JPH05240901A - 液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法 - Google Patents

液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法

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JPH05240901A
JPH05240901A JP20618392A JP20618392A JPH05240901A JP H05240901 A JPH05240901 A JP H05240901A JP 20618392 A JP20618392 A JP 20618392A JP 20618392 A JP20618392 A JP 20618392A JP H05240901 A JPH05240901 A JP H05240901A
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ブルンナー マチアス
Reinhold Schmitt
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 コンデンサを形成するための補足面電極が被
試験基板上に存在しない場合でも幾何学的完全さの試験
および電気的機能の試験を行うことができるようにす
る。 【構成】 液晶表示装置の基板ＳＵＢ１上に設けた面電
極ＰＥと接続されている制御導線Ｌ１、Ｌ２を予め定め
られた電位におき、面電極ＰＥに向けた粒子線Ｓ３によ
って生じた二次電子Ｓ５を用いて面電極ＰＥの電位を測
定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多数の画素を有し、光
透過性絶縁体から構成され、その表面上に多数の面電
極、スイッチング素子および制御導線を備え、電極がス
イッチング素子を介して制御導線と接続されている液晶
表示装置に用いられる基板の試験方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】短絡および断線に関する導線回路網の非
接触式試験方法はヨーロッパ特許第０１８９７７７号明
細書によって公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、例えばコン
デンサを形成するための補足面電極が被試験基板上に存
在しない場合でも、幾何学的完全さの試験および電気的
機能の試験を行うことができる冒頭で述べた種類の方法
を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明によれば、その都度制御導線が規定電位にも
たらされ、それによって生ぜしめられた所属の面電極の
電位が二次電子を用いて測定される。
【０００５】さらに、本発明によれば、その都度面電極
へ規定電流が粒子線によって供給され、それによって生
ぜしめられたこの面電極の電位が二次電子を用いて測定
される。
【０００６】また、本発明によれば、その都度面電極へ
規定電流が供給され、これによって生ぜしめられた所属
の制御導線内の電流が測定される。
【０００７】
【発明の効果】本発明によって得られる利点は、特に、
欠陥基板を修理することができ、または加工を進める前
に排除することができ、従ってコストを節減することが
できる点にある。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
【０００９】図３に示されているように、液晶表示装置
（ＬＣＤ）は主として２つの基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２
と、それらの間に封じられた液晶ＬＣとから構成されて
いる。図示された例では基板ＳＵＢ１上には多数の面電
極ＰＥが設けられ、基板ＳＵＢ２上には補足面電極ＣＥ
が設けられている。面電極ＰＥは例えば対向配置された
基板の補足面電極ＣＥと共にコンデンサを形成し、その
区域には長鎖状液晶分子が配列され、それにより面電極
ＰＥの領域内の液晶は光透過性となる。今、基板ＳＵＢ
１を基板ＳＵＢ２から分離して試験したい場合、面電極
ＰＥと液晶と補足面電極ＣＥとによって形成される容量
が存在しなくなるので、規定の運転は困難になる。
【００１０】図１には多数の面電極と、ＭＯＳトランジ
スタの形態のスイッチング素子と、制御導線とを備えた
