JPH07193183A - 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH07193183A
JPH07193183A JP5329187A JP32918793A JPH07193183A JP H07193183 A JPH07193183 A JP H07193183A JP 5329187 A JP5329187 A JP 5329187A JP 32918793 A JP32918793 A JP 32918793A JP H07193183 A JPH07193183 A JP H07193183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner lead
adhesive sheet
chip
resin
insulating adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5329187A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Nasu
英和 奈須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd, Miyazaki Oki Electric Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP5329187A priority Critical patent/JPH07193183A/ja
Publication of JPH07193183A publication Critical patent/JPH07193183A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/536Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/531Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/853On the same surface
    • H10W72/865Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インナーリードの幅を狭めずに、絶縁接着シ
ートに緩い隆起状の曲面部を形成することにより、気泡
が生じない、ダイボンディング性に優れた樹脂封止半導
体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 インナーリードとICチップとを絶縁接着シ
ートにより接合する樹脂封止半導体装置において、緩い
隆起状の曲面部18が形成されるインナーリード14
と、このインナーリード14に固着される絶縁接着シー
ト13とを有し、この絶縁接着シート13のICチップ
11への接着面に緩い隆起状の曲面部を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止半導体装置の
構造及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開昭61−218139号に開示されるもの
があり、ICチップの大型化に伴い、パッケージ側端と
ICチップ取付部であるタブとの間の寸法が一段と狭く
なる傾向にある。これは、ICチップが大きくなってい
るのに、これを収納するパッケージサイズが規格化され
ているため、上記寸法を大きくすることができないこと
に起因する。
【0003】その結果、外部端子であるリードのうち、
パッケージを形成する樹脂に埋設される長さが、その構
造上短い、いわゆる短リードにおいては、その接着強度
が、一段と小さくなるため、パッケージから抜け易い。
また、リード折曲成形時に、リードと樹脂との剥がれが
生じ易くなる。そのため、電気的導通不良、もしくは耐
湿性低下等の半導体装置の信頼性低下を来たし易くな
る。
【0004】そこで、ICチップの非回路形成面にボン
ディング・パッドに被らない大きさの絶縁シートを接着
し、該絶縁シート上面には、インナーリードを延在せし
め、その内部リードとモールド樹脂との接着力を大幅に
向上させ、大型ICチップを搭載する場合でも、モール
ド樹脂からのリード抜けを防止できるようにしている。
【0005】図6はかかる従来の樹脂封止半導体装置の
平面断面図、図7は図6のA−A線断面図、図8は図7
のA部拡大図である。ここでは、樹脂封止半導体装置は
リードオンチップパッケージとして示されている。すな
わち、ICチップ1にはインナーリード4が絶縁接着シ
ート3を介して固着される。この絶縁接着シート3は中
央にベースフィルム6を有し、その両側に接着材5が設
けられている。
【0006】また、インナーリード4がICチップ1に
固着された後、ICチップ1とインナーリード4は金属
細線(図示なし)で接続され、最後にICチップ1はモ
ールド樹脂2で封止される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の樹脂封止半導体装置では、図8に示すように、
ダイボンディング時に絶縁接着シート3とICチップ1
の間に、空気が封じ込められ、気泡7が生じて、半田耐
熱性に影響を与えるという問題があった。これを回避す
るためには、図6に示すインナーリード4の幅を狭める
という方法もあるが、その場合、ワイヤボンディングの
時、セカンドボンド側の強度不足が懸念される。
【0008】本発明は、以上述べたような、インナーリ
ード下の絶縁接着シートと、ICチップ間に気泡ができ
るという問題点を除去するため、インナーリードの幅を
狭めずに、絶縁接着シートに緩い隆起状の曲面部を形成
することにより、気泡が生じない、ダイボンディング性
