の液晶ディスプレイ用ガラス基板の特性測定に使用
するプローバーと測定器について説明する。
するプローバーと測定器について説明する。
第３図は従来の測定器でプローバーの外観斜視図を示
す。プローバーにはあらかじめ下記の調整を施してあ
る。
す。プローバーにはあらかじめ下記の調整を施してあ
る。
１．プローブニードル２、３の先端間隔をガラス基板１
の画素間隔に合せる。
の画素間隔に合せる。
２．プローブニードル２、３の高さを揃え、ガラス基板
１を上昇したときに0.05mm撓み画素に対して接触圧を発
生するように固定する。
１を上昇したときに0.05mm撓み画素に対して接触圧を発
生するように固定する。
３．ガラス基板１の画素がテーブルのＸ、Ｙ運動方向に
対して平行になるように角度合せする。
対して平行になるように角度合せする。
プローバーのテーブル４はＸ軸モーター５を駆動すると
Ｘ軸方向に動き、Ｙ軸モーター６を駆動するとＹ軸方向
に動く。又上下方向に0.2mm動くように構成してある。
テーブル４を下降状態にしておき顕微鏡７を見ながらＸ
軸モーター５、Ｙ軸モーター６を回転させて最初に測定
する画素８、９がプローブニールド２、３の下に来るよ
うに位置出しする。
Ｘ軸方向に動き、Ｙ軸モーター６を駆動するとＹ軸方向
に動く。又上下方向に0.2mm動くように構成してある。
テーブル４を下降状態にしておき顕微鏡７を見ながらＸ
軸モーター５、Ｙ軸モーター６を回転させて最初に測定
する画素８、９がプローブニールド２、３の下に来るよ
うに位置出しする。
第４図は測定部のプローブニードル及び画素の拡大を示
す図で、プローブニードル２、３には測定器１０の測定
端子を結線してある。プローバーの電子制御装置１１に
は第５図に示すようなガラス基板１の測定順序、Ｘ方向
に１回に移動する距離Ｂ、Ｘ方向に移動を繰返す回数
ｍ、Ｙ方向に１回に移動する距離Ｃ、Ｙ方向に移動を繰
返す回数ｎをあらかじめ記憶させてある。プローバー１
２を起動すると最初の測定位置でテーブル４とガラス基
板１が上昇し、プローブニードル２、３と画素パターン
８、９が接触する。この状態でプローバー１２が停止し
測定器１０に対し測定可能信号１３を発信する。
す図で、プローブニードル２、３には測定器１０の測定
端子を結線してある。プローバーの電子制御装置１１に
は第５図に示すようなガラス基板１の測定順序、Ｘ方向
に１回に移動する距離Ｂ、Ｘ方向に移動を繰返す回数
ｍ、Ｙ方向に１回に移動する距離Ｃ、Ｙ方向に移動を繰
返す回数ｎをあらかじめ記憶させてある。プローバー１
２を起動すると最初の測定位置でテーブル４とガラス基
板１が上昇し、プローブニードル２、３と画素パターン
８、９が接触する。この状態でプローバー１２が停止し
測定器１０に対し測定可能信号１３を発信する。
次に測定器１０がプローブニードル２、３に測定電圧パ
ターンを発生してそれぞれの電圧に於ける電流値を計測
し記憶する。測定が終了すると測定器１０から電子制御
装置１１に移動可能信号１４を発信する。プローバー１
２のテーブル４が下降して次の測定点に移動し、上昇し
て停止し第２の測定可能信号１３を発信する。このよう
にして電子制御装置１１にあらかじめ記憶した回数だけ
測定を繰返し測定が終了すると機械が停止する。
ターンを発生してそれぞれの電圧に於ける電流値を計測
し記憶する。測定が終了すると測定器１０から電子制御
装置１１に移動可能信号１４を発信する。プローバー１
２のテーブル４が下降して次の測定点に移動し、上昇し
て停止し第２の測定可能信号１３を発信する。このよう
にして電子制御装置１１にあらかじめ記憶した回数だけ
測定を繰返し測定が終了すると機械が停止する。
測定器１０には第６図に示すような各画素の測定結果が
記憶してあり必要に応じてプリンター１５から出力する
ことができる。又このデータに基付く各種の不良解折結
果も出力できるようになっている。測定器１０は第７図
に示すように１本のプローブニードル２とライン１６を
用いて測定することもできる。
記憶してあり必要に応じてプリンター１５から出力する
ことができる。又このデータに基付く各種の不良解折結
果も出力できるようになっている。測定器１０は第７図
に示すように１本のプローブニードル２とライン１６を
用いて測定することもできる。
しかしながら従来の方法ではガラス基板１と測定器１０
の導通を得るためにプローブニードル２、３を使用する
ので １．プローブニードル等の静電容量のために電流値が安
定して測定が可能になるまで待つ必要がある。
の導通を得るためにプローブニードル２、３を使用する
ので １．プローブニードル等の静電容量のために電流値が安
定して測定が可能になるまで待つ必要がある。
２．プローブニードル先端が画素部に接触するさいに画
素部に傷をつける。
素部に傷をつける。
