JPH065687B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH065687B2 JPH065687B2 JP3124888A JP12488891A JPH065687B2 JP H065687 B2 JPH065687 B2 JP H065687B2 JP 3124888 A JP3124888 A JP 3124888A JP 12488891 A JP12488891 A JP 12488891A JP H065687 B2 JPH065687 B2 JP H065687B2
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力用トランジスタ、
ダイオード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
ダイオード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な樹脂封止型パワートラン
ジスタにおいては、トランジスタチップが固着されてい
る放熱支持板の裏面には樹脂層が形成されていない。こ
のため、このパワートランジスタを外部放熱体に取付け
るに際しては、これ等の間の電気的絶縁のために、上記
放熱支持板の裏面と外部放熱体との間に比較的熱伝導性
の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介在させなければな
らず、パワートランジスタの取付け作業が煩雑になっ
た。
ジスタにおいては、トランジスタチップが固着されてい
る放熱支持板の裏面には樹脂層が形成されていない。こ
のため、このパワートランジスタを外部放熱体に取付け
るに際しては、これ等の間の電気的絶縁のために、上記
放熱支持板の裏面と外部放熱体との間に比較的熱伝導性
の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介在させなければな
らず、パワートランジスタの取付け作業が煩雑になっ
た。
【０００３】上述の如き欠点を解決するために、例え
ば、特開昭５７−１４７２６０号公報に開示されている
ように、放熱支持板の裏面にも薄い封止樹脂層（厚さ数
百μｍ）を形成し、マイカ薄板等を不要にする構造が提
案されている。図１１及び図１２は上述の如き従来のト
ランジスタ及びその製造方法を示すものである。この図
１１及び図１２において、１は放熱支持板、２はリー
ド、３はパワートランジスタチップ、４はチップ保護用
樹脂、５は封止樹脂体、６は上部金型、７は下部金型、
８は上部金型６と下部金型７が型締めされることによっ
て形成される空所９に封止樹脂を圧入するための注入
孔、１０は取付孔、１１、１２はリードフレームを構成
するための連結部である。なお、図１２において、連結
部１１、１２は最終的には切り落される。
ば、特開昭５７−１４７２６０号公報に開示されている
ように、放熱支持板の裏面にも薄い封止樹脂層（厚さ数
百μｍ）を形成し、マイカ薄板等を不要にする構造が提
案されている。図１１及び図１２は上述の如き従来のト
ランジスタ及びその製造方法を示すものである。この図
１１及び図１２において、１は放熱支持板、２はリー
ド、３はパワートランジスタチップ、４はチップ保護用
樹脂、５は封止樹脂体、６は上部金型、７は下部金型、
８は上部金型６と下部金型７が型締めされることによっ
て形成される空所９に封止樹脂を圧入するための注入
孔、１０は取付孔、１１、１２はリードフレームを構成
するための連結部である。なお、図１２において、連結
部１１、１２は最終的には切り落される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、チップ３が
装着されている支持板１の一方の主表面側の樹脂被覆部
５ａはチップ３を保護するために必然的に厚く形成さ
れ、支持板１の他方の主表面側の樹脂被覆部５ｂは放熱
効果を良くするために薄く形成される。このため、注入
孔８から例えばトランスファー成形法で樹脂を注入した
時に、支持板１の下側に樹脂が円滑に流入せず、未充填
部分又は絶縁耐力の低い部分が生じるおそれがあった。
今、パワートランジスタを例にとって説明したが、ダイ
オード等の別の半導体装置においても同様な問題があ
る。
装着されている支持板１の一方の主表面側の樹脂被覆部
５ａはチップ３を保護するために必然的に厚く形成さ
れ、支持板１の他方の主表面側の樹脂被覆部５ｂは放熱
効果を良くするために薄く形成される。このため、注入
孔８から例えばトランスファー成形法で樹脂を注入した
時に、支持板１の下側に樹脂が円滑に流入せず、未充填