に優れた樹脂封止半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、インナーリードとICチップとを絶縁接
着シートにより接合する樹脂封止半導体装置において、
緩い隆起状の曲面部を有するインナーリードと、該イン
ナーリードに固着される絶縁接着シートとを有し、該絶
縁接着シートのICチップへの接着面に緩い隆起状の曲
面部を設けるようにしたものである。
【0010】また、インナーリードとICチップとを絶
縁接着シートにより接合する樹脂封止半導体装置の製造
方法において、インナーリードに緩い隆起状の曲面部を
形成する工程と、該インナーリードに同様の緩い隆起状
の曲面部を有する絶縁接着シートを接着する工程と、該
絶縁接着シートの緩い隆起状の曲面部をICチップにダ
イボンディングする工程とを施すようにしたものであ
る。
【0011】
【作用】本発明は、上記したように、緩い隆起状の曲面
部を形成するインナーリードと、該インナーリードに固
着される絶縁接着シートとを有し、該絶縁接着シートの
ICチップへの接着面に緩い隆起状の曲面部を形成する
ようにしたので、インナーリードをICチップにダイボ
ンディング時には、絶縁接着シートの中央部から徐々に
ICチップに接合され、空気は外側へ押し出されるの
で、絶縁接着シートのICチップへの接合面には、従来
のように、気泡が発生することはなくなり、気泡のない
ダイボンディングを行うことができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示す樹脂封止半導体装置の要部部分断面(図3のB部拡
大)図、図2は本発明の第1の実施例を示す樹脂封止半
導体装置の平面断面図、図3は図2のB−B線断面図、
図4はその樹脂封止半導体装置のインナーリードの製造
工程図である。ここでは、LOC(リードオンチップ)
について説明する。
【0013】図1〜図3に示すように、ICチップ11
には緩い隆起状の曲面部18を有するインナーリード1
4が同様に緩い隆起状の曲面部を有する絶縁接着シート
13を介して固着される。この絶縁接着シート13は中
央にベースフィルム16を有し、その両側に接着材15
が設けられている。また、インナーリード14がICチ
ップ11に固着された後、ICチップ11とインナーリ
ード14は金属細線25〔図5(d)参照〕で接続さ
れ、最後にICチップ11はモールド樹脂12で封止さ
れる。
【0014】次に、本発明の第1の実施例を示す樹脂封
止半導体装置のインナーリードの製造方法について図4
を用いて説明する。ここでは、パンチによる製造方法に
ついて述べる。まず、図4(a)に示すように、上部金
型20とインナーリード14を変位させるための窪みの
ついた下部金型21でインナーリード14を固定する。
【0015】次に、図4(b)に示すように、インナー
リード14をパンチ22でプレスする。すると、インナ
ーリード14は下方に緩い隆起状の曲面部18が形成さ
れる。また、この時、インナーリード14のワイヤボン
ディングのセカンド面(インナーリード14の先端より
0.3mm程度以上)には、プレスしないようにする。
【0016】次いで、図4(c)に示すように、ワイヤ
ボンディングのセカンド面23にはAgめっき処理を行
う。次いで、図4(d)に示すように、インナーリード
14に絶縁接着シート13を貼付ける。この時、絶縁接
着シート側の金型(図示なし)には絶縁接着シート13
に緩い隆起状の曲面部13aが形成されるように緩い窪
みをつけておく。
【0017】このようにして得られた絶縁接着シート1
3が固着されたインナーリード14は、図1に示すよう
に、ICチップ11にダイボンディングされる。すなわ
ち、絶縁接着シート13は中央部が盛り上がった形とな
る。よって、ICチップ11にダイボンディング時に
は、絶縁接着シート13の中央部から徐々にICチップ
11に接合され、空気は外側へ押し出されるので、従来
の図8に示すような気泡7が発生することはなくなり、
気泡のないダイボンディングを行うことができる。
【0018】このインナーリードのダイボンディング工
程について図5を用いて詳細に説明する。前記したよう
にして絶縁接着シート13が固着されたインナーリード
14が得られると、図5(a)に示すように、ICチッ
プ11のダイボンディング位置にに位置決めする。
【0019】次に、図5(b)に示すように、インナー
リード14をICチップ11にダイボンディングする。
この時、絶縁接着シート13のICチップ11への接着
面には緩い隆起状の曲面部13aが形成され、絶縁接着
シート13は中央部が盛り上がった形となっているの
で、ダイボンディング時には、絶縁接着シート13の中
央部から徐々にICチップ11に接合され、空気は外側
へ押し出される。
【0020】次に、図5(c)に示すように、インナー
リード14はICチップ11のダイボンディング位置に
気泡のない状態でダイボンディングされる。次に、図5
(d)に示すように、ICチップ11のボンディングパ
ッド19に金属細線25のファーストボンディングを行
い、インナーリード14のワイヤボンディングのセカン
ド面23に金属細線25のセカンドボンディングを行
う。
【0021】次に、本発明の第2の実施例について図を
用いて説明する。図9は本発明の第2の実施例を示す樹
脂封止半導体装置の断面図、図10はその樹脂封止半導
体装置の要部拡大断面(図9のC部拡大)図である。こ
こでは、COL(チップオンリード)について説明す
る。図9〜図10に示すように、ICチップ31には緩
い隆起状の曲面部38を有するインナーリード34が同
様に緩い隆起状の曲面部を有する絶縁接着シート33を
介して固着される。この絶縁接着シート33は中央にベ
ースフィルム35を有し、その両側に接着材36が設け
られている。
【0022】また、インナーリード34がICチップ3
