JPH0656459B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0656459B2 JPH0656459B2 JP60070950A JP7095085A JPH0656459B2 JP H0656459 B2 JPH0656459 B2 JP H0656459B2 JP 60070950 A JP60070950 A JP 60070950A JP 7095085 A JP7095085 A JP 7095085A JP H0656459 B2 JPH0656459 B2 JP H0656459B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- substrate
- degrees
- angle
- polarizing plate
- Prior art date
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
- F17D3/01—Arrangements for supervising or controlling working operations for controlling, signalling, or supervising the conveyance of a product
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
- G02F1/1397—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell the twist being substantially higher than 90°, e.g. STN-, SBE-, OMI-LC cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は液晶表示素子に係り、特に優れた時分割駆動特
性を有する電界効果型液晶表示素子に関するものであ
る。
性を有する電界効果型液晶表示素子に関するものであ
る。
従来の液晶表示素子のツイステッドネマチックタイプと
言われるものは、２枚の電極基板間に正の誘電率異方性
を有するネマチック液晶による９０度ねじれたらせん構
造を有し、かつ両電極基板の外側には偏光板をその偏光
軸（あるいは吸収軸）が電極基板に隣接する液晶分子に
対してほぼ平行になるように配置するものであった（特
公昭５１−１３６６６号公報）。
言われるものは、２枚の電極基板間に正の誘電率異方性
を有するネマチック液晶による９０度ねじれたらせん構
造を有し、かつ両電極基板の外側には偏光板をその偏光
軸（あるいは吸収軸）が電極基板に隣接する液晶分子に
対してほぼ平行になるように配置するものであった（特
公昭５１−１３６６６号公報）。
２枚の電極基板間で液晶分子が９０度ねじれたらせん状
構造をなすように配向させるには、例えば電極基板の、
液晶に接する表面を布などで一方向にこする方法、いわ
ゆるラビング法によってなされる。このときのこする方
向、即ちラビング方向が液晶分子の配列方向となる。こ
のようにして配向処理された２枚の電極基板をそれぞれ
のラビング方向が互にほぼ９０度に交差するように間隙
をもたせて対向させ、２枚の電極基板をシール剤により
接着し、その間隙に正の誘電率異方性をもったネマチッ
ク液晶を封入すると、液晶分子はその電極基板間でほぼ
９０度回転したらせん状構造の分子配列をする。このよ
うにして構成された液晶セルの上下には偏光板が設けら
れるが、その偏光軸あるいは吸収軸はそれぞれの電極基
板に隣接する液晶分子の配列方向とほぼ平行にする。こ
こで、以降の説明に必要な時分割駆動特性を表わす量の
定義について簡単に説明する。
構造をなすように配向させるには、例えば電極基板の、
液晶に接する表面を布などで一方向にこする方法、いわ
ゆるラビング法によってなされる。このときのこする方
向、即ちラビング方向が液晶分子の配列方向となる。こ
のようにして配向処理された２枚の電極基板をそれぞれ
のラビング方向が互にほぼ９０度に交差するように間隙
をもたせて対向させ、２枚の電極基板をシール剤により
接着し、その間隙に正の誘電率異方性をもったネマチッ
ク液晶を封入すると、液晶分子はその電極基板間でほぼ
９０度回転したらせん状構造の分子配列をする。このよ
うにして構成された液晶セルの上下には偏光板が設けら
れるが、その偏光軸あるいは吸収軸はそれぞれの電極基
板に隣接する液晶分子の配列方向とほぼ平行にする。こ
こで、以降の説明に必要な時分割駆動特性を表わす量の
定義について簡単に説明する。
第１図は従来の９０度ねじれた液晶分子のらせん構造を
もつ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特性を示してい
る。これは、印加電圧に対する反射輝度の相対値をとっ
たものであり、輝度の初期値（電圧を印加しない状態）
を１００％、最終値（光の反射または透過が全くない状
態）を０％にしている。
もつ液晶表示素子の典型的な電圧−輝度特性を示してい
る。これは、印加電圧に対する反射輝度の相対値をとっ
たものであり、輝度の初期値（電圧を印加しない状態）
を１００％、最終値（光の反射または透過が全くない状
態）を０％にしている。
実用上は、８０％以上あれば画素は十分明るく非点灯状
態、２０％以下であれば画素は十分暗く点灯状態として
よく、以下本明細書においては、相対輝度が８０％，２
０％になる電圧をそれぞれしきい値電圧Ｖth，飽和電圧
Ｖsatとする。
態、２０％以下であれば画素は十分暗く点灯状態として