部分又は絶縁耐力の低い部分が生じるおそれがあった。
今、パワートランジスタを例にとって説明したが、ダイ
オード等の別の半導体装置においても同様な問題があ
る。
【０００５】そこで、本発明の目的は、放熱支持板のチ
ップ装着面と反対の面に薄い樹脂被覆部を良好に形成す
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
することにある。
ップ装着面と反対の面に薄い樹脂被覆部を良好に形成す
ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、放熱機能を有する金属製支持板と、前記支
持板の一方の主表面上に装着された半導体チップと、前
記チップに電気的に接続されたリードと、前記支持板、
前記チップ及び前記リードの一部を被覆する絶縁性樹脂
被覆体とから成り、且つ前記支持板の一方の主表面側の
樹脂被覆部が他方の主表面側の樹脂被覆部よりも厚くな
るように前記樹脂被覆体が形成され、且つ前記支持板の
側面にも前記樹脂被覆体が形成されている樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、前記一方の主表面側の樹
脂被覆部の前記チップを被覆する第１の被覆部分及び前
記支持板の一方の端部側を被覆する第２の被覆部分との
間に前記第１及び第２の被覆部分よりも薄い第３の被覆
部分を生じさせるように形成された突出部を備え、前記
突出部が前記樹脂被覆体を得るための成形空所の側面に
連続している樹脂封止用型を用意し、前記樹脂封止用型
に前記チップ及び前記リードを伴った前記支持板を装着
し、前記支持板の前記一方の端部側に対応するように前
記樹脂封止用型に設けられた注入孔から前記成形空所に
流動性を有する樹脂を注入し、前記突出部で前記樹脂の
流れを抑制しつつ前記支持板の一方及び他方の主表面側
に樹脂被覆部を形成する樹脂封止型半導体装置の製造方
法に係わるものである。
の本発明は、放熱機能を有する金属製支持板と、前記支
持板の一方の主表面上に装着された半導体チップと、前
記チップに電気的に接続されたリードと、前記支持板、
前記チップ及び前記リードの一部を被覆する絶縁性樹脂
被覆体とから成り、且つ前記支持板の一方の主表面側の
樹脂被覆部が他方の主表面側の樹脂被覆部よりも厚くな
るように前記樹脂被覆体が形成され、且つ前記支持板の
側面にも前記樹脂被覆体が形成されている樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、前記一方の主表面側の樹
脂被覆部の前記チップを被覆する第１の被覆部分及び前
記支持板の一方の端部側を被覆する第２の被覆部分との
間に前記第１及び第２の被覆部分よりも薄い第３の被覆
部分を生じさせるように形成された突出部を備え、前記
突出部が前記樹脂被覆体を得るための成形空所の側面に
連続している樹脂封止用型を用意し、前記樹脂封止用型
に前記チップ及び前記リードを伴った前記支持板を装着
し、前記支持板の前記一方の端部側に対応するように前
記樹脂封止用型に設けられた注入孔から前記成形空所に
流動性を有する樹脂を注入し、前記突出部で前記樹脂の
流れを抑制しつつ前記支持板の一方及び他方の主表面側
に樹脂被覆部を形成する樹脂封止型半導体装置の製造方
法に係わるものである。
【０００７】本発明によれば、支持板の一端近傍に配置
された注入孔から注入された封止樹脂の流れは突出部に
よって抑制される。成形空所に注入された樹脂の成形空
所の側壁近傍における樹脂の流れは、半導体チップを良
好に被覆する。もし、成形用型が本発明に基づく突出部
を具備していなければ、支持板の側面に隣接する成形空
所では支持板による上下の分離がなされず、樹脂は自由
に流れる。従って、支持板の上側（一方の主表面側）と
下側（他方の主表面側）との樹脂注入のバランスの調整
ができない。これに対し、本発明に従うように成形空所
の側壁に連続するように突出部を設ければ、支持板の側
面領域における樹脂の流れが調整され、樹脂の流れのバ
ランスが良くなる。
された注入孔から注入された封止樹脂の流れは突出部に
よって抑制される。成形空所に注入された樹脂の成形空
所の側壁近傍における樹脂の流れは、半導体チップを良
好に被覆する。もし、成形用型が本発明に基づく突出部
を具備していなければ、支持板の側面に隣接する成形空
所では支持板による上下の分離がなされず、樹脂は自由
に流れる。従って、支持板の上側（一方の主表面側）と
下側（他方の主表面側）との樹脂注入のバランスの調整
ができない。これに対し、本発明に従うように成形空所
の側壁に連続するように突出部を設ければ、支持板の側
面領域における樹脂の流れが調整され、樹脂の流れのバ