３．画素部の寸法が小さくなると測定部にプローブニー
ドルを接触させることが困難である。
ドルを接触させることが困難である。
又測定位置から測定位置への走査は機械的なテーブルの
移動によるので、 ４．測定部の走査に長時間を要する。
移動によるので、 ４．測定部の走査に長時間を要する。
などの問題があった。本発明の目的は以上の問題を解決
するためにプローブニードルに代り電子線を用いた液晶
ディスプレイ用ガラス基板特性測定装置を提供するもの
である。
するためにプローブニードルに代り電子線を用いた液晶
ディスプレイ用ガラス基板特性測定装置を提供するもの
である。
アクティブマトリックス液晶ディスプレイ用の液晶セル
ガラス基板に装着した各画素部の半導体特性を測定する
ために電子線を照射しかつ走査する装置と、この電子線
照射装置からの電子線を半導体を有する液晶マトリック
ス基板に走査して該基板に流れる電流を測定する装置と
からなり、前記ガラス基板上の各画素に形成した半導体
の抵抗特性を測定することを特徴とする。
ガラス基板に装着した各画素部の半導体特性を測定する
ために電子線を照射しかつ走査する装置と、この電子線
照射装置からの電子線を半導体を有する液晶マトリック
ス基板に走査して該基板に流れる電流を測定する装置と
からなり、前記ガラス基板上の各画素に形成した半導体
の抵抗特性を測定することを特徴とする。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する 第１図は本発明の液晶ディスプレイ用ガラス基板測定装
置の概略を示す一部切欠き斜視図で、第２図は本発明の
測定部の拡大図で、第２図（ａ）はスイッチング素子と
して非線形抵抗素子（ＮＣＲ）を用いた場合を示し、第
２図（ｂ）はスイッチング素子として薄膜トランジスタ
ー（ＴＦＴ）を用いた場合を示す。第１図において、液
晶セルガラス基板１の上方に電子線２１を照射しかつ走
査する電子線発生装置１７を装着した真空槽１８の内部
に電子制御装置２０の制御によりＸ、Ｙ及び回転方向に
可動なテーブル２２を設ける。測定器１９からの測定端
子をガラス基板１の透明電極のライン１６に配線する。
置の概略を示す一部切欠き斜視図で、第２図は本発明の
測定部の拡大図で、第２図（ａ）はスイッチング素子と
して非線形抵抗素子（ＮＣＲ）を用いた場合を示し、第
２図（ｂ）はスイッチング素子として薄膜トランジスタ
ー（ＴＦＴ）を用いた場合を示す。第１図において、液
晶セルガラス基板１の上方に電子線２１を照射しかつ走
査する電子線発生装置１７を装着した真空槽１８の内部
に電子制御装置２０の制御によりＸ、Ｙ及び回転方向に
可動なテーブル２２を設ける。測定器１９からの測定端
子をガラス基板１の透明電極のライン１６に配線する。
電子制御装置２０からの制御により電子線２１がＸ、Ｙ
方向にガラス基板を走査する。ガラス基板はテーブル２
２の上面に取付けてある。測定器１９からライン１６に
電圧を印加し電子線２１でライン１６を走査し発生する
電流を測定する方法で電子線２１の走査線２４に対する
基板１の傾きを測定することができるので電子線２１の
走査方向２４とガラス基板１のパターンの方向を合せる
ことができる。同様に最初の透明電極の画素パターン２
３に電子線２１を合せることができる。
方向にガラス基板を走査する。ガラス基板はテーブル２
２の上面に取付けてある。測定器１９からライン１６に
電圧を印加し電子線２１でライン１６を走査し発生する
電流を測定する方法で電子線２１の走査線２４に対する
基板１の傾きを測定することができるので電子線２１の
走査方向２４とガラス基板１のパターンの方向を合せる
ことができる。同様に最初の透明電極の画素パターン２
３に電子線２１を合せることができる。
電子制御装置２０には第８図に示すような測定順序、Ｘ
方向に１度に移動する距離Ｂ、Ｘ方向に移動を繰返す回
数ｍ、Ｙ方向に１度に移動する距離Ｃ、Ｙ方向に移動を
繰返す回数ｎをあらかじめ記憶させてある。装置を起動
すると電子線２１が画素パターン２３に当たり電子制御
装置２０から測定可能信号２７を測定器１９に向けて発
信する。
方向に１度に移動する距離Ｂ、Ｘ方向に移動を繰返す回
数ｍ、Ｙ方向に１度に移動する距離Ｃ、Ｙ方向に移動を
繰返す回数ｎをあらかじめ記憶させてある。装置を起動
すると電子線２１が画素パターン２３に当たり電子制御
装置２０から測定可能信号２７を測定器１９に向けて発
信する。
測定器１９はライン１６に測定電圧を加えるとスイッチ
ング素子を通って電子線へ向けて電流が発生しその値を
測定して記憶する。測定が終了すると移動可能信号２８
を発生する。電子制御装置２０が電子線発生装置１７を
操作して電子線２１を第２の測定位置２６に移動させ
る。電子制御装置２０は第２の測定可能信号２７を発信
する。