基板ＳＵＢ１が示されており、その場合に１つの行のＭ
ＯＳトランジスタのゲート端子は１本の制御導線と、１
つの列のＭＯＳトランジスタのソース端子は１本の制御
導線と、そして画素の各面電極はＭＯＳトランジスタの
ドレイン端子とマトリックス状に接続されている。例え
ば１つの画素の面電極ＰＥは１つのＭＯＳトランジスタ
Ｔのドレイン電極と接続され、そのゲート端子は１本の
制御導線Ｌ２と電気的に接続され、そしてそのソース電
極は１本の制御導線Ｌ１と電気的に接続されている。制
御導線Ｌ１は導線端子Ａ１を有し、制御導線Ｌ２は導線
端子Ａ２を有している。制御導線Ｌ１の電流はＩ１で示
され、制御導線Ｌ２の電流はＩ２で示されている。制御
導線Ｌ１には粒子線Ｓ１が向けられ、制御導線Ｌ２には
粒子線Ｓ４が向けられている。面電極ＰＥ自身には粒子
線Ｓ２が電流Ｉを面電極ＰＥへ供給するために向けられ
ている。粒子線Ｓ２とは別に粒子線Ｓ３が面電極ＰＥに
向けられ、二次電子Ｓ５を生ぜしめる。別々の粒子線Ｓ
２、Ｓ３は、電位または規定電流Ｉを調節するために使
われる粒子線Ｓ２は二次電子の発生のために使われる粒
子線Ｓ３とその特性が一致している必要はないことを示
す。例えば、粒子線Ｓ２によって面電極ＰＥには測定に
供される粒子線Ｓ３による電流よりも大きな電流Ｉが供
給されるようにするか、または、粒子線Ｓ２は電子ビー
ムから構成され、粒子線Ｓ３は光電子の形態の二次電子
Ｓ５を発生するレーザビームから構成されるようにする
ことが考えられる。
【００１１】図２は、スイッチング素子としてＭＯＳト
ランジスタＴを備え、そのソース端子が制御導線Ｌ１と
電気的に接続され、そのゲート端子が制御導線Ｌ２と電
気的に接続された画素の電気的等価回路図を示す。ＭＯ
ＳトランジスタＴのドレイン端子は面電極ＰＥと接続さ
れ、この面電極ＰＥは共通の面電極ＣＥと共に画素の容
量Ｃを形成する。その場合、補足面電極ＣＥは給電端子
Ｖに接続されている。両面電極ＰＥ、ＣＥを互いに分離
する切断線によって２つの基板への回路分配が示されて
いる。さらに、抵抗Ｒ１と、この抵抗に並列接続されて
ＭＯＳトランジスタＴのドレイン端子と制御導線Ｌ１と
の間に設けられた容量Ｃ１と、ＭＯＳトランジスタＴの
ドレイン端子と制御導線Ｌ２との間の容量Ｃ２と抵抗Ｒ
２とから成る並列回路との形態の主要な寄生スイッチン
グ素子が示されている。
【００１２】スイッチング素子としては上述したＭＯＳ
トランジスタの他にダイオードまたは所謂ＭＩＭ（金属
−絶縁体−金属）素子がしばしば使用され、その場合例
えばそれぞれ１本の制御導線と１つの画素の面電極との
間に１つのダイオードが設けられるか、または、面電極
と１本の制御導線との間に１つのＭＩＭ素子が接続され
る。両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２上へのスイッチング素子
と面電極との分配も同様に種々異なったやり方で実施す
ることができ、一例が説明されているに過ぎない。
【００１３】本発明の第１の方法では、各画素において
は設定時間インターバルの期間内に、ＭＯＳトランジス
タＴを介して面電極ＰＥに接続されている制御導線Ｌ
１、Ｌ２は規定電位にもたらされ、その場合このことは
例えば導線端子Ａ１、Ａ２または粒子線Ｓ１、Ｓ４を介
して行うことができる。図２に示されている寄生素子Ｒ
１、Ｃ１、Ｒ２およびＣ２とＭＯＳトランジスタＴとに
基づいて面電極ＰＥ上には対応する電位が生ずる。面電
極ＰＥの電位を測定するために、この第１の方法におい
ては粒子線Ｓ３が測定時間インターバルの期間内に面電
極ＰＥに向けられ、そしてその際に生成された二次電子
Ｓ５が決定される。この場合検出器内に入射する二次電
子の個数は面電極ＰＥの電位に依存する。というのは、
引力および反発力は面電極ＰＥの電位に依存するからで
ある。画素に欠陥がある場合には目標電位との間に偏差
が生じ、この偏差は例えば電子計算機によって簡単に評
価することができる。導線が粒子線を用いて荷電させら
れる場合、このことは周期的に繰り返されなければなら
ない。というのは、導線は徐々に再び放電するからであ
る。設定時間インターバルは、その際、制御導線の電位
が所定の測定公差内でのみその電位を変えるように選定
される。面電極ＰＥ上に大きな電位変化が現れないよう
にするために、測定時間インターバルは出来る限り短く
すべきである。
【００１４】液晶表示装置に用いられる基板の粒子線式