ランスが良くなる。
【０００８】
【実施例】次に、図１〜図１１を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型トランジスタおよびその製造方法
について述べる。
例に係わる樹脂封止型トランジスタおよびその製造方法
について述べる。
【０００９】図１、図２、及び図３は完成したトランジ
スタを示し、図４はリードフレームにチップを装着した
状態を示し、図５は樹脂封止が完成したリードフレーム
を示し、図６は金型を示し、図７〜図１０は金型を使用
してトランスファー成形法で樹脂被覆体を形成する工程
を示す。
スタを示し、図４はリードフレームにチップを装着した
状態を示し、図５は樹脂封止が完成したリードフレーム
を示し、図６は金型を示し、図７〜図１０は金型を使用
してトランスファー成形法で樹脂被覆体を形成する工程
を示す。
【００１０】図１〜図３のトランジスタを形成する際に
は、まず、図４に示すリードフレームと呼ばれる半導体
装置組立体を用意する。図４において、２１はニッケル
被覆銅板から成る放熱支持板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
は同じ材料からなる外部リードで、２２ａがベースリー
ド、２２ｂがコレクタリード、２２ｃがエミッタリード
である。２３はシリコンパワートランジスタチップで、
上面にはベース電極及びエミッタ電極が、下面にはコレ
クタ電極がそれぞれ形成されている。このチップ２３は
下面において放熱支持板２１に半田（図示せず）により
固着されている。２４ａ、２４ｃはアルミニウム線から
成る内部リードであり、チップ２３のベース電極とベー
スリード２２ａとの間、及びチップ２３のエミッタ電極
とエミッタリード２２ｃとの間に配設されている。２５
はジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチップ
保護用のシリコン樹脂から成る保護層である。２６はタ
イバーと呼ばれるリード同志の連結部である。２７はリ
ード端を共通に連結する連結部である。放熱支持板２１
の一端部２１ａにはＵ字状の切欠部２８が形成されてい
る。なお、この切欠部２８の代りに放熱支持板２１に孔
を形成することもよく行われている。図４にはリードフ
レームの内の１個のパワートランジスタを示している
が、実際には単一のリードフレームは多数のトランジス
タを含む。
は、まず、図４に示すリードフレームと呼ばれる半導体
装置組立体を用意する。図４において、２１はニッケル
被覆銅板から成る放熱支持板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
は同じ材料からなる外部リードで、２２ａがベースリー
ド、２２ｂがコレクタリード、２２ｃがエミッタリード
である。２３はシリコンパワートランジスタチップで、
上面にはベース電極及びエミッタ電極が、下面にはコレ
クタ電極がそれぞれ形成されている。このチップ２３は
下面において放熱支持板２１に半田（図示せず）により
固着されている。２４ａ、２４ｃはアルミニウム線から
成る内部リードであり、チップ２３のベース電極とベー
スリード２２ａとの間、及びチップ２３のエミッタ電極
とエミッタリード２２ｃとの間に配設されている。２５
はジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチップ
保護用のシリコン樹脂から成る保護層である。２６はタ
イバーと呼ばれるリード同志の連結部である。２７はリ
ード端を共通に連結する連結部である。放熱支持板２１
の一端部２１ａにはＵ字状の切欠部２８が形成されてい
る。なお、この切欠部２８の代りに放熱支持板２１に孔
を形成することもよく行われている。図４にはリードフ
レームの内の１個のパワートランジスタを示している
が、実際には単一のリードフレームは多数のトランジス
タを含む。
【００１１】本実施例では、図４に示すリードフレーム
に、図５に示す如く樹脂被覆体３７を設け、しかる後、
連結部２６、２７を切落すことによって図１〜図３の樹
脂封止型トランジスタを完成させる。図１〜図３から明
らかな如く、支持板２１の一方の主表面（上面）側には
比較的厚い樹脂被覆部３７ａが設けられ、他方の主表面
（下面）側には薄い樹脂被覆部３７ｂが設けられてい
る。上側の樹脂被覆部３７ａは、チップ２３、保護層２
５、内部リード２４ａ、２４ｃを覆う最も厚い第１の被
覆部分４１と、支持板２１の一端部２１ａの側を被覆す
る部分４２と、上記第１の被覆部分４１と第２の被覆部
分４２との間にこれ等よりも薄く形成された第３の被覆
部分４３とを有する。この結果、樹脂被覆体３７の表面