よく、以下本明細書においては、相対輝度が８０％，２
０％になる電圧をそれぞれしきい値電圧Ｖth，飽和電圧
Ｖsatとする。
さらに、液晶表示素子の電気光学特性は、見る方向によ
っても変り、この特性が良好な表示品質が得られる視野
を制限している。
っても変り、この特性が良好な表示品質が得られる視野
を制限している。
ここで、視角φの定義を第２図によって説明する。図に
おいて、液晶表示素子１の上側電極基板１１のラビング
方向を２、下側電極基板１２のラビング方向を３とし、
液晶分子のねじれ角を４とする。また、液晶表示素子１
の表面に直交座標ＸＹ軸をとり、Ｘ軸方向を液晶分子の
ねじれ角４を２等分する方向に規定し、Ｚ軸をＸＹ面の
法線方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角を視角φと
する。また、第２図に示されたφを正とし、このような
方向から見た場合、コントラストが高くなるので、この
ような方向を視野方向という。
おいて、液晶表示素子１の上側電極基板１１のラビング
方向を２、下側電極基板１２のラビング方向を３とし、
液晶分子のねじれ角を４とする。また、液晶表示素子１
の表面に直交座標ＸＹ軸をとり、Ｘ軸方向を液晶分子の
ねじれ角４を２等分する方向に規定し、Ｚ軸をＸＹ面の
法線方向に定め、観察方向５がＺ軸となす角を視角φと
する。また、第２図に示されたφを正とし、このような
方向から見た場合、コントラストが高くなるので、この
ような方向を視野方向という。
第１図において、視角φ＝10度の輝度が８０％になる電
圧をＶth1，２０％になる電圧をＶsat1とし、視角φ＝
４０度の輝度が８０％になる電圧をＶth2としたとき、
立ち上がり特性γ，角度特性Δφ及び時分割能ｍを次式
のように定義する。
圧をＶth1，２０％になる電圧をＶsat1とし、視角φ＝
４０度の輝度が８０％になる電圧をＶth2としたとき、
立ち上がり特性γ，角度特性Δφ及び時分割能ｍを次式
のように定義する。
従来の液晶表示素子の時分割駆動特性は、液晶の屈折率
異方性をΔｎ，上下電極基板間間隙をｄとしたとき、Δ
ｎ・ｄに依存しており、Δｎ・ｄが大きい場合（例えば
０．８μｍ以上）にはγが良く（小さく）、Δφが悪い
（小さい）。
異方性をΔｎ，上下電極基板間間隙をｄとしたとき、Δ
ｎ・ｄに依存しており、Δｎ・ｄが大きい場合（例えば
０．８μｍ以上）にはγが良く（小さく）、Δφが悪い
（小さい）。
一方、Δｎ・ｄが小さい場合（例えば０．８μｍ以下）
にはγが悪く（大きく、Δφが良い（大きい）。しか
し、時分割能ｍで比較した場合には、Δｎ・ｄの大小に
かかわらず、ほぼ同じ値を示す。以上の具体的な例を表
１に示す。
にはγが悪く（大きく、Δφが良い（大きい）。しか
し、時分割能ｍで比較した場合には、Δｎ・ｄの大小に
かかわらず、ほぼ同じ値を示す。以上の具体的な例を表
１に示す。
ここで時分割駆動について、ドットマトリクスデイスプ
レイを例にとって簡単に説明する。第３図に示すよう
に、第２図の下側電極基板１２にストライプ状のＹ電極
（信号電極）１３を、同様に上側電極基板１１にＸ電極
（走査電極）１４を形成し、文字等の表示は、Ｘ，Ｙ両
電極の交点部の液晶を点灯あるいは非点灯にして行う。
図においてｎ本の走査電極をＸ1，Ｘ2，・・・・・Xn，
Ｘ1，Ｘ2，・・・・・Ｘｎと繰り返し先順次走査を繰返
して時分割駆動する。ある走査電極が選択されたとき、
その電極上のすべての画素に、信号電極１３である
Ｙ1，Ｙ2，・・・・・Ｙｍより、表示すべき信号に従
い、選択または非選択の表示信号を同時に加える。この
ように、走査電極と信号電極に加える電圧パルスの組合
せで交点の点灯、非点灯を選択する。この場合の走査電
極Ｘの数ｎが時分割数に相当する。
レイを例にとって簡単に説明する。第３図に示すよう
に、第２図の下側電極基板１２にストライプ状のＹ電極
（信号電極）１３を、同様に上側電極基板１１にＸ電極
（走査電極）１４を形成し、文字等の表示は、Ｘ，Ｙ両
電極の交点部の液晶を点灯あるいは非点灯にして行う。
図においてｎ本の走査電極をＸ1，Ｘ2，・・・・・Xn，
Ｘ1，Ｘ2，・・・・・Ｘｎと繰り返し先順次走査を繰返
して時分割駆動する。ある走査電極が選択されたとき、
その電極上のすべての画素に、信号電極１３である
Ｙ1，Ｙ2，・・・・・Ｙｍより、表示すべき信号に従
い、選択または非選択の表示信号を同時に加える。この
ように、走査電極と信号電極に加える電圧パルスの組合
せで交点の点灯、非点灯を選択する。この場合の走査電
極Ｘの数ｎが時分割数に相当する。
従来の液晶表示素子では、表１に例示したような時分割
駆動特性しか得られないために、時分割数３２あるいは
６４程度が実用的には限界であった。しかし、近年、液
晶表示素子の画質の改善と表示情報量の増大に対する要
求が厳しくなっており、要求仕様を満足できない状況に
到っている。
駆動特性しか得られないために、時分割数３２あるいは
６４程度が実用的には限界であった。しかし、近年、液
晶表示素子の画質の改善と表示情報量の増大に対する要
求が厳しくなっており、要求仕様を満足できない状況に
到っている。
本発明の目的は、量産正の高いラビング配向処理で得ら
れる低チルト角（基板面に隣接する液晶分子の長軸が基
板面となす傾斜角）に、液晶分子のねじれ角を最適化
し、しかも、液晶のねじれらせんピッチと液晶層の厚み
を特定の範囲に制御することによって、極めて優れた時
分割駆動特性を持ち、時分割数１００以上でも良好な画
質を持った液晶表示素子を提供することにある。
れる低チルト角（基板面に隣接する液晶分子の長軸が基
板面となす傾斜角）に、液晶分子のねじれ角を最適化