試験を行うための本発明の第２の方法では、規定電流Ｉ
が面電極ＰＥへ粒子線Ｓ２を用いて供給され、そして同
様に面電極ＰＥ上に向けられた粒子線Ｓ３を用いて二次
電子Ｓ５が生成され、それによって面電極ＰＥの電位が
測定される。多くの場合、粒子線Ｓ２は粒子線Ｓ３と同
一である。というのは、電流Ｉを供給するための粒子線
は二次電子の生成にも適しているからである。図２に示
された寄生素子Ｒ１、Ｃ１、Ｒ２およびＣ２とスイッチ
ング素子（ＭＯＳトランジスタＴ）とによって電流Ｉが
導出され、それにより面電極ＰＥ上に所定の電位が生じ
る。このようにして生じた電位はそれぞれ目標電位と比
較され、これによって１つの画素に対する試験結果が形
成される。
【００１５】液晶表示装置に用いられる基板の粒子線式
試験を行うための本発明の第３の方法では、同様に規定
電流Ｉが面電極ＰＥへ供給される。ここではしかしなが
ら面電極の電位が測定されるのではなく、寄生素子Ｒ
１、Ｃ１、Ｒ２およびＣ２とＭＯＳトランジスタＴとに
よって生ずる電流Ｉ１、Ｉ２が測定される。電流Ｉ１、
Ｉ２の測定は外部の測定端子と接続されている導線端子
Ａ１、Ａ２を介して行われる。この第３の方法では、例
えば測定時間インターバルは同様に設定時間インターバ
ルの期間内にあり、即ち、定常的な電流分配を確保する
ために、電流Ｉは同様に測定時間インターバルの期間内
に供給される。
【００１６】本発明による３つのすべての方法におい
て、測定は設定時間インターバルの直後に、または規定
の待機時間の後に行うことができる。測定が規定の待機
時間の後に行われる場合、特に画素の時間特性の誤差が
測定され得る。測定が設定時間インターバルの後に行わ
れる場合、スイッチング素子の可能な異なったスイッチ
ング状態を測定時間インターバルの期間中にスイッチン
グ素子と接続された制御導線を介して設定することがで
きる。制御導線はその際には端子Ａ１、Ａ２または粒子
線Ｓ１、Ｓ４を介して設定され得る。
【００１７】本発明による３つの方法はまた組み合わす
ことも可能である。例えば端子Ａ２を介して規定電位が
制御導線Ｌ２上に生ぜしめられ、粒子線Ｓ２に介して規
定電流Ｉが面電極ＰＥへ供給され、制御導線Ｌ１の電流
Ｉ１が端子Ａ１を介して測定され、そして面電極ＰＥの
電位が粒子線Ｓ２によって生成された二次電子Ｓ５を介
して検出される。
【００１８】粒子線としては特に電子ビームが適してい
る。しかしながら、粒子線として、光電子の形の二次電
子を発生するレーザの光ビームを使用することもでき
る。しばしば、非常に微細な導体路構造パターンを修理
するためにイオンビームが使用され、このイオンビーム
は同様に二次電子を生成する。それ故上述した課題のた
めにイオンビームを使用することによって、本発明によ
る試験方法は修理にも適用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法を実施する画素の一部分が設けら
れている被試験基板の概略図。
【図２】画素の電気的等価回路図。
【図３】２つの基板とその間に配置された液晶とから構
成された液晶表示装置の断面図。
【符号の説明】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２ 基板 ＰＥ 面電極 ＣＥ 補足面電極 ＬＣ 液晶 Ｔ ＭＯＳトランジスタ Ｌ１、Ｌ２ 制御導線 Ａ１、Ａ２ 導線端子 Ｓ１〜Ｓ４ 粒子線 Ｓ５ 二次電子 Ｒ１、Ｒ２ 抵抗 Ｃ１、Ｃ２ 容量

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数の画素を有し、光透過性絶縁体から
    構成され、その表面上に多数の面電極（ＰＥ）、スイッ
    チング素子（Ｔ）および制御導線（Ｌ１、Ｌ２）を備
    え、それぞれ電極が少なくとも１つのスイッチング素子
    を介して制御導線と接続されている液晶表示装置に用い
    られる基板（ＳＵＢ１）の粒子線式試験方法において、
    その都度設定時間インターバルの期間内に、スイッチン
    グ素子（Ｔ）を介して面電極（ＰＥ）と接続されている
    制御導線（Ｌ１、Ｌ２）が予め定められた電位にもたら
    され、測定時間インターバルの期間内に粒子線（Ｓ３）
    が面電極（ＰＥ）に向けられそして粒子線（Ｓ３）によ
    って生成された二次電子（Ｓ５）が決定されることによ
    ってその都度面電極（ＰＥ）の電位が測定され、その都