1に固着された後、ICチップ31とインナーリード3
4は金属細線37で接続される。つまり、ICチップ3
1のボンディングパッド34に金属細線37のファース
トボンディングを行い、インナーリード34のセカンド
面に金属細線37のセカンドボンディングを行う。最後
にICチップ31はモールド樹脂32で封止される。
【0023】次に、本発明の第3の実施例について図を
用いて説明する。この実施例においては、インナーリー
ドの絶縁接着シートが設けられる反対側に凹凸を形成
し、モールド樹脂との密着性の向上を図るようにしたも
のである。以下、そのインナーリードの製造方法につい
て図11を用いて説明する。ここでは、コイニングによ
る製造方法について述べる。
【0024】まず、図11(a)に示すように、インナ
ーリード41を変形させるための緩い窪みのついた下部
金型51上にインナーリード41をセットし、クランパ
52でインナーリード41を固定する。次いで、図11
(b)に示すように、上部金型50でインナーリード4
1をプレスし、緩い隆起状の曲面部42を形成する。こ
の時、上部金型50のインナーリード41に接する面
は、ワイヤボンディングのセカンド面を除いて、凹凸部
53を設ける。
【0025】次に、図11(c)に示すように、インナ
ーリード41の絶縁接着シートが設けられる反対側のワ
イヤボンディングのセカンド面43を除いた個所に凹凸
部44を形成する。次に、インナーリード41のワイヤ
ボンディングのセカンド面43にAgめっき処理を行
う。次に、図11(d)に示すように、絶縁接着シート
45を固着する。この絶縁接着シート45は、中央にベ
ースフィルム46を有し、その両側に接着材47が設け
られている。
【0026】このようにして得られた絶縁接着シート4
5を有するインナーリード41をICチップ(図示な
し)へ固着し、ワイヤボンディングを行った後に、樹脂
封止する。このように、インナーリード41には凹凸部
44が形成されているので、樹脂封止されるモールド樹
脂はその凹凸部44に充填され、モールド樹脂との密着
性が高まり、パッケージ側端とICチップ取付部である
タブとの間の寸法が狭くなっても、インナーリード41
の引抜強度を高めることができる。
【0027】また、このようにして得られた絶縁接着シ
ートを有するインナーリード41はLOC(リードオン
チップ)又はCOL(チップオンリード)のいずれにも
適用できることは言うまでもない。なお、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
いて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
【0028】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ICチップと接着する絶縁接着シートに緩い隆
起状の曲面部を持たせるようにしたので、絶縁接着シー
トとICチップの接合面に気泡が生じることがなく、半
田耐熱性に優れた良好な接合面を有する樹脂封止半導体
装置を得ることができる。
【0029】更に、請求項2に示すように、インナーリ
ード表面に凹凸部を形成することにより、インナーリー
ドと封止樹脂の密着性を向上させ、インナーリードの引
抜強度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す樹脂封止半導体装
置の要部部分断面(図3のB部拡大)図である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す樹脂封止半導体装
置の平面断面図である。
【図3】図2のB−B線断面図である。
【図4】本発明の第1の実施例を示す樹脂封止半導体装
置のインナーリードの製造工程図である。
【図5】本発明の第1の実施例を示す樹脂封止半導体装
置のインナーリードのICチップへの実装工程断面図で
ある。
【図6】従来の樹脂封止半導体装置の平面断面図であ
る。
【図7】図6のA−A線断面図である。
【図8】図7のA部拡大図である。
【図9】本発明の第2の実施例を示す樹脂封止半導体装
置の断面図である。
【図10】本発明の第2の実施例を示す樹脂封止半導体
装置の要部拡大断面(図9のC部拡大)図である。
【図11】本発明の第2の実施例を示す樹脂封止半導体
装置のインナーリードの製造工程断面図である。
【符号の説明】
11,31 ICチップ 12,32 モールド樹脂 13,33,45 絶縁接着シート 13a,18,38,42 緩い隆起状の曲面部 14,34,41 インナーリード 15,36,47 接着材 16,35,46 ベースフィルム 19,34 ボンディングパッド 20,50 上部金型 21,51 下部金型 22 パンチ 23,43 ワイヤボンディングのセカンド面 25,37 金属細線 44,53 凹凸部 52 クランパ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インナーリードとICチップとを絶縁接
    着シートにより接合する樹脂封止半導体装置において、
    (a)緩い隆起状の曲面部を有するインナーリードと、
    (b)該インナーリードに固着される絶縁接着シートと
    を有し、(c)該絶縁接着シートのICチップへの接着
    面に緩い隆起状の曲面部を設けることを特徴とする樹脂
    封止半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の樹脂封止半導体装置にお
    いて、前記インナーリードの絶縁接着シートが設けられ
    る反対側に凹凸部を具備することを特徴とする樹脂封止
    半導体装置。
  3. 【請求項3】 インナーリードとICチップとを絶縁接
    着シートにより接合する樹脂封止半導体装置の製造方法