には薄い被覆部分４３に対応して溝３８が形成されてい
る。なお、溝３８は、取付孔３９とチップ２３とを結ぶ
直線上には設けられていない。
に、図５に示す如く樹脂被覆体３７を設け、しかる後、
連結部２６、２７を切落すことによって図１〜図３の樹
脂封止型トランジスタを完成させる。図１〜図３から明
らかな如く、支持板２１の一方の主表面（上面）側には
比較的厚い樹脂被覆部３７ａが設けられ、他方の主表面
（下面）側には薄い樹脂被覆部３７ｂが設けられてい
る。上側の樹脂被覆部３７ａは、チップ２３、保護層２
５、内部リード２４ａ、２４ｃを覆う最も厚い第１の被
覆部分４１と、支持板２１の一端部２１ａの側を被覆す
る部分４２と、上記第１の被覆部分４１と第２の被覆部
分４２との間にこれ等よりも薄く形成された第３の被覆
部分４３とを有する。この結果、樹脂被覆体３７の表面
には薄い被覆部分４３に対応して溝３８が形成されてい
る。なお、溝３８は、取付孔３９とチップ２３とを結ぶ
直線上には設けられていない。
【００１２】図１〜図３及び図５に示す樹脂被覆体３７
は、図６に示す上部金型２９と下部金型３０とを図７及
び図８に示す如く組み合せ、ここに、図９及び図１０に
示す如く樹脂を注入することにより形成する。図６〜図
１０において、３１は、上部金型２９と下部金型３０が
型締めされることによって形成される成形空所３２に封
止樹脂を圧入するための注入孔である。２９ａは図１に
示した取付孔３９を形成するために上部金型２９から突
出した円柱状ピンで、放熱支持板２１の切欠部２８を貫
通している。２９ｂは上部金型２９から突出した仕切り
状の突出部であり、図１の溝３８を形成するものであ
る。なお、仕切り状の突出部２９ｂは成形空所３２の両
側壁に連続するように形成され且つその中央に樹脂の流
れを許す溝３５を有している。図４に示すリードフレー
ムを金型２９、３０に入れる際には、図６の矢印３３、
３４で示すように、上部金型２９と下部金型３０とを合
せて型締めする。この時、溝３６ａでリード２２ａを溝
３６ｂでリード２２ｂを溝３６ｃでリード２２ｃをそれ
ぞれ挾持する。この結果、図７及び図８に示す如く金型
２９、３０で形成された成形空所３２の中に支持板２１
が浮いた状態に配置される。また、図１〜図３に示す樹
脂被覆体３７を得るために、上部空所３２ａが広くな
り、下部空所３２ｂが狭くなるように配置される。しか
し、本発明に従ってチップ２３の上の広い空所３２ａの
入り口近傍に樹脂の流れの強さを抑制するための突出部
２９ｂが設けられているので、注入孔３１から注入した
樹脂は狭い下部空所３２ｂにも比較的良好に浸入する。
また、突出部２９ｂは成形空所３２の側壁に連続してい
るので、支持板２１の側面近傍の樹脂の流れを抑制す
る。
は、図６に示す上部金型２９と下部金型３０とを図７及
び図８に示す如く組み合せ、ここに、図９及び図１０に
示す如く樹脂を注入することにより形成する。図６〜図
１０において、３１は、上部金型２９と下部金型３０が
型締めされることによって形成される成形空所３２に封
止樹脂を圧入するための注入孔である。２９ａは図１に
示した取付孔３９を形成するために上部金型２９から突
出した円柱状ピンで、放熱支持板２１の切欠部２８を貫
通している。２９ｂは上部金型２９から突出した仕切り
状の突出部であり、図１の溝３８を形成するものであ
る。なお、仕切り状の突出部２９ｂは成形空所３２の両
側壁に連続するように形成され且つその中央に樹脂の流
れを許す溝３５を有している。図４に示すリードフレー
ムを金型２９、３０に入れる際には、図６の矢印３３、
３４で示すように、上部金型２９と下部金型３０とを合
せて型締めする。この時、溝３６ａでリード２２ａを溝
３６ｂでリード２２ｂを溝３６ｃでリード２２ｃをそれ
ぞれ挾持する。この結果、図７及び図８に示す如く金型
２９、３０で形成された成形空所３２の中に支持板２１
が浮いた状態に配置される。また、図１〜図３に示す樹
脂被覆体３７を得るために、上部空所３２ａが広くな
り、下部空所３２ｂが狭くなるように配置される。しか
し、本発明に従ってチップ２３の上の広い空所３２ａの
入り口近傍に樹脂の流れの強さを抑制するための突出部
２９ｂが設けられているので、注入孔３１から注入した
樹脂は狭い下部空所３２ｂにも比較的良好に浸入する。
また、突出部２９ｂは成形空所３２の側壁に連続してい
るので、支持板２１の側面近傍の樹脂の流れを抑制す
る。
【００１３】成形空所３２に対する樹脂の注入は、公知
のトランスファー成形法に基づいて、熱硬化性エポキシ
樹脂をポット内で軟化させ、加圧して金型２９、３０内
に注入する。これにより、図７に示す注入孔３１から液
状の樹脂が注入され、成形空所３２の全部が樹脂で充填