し、しかも、液晶のねじれらせんピッチと液晶層の厚み
を特定の範囲に制御することによって、極めて優れた時
分割駆動特性を持ち、時分割数１００以上でも良好な画
質を持った液晶表示素子を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明による液晶表
示素子は、第１の基板と、該第１の基板に対向して設け
られた第２の基板と、上記第１の基板上に設けられた第
１の電極と、上記第２の基板上に設けられた第２の電極
と、上記第１の基板の上記第１の電極が設けられた面と
上記第２の基板の上記第２の電極が設けられた面とで対
向した上記第１、第２の基板間に封入された液晶と、上
記第１の基板上に設けられた第１の偏光板と、上記第２
の基板上に設けられた第２の偏光板とを有する液晶表示
装置であって、 上記液晶は正の誘電異方性を有するフェニルシクロヘキ
サン系液晶を主成分とし、旋光性物質 を０．４重量％から０．９重量％添加することによって
Δｎが０．１４３になるようなネマチック液晶であり、
かつ、その厚さ方向に１４０度以上の角度αねじれた螺
旋構造を形成しており、更に、上記液晶の分子配列方向
は、上記第１、第２の基板共に、各基板の上に形成され
たポリイミド有機膜のラビング配向処理によって規定さ
れ、液晶分子をチルト角６度以下で配向させると共に、
上記液晶の螺旋ピッチｐ（μｍ）と上記液晶層の厚みｄ
（μｍ）との関係が、（α−９０度）／３６０度≦ｄ／
ｐ≦０．６の関係にあり、かつ、上記ねじれ角度αを縦
軸にとり、上記ｄ／ｐを横軸にとった図において、座標
（ｄ／ｐ，ねじれ角度α）が（０．１４，１４０度）、
（０．６，１４０度）、（０．５５，２２８度）及び
（０．４６，２５５度）である点で囲まれる範囲内に上
記液晶のｄ／ｐ及びねじれ角度αを設定し、かつ、上記
液晶の厚みｄ（μｍ）と上記液晶の屈折率異方性Δｎと
の積Δｎ・ｄが、０．８μｍから１．２μｍの範囲内に
あり、上記第１の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸を隣接
する上記第１の基板の液晶分子配列方向と２０度から７
０度の範囲内の角度ずらせ、かつ、上記第２の偏光板の
偏光軸あるいは吸収軸を隣接する上記第２の基板の液晶
分子配列方向と２０度から７０度の範囲内の角度ずらせ
たことを特徴とするものである。
示素子は、第１の基板と、該第１の基板に対向して設け
られた第２の基板と、上記第１の基板上に設けられた第
１の電極と、上記第２の基板上に設けられた第２の電極
と、上記第１の基板の上記第１の電極が設けられた面と
上記第２の基板の上記第２の電極が設けられた面とで対
向した上記第１、第２の基板間に封入された液晶と、上
記第１の基板上に設けられた第１の偏光板と、上記第２
の基板上に設けられた第２の偏光板とを有する液晶表示
装置であって、 上記液晶は正の誘電異方性を有するフェニルシクロヘキ
サン系液晶を主成分とし、旋光性物質 を０．４重量％から０．９重量％添加することによって
Δｎが０．１４３になるようなネマチック液晶であり、
かつ、その厚さ方向に１４０度以上の角度αねじれた螺
旋構造を形成しており、更に、上記液晶の分子配列方向
は、上記第１、第２の基板共に、各基板の上に形成され
たポリイミド有機膜のラビング配向処理によって規定さ
れ、液晶分子をチルト角６度以下で配向させると共に、
上記液晶の螺旋ピッチｐ（μｍ）と上記液晶層の厚みｄ
（μｍ）との関係が、（α−９０度）／３６０度≦ｄ／
ｐ≦０．６の関係にあり、かつ、上記ねじれ角度αを縦
軸にとり、上記ｄ／ｐを横軸にとった図において、座標
（ｄ／ｐ，ねじれ角度α）が（０．１４，１４０度）、
（０．６，１４０度）、（０．５５，２２８度）及び
（０．４６，２５５度）である点で囲まれる範囲内に上
記液晶のｄ／ｐ及びねじれ角度αを設定し、かつ、上記
液晶の厚みｄ（μｍ）と上記液晶の屈折率異方性Δｎと
の積Δｎ・ｄが、０．８μｍから１．２μｍの範囲内に
あり、上記第１の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸を隣接
する上記第１の基板の液晶分子配列方向と２０度から７
０度の範囲内の角度ずらせ、かつ、上記第２の偏光板の
偏光軸あるいは吸収軸を隣接する上記第２の基板の液晶
分子配列方向と２０度から７０度の範囲内の角度ずらせ
たことを特徴とするものである。
次に、図面を用いて、本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第４図は本発明による液晶表示素子を上側から見た場合
の液晶分子の配列方向（ラビング方向）、液晶分子のね
じれ方向、偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）方向を示
している。この場合、液晶分子が上側電極基板のラビン
グ方向６を起点として、反時計回りに下側電極基板のラ
ビング方向７まで角度αだけねじれている。また、上側
電極基板のラビング方向６と上側偏光板の吸収軸（ある
いは偏光軸）８とのなす角度β１は、上側電極基板のラ
ビング方向６を起点として液晶分子のねじれ方向１０
（この場合は反時計回り方向）と同じにとり、下側電極
基板のラビング方向７と下側偏光板の吸収軸（あるいは
偏光軸）９とのなす角度β２もβ１と同様に定義する。
ここで、β１およびβ２に１８０度の整数倍の角度を加
えたものは、β１およびβ２と等価であることは言うま
でもない。以降、β１とβ2の値は、等価な角度群の最
小値をもって代表する。
の液晶分子の配列方向（ラビング方向）、液晶分子のね