ング素子を通って電子線へ向けて電流が発生しその値を
測定して記憶する。測定が終了すると移動可能信号２８
を発生する。電子制御装置２０が電子線発生装置１７を
操作して電子線２１を第２の測定位置２６に移動させ
る。電子制御装置２０は第２の測定可能信号２７を発信
する。
このようにしてあらかじめ電子制御装置２０に記憶した
回数の測定を繰返して測定が終了し機械が停止する。
回数の測定を繰返して測定が終了し機械が停止する。
測定器１９には第６図に示すような各画素の測走結果が
記憶してあり必要に応じてプリンター２９から出力する
ことができる。又このデータに基づく各種の不良解析結
果も出力できるようになっている。
記憶してあり必要に応じてプリンター２９から出力する
ことができる。又このデータに基づく各種の不良解析結
果も出力できるようになっている。
電子制御装置２０による電子線発生装置１７及びテーブ
ル２２による走査法と測定可能信号２７の発生法につい
ては上記以外にも下記の２つの方法をとってもよい。以
上の走査の方法を第１の方法とすれば第２の方法として
は電子制御装置２０は少くとも第８図に示す測定経路を
記憶して定速で走査する方法がある。この方法によれば
電子線は一定速度で走査を続けている。ライン１６に電
圧を加えておき電子線が画素パターン２３に触れると電
流が流れ外れると電流が流れないことを信号として電流
が流れてから一定距離走査後測定信号を発信する。電流
が流れなくなる前に測定器１９の測定が終るように走査
速度を決めれば各画素について各々測定が可能である。
ル２２による走査法と測定可能信号２７の発生法につい
ては上記以外にも下記の２つの方法をとってもよい。以
上の走査の方法を第１の方法とすれば第２の方法として
は電子制御装置２０は少くとも第８図に示す測定経路を
記憶して定速で走査する方法がある。この方法によれば
電子線は一定速度で走査を続けている。ライン１６に電
圧を加えておき電子線が画素パターン２３に触れると電
流が流れ外れると電流が流れないことを信号として電流
が流れてから一定距離走査後測定信号を発信する。電流
が流れなくなる前に測定器１９の測定が終るように走査
速度を決めれば各画素について各々測定が可能である。
第９図に示すように電子線の走査にしたがい電流値９３
が変化する。この微分信号９２を作り微分信号から一定
時間遅れて測定信号９１を出し電流値９３のＡＤ変換を
行ない記憶する。この値を閾値と比較して不良画素を識
別する。さらにＸ方向に走査していき最後の画素を走査
すると次の画素が無いことから電子線が最後の画素を外
れてから一定の距離（次の画素がある場合は画素にかか
っているだけの距離）を走査してから電流を測定するこ
とにより折返し点を知ることもできる。
が変化する。この微分信号９２を作り微分信号から一定
時間遅れて測定信号９１を出し電流値９３のＡＤ変換を
行ない記憶する。この値を閾値と比較して不良画素を識
別する。さらにＸ方向に走査していき最後の画素を走査
すると次の画素が無いことから電子線が最後の画素を外
れてから一定の距離（次の画素がある場合は画素にかか
っているだけの距離）を走査してから電流を測定するこ
とにより折返し点を知ることもできる。
第３の方法としては、ガラス基板の全面を数箇所の小区
間に区分して、小区画の中を電子線２１で上記の第１の
方法又は第２の方法で走査して小区画の測定終了後テー
ブル２２小区画単位だけ移動して順次測定を行う走査の
方法である。
間に区分して、小区画の中を電子線２１で上記の第１の
方法又は第２の方法で走査して小区画の測定終了後テー
ブル２２小区画単位だけ移動して順次測定を行う走査の
方法である。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば １．プローブニードル等の静電容量による電流値の変動
が無いので短時間に測定が可能である。
が無いので短時間に測定が可能である。
２．電子線でガラス基板上の画素部を走査する場合機械
的な接触が無いのでガラス基板表面に構成した画素電極
に傷を付けない。
的な接触が無いのでガラス基板表面に構成した画素電極
に傷を付けない。
３．画素寸法が微少な場合でも電子線を絞ることで充分
走査が可能である。
走査が可能である。
４．電子線によれば高速な走査ができるので測定能率を
上げることができる。
上げることができる。
等の効果がある。
第１図は本発明の液晶ディスプレイ用ガラス基板特性測
定装置の概略を示す一部切欠き斜視図、第２図は本発明
の測定部の拡大図で、第２図（ａ）はスイッチング素子
として非線形抵抗素子（ＮＣＲ）を用いた場合を示し、
第２図（ｂ）はスイッチング素子として薄膜トランジス
ター（ＴＥＴ）を用いた場合を示す、第３図は従来技術
によるプローバー外観斜視図、第４図はプローブニード
