JPH065646A - 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH065646A JPH065646A JP4159288A JP15928892A JPH065646A JP H065646 A JPH065646 A JP H065646A JP 4159288 A JP4159288 A JP 4159288A JP 15928892 A JP15928892 A JP 15928892A JP H065646 A JPH065646 A JP H065646A
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- integrated circuit
- semiconductor device
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- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチックパッケージ等の樹脂で封止され
た樹脂封止半導体装置において、内部リードのワイヤボ
ンド強度を向上し、安定したワイヤボンドが行なえるよ
うにするものである。 【構成】 集積回路チップ１と内部リード４との間に絶
縁板１０を設け、この絶縁板１０の一方の面に集積回路
チップ１を接着シート１１ｂで接着し、他方の面に内部
リード４を接着シート１１ａで接着して構成するもので
ある。
た樹脂封止半導体装置において、内部リードのワイヤボ
ンド強度を向上し、安定したワイヤボンドが行なえるよ
うにするものである。 【構成】 集積回路チップ１と内部リード４との間に絶
縁板１０を設け、この絶縁板１０の一方の面に集積回路
チップ１を接着シート１１ｂで接着し、他方の面に内部
リード４を接着シート１１ａで接着して構成するもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチックパッケー
ジ等樹脂で封止された樹脂封止半導体装置およびその製
造方法に関するものである。
ジ等樹脂で封止された樹脂封止半導体装置およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止半導体装置は、
搭載される半導体ペレットの大型化に伴い、パッケージ
側端と半導体ペレット取付部であるタブとの間の寸法が
一段と狭くなる傾向にある。これは、半導体ペレットが
大きくなっているのに、これを収納するパッケージのサ
イズが規格化されているため、大きくすることができな
いことに起因する。その結果、外部端子であるリードの
うち、パッケージを形成する樹脂に埋設される長さが、
その構造上短い、いわゆる短リードにおいては、その接
着強度が一段と小さくなるため、パッケージから抜け易
く、また、リード折曲成形時に、リードと樹脂との間の
剥がれが生じ易くなると考えられる。そのため、電気的
導通不良、または耐湿性低下等の半導体装置の信頼性低
下を来し易くなる。
搭載される半導体ペレットの大型化に伴い、パッケージ
側端と半導体ペレット取付部であるタブとの間の寸法が
一段と狭くなる傾向にある。これは、半導体ペレットが
大きくなっているのに、これを収納するパッケージのサ
イズが規格化されているため、大きくすることができな
いことに起因する。その結果、外部端子であるリードの
うち、パッケージを形成する樹脂に埋設される長さが、
その構造上短い、いわゆる短リードにおいては、その接
着強度が一段と小さくなるため、パッケージから抜け易
く、また、リード折曲成形時に、リードと樹脂との間の
剥がれが生じ易くなると考えられる。そのため、電気的
導通不良、または耐湿性低下等の半導体装置の信頼性低
下を来し易くなる。
【０００３】そこで、例えば、特開昭６１−２１８１３
９号公報に開示されているように、半導体ペレットの非
回路形成面に、ボンディングパットに被らない大きさの
絶縁シートを接着し、この絶縁シート上面には、内部リ
ードを延在することにより、この内部リードとパッケー
ジ形成樹脂との接着力を大幅に向上させ、大型半導体ペ
レットを搭載する場合でも、パッケージ形成樹脂からの
リード抜けを防止できる構造が示されている。
９号公報に開示されているように、半導体ペレットの非
回路形成面に、ボンディングパットに被らない大きさの
絶縁シートを接着し、この絶縁シート上面には、内部リ
ードを延在することにより、この内部リードとパッケー
ジ形成樹脂との接着力を大幅に向上させ、大型半導体ペ
レットを搭載する場合でも、パッケージ形成樹脂からの
リード抜けを防止できる構造が示されている。
【０００４】図８は従来の樹脂封止半導体装置を示す平
面図であり、図９はそのＡ１−Ａ２断面側面図である。
図において、１は集積回路チップ、２は図１０に示すよ
うに、両面に接着剤３ａ、３ｂが塗布された、例えばポ
リイミド樹脂の絶縁シートであり、この集積回路チップ
１上に接着固定されている。４は半導体集積回路を形成
していない面である非回路形成主面に沿って延在された
リードであり、絶縁シート２に接着固定されている。５
は図１０に示すように、集積回路チップ１のボンディン
グパット６と絶縁シート２上に貼付けられたリード４と
を電気的に接続するＡｌ線などのワイヤ、７はモールド
樹脂である。
面図であり、図９はそのＡ１−Ａ２断面側面図である。
図において、１は集積回路チップ、２は図１０に示すよ
うに、両面に接着剤３ａ、３ｂが塗布された、例えばポ
リイミド樹脂の絶縁シートであり、この集積回路チップ
１上に接着固定されている。４は半導体集積回路を形成
していない面である非回路形成主面に沿って延在された
リードであり、絶縁シート２に接着固定されている。５
は図１０に示すように、集積回路チップ１のボンディン
グパット６と絶縁シート２上に貼付けられたリード４と
を電気的に接続するＡｌ線などのワイヤ、７はモールド
樹脂である。
【０００５】この構成による樹脂封止半導体装置では、
リード４は半導体集積回路を形成していない面である非
回路形成主面に沿って延在され、絶縁シート２の接着剤
３ａにより接着されて固定する。
リード４は半導体集積回路を形成していない面である非
回路形成主面に沿って延在され、絶縁シート２の接着剤
３ａにより接着されて固定する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の装置では、ワイヤボンディングの際、図１１に示す
ように、キャピラリ８がリード４に押し当てるとき、キ
ャピラリ８の超音波振動９を絶縁シート２が吸収してし
まう。このため、図１２に示すように、絶縁シート２が
キャピラリ８の力を緩衝し、リード４が沈み込み、キャ
ピラリ８がバウンドしてしまう。このため、ワイヤ５が
断線を起す。また、ワイヤボンディングされていても、
ワイヤの接着強度が通常より低いため、信頼性試験の温
度サイクルのとき、ワイヤが剥がれるなどという問題点
があった。
成の装置では、ワイヤボンディングの際、図１１に示す
ように、キャピラリ８がリード４に押し当てるとき、キ
ャピラリ８の超音波振動９を絶縁シート２が吸収してし
まう。このため、図１２に示すように、絶縁シート２が
キャピラリ８の力を緩衝し、リード４が沈み込み、キャ
ピラリ８がバウンドしてしまう。このため、ワイヤ５が
断線を起す。また、ワイヤボンディングされていても、
ワイヤの接着強度が通常より低いため、信頼性試験の温
度サイクルのとき、ワイヤが剥がれるなどという問題点
があった。
【０００７】本発明は、以上述べたワイヤボンディング
のワイヤの断線と信頼性試験の温度サイクル試験の断線
という問題点を除去するため、集積回路チップと内部リ
ードの間に絶縁板を設けて接着し、ワイヤボンディング
性に優れた樹脂封止半導体装置およびその製造方法を提
供することを目的とする。
のワイヤの断線と信頼性試験の温度サイクル試験の断線
という問題点を除去するため、集積回路チップと内部リ
ードの間に絶縁板を設けて接着し、ワイヤボンディング
性に優れた樹脂封止半導体装置およびその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る樹脂封止半
導体装置は、集積回路チップと内部リードの間に、ボン
ディングパットに被らない大きさの絶縁板を設け、この
絶縁板の一方の面に集積回路チップを接着し、他方の面
に内部リードを接着した構造を設けたものである。
導体装置は、集積回路チップと内部リードの間に、ボン
ディングパットに被らない大きさの絶縁板を設け、この
絶縁板の一方の面に集積回路チップを接着し、他方の面
に内部リードを接着した構造を設けたものである。
【０００９】また、本発明に係る樹脂封止半導体装置の
製造方法は、集積回路チップを絶縁板の一方の面に接着
する第１の工程と、内部リードを絶縁板の他方の面に接
着する第２の工程と、絶縁板の他方の面に形成したキャ
ピティ中に第２集積回路チップを接着する第３の工程と
を設けたものである。
製造方法は、集積回路チップを絶縁板の一方の面に接着
する第１の工程と、内部リードを絶縁板の他方の面に接
着する第２の工程と、絶縁板の他方の面に形成したキャ
ピティ中に第２集積回路チップを接着する第３の工程と
を設けたものである。
【００１０】
【作用】本発明は内部リードが絶縁板に接着するため、
接着強度が上り、ワイヤボンディング性を向上すること
ができる。
接着強度が上り、ワイヤボンディング性を向上すること
ができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止半導体装置の一
実施例を示す平面図であり、図２はそのＢ１−Ｂ２断面
側面図である。図において、１０はガラス、ポリイミ
ド、セラミックなどの材質を使用した絶縁板、１１ａお
よび１１ｂはこの絶縁板１０の両面に塗布した接着剤ま
たはこの絶縁板１０の両面にそれぞれ接着した接着シー
トである。
実施例を示す平面図であり、図２はそのＢ１−Ｂ２断面
側面図である。図において、１０はガラス、ポリイミ
ド、セラミックなどの材質を使用した絶縁板、１１ａお
よび１１ｂはこの絶縁板１０の両面に塗布した接着剤ま
たはこの絶縁板１０の両面にそれぞれ接着した接着シー
トである。
【００１２】この構成による樹脂封止半導体装置では、
搭載される集積回路チップ１のボンディングパット６を
除いた非回路主面に、内部リード４があり、その金属メ
ッキ部分と集積回路チップ１の配列形成されたボンディ
ングパット６まで、ワイヤ５を延長し、接続する。ま
た、内部リード４は図３に示すように、接着剤または接
着シート１１ａによって絶縁板１０に接着固定される。
このため、ワイヤボンディング時、図示せぬキャピラリ
が内部リード４に押し当てるとき、キャピラリの超音波
振動は絶縁板１０に吸収されることがなくなり、しかも
図示せぬキャピラリの力を緩衝することがないので、ワ
イヤ５の断線をなくすことができる。しかも、ワイヤ５
の接着強度を充分にとれるため、信頼性試験の温度サイ
クルでワイヤの剥れをなくすことができる。
搭載される集積回路チップ１のボンディングパット６を
除いた非回路主面に、内部リード４があり、その金属メ
ッキ部分と集積回路チップ１の配列形成されたボンディ
ングパット６まで、ワイヤ５を延長し、接続する。ま
た、内部リード４は図３に示すように、接着剤または接
着シート１１ａによって絶縁板１０に接着固定される。
このため、ワイヤボンディング時、図示せぬキャピラリ
が内部リード４に押し当てるとき、キャピラリの超音波
振動は絶縁板１０に吸収されることがなくなり、しかも
図示せぬキャピラリの力を緩衝することがないので、ワ
イヤ５の断線をなくすことができる。しかも、ワイヤ５
の接着強度を充分にとれるため、信頼性試験の温度サイ
クルでワイヤの剥れをなくすことができる。
【００１３】図４は本発明に係る樹脂封止半導体装置の
他の実施例を示す平面図である。図において、１２はパ
ターン１３を形成し、このパターン１３上にレジストを
コーティングしたガラエポ、ポリイミド、セラミックな
どの材質で作られた絶縁板、１４はこの絶縁板１２に搭
載した第２集積回路チップ、１５はパターン１３に接続
したボンディングパットである。
他の実施例を示す平面図である。図において、１２はパ
ターン１３を形成し、このパターン１３上にレジストを
コーティングしたガラエポ、ポリイミド、セラミックな
どの材質で作られた絶縁板、１４はこの絶縁板１２に搭
載した第２集積回路チップ、１５はパターン１３に接続
したボンディングパットである。
【００１４】この構成による樹脂封止半導体装置では、
内部リード４と絶縁板１２は接着剤または接着シート１
１ａにより接着しており、ワイヤボンディングされる部
分にはかからないようになっている。そして、図６に示
すように、集積回路チップ１から内部リード４の表面に
ワイヤボンドを行い、さらにこの内部リード４からパタ
ーン１３のボンディングパット１５にワイヤボンドを行
い、さらに、このボンディングパット１５から第２集積
回路チップ１４にワイヤボンドする。このようなワイヤ
ボンディング時、図示せぬキャピラリが内部リード４に
押し当てるとき、キャピラリの超音波振動は絶縁板１２
に吸収されることがなくなり、しかも図示せぬキャピラ
リの力を緩衝することがないので、ワイヤ５の断線をな
くすことができる。しかも、ワイヤ５の接着強度を充分
にとれるため、信頼性試験の温度サイクルでワイヤの剥
れをなくすことができる。
内部リード４と絶縁板１２は接着剤または接着シート１
１ａにより接着しており、ワイヤボンディングされる部
分にはかからないようになっている。そして、図６に示
すように、集積回路チップ１から内部リード４の表面に
ワイヤボンドを行い、さらにこの内部リード４からパタ
ーン１３のボンディングパット１５にワイヤボンドを行
い、さらに、このボンディングパット１５から第２集積
回路チップ１４にワイヤボンドする。このようなワイヤ
ボンディング時、図示せぬキャピラリが内部リード４に
押し当てるとき、キャピラリの超音波振動は絶縁板１２
に吸収されることがなくなり、しかも図示せぬキャピラ
リの力を緩衝することがないので、ワイヤ５の断線をな
くすことができる。しかも、ワイヤ５の接着強度を充分
にとれるため、信頼性試験の温度サイクルでワイヤの剥
れをなくすことができる。
【００１５】なお、上記第２集積回路チップ１４は絶縁
板１２にキャビティがあり、エポキシ系接着剤、ポリイ
ミド系接着剤で接着できるようになっている。
板１２にキャビティがあり、エポキシ系接着剤、ポリイ
ミド系接着剤で接着できるようになっている。
【００１６】図７は本発明に係る樹脂封止半導体装置の
製造方法の一実施例を示す断面図であり、その製造工程
について説明すると、まず、図７（Ａ）に示すように、
絶縁板１２に接着剤または接着シート１１ａにより内部
リード４を接着する。この絶縁板１２には、あらかじ
め、ボンディングパットにかからない形状で接着剤また
は接着シートがついており、内部リード４と絶縁板１２
を温度１２０℃〜１５０℃で熱圧着することによって、
接着剤が溶け、接着固定することができる。そして、図
７（Ｂ）に示すように、絶縁板１２の下面の接着剤また
は接着シート１１ｂと集積回路チップ１のボンディング
パットの被さらない部分とで同様な熱圧着する。そし
て、図７（Ｃ）に示すように、絶縁板１２の上面にある
キャビティの中にエポキシ系接着剤、ポリイミド系接着
剤または半田ペーストを塗布する。そして、図７（Ｄ）
に示すように、このキャビティの中に第２集積回路チッ
プ１４をボンディングし、１５０℃〜１８０℃の恒温槽
の中に入れて硬化させるが、半田ペーストの場合には、
１８５℃〜２２０℃の熱（半田ゴテまたは赤外線など）
によって接着させる。ただし、この場合、半導体集積回
路ではなく、コンデンサ、抵抗など半田接合をする電子
部品である。そして、図７（Ｅ）に示すように、ワイヤ
ボンドを第２集積回路チップ１４と絶縁板１２のボンデ
ィングパット１５、このボンディングパット１５から内
部リード４、この内部リード４から集積回路チップ１へ
それぞれワイヤボンドする。そして、以降の製造工程に
ついては従来の通り進めるものである。
製造方法の一実施例を示す断面図であり、その製造工程
について説明すると、まず、図７（Ａ）に示すように、
絶縁板１２に接着剤または接着シート１１ａにより内部
リード４を接着する。この絶縁板１２には、あらかじ
め、ボンディングパットにかからない形状で接着剤また
は接着シートがついており、内部リード４と絶縁板１２
を温度１２０℃〜１５０℃で熱圧着することによって、
接着剤が溶け、接着固定することができる。そして、図
７（Ｂ）に示すように、絶縁板１２の下面の接着剤また
は接着シート１１ｂと集積回路チップ１のボンディング
パットの被さらない部分とで同様な熱圧着する。そし
て、図７（Ｃ）に示すように、絶縁板１２の上面にある
キャビティの中にエポキシ系接着剤、ポリイミド系接着
剤または半田ペーストを塗布する。そして、図７（Ｄ）
に示すように、このキャビティの中に第２集積回路チッ
プ１４をボンディングし、１５０℃〜１８０℃の恒温槽
の中に入れて硬化させるが、半田ペーストの場合には、
１８５℃〜２２０℃の熱（半田ゴテまたは赤外線など）
によって接着させる。ただし、この場合、半導体集積回
路ではなく、コンデンサ、抵抗など半田接合をする電子
部品である。そして、図７（Ｅ）に示すように、ワイヤ
ボンドを第２集積回路チップ１４と絶縁板１２のボンデ
ィングパット１５、このボンディングパット１５から内
部リード４、この内部リード４から集積回路チップ１へ
それぞれワイヤボンドする。そして、以降の製造工程に
ついては従来の通り進めるものである。
【００１７】なお、上記絶縁板１０および１２上に、回
路を形成することができ、内部リードを接続したときに
は集積度を上げることができることはもちろんである。
路を形成することができ、内部リードを接続したときに
は集積度を上げることができることはもちろんである。
【００１８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る樹脂封止半導体装置およびその製造方法によれば、集
積回路チップと内部リード間に絶縁板を介在させて接着
固定するようにしたので、内部リードのワイヤボンド強
度が向上し、ワイヤの断線や信頼性試験の際の断線を防
ぐことができ、安定したワイヤボンドを行なうことがで
きるなどの効果がある。
る樹脂封止半導体装置およびその製造方法によれば、集
積回路チップと内部リード間に絶縁板を介在させて接着
固定するようにしたので、内部リードのワイヤボンド強
度が向上し、ワイヤの断線や信頼性試験の際の断線を防
ぐことができ、安定したワイヤボンドを行なうことがで
きるなどの効果がある。
【図１】本発明に係る樹脂封止半導体装置の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１のＢ１−Ｂ２断面側面図である。
【図３】図２のＢ部の拡大図である。
【図４】本発明に係る樹脂封止半導体装置の他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】図４のＣ１−Ｃ２断面側面図である。
【図６】図５のＣ部の拡大図である。
【図７】本発明に係る樹脂封止半導体装置の製造方法の
一実施例を工程順に示す断面図である。
一実施例を工程順に示す断面図である。
【図８】従来の樹脂封止半導体装置を示す平面図であ
る。
る。
【図９】図８のＡ１−Ａ２断面側面図である。
【図１０】図９のＡ部の拡大図である。
【図１１】キャピラリの動作を説明する断面図である。
【図１２】キャピラリの動作を説明する断面図である。
【符号の説明】 １０，１２ 絶縁板 １１ａ，１１ｂ 接着シート １４ 第２集積回路チップ １５ ボンディングパット
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止半導体装置において、集積回路
チップと内部リード間に絶縁板を設け、この絶縁板の一
方の面に集積回路チップを接着し、他方の面に内部リー
ドを接着したことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁板の他方の面に内部リードのほ
か、配線パターンおよび第２集積回路チップを接着した
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項３】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、集積回路チップを絶縁板の一方の面に接着する第１
の工程と、内部リードを絶縁板の他方の面に接着する第
２の工程と、絶縁板の他方の面に形成したキャピティ中
に第２集積回路チップを接着する第３の工程と、第２集
積回路チップと絶縁板のボンディングパット、このボン
ディングパットから内部リード、この内部リードから集
積回路チップへそれぞれワイヤボンドする第４の工程と
を備えたことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159288A JPH065646A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159288A JPH065646A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065646A true JPH065646A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15690526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159288A Pending JPH065646A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065646A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9947770B2 (en) | 2007-04-03 | 2018-04-17 | Vishay-Siliconix | Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159288A patent/JPH065646A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9947770B2 (en) | 2007-04-03 | 2018-04-17 | Vishay-Siliconix | Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture |
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