じれ方向、偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）方向を示
している。この場合、液晶分子が上側電極基板のラビン
グ方向６を起点として、反時計回りに下側電極基板のラ
ビング方向７まで角度αだけねじれている。また、上側
電極基板のラビング方向６と上側偏光板の吸収軸（ある
いは偏光軸）８とのなす角度β１は、上側電極基板のラ
ビング方向６を起点として液晶分子のねじれ方向１０
（この場合は反時計回り方向）と同じにとり、下側電極
基板のラビング方向７と下側偏光板の吸収軸（あるいは
偏光軸）９とのなす角度β２もβ１と同様に定義する。
ここで、β１およびβ２に１８０度の整数倍の角度を加
えたものは、β１およびβ２と等価であることは言うま
でもない。以降、β１とβ2の値は、等価な角度群の最
小値をもって代表する。
さらに、液晶分子のねじれ方向１０とねじれ角αは、上
記電極基板のラビング方向６と下側電極基板のラビング
方向７およびネマチック液晶に添加される旋光性物質の
種類と量によって規定される。
記電極基板のラビング方向６と下側電極基板のラビング
方向７およびネマチック液晶に添加される旋光性物質の
種類と量によって規定される。
以下、説明を簡略化するために、添加する旋光性物質と
しては、例えばメルク者のＳ８１１ のように 第４図におけるねじれ方向１０と同じ固有ねじれ方向を
もったものを考える。
しては、例えばメルク者のＳ８１１ のように 第４図におけるねじれ方向１０と同じ固有ねじれ方向を
もったものを考える。
一般に、旋光性物質を添加したネマチック液晶は、旋光
性物質の種類と添加量に応じたらせんピッチＰ（μｍ）
を持つ。即ち、液晶分子はらせん軸方向に距離Ｐを進間
に３６０度だけ自然にねじれる。ネマチック液晶に添加
された旋光性物質の濃度をＣ（％）とすると、ＰＣ＝一
定なる関係がある。したがって、任意の距離ｄ（μｍ）
をとると、その間で液晶分子は３６０ｄ／Ｐ度だけねじ
れることになる。しかし、実際の液晶表示素子では境界
の液晶分子の配列方向がビング方向に強制的に規制され
ているため、上下のラビング方向によって決まるねじれ
しか許されない。これについて第５図を用にて説明す
る。図において、目的とするねじれを１０とし、ねじれ
角をαとした場合、液晶層の厚みをｄ（μｍ）とする
と、液晶のらせんピッチＰがα≒３６０ｄ／Ｐの関係を
満足すれば、液晶分子は目的のねじれ１０になることは
容易に分かる。しかし、ｄ／Ｐが非常に小さくなった場
合のねじれは図においてねじれ２０にない、逆にｄ／Ｐ
が非常に大きくなつた場合のねじれは図においてねじれ
３０になる。このように実際の液晶表示素子では、ｄ／
Ｐが連続的に変化してもねじれはとびとびの状態しかと
り得ない。ここではねじれ１０の場合をノーマルツイス
ト，ねじれ２０の場合をアンダーツイスト，ねじれ３０
の場合をオーバーツイストということにする。
性物質の種類と添加量に応じたらせんピッチＰ（μｍ）
を持つ。即ち、液晶分子はらせん軸方向に距離Ｐを進間
に３６０度だけ自然にねじれる。ネマチック液晶に添加
された旋光性物質の濃度をＣ（％）とすると、ＰＣ＝一
定なる関係がある。したがって、任意の距離ｄ（μｍ）
をとると、その間で液晶分子は３６０ｄ／Ｐ度だけねじ
れることになる。しかし、実際の液晶表示素子では境界
の液晶分子の配列方向がビング方向に強制的に規制され
ているため、上下のラビング方向によって決まるねじれ
しか許されない。これについて第５図を用にて説明す
る。図において、目的とするねじれを１０とし、ねじれ
角をαとした場合、液晶層の厚みをｄ（μｍ）とする
と、液晶のらせんピッチＰがα≒３６０ｄ／Ｐの関係を
満足すれば、液晶分子は目的のねじれ１０になることは
容易に分かる。しかし、ｄ／Ｐが非常に小さくなった場
合のねじれは図においてねじれ２０にない、逆にｄ／Ｐ
が非常に大きくなつた場合のねじれは図においてねじれ
３０になる。このように実際の液晶表示素子では、ｄ／
Ｐが連続的に変化してもねじれはとびとびの状態しかと
り得ない。ここではねじれ１０の場合をノーマルツイス
ト，ねじれ２０の場合をアンダーツイスト，ねじれ３０
の場合をオーバーツイストということにする。
ここで、ねじれが２０のアンダーツイストになる条件は であり、ねじれが３０のオーバーツイストになる条件は である。したがって、ねじれが１０のノーマルツイスト
になる条件は である。ｄ／Ｐをこの範囲に保ては、液晶分子のねじれ
は目的としたものが得られる。しかし、種々の実験をす
るうちに、正常なねじれ（ノーマルツイスト）であって
も、電圧を印加すると、光を散乱する配向状態になるも
のがあることがわかった。光を散乱する配向状態にある
ときは表示のコントラストが著しく劣化するために、デ
ィスプレイとしては実用に耐えない。
になる条件は である。ｄ／Ｐをこの範囲に保ては、液晶分子のねじれ
は目的としたものが得られる。しかし、種々の実験をす
るうちに、正常なねじれ（ノーマルツイスト）であって
も、電圧を印加すると、光を散乱する配向状態になるも
のがあることがわかった。光を散乱する配向状態にある
ときは表示のコントラストが著しく劣化するために、デ
ィスプレイとしては実用に耐えない。
量産性の高いラビングで配向処理された基板の対向面間
に挾持されたネマチック液晶を大きな角度でねじる場
合、ラビング配向処理された面に接する液晶分子のチル
ト角は小さく数度程度であり（J.A.Castellano，“Surf
ace Anchoring of Liquid Crystal Molecules on
Various Substrates"，Mol. Cryst. Liq. Cryst.