ル及び画素拡大図、第５図はプローバーによる測定順序
の一例を示す説明図、第６図はＡ−Ｖ特性図、第７図は
一本のプローブニードルによる測定を示す説明図、第８
図は本発明の電子線によるガラス基板の走査法の一例を
示す説明図、第９図は本発明の電子線の走査に対する電
流、微分信号及び測定信号を示す説明図である。 １７……電子線発生装置、 １８……真空槽、 １９……測定器、 ２０……電子制御装置、 ２２……テーブル。
定装置の概略を示す一部切欠き斜視図、第２図は本発明
の測定部の拡大図で、第２図（ａ）はスイッチング素子
として非線形抵抗素子（ＮＣＲ）を用いた場合を示し、
第２図（ｂ）はスイッチング素子として薄膜トランジス
ター（ＴＥＴ）を用いた場合を示す、第３図は従来技術
によるプローバー外観斜視図、第４図はプローブニード
ル及び画素拡大図、第５図はプローバーによる測定順序
の一例を示す説明図、第６図はＡ−Ｖ特性図、第７図は
一本のプローブニードルによる測定を示す説明図、第８
図は本発明の電子線によるガラス基板の走査法の一例を
示す説明図、第９図は本発明の電子線の走査に対する電
流、微分信号及び測定信号を示す説明図である。 １７……電子線発生装置、 １８……真空槽、 １９……測定器、 ２０……電子制御装置、 ２２……テーブル。
Claims (3)
- 【請求項１】アクティブマトリックス液晶ディスプレイ
用の液晶セルガラス基板に装着した各画素部のスイッチ
ング素子特性を測定するために電子線を照射しかつ走査
する装置と、この電子線照射装置からの電子線をスイッ
チング素子を有する液晶マトリックス基板に走査して該
基板に流れる電流を測定する装置とからなり、前記基板
上の各画素に形成したスイッチング素子の電気特性を測
定することを特徴とする液晶ディスプレイ用ガラス基板
特性測定装置。 - 【請求項２】スイッチング素子は非線形抵抗素子（ＮＬ
Ｒ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の液晶ディスプレイ用ガラス基板特性測定装置。 - 【請求項３】スイッチング素子は薄膜トランジスター
（ＴＦＴ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の液晶ディスプレイ用ガラス基板特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268626A JPH0656399B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液晶デイスプレイ用ガラス基板特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268626A JPH0656399B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液晶デイスプレイ用ガラス基板特性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127675A JPS62127675A (ja) | 1987-06-09 |
| JPH0656399B2 true JPH0656399B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=17461158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60268626A Expired - Lifetime JPH0656399B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 液晶デイスプレイ用ガラス基板特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656399B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268638A (en) * | 1991-07-15 | 1993-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD" |
| CN103995408B (zh) * | 2014-05-13 | 2017-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60268626A patent/JPH0656399B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62127675A (ja) | 1987-06-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |