JPH065702A - Cutting method for wafer for mesa semiconductor chip - Google Patents
Cutting method for wafer for mesa semiconductor chipInfo
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- JPH065702A JPH065702A JP16142892A JP16142892A JPH065702A JP H065702 A JPH065702 A JP H065702A JP 16142892 A JP16142892 A JP 16142892A JP 16142892 A JP16142892 A JP 16142892A JP H065702 A JPH065702 A JP H065702A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのうちＰ
層とＮ層との境界部における露出部分を、ガラス製被膜
にてパシベーションしたメサ型の半導体チップを製造す
る場合において、その製造に使用するウエハーを各メサ
型半導体チップごとに切断する方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
A method for cutting a wafer used for the production of mesa-type semiconductor chips in which the exposed portion at the boundary between the N-layer and the N-layer is passivated with a glass film, is cut into individual mesa-type semiconductor chips Is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、この種のメサ型の半導体チップ
は、図４及び図５に示すように、当該半導体チップ１の
多数個を、一枚のウエハーＡの表面に形成すると共に、
各半導体チップ１の相互間における各メサ溝２内に、Ｐ
層とＮ- 層との境界部に対するガラス被膜３によるパシ
ベーションを施し、次いで、このウエハーＡを、軟質合
成樹脂製のウエハーシートＢに貼着したのち、前記各メ
サ溝２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて
切断することによって、各半導体チップ１ごとに分離す
ると言う方法で製造している。2. Description of the Related Art Generally, in this type of mesa type semiconductor chip, as shown in FIGS. 4 and 5, a large number of semiconductor chips 1 are formed on the surface of one wafer A, and
In each mesa groove 2 between each semiconductor chip 1, P
The boundary between the layer and the N − layer is passivated by the glass coating 3, and then the wafer A is attached to a wafer sheet B made of a soft synthetic resin, and then the portion in each of the mesa grooves 2 is rotated. The semiconductor chip 1 is manufactured by a method of separating each semiconductor chip 1 by cutting with a blade C of the formula.
【０００３】なお、符号４は、各半導体チップ１の上面
に形成した銀等のアノード側電極メタル層を、符号５
は、前記ウエハーＡの下面全体に形成した銀等のカソー
ド側電極メタル層を各々示す。ところで、前記各メサ溝
２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて切断
するに際して、この各メサ溝２内には、硬い材質のガラ
ス被膜３が形成されていることにより、前記回転式のブ
レードＣにおける厚さＴを薄くすると、硬い材質のガラ
ス被膜３を切断するときにおいて、当該ブレードＣが損
傷して、その寿命が大幅に低下することになる。Reference numeral 4 indicates an anode side electrode metal layer of silver or the like formed on the upper surface of each semiconductor chip 1, and reference numeral 5
Are respective cathode side electrode metal layers such as silver formed on the entire lower surface of the wafer A. By the way, when cutting the portion in each mesa groove 2 by cutting with a rotary blade C, a glass coating 3 made of a hard material is formed in each mesa groove 2, so that If the thickness T of the blade C of the formula is reduced, the blade C is damaged when cutting the glass coating 3 made of a hard material, and the life thereof is significantly reduced.
【０００４】そこで、従来は、前記の切断に際しては、
厚さＴを４０〜７０ミクロンと言うように比較的厚い厚
さにしたブレードＣを使用するようにしている。Therefore, conventionally, in the above-mentioned cutting,
A blade C having a relatively large thickness T of 40 to 70 microns is used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、厚さＴを厚く
したブレードＣを使用すると、当該ブレードＣにおける
寿命を増大ことができる反面、このブレードＣにて、当
該ブレードＣがウエハーＡの裏面に形成されているカソ
ード側電極メタル層５を越えてその裏面側におけるウエ
ハーシートＢにまで達するようにして切断するときにお
いて、当該ブレードＣにおける厚さＴが厚いために、前
記ウエハーＡの裏面側に形成されるカソード側電極メタ
ル層５を、シャープに切断することができず、当該カソ
ード側電極メタル層５を毟り取るように切断する状態に
なるから、その切断面に、前記カソード側電極メタル層
５のバリ５ａが発生し、このバリ５ａが、半導体チップ
１をリードフレームに対してダイボンディングする場合
に、半導体チップ１のリードフレームに対して接合不良
になったり、半導体チップ１がリードフレームに対して
傾いたりすると言うダイボンディングミスが発生する問
題を招来するのであった。However, when the blade C having the increased thickness T is used, the life of the blade C can be increased, but on the other hand, in this blade C, the blade C is not attached to the back surface of the wafer A. At the time of cutting so as to reach the wafer sheet B on the back surface side beyond the formed cathode-side electrode metal layer 5, since the thickness T of the blade C is large, the back surface side of the wafer A is The formed cathode-side electrode metal layer 5 cannot be sharply cut, and the cathode-side electrode metal layer 5 is cut so as to be scraped off. When the semiconductor chip 1 is die-bonded to the lead frame, the semiconductor chip 1 Or become defective bonding of the lead frame, the semiconductor chip 1 was to lead to problems die bonding miss occurs say or inclined with respect to the lead frame.
【０００６】しかも、このカソード側電極メタル層５
を、厚さＴの厚いブレードＣによって、毟り取るように
切断するときにおいて、半導体チップ１に亀裂Ｄが発生
して、半導体チップが不良品になって歩留り率が低下
し、コストがアップすると言う問題もあった。本発明
は、ウエハーにおけるメサ溝内の部分を、回転式のブレ
ードによって切断するに際して、前記の問題を招来する
ことを確実に低減できるようにした方法を提供すること
を技術的課題とするものである。Moreover, the cathode side electrode metal layer 5
When a blade C having a thickness T is used to cut the blade so as to remove it, a crack D occurs in the semiconductor chip 1, the semiconductor chip becomes a defective product, the yield rate decreases, and the cost increases. There was also a problem. It is a technical object of the present invention to provide a method capable of reliably reducing the above-mentioned problems when cutting a portion in a mesa groove of a wafer with a rotary blade. is there.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ウエハーに形成した各半導体チップの
相互間における各メサ溝内の部分を、厚さの厚い第１ブ
レードにて、当該第１ブレードが前記ウエハーの裏面に
達しない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄い第
２ブレードにて、当該第２ブレードが前記ウエハーの裏
面に形成されているメタル層を越えてその裏面側におけ
るウエハーシートに達する深さの部位まで切断すること
にした。In order to achieve this technical object, the present invention uses a first blade having a large thickness to form a portion in each mesa groove between semiconductor chips formed on a wafer. The first blade cuts to a depth that does not reach the back surface of the wafer, and then the second blade having a small thickness crosses the metal layer formed on the back surface of the wafer. We decided to cut to the depth of reaching the wafer sheet on the back side.
【０００８】[0008]
【作 用】このように、ウエハーにおける各メサ溝内
の部分を、厚さの厚い第１ブレードによる切断と、厚さ
の薄い第２ブレードによる切断との二回に分けて行うこ
とにより、前記各メサ溝内における硬い材質のガラス被
膜を、厚さの厚い第１ブレードにて、当該第１ブレード
における寿命の低下を招来することなく確実に切断でき
る一方、ウエハーの裏面におけるメタル層を、厚さの薄
い第２ブレードにてシャープに切断することができるの
であり、この場合、当該第２ブレードは、各メサ溝内に
おける硬い材質のガラス被膜に接触することがないか
ら、その寿命の低下を招来することを回避できるのであ
る。[Operation] As described above, the portion in each mesa groove of the wafer is divided into two parts, that is, the cutting with the thick first blade and the cutting with the thin second blade, and The glass coating of hard material in each mesa groove can be reliably cut by the thick first blade without shortening the life of the first blade, while the metal layer on the back surface of the wafer is It is possible to sharply cut with a thin second blade, and in this case, the second blade does not come into contact with the glass coating of a hard material in each mesa groove, so that the life of the blade is shortened. You can avoid being invited.
【０００９】[0009]
【発明の効果】従って、本発明によると、ウエハーにお
ける各メサ溝内の部分を、厚さの異なる二つのブレード
によって、当該両ブレードの寿命の低下を招来すること
なく、ウエハーの裏面に成形されているメタル層までシ
ャープに切断することができることにより、切断面にメ
タル層のバリが発生したり、ウエハーに亀裂が発生した
することを確実に低減できるから、半導体チップのダイ
ボンディングに際してダイボンディングミスが発生する
ことを大幅に低減できると共に、半導体チップの歩留り
率を大幅に向上できて、コストを低減できる効果を有す
る。Therefore, according to the present invention, the portion in each mesa groove of the wafer is formed on the back surface of the wafer by the two blades having different thicknesses without reducing the life of the both blades. Since it is possible to sharply cut even the metal layer that is present, it is possible to reliably reduce burrs of the metal layer on the cut surface and cracks on the wafer. It is possible to significantly reduce the occurrence of the above-mentioned phenomenon, and it is possible to greatly improve the yield rate of the semiconductor chips, and it is possible to reduce the cost.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１，図２及び図
３の図面について説明する。表面に半導体チップ１の多
数個を形成したウエハーＡを、図１に示すように、軟質
合成樹脂製のウエハーシートＢに貼着して、このウエハ
ーＡにおける各半導体チップ１の相互間における各メサ
溝２内の部分を回転式のブレードによる切削によって切
断するに際して、この切断用のブレードとして、厚さＴ
1 を、例えば約４０〜７０ミクロンと言うように厚くし
た第１ブレードＣ1 と、厚さＴ2 を、例えば約１０〜３
０ミクロンと言うように薄くした第２ブレードＣ2 との
二つのブレードを使用する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings of FIGS. 1, 2 and 3. As shown in FIG. 1, a wafer A having a large number of semiconductor chips 1 formed on its surface is attached to a wafer sheet B made of a soft synthetic resin, and each mesa between the semiconductor chips 1 on this wafer A is attached to each other. When cutting the portion in the groove 2 by cutting with a rotary blade, the thickness T is used as a blade for this cutting.
1 is a first blade C 1 thickened to say about 40 to 70 microns and a thickness T 2 is about 10 to 3
Two blades are used, a second blade C 2 thinned to say 0 micron.
