JPH065702A - メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法 - Google Patents
メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法Info
- Publication number
- JPH065702A JPH065702A JP16142892A JP16142892A JPH065702A JP H065702 A JPH065702 A JP H065702A JP 16142892 A JP16142892 A JP 16142892A JP 16142892 A JP16142892 A JP 16142892A JP H065702 A JPH065702 A JP H065702A
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- Japan
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- blade
- wafer
- semiconductor chip
- cut
- metal layer
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハーシートＢに貼着したウエハーＡにお
ける各メサ溝２内の部分を、回転式のブレードによっ
て、ブレードの寿命の低下を招来することなく、ウエハ
ーの裏面に成形されているメタル層までシャープに切断
する。 【構成】 各メサ溝２内の部分を、厚さの厚い第１ブレ
ードＣ1 にて、当該第１ブレードが前記ウエハーＡの裏
面に達しない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄
い第２ブレードＣ2 にて、当該第２ブレードが前記ウエ
ハーＡの裏面に形成されているメタル層を越えてその裏
面側におけるウエハーシートＢに達する深さの部位まで
切断する。
ける各メサ溝２内の部分を、回転式のブレードによっ
て、ブレードの寿命の低下を招来することなく、ウエハ
ーの裏面に成形されているメタル層までシャープに切断
する。 【構成】 各メサ溝２内の部分を、厚さの厚い第１ブレ
ードＣ1 にて、当該第１ブレードが前記ウエハーＡの裏
面に達しない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄
い第２ブレードＣ2 にて、当該第２ブレードが前記ウエ
ハーＡの裏面に形成されているメタル層を越えてその裏
面側におけるウエハーシートＢに達する深さの部位まで
切断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのうちＰ
層とＮ層との境界部における露出部分を、ガラス製被膜
にてパシベーションしたメサ型の半導体チップを製造す
る場合において、その製造に使用するウエハーを各メサ
型半導体チップごとに切断する方法に関するものであ
る。
層とＮ層との境界部における露出部分を、ガラス製被膜
にてパシベーションしたメサ型の半導体チップを製造す
る場合において、その製造に使用するウエハーを各メサ
型半導体チップごとに切断する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のメサ型の半導体チップ
は、図４及び図５に示すように、当該半導体チップ１の
多数個を、一枚のウエハーＡの表面に形成すると共に、
各半導体チップ１の相互間における各メサ溝２内に、Ｐ
層とＮ- 層との境界部に対するガラス被膜３によるパシ
ベーションを施し、次いで、このウエハーＡを、軟質合
成樹脂製のウエハーシートＢに貼着したのち、前記各メ
サ溝２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて
切断することによって、各半導体チップ１ごとに分離す
ると言う方法で製造している。
は、図４及び図５に示すように、当該半導体チップ１の
多数個を、一枚のウエハーＡの表面に形成すると共に、
各半導体チップ１の相互間における各メサ溝２内に、Ｐ
層とＮ- 層との境界部に対するガラス被膜３によるパシ
ベーションを施し、次いで、このウエハーＡを、軟質合
成樹脂製のウエハーシートＢに貼着したのち、前記各メ
サ溝２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて
切断することによって、各半導体チップ１ごとに分離す
ると言う方法で製造している。
【０００３】なお、符号４は、各半導体チップ１の上面
に形成した銀等のアノード側電極メタル層を、符号５
は、前記ウエハーＡの下面全体に形成した銀等のカソー
ド側電極メタル層を各々示す。ところで、前記各メサ溝
２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて切断
するに際して、この各メサ溝２内には、硬い材質のガラ
ス被膜３が形成されていることにより、前記回転式のブ
レードＣにおける厚さＴを薄くすると、硬い材質のガラ
ス被膜３を切断するときにおいて、当該ブレードＣが損
傷して、その寿命が大幅に低下することになる。
に形成した銀等のアノード側電極メタル層を、符号５
は、前記ウエハーＡの下面全体に形成した銀等のカソー
ド側電極メタル層を各々示す。ところで、前記各メサ溝
２内の部分を、回転式のブレードＣによる切削にて切断
するに際して、この各メサ溝２内には、硬い材質のガラ
ス被膜３が形成されていることにより、前記回転式のブ
レードＣにおける厚さＴを薄くすると、硬い材質のガラ
ス被膜３を切断するときにおいて、当該ブレードＣが損
傷して、その寿命が大幅に低下することになる。
【０００４】そこで、従来は、前記の切断に際しては、
厚さＴを４０〜７０ミクロンと言うように比較的厚い厚
さにしたブレードＣを使用するようにしている。
厚さＴを４０〜７０ミクロンと言うように比較的厚い厚
さにしたブレードＣを使用するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、厚さＴを厚く
したブレードＣを使用すると、当該ブレードＣにおける
寿命を増大ことができる反面、このブレードＣにて、当
該ブレードＣがウエハーＡの裏面に形成されているカソ
ード側