される。金型２９、３０は樹脂を熱硬化させる温度（１
５０〜２００℃程度）に加熱されているので、充填され
た樹脂は短時間（数分）の内に熱硬化し、図９及び図１
０に示す樹脂被覆体３７となる。なお、完全に熱硬化さ
せるために、金型２９、３０からリードフレームを取り
出した後に、更に長時間の熱処理を行う。
のトランスファー成形法に基づいて、熱硬化性エポキシ
樹脂をポット内で軟化させ、加圧して金型２９、３０内
に注入する。これにより、図７に示す注入孔３１から液
状の樹脂が注入され、成形空所３２の全部が樹脂で充填
される。金型２９、３０は樹脂を熱硬化させる温度（１
５０〜２００℃程度）に加熱されているので、充填され
た樹脂は短時間（数分）の内に熱硬化し、図９及び図１
０に示す樹脂被覆体３７となる。なお、完全に熱硬化さ
せるために、金型２９、３０からリードフレームを取り
出した後に、更に長時間の熱処理を行う。
【００１４】上述の如きトランスファー成形法による樹
脂被覆体３７の形成において、図６、図７及び図９で矢
印４０で示す方向性を有して液状の樹脂を加圧注入する
と、比較的広い上部空所３２ａに樹脂が容易に充填され
ようとする。しかし、本実施例では、矢印４０で示す樹
脂の注入方向に交差するように突出部２９ｂが設けられ
ているので、支持板２１の上側及び支持板２１の側面近
傍の樹脂の流れが抑制され、この結果、支持板２１の下
側の狭い空所３２ｂにおける樹脂の流れが相対的に強め
られる。これにより、上部空所３２ａと下部空所３２ｂ
での封止の流れのバランスが良くなり、従来あった下部
空所３２ｂの未充填状態がほとんど見られなくなった。
即ち、下部空所３２ｂに形成される薄い樹脂被覆部３７
ｂの絶縁不良という問題を解決できた。
脂被覆体３７の形成において、図６、図７及び図９で矢
印４０で示す方向性を有して液状の樹脂を加圧注入する
と、比較的広い上部空所３２ａに樹脂が容易に充填され
ようとする。しかし、本実施例では、矢印４０で示す樹
脂の注入方向に交差するように突出部２９ｂが設けられ
ているので、支持板２１の上側及び支持板２１の側面近
傍の樹脂の流れが抑制され、この結果、支持板２１の下
側の狭い空所３２ｂにおける樹脂の流れが相対的に強め
られる。これにより、上部空所３２ａと下部空所３２ｂ
での封止の流れのバランスが良くなり、従来あった下部
空所３２ｂの未充填状態がほとんど見られなくなった。
即ち、下部空所３２ｂに形成される薄い樹脂被覆部３７
ｂの絶縁不良という問題を解決できた。
【００１５】上部金型２９の突出部２９ｂを、封止樹脂
の主たる流れ方向（矢印４０の方向）に直交する仕切り
状に配設することにより、樹脂の流れを効果的に押さえ
ているが、その高さや位置はモールド金型の取り個数や
パッケージの大きさ等によりそれぞれ最適値が異なる。
の主たる流れ方向（矢印４０の方向）に直交する仕切り
状に配設することにより、樹脂の流れを効果的に押さえ
ているが、その高さや位置はモールド金型の取り個数や
パッケージの大きさ等によりそれぞれ最適値が異なる。
【００１６】なお、注入孔３１から見て封止樹脂の主た
る流れ方向にピン２９ａがあるため、ピン２９ａも封止
樹脂の流れを押さえるように働く。従って、注入孔３１
とピン２９ａを結ぶラインの延長上であり且つピン２９
ａの注入孔３１と反対側の領域において封止樹脂の未充
填が発生することがある。しかし、本実施例では、図６
から最も明らかな如く、ピン２９ａによって分割された
封止樹脂の流れが、突出部２９ｂによって再び抑制され
るから、上記のピン２９ａの反対側領域に封止樹脂が回
り込み易くなり、未充填が確実に防止される。更に本実
施例では、矢印４０とピン２９ａとを結ぶ直線の延長線
上に突出部２９ｂの作用を低減させる溝３５が設けられ
ており、この溝３５がピン２９ａによる封止樹脂の流れ
の抑制作用を相殺するように働くので、上記ピン２９ａ
の反対側領域の未充填を確実に防止することができる。
る流れ方向にピン２９ａがあるため、ピン２９ａも封止
樹脂の流れを押さえるように働く。従って、注入孔３１
とピン２９ａを結ぶラインの延長上であり且つピン２９
ａの注入孔３１と反対側の領域において封止樹脂の未充
填が発生することがある。しかし、本実施例では、図６
から最も明らかな如く、ピン２９ａによって分割された
封止樹脂の流れが、突出部２９ｂによって再び抑制され
るから、上記のピン２９ａの反対側領域に封止樹脂が回
り込み易くなり、未充填が確実に防止される。更に本実
施例では、矢印４０とピン２９ａとを結ぶ直線の延長線
上に突出部２９ｂの作用を低減させる溝３５が設けられ
ており、この溝３５がピン２９ａによる封止樹脂の流れ
の抑制作用を相殺するように働くので、上記ピン２９ａ