1983，Vol. 94，pp33-41，殊にpp38-40）、次のよう
な制約がある。
に挾持されたネマチック液晶を大きな角度でねじる場
合、ラビング配向処理された面に接する液晶分子のチル
ト角は小さく数度程度であり（J.A.Castellano，“Surf
ace Anchoring of Liquid Crystal Molecules on
Various Substrates"，Mol. Cryst. Liq. Cryst.
1983，Vol. 94，pp33-41，殊にpp38-40）、次のよう
な制約がある。
さらに詳細に実験検討を加えた結果、正常なねじれ構造
をとり、かつ電圧を印加したときに光を散乱する配向状
態を生じない条件は、上，下側電極基板のラビング方向
で規定される液晶分子のねじれ角αとｄ／Ｐの関係が第
６図に斜線領域で示す範囲を満たす必要があることを見
出した。
をとり、かつ電圧を印加したときに光を散乱する配向状
態を生じない条件は、上，下側電極基板のラビング方向
で規定される液晶分子のねじれ角αとｄ／Ｐの関係が第
６図に斜線領域で示す範囲を満たす必要があることを見
出した。
具体的にはｄ／Ｐの下限はα−９０／３６０で与えら
れ、上限はαによってわずかに変化するが、少なくとも
０．６以下である。
れ、上限はαによってわずかに変化するが、少なくとも
０．６以下である。
第６図から明らかなように、液晶分子のねじれ角αの最
大値も制限され、２５５度が限度であり、実用的に依り
安定に実現し得る上限は２４０度である。また、液晶分
子のねじれ角αの下限は、液晶表示素子の表示色のねじ
れ各依存性および時分割駆動特性によって制限され、１
４０度が限界である。したがって、ｄ／Ｐの下限もおの
ずから決まり０．１４である。図中、領域Ｉ，II，III
はそれぞれアンダ，ノーマル，オーバーツイスト領域を
示す。
大値も制限され、２５５度が限度であり、実用的に依り
安定に実現し得る上限は２４０度である。また、液晶分
子のねじれ角αの下限は、液晶表示素子の表示色のねじ
れ各依存性および時分割駆動特性によって制限され、１
４０度が限界である。したがって、ｄ／Ｐの下限もおの
ずから決まり０．１４である。図中、領域Ｉ，II，III
はそれぞれアンダ，ノーマル，オーバーツイスト領域を
示す。
なお、第６図の実験結果は液晶分子の配列方法として、
ポリイミド等（例えば、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン（特公昭５８−２３６１０号），またはポリ
イミドベンゾイミダゾビロロン（（特開昭５４−１３３
５８号））の有機膜をラビングして得られたもので、そ
の際チルト角が６度以下になるが、少なくともこれと類
似の液晶分子配列方法を用いた液晶表示素子に適用でき
る。
ポリイミド等（例えば、ポリイミドイソインドロキナゾ
リンジオン（特公昭５８−２３６１０号），またはポリ
イミドベンゾイミダゾビロロン（（特開昭５４−１３３
５８号））の有機膜をラビングして得られたもので、そ
の際チルト角が６度以下になるが、少なくともこれと類
似の液晶分子配列方法を用いた液晶表示素子に適用でき
る。
第４図において上側偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）
８と上側電極基板のラビング方向６とのなす角β１およ
び下側偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）９と下側電極
基板のラビング方向７とのなす角β２は、時分割駆動特
性，表示明るさおよび色等を考慮すると、好ましくはそ
れぞれ２０度から７０度の範囲，より好ましくは３０度
から６０度の範囲に設定することが望ましい。
８と上側電極基板のラビング方向６とのなす角β１およ
び下側偏光板の吸収軸（あるいは偏光軸）９と下側電極
基板のラビング方向７とのなす角β２は、時分割駆動特
性，表示明るさおよび色等を考慮すると、好ましくはそ
れぞれ２０度から７０度の範囲，より好ましくは３０度
から６０度の範囲に設定することが望ましい。
なお、第４図においては液晶分子のねじれ方向１０を反
時計回りとしてβ１およびβ２を定義したが、液晶分子
のねじれ方向が時計回りの場合であってもβ１とβ２の
とり方を時計回り方向に合わせれば同様であることは言
うまでもない。
時計回りとしてβ１およびβ２を定義したが、液晶分子
のねじれ方向が時計回りの場合であってもβ１とβ２の
とり方を時計回り方向に合わせれば同様であることは言
うまでもない。
また、本発明による液晶表示素子は、顕著なΔｎ・ｄ依
存性を示し、時分割駆動特性，コントラスト，明るさお
よび色の点から、好ましくは０．８μｍ≦Δｎ・ｄ≦
１．２μｍ、より好ましくは０．９μｍ≦Δｎ・ｄ≦
１．１μｍの条件を満足すると特に良好な結果を示す。
ここで、Δｎの値については一般に波長依存性があり、
短波長側で大きく、長波長側で小さくなる傾向がある。
本明細書で使用しているΔｎの値は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
光（波長６３２８Å）を使用し、２５℃で測定したもの
であるから、ほかの波長で測定した場合には本明細書に
おけるΔｎ・ｄの値は若干変化する。
存性を示し、時分割駆動特性，コントラスト，明るさお
よび色の点から、好ましくは０．８μｍ≦Δｎ・ｄ≦
１．２μｍ、より好ましくは０．９μｍ≦Δｎ・ｄ≦
１．１μｍの条件を満足すると特に良好な結果を示す。
ここで、Δｎの値については一般に波長依存性があり、
短波長側で大きく、長波長側で小さくなる傾向がある。
本明細書で使用しているΔｎの値は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
光（波長６３２８Å）を使用し、２５℃で測定したもの
であるから、ほかの波長で測定した場合には本明細書に
おけるΔｎ・ｄの値は若干変化する。
ここで、本発明による液晶表示素子の具体的な一実施例
について、その構造と測定結果を説明する。
について、その構造と測定結果を説明する。
第７図はその構造、すなわち電極基板のラビング方向，
液晶分子のらせん構造のねじれ方向および角度，偏光板
の吸収軸の関係を示し、液晶表示素子を上から見た図で
ある。
液晶分子のらせん構造のねじれ方向および角度，偏光板
の吸収軸の関係を示し、液晶表示素子を上から見た図で
ある。
使用した液晶はフェニルシクロヘキサン（ＰＣＨ）系液
晶を主成分とするネマチック液晶で、旋光性物質として
メルク社のＳ８１１を液晶層の厚みに応じてｄ／Ｐがほ
ぼ０．４になるように、０．４重量％から０．９重量％
添加したものである。この混合液晶のΔｎは０．１４３
である。
晶を主成分とするネマチック液晶で、旋光性物質として
メルク社のＳ８１１を液晶層の厚みに応じてｄ／Ｐがほ
ぼ０．４になるように、０．４重量％から０．９重量％
添加したものである。この混合液晶のΔｎは０．１４３
である。
第７図において、上側および下側電極基板のラビング方
向６，７のなす角度は１８０度であり、旋光性物質Ｓ８
１１によってねじれ方向は１０，ねじれ角αは１８０度
となる。また、ラビング方向６，７と偏光板の吸収軸