    度測定された電位がそれぞれの目標電位と比較され、こ
    れから画素の試験結果が形成されることを特徴とする液
    晶表示装置用基板の粒子線式試験方法。
  2. 【請求項２】 スイッチング素子（Ｔ）を介して面電極
    （ＰＥ）と接続されている制御導線（Ｌ１、Ｌ２）が、
    その導線端子（Ａ１、Ａ２）を介してそれぞれ予め定め
    られた電位にもたらされることを特徴とする請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 スイッチング素子（Ｔ）を介して面電極
    （ＰＥ）と接続されている制御導線（Ｌ１、Ｌ２）が、
    粒子線（Ｓ１、Ｓ４）によってそれぞれ予め定められた
    電位にもたらされることを特徴とする請求項１記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 多数の画素を有し、光透過性絶縁体から
    構成され、その表面上に多数の面電極（ＰＥ）、スイッ
    チング素子（Ｔ）および制御導線（Ｌ１、Ｌ２）を備
    え、それぞれ面電極（ＰＥ）が少なくとも１つのスイッ
    チング素子を介して制御導線と接続されている液晶表示
    装置に用いられる基板（ＳＵＢ１）の粒子線式試験方法
    において、その都度設定時間インターバルの期間内に粒
    子線（Ｓ２）を用いて面電極（ＰＥ）へ規定電流（Ｉ）
    が供給され、その都度測定時間インターバルの期間内に
    面電極（ＰＥ）の電位が粒子線（Ｓ３）によって生成さ
    れた二次電子（Ｓ５）を決定することによって測定さ
    れ、その都度測定された電位がそれぞれの目標電位と比
    較され、これから画素の試験結果が形成されることを特
    徴とする液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法。
  5. 【請求項５】 多数の画素を有し、光透過性絶縁体から
    構成され、その表面上に多数の面電極（ＰＥ）、スイッ
    チング素子（Ｔ）および制御導線（Ｌ１、Ｌ２）を備
    え、それぞれ面電極（ＰＥ）が少なくとも１つのスイッ
    チング素子を介して制御導線と接続されている液晶表示
    装置に用いられる基板（ＳＵＢ１）の粒子線式試験方法
    において、その都度設定時間インターバルの期間内に粒
    子線（Ｓ２）を用いて面電極（ＰＥ）へ規定電流（Ｉ）
    が供給され、その都度測定時間インターバルの期間内
    に、スイッチング素子（Ｔ）を介して面電極（ＰＥ）と
    接続されている制御導線（Ｌ１、Ｌ２）の電流（Ｉ１、
    Ｉ２）が測定され、その電流測定は制御導線（Ｌ１、Ｌ
    ２）の導線端子（Ａ１、Ａ２）を介して行われ、その都
    度測定された電流（Ｉ１、Ｉ２）はそれぞれの目標電流
    と比較され、これから画素の試験結果が形成されること
    を特徴とする液晶表示装置用基板の粒子線式試験方法。
  6. 【請求項６】 その都度測定時間インターバルの期間内
    に制御導線の電流の代わりに制御導線の電位が粒子線に
    よって生成された二次電子を決定することによって測定
    され、そして測定された電位が導線の目標電位と比較さ
    れることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 測定時間インターバルが設定時間インタ
    ーバルの期間内に位置することを特徴とする請求項５ま
    たは６記載の方法。
  8. 【請求項８】 測定時間インターバルが設定時間インタ
    ーバルに直接続いていることを特徴とする請求項１ない
    し６の１つに記載の方法。
  9. 【請求項９】 設定時間インターバルの終了と測定時間
    インターバルの開始との間に規定の待機時間が確保され
    ることを特徴とする請求項１ないし６の１つに記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 測定時間インターバルの期間内にスイ
    ッチング素子（Ｔ）の異なったスイッチング状態がその
    スイッチング素子と接続された制御導線（Ｌ１、Ｌ２）
    を介して生ぜしめられることを特徴とする請求項８また
    は９記載の方法。
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