の反対側領域の未充填を確実に防止することができる。
【００１７】また、支持板２１の一端部側領域を被覆し
ている第２の被覆部分４２は、第１の被覆部分４１より
も薄く形成されるので、上部金型２９の第２の被覆部分
４２を設ける部分と支持板２１との間隙が狭くなり、こ
こでも樹脂の流れが抑制される。従って、支持板２１の
一端近傍に配置された注入孔３１から注入された樹脂は
薄い第２の被覆部分４２を形成するための金型部分と突
出部２９ｂとの両方によって抑制され、一方の主表面側
と他方の主表面側との樹脂の流れのバランスを良好に調
整することができる。
ている第２の被覆部分４２は、第１の被覆部分４１より
も薄く形成されるので、上部金型２９の第２の被覆部分
４２を設ける部分と支持板２１との間隙が狭くなり、こ
こでも樹脂の流れが抑制される。従って、支持板２１の
一端近傍に配置された注入孔３１から注入された樹脂は
薄い第２の被覆部分４２を形成するための金型部分と突
出部２９ｂとの両方によって抑制され、一方の主表面側
と他方の主表面側との樹脂の流れのバランスを良好に調
整することができる。
【００１８】ところで、図１〜図３に示すトランジスタ
の取付けは、通常、外部の放熱作用を有する取付板に下
部樹脂被覆部３７ｂを当てるようになし、取付孔３９に
ネジまたはボルト等の取付部材を貫通させ、これにより
取付板に固定することによって行う。この様な取付時
に、ネジまたはボルト等の頭又はナットが取付孔３９の
近傍を強く押圧すると、クラックが生じるので、取付孔
３９の近傍をあまり薄くすることは出来ない。このた
め、本実施例では、取付孔３９の近傍の被覆部分４２は
取付に支障がない厚さに形成され、本発明に従う溝３８
における薄い第３の被覆部分４３は、取付孔３９の近傍
の第２の被覆部分４２よりも薄く形成されている。
の取付けは、通常、外部の放熱作用を有する取付板に下
部樹脂被覆部３７ｂを当てるようになし、取付孔３９に
ネジまたはボルト等の取付部材を貫通させ、これにより
取付板に固定することによって行う。この様な取付時
に、ネジまたはボルト等の頭又はナットが取付孔３９の
近傍を強く押圧すると、クラックが生じるので、取付孔
３９の近傍をあまり薄くすることは出来ない。このた
め、本実施例では、取付孔３９の近傍の被覆部分４２は
取付に支障がない厚さに形成され、本発明に従う溝３８
における薄い第３の被覆部分４３は、取付孔３９の近傍
の第２の被覆部分４２よりも薄く形成されている。
【００１９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、種々の変形が可能なものである。例えば、取付孔３
９を切欠部（溝又は凹部）としてもよい。また、ダイオ
ードにも適用可能である。
く、種々の変形が可能なものである。例えば、取付孔３
９を切欠部（溝又は凹部）としてもよい。また、ダイオ
ードにも適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれ
ば、成形空所の側壁に連続する突出部を備えた成形用型
を使用し、突出部で支持板の一方の主表面側及び支持板
の側面近傍の樹脂の流れを抑制するので、支持板の一方
及び他方の主表面側の樹脂の流れのバランスが良くな
り、良好な樹脂被覆体を形成することができる。
ば、成形空所の側壁に連続する突出部を備えた成形用型
を使用し、突出部で支持板の一方の主表面側及び支持板
の側面近傍の樹脂の流れを抑制するので、支持板の一方
及び他方の主表面側の樹脂の流れのバランスが良くな
り、良好な樹脂被覆体を形成することができる。
【図１】本発明の実施例に係わるトランジスタを示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のトランジスタの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１のトランジスタを形成するためのリードフ
レームを示す斜視図である。
レームを示す斜視図である。
【図５】図４のリードフレームに樹脂被覆体を設けた状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図６】金型を示す斜視図である。
【図７】金型にリードフレームを入れた状態を示す図２
のＢ−Ｂ線に相当する部分の断面図である。
のＢ−Ｂ線に相当する部分の断面図である。
【図８】金型にリードフレームを入れた状態を示す図２
のＡ−Ａ線に相当する部分の断面図である。
のＡ−Ａ線に相当する部分の断面図である。
【図９】図７の金型に樹脂を充填した状態を示す断面図
である。
である。
【図１０】図８の金型に樹脂を充填した状態を示す断面
図である。