８，９とのなす角β１，β２はいずれも４５度である。
向６，７のなす角度は１８０度であり、旋光性物質Ｓ８
１１によってねじれ方向は１０，ねじれ角αは１８０度
となる。また、ラビング方向６，７と偏光板の吸収軸
８，９とのなす角β１，β２はいずれも４５度である。
以上のようなセル構造で液晶層の厚みｄを変えてΔｎ・
ｄを変化させた液晶セルを作り、色および明るさを観察
した。その代表的な結果を表２に示す。
ｄを変化させた液晶セルを作り、色および明るさを観察
した。その代表的な結果を表２に示す。
この結果から、Δｎ・ｄが１μｍ近傍で明るさおよび色
ともに表示素子として問題のないレベルデあることが分
かった。Δｎ・ｄのさらに詳細な検討から、Δｎ・ｄが
０．８μｍから１．２μｍの範囲においては実用上問題
ないことがわかった。
ともに表示素子として問題のないレベルデあることが分
かった。Δｎ・ｄのさらに詳細な検討から、Δｎ・ｄが
０．８μｍから１．２μｍの範囲においては実用上問題
ないことがわかった。
次にΔｎ・ｄ＝１μｍの液晶セルの時分割駆動特性を測
定した結果を表３に示す。表１に示した従来の液晶表示
素子に比較して、γ，Δφ，ｍのいずれもが著しく改良
されていることがわかる。
定した結果を表３に示す。表１に示した従来の液晶表示
素子に比較して、γ，Δφ，ｍのいずれもが著しく改良
されていることがわかる。
なお、第７図では偏光板の軸として吸収軸を使った、偏
光軸を使用してもほとんど同様の結果が得られた。ま
た、実施例ではＰＣＨ系を主成分とする混合液晶を使用
したが、他の種類の正の誘電率異方性をもつネマチック
液晶でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
さらに、コントラスト改良および色調整のために、液晶
に色素を添加することも可能であるが、本発明の基本的
な作用効果が変らないことは言うまでもない。
光軸を使用してもほとんど同様の結果が得られた。ま
た、実施例ではＰＣＨ系を主成分とする混合液晶を使用
したが、他の種類の正の誘電率異方性をもつネマチック
液晶でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
さらに、コントラスト改良および色調整のために、液晶
に色素を添加することも可能であるが、本発明の基本的
な作用効果が変らないことは言うまでもない。
なお、以上の例では、らせん構造のねじれ方向を反時計
回りのねじれ方向の場合も全く同じ作用効果が得られる
ことは勿論である。
回りのねじれ方向の場合も全く同じ作用効果が得られる
ことは勿論である。
また、旋光性物質についても、ラビング方向とねじれ方
向との関係を第４図，第７図および第８図の如く保て
ば、その種類を限定するものではないことは言うまでも
ない。
向との関係を第４図，第７図および第８図の如く保て
ば、その種類を限定するものではないことは言うまでも
ない。
以上説明したように本発明によれば、従来全く不可能で
あった高時分割駆動特性を実現することができ、時分割
数１００以上の高時分割駆動においても高品質の表示特
性を持ち、かつラビング処理に依るため量産性の高い液
晶表示素子が得られる。
あった高時分割駆動特性を実現することができ、時分割
数１００以上の高時分割駆動においても高品質の表示特
性を持ち、かつラビング処理に依るため量産性の高い液
晶表示素子が得られる。
第１図は時分割特性の定義に用いられる液晶表示素子の
電圧−輝度特性を示す説明図、第２図は時分割駆動特性
の測定方向を定義する説明図、第３図は時分割駆動を説
明する図、第４図，第７図および第８図は本発明による
液晶表示素子の実施例における液晶分子の配列方向，液
晶のねじれ方向および偏光板の軸方向の関係を示す説明
図、第５図は液晶分子の起り得るねじれ角を示す説明
図、第６図は本発明におけるねじれ角αとｄ／Ｐの関係
の許容範囲を示す説明図である。 １……液晶表示素子、２，６……上側電極基板のラビン
グ方向、３，７……下側電極基板のラビング方向、４，
１０……液晶分子のねじれ方向（ノーマルツイスト）、
８……上側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、９……
下側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、１１……上側
電極基板、１２……下側電極基板、２０……ｄ／Ｐが小
さい場合のねじれ（アンダーツイスト）、３０……ｄ／
Ｐが大きい場合のねじれ（オーバーツイスト）。
電圧−輝度特性を示す説明図、第２図は時分割駆動特性
の測定方向を定義する説明図、第３図は時分割駆動を説
明する図、第４図，第７図および第８図は本発明による
液晶表示素子の実施例における液晶分子の配列方向，液
晶のねじれ方向および偏光板の軸方向の関係を示す説明
図、第５図は液晶分子の起り得るねじれ角を示す説明
図、第６図は本発明におけるねじれ角αとｄ／Ｐの関係
の許容範囲を示す説明図である。 １……液晶表示素子、２，６……上側電極基板のラビン
グ方向、３，７……下側電極基板のラビング方向、４，
１０……液晶分子のねじれ方向（ノーマルツイスト）、
８……上側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、９……
下側偏光板の吸収軸あるいは偏光軸方向、１１……上側
電極基板、１２……下側電極基板、２０……ｄ／Ｐが小
さい場合のねじれ（アンダーツイスト）、３０……ｄ／
Ｐが大きい場合のねじれ（オーバーツイスト）。
フロントページの続き (72)発明者 長谷川 真二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 花田 良雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭56−156816（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−23328（ＪＰ，Ａ) 欧州公開131216（ＥＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】第１の基板と、該第１の基板に対向して設
けられた第２の基板と、上記第１の基板上に設けられた
第１の電極と、上記第２の基板上に設けられた第２の電
極と、上記第１の基板の上記第１の電極が設けられた面
と上記第２の基板の上記第２の電極が設けられた面とで
対向した上記第１、第２の基板間に封入された液晶と、
上記第１の基板上に設けられた第１の偏光板と、上記第
２の基板上に設けられた第２の偏光板とを有する液晶表
示装置であって、 上記液晶は正の誘電異方性を有するフェニルシクロヘキ
サン系液晶を主成分とし、旋光性物質 を０．４重量％から０．９重量％添加することによって
Δｎが０．１４３になるようなネマチック液晶であり、
かつ、その厚さ方向に１４０度以上の角度αねじれた螺
旋構造を形成しており、更に、上記液晶の分子配列方向
は、上記第１、第２の基板共に、各基板の上に形成され
たポリイミド有機膜のラビング配向処理によって規定さ
れ、液晶分子をチルト角６度以下で配向させると共に、