【００１１】そして、ウエハーＡにおける各メサ溝２内
の部分を、厚さＴ1 の厚い前記第１ブレードＣ1 にて、
図２に示すように、当該第１ブレードＣ1 がウエハーＡ
の裏面に達しない深さの部位まで切断する。次いで、厚
さＴ2 の薄い前記第２ブレードＣ2 にて、図３に示すよ
うに、当該第２ブレードＣ2 がウエハーＡの裏面に形成
されているカソード側電極メタル層５を越えてその裏面
側におけるウエハーシートＢに対して約２０ミクロンま
で達する深さの部位まで切断するのである。Then, the portion of each wafer A in each mesa groove 2 is formed by the first blade C 1 having a large thickness T 1 .
As shown in FIG. 2, the first blade C 1 is attached to the wafer A.
Cut to a depth that does not reach the back side of. Then, thin at the second blade C 2 thicknesses T 2, as shown in FIG. 3, the second blade C 2 is beyond the cathode-side electrode metal layer 5 formed on the back surface of the wafer A that The wafer sheet B on the back side is cut to a depth of about 20 microns.
【００１２】このように、ウエハーＡにおける各メサ溝
内の部分を、厚さＴ1 の厚い第１ブレードＣ1 による切
断と、厚さＴ2 の薄い第２ブレードＣ2 による切断との
二回に分けて行うことにより、前記各メサ溝２内におけ
る硬い材質のガラス被膜３を、厚さＴ1 の厚い第１ブレ
ードＣ1 にて、当該第１ブレードＣ1 における寿命の低
下を招来することなく確実に切断できる一方、ウエハー
Ａの裏面におけるカソード側電極メタル層５を、厚さＴ
2 の薄い第２ブレードＣ2 にてシャープに切断すること
ができるのであり、この場合、当該第２ブレードＣ
2 は、各メサ溝２内における硬い材質のガラス被膜３に
接触することがないから、その寿命の低下を招来するこ
とを回避できるのである。As described above, the portion in each mesa groove of the wafer A is cut twice by the first blade C 1 having a large thickness T 1 and the second blade C 2 having a small thickness T 2. By doing so, the glass coating 3 made of a hard material in each of the mesa grooves 2 is reduced by the first blade C 1 having a large thickness T 1 and the life of the first blade C 1 is shortened. Without fail, the cathode side electrode metal layer 5 on the back surface of the wafer A can be cut to a thickness T
2 of at thin second blade C 2 and as it can be cut sharp, this case, the second blade C
2, since it does not contact the glass coating 3 of hard material in each mesa grooves 2, it can be avoided that lead to reduction of its life.
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１におけるII−II視拡大断面図で第１ブレー
ドによる切断状態を示す図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line II-II in FIG. 1, showing a cutting state by a first blade.
【図３】図２と同じ箇所の視断面図で第２ブレードによ
る切断状態を示す図である。FIG. 3 is a diagrammatic sectional view of the same portion as FIG. 2, showing a cutting state by a second blade.
【図４】従来の方法を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a conventional method.
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。5 is an enlarged sectional view taken along line VV of FIG.
Ａ ウエハー Ｂ ウエハーシート １ 半導体チップ ２ メサ溝 ３ ガラス被膜 ４ アノード側電極メタル層 ５ カソード側電極メタル層 Ｃ1 第１ブレード Ｃ2 第１ブレードA wafer B wafer sheet 1 semiconductor chip 2 mesa groove 3 glass coating 4 anode side electrode metal layer 5 cathode side electrode metal layer C 1 first blade C 2 first blade
Claims (1)
間における各メサ溝内の部分を、厚さの厚い第１ブレー
ドにて、当該第１ブレードが前記ウエハーの裏面に達し
ない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄い第２ブ
レードにて、当該第２ブレードが前記ウエハーの裏面に
形成されているメタル層を越えてその裏面側におけるウ
エハーシートに達する深さの部位まで切断することを特
徴とするメサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法。1. A portion of each mesa groove formed between each semiconductor chip formed on a wafer is formed by a first blade having a large thickness, and a portion having a depth such that the first blade does not reach the back surface of the wafer. Then, the second blade having a small thickness cuts the second blade beyond the metal layer formed on the back surface of the wafer to a position on the back surface side that reaches the wafer sheet. A method for cutting a wafer for a mesa type semiconductor chip, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16142892A JPH065702A (en) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Cutting method for wafer for mesa semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16142892A JPH065702A (en) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Cutting method for wafer for mesa semiconductor chip |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065702A true JPH065702A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=15734925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16142892A Pending JPH065702A (en) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | Cutting method for wafer for mesa semiconductor chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065702A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216241A (en) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer cutting method |
| US6361404B1 (en) * | 1997-07-02 | 2002-03-26 | Disco Corporation | Precision cutting apparatus and cutting method using the same |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP16142892A patent/JPH065702A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216241A (en) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer cutting method |
| US6361404B1 (en) * | 1997-07-02 | 2002-03-26 | Disco Corporation | Precision cutting apparatus and cutting method using the same |
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