図である。
【図１１】従来のトランジスタを示す斜視図である。
【図１２】図１１のトランジスタを金型で形成する状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
２１ 支持板 ２３ チップ ２９ 上部金型 ２９ｂ 突出部 ３０ 下部金型 ３１ 注入孔 ３２ 成形空所 ４１ 第１の被覆部分 ４２ 第２の被覆部分 ４３ 第３の被覆部分
Claims (1)
- 【請求項１】 放熱機能を有する金属製支持板と、前記
支持板の一方の主表面上に装着された半導体チップと、
前記チップに電気的に接続されたリードと、前記支持
板、前記チップ及び前記リードの一部を被覆する絶縁性
樹脂被覆体とから成り、且つ前記支持板の一方の主表面
側の樹脂被覆部が他方の主表面側の樹脂被覆部よりも厚
くなるように前記樹脂被覆体が形成され、且つ前記支持
板の側面にも前記樹脂被覆体が形成されている樹脂封止
型半導体装置の製造方法において、 前記一方の主表面
側の樹脂被覆部の前記チップを被覆する第１の被覆部分
及び前記支持板の一方の端部側を被覆する第２の被覆部
分との間に前記第１及び第２の被覆部分よりも薄い第３
の被覆部分を生じさせるように形成された突出部を備
え、前記突出部が前記樹脂被覆体を得るための成形空所
の側面に連続している樹脂封止用型を用意し、 前記樹脂封止用型に前記チップ及び前記リードを伴った
前記支持板を装着し、前記支持板の前記一方の端部側に
対応するように前記樹脂封止用型に設けられた注入孔か
ら前記成形空所に流動性を有する樹脂を注入し、前記突
出部で前記樹脂の流れを抑制しつつ前記支持板の一方及
び他方の主表面側に樹脂被覆部を形成することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124888A JPH065687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124888A JPH065687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8942189A Division JPH01302728A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109795A JPH05109795A (ja) | 1993-04-30 |
| JPH065687B2 true JPH065687B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14896583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124888A Expired - Lifetime JPH065687B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065687B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08280926A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-10-29 | Sokichi Yoshimura | 遊技場における空気浄化構造 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115777143B (zh) * | 2020-07-14 | 2024-12-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN112259513B (zh) * | 2020-10-22 | 2023-09-26 | 湖南国芯半导体科技有限公司 | 一种双面散热功率模块及其封装方法 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3124888A patent/JPH065687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08280926A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-10-29 | Sokichi Yoshimura | 遊技場における空気浄化構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109795A (ja) | 1993-04-30 |
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