上記液晶の螺旋ピッチｐ（μｍ）と上記液晶層の厚みｄ
（μｍ）との関係が、（α−９０度）／３６０度≦ｄ／
ｐ≦０．６の関係にあり、かつ、上記ねじれ角度αを縦
軸にとり、上記ｄ／ｐを横軸にとった図において、座標
（ｄ／ｐ，ねじれ角度α）が（０．１４，１４０度）、
（０．６，１４０度）、（０．５５，２２８度）及び
（０．４６，２５５度）である点で囲まれる範囲内に上
記液晶のｄ／ｐ及びねじれ角度αを設定し、かつ、上記
液晶の厚みｄ（μｍ）と上記液晶の屈折率異方性Δｎと
の積Δｎ・ｄが、０．８μｍから１．２μｍの範囲内に
あり、上記第１の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸を隣接
する上記第１の基板の液晶分子配列方向と２０度から７
０度の範囲内の角度ずらせ、かつ、上記第２の偏光板の
偏光軸あるいは吸収軸を隣接する上記第２の基板の液晶
分子配列方向と２０度から７０度の範囲内の角度ずらせ
たことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】上記第１の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸
と上記第２の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸とのなす挟
角が０度から３０度の範囲内にあることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】上記第１の偏光板の偏光軸あるいは吸収軸
を隣接する上記第１の基板の液晶分子配列方向と３０度
から６０度の範囲内の角度ずらせ、かつ、上記第２の偏
光板の偏光軸あるいは吸収軸を隣接する上記第２の基板
の液晶分子配列方向と３０度から６０度の範囲内の角度
ずらせたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070950A JPH0656459B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 液晶表示素子 |
| US06/847,166 US4653865A (en) | 1985-04-05 | 1986-04-02 | Liquid crystal display device |
| KR1019860002531A KR910007012B1 (ko) | 1985-04-05 | 1986-04-03 | 액정표시소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070950A JPH0656459B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 液晶表示素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3017404A Division JP2717731B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231523A JPS61231523A (ja) | 1986-10-15 |
| JPH0656459B2 true JPH0656459B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=13446291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070950A Expired - Lifetime JPH0656459B2 (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4653865A (ja) |
| JP (1) | JPH0656459B2 (ja) |
| KR (1) | KR910007012B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127714A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0721142B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1995-03-08 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示素子 |
| JPS62194224A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | Sharp Corp | ツイステツド・ネマチツク型液晶表示素子 |
| US4779958A (en) * | 1986-06-28 | 1988-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device having different natural and induced twists |
| JPS638632A (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-14 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP2676508B2 (ja) * | 1986-09-12 | 1997-11-17 | コニカ株式会社 | 液晶表示装置 |
| DE3774977D1 (de) * | 1986-09-12 | 1992-01-16 | Hoffmann La Roche | Fluessigkristallanzeige. |
| JPS63104016A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 投射型カラ−表示装置 |
| JPS63239420A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-10-05 | Ricoh Co Ltd | プラスチツク基板液晶表示素子 |
| FR2613566B1 (fr) * | 1987-04-06 | 1989-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a matrice active pour affichage en couleur d'images de television, systeme de commande et procede de fabrication dudit ecran |
| JPS6490415A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Seiko Epson Corp | Electro-optical element |
| JPS6490416A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Seiko Epson Corp | Electro-optical element |