    において、(a)インナーリードに緩い隆起状の曲面部
    を形成する工程と、(b)該インナーリードに同様の緩
    い隆起状の曲面部を有する絶縁接着シートを接着する工
    程と、(c)該絶縁接着シートの緩い隆起状の曲面部を
    ICチップにダイボンディングする工程を施すことを特
    徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の樹脂封止半導体装置の製
    造方法において、前記(a)工程はインナーリードに緩
    い隆起状の曲面部を形成するとともに、該インナーリー
    ドの曲面部が設けられる反対側に凹凸部を形成すること
    を特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
JP5329187A 1993-12-27 1993-12-27 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 Withdrawn JPH07193183A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5329187A JPH07193183A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 樹脂封止半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5329187A JPH07193183A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 樹脂封止半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07193183A true JPH07193183A (ja) 1995-07-28

Family

ID=18218629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5329187A Withdrawn JPH07193183A (ja) 1993-12-27 1993-12-27 樹脂封止半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07193183A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5646829A (en) Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads
JPH08222681A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08306853A (ja) 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
JPH11260856A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造
JPH1012773A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3663295B2 (ja) チップスケールパッケージ
JP3151346B2 (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその製造に用いるモールド金型
KR100366111B1 (ko) 수지봉합형 반도체장치의 구조
JPH10329461A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10242337A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH07193183A (ja) 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JPS63107152A (ja) 樹脂封止型電子部品
JPH0621303A (ja) 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JPH11186467A (ja) 半導体装置とそれを製造する際に用いるリードフレーム及びその製造方法
JPH0758273A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH065646A (ja) 樹脂封止半導体装置およびその製造方法
JP3203209B2 (ja) 半導体装置
JP3251436B2 (ja) リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JPH0366150A (ja) 半導体集積回路装置
JP2003243599A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPH08162596A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP2002164497A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS61125059A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH11297880A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法並びにリードフレーム及びその製造方法
JPH11145179A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010306