| JPH07117664B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1995-12-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH01214818A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Alps Electric Co Ltd | 液晶素子 |
| JP2673536B2 (ja) * | 1988-05-02 | 1997-11-05 | コニカ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2674600B2 (ja) * | 1988-05-07 | 1997-11-12 | コニカ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2621385B2 (ja) * | 1988-07-06 | 1997-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
| EP0352101B1 (en) * | 1988-07-19 | 1994-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | A double-layered type liquid-crystal display device |
| JP2598495B2 (ja) * | 1988-11-21 | 1997-04-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| DE3843767A1 (de) * | 1988-12-24 | 1990-07-05 | Nokia Unterhaltungselektronik | Fluessigkristalldisplay fuer schwarz/weiss-darstellung |
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| JP2551848B2 (ja) * | 1989-07-25 | 1996-11-06 | セイコープレシジョン株式会社 | 強誘電性液晶パネル |
| JP3202450B2 (ja) * | 1993-10-20 | 2001-08-27 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5864376A (en) * | 1994-04-21 | 1999-01-26 | Nec Corporation | LCD of a selected twist angle through an LC material of a selected chiral pitch |
| JPH08166605A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-06-25 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| SE9404303L (sv) | 1994-12-09 | 1996-04-01 | Emt Ag | Trycktålig vätskekristallcell |
| US6094252A (en) * | 1995-09-05 | 2000-07-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | GH LCD having particular parameters and characteristics |
| JP3344642B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
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| JP3823972B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 視角制御素子、表示装置、及び電子機器 |
| US8045115B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-10-25 | Chimei Innolux Corporation | Liquid crystal display with different twisting directions of liquid crystal molecules |
| JP5378663B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2013-12-25 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS56156816A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | Liquid-crystal display device |
| US4398805A (en) * | 1981-07-06 | 1983-08-16 | General Electric Company | Transflective liquid crystal display |
| JPS58193523A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US4596446B2 (en) * | 1982-06-29 | 1997-03-18 | Secr Defence Brit | Liquid crystal devices with particular cholestric pitch-cell thickness ratio |
| JPS5923328A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| IN161652B (ja) * | 1983-07-12 | 1988-01-09 | Bbc Brown Boveri & Cie |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60070950A patent/JPH0656459B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-02 US US06/847,166 patent/US4653865A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-03 KR KR1019860002531A patent/KR910007012B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860008469A (ko) | 1986-11-15 |
| US4653865A (en) | 1987-03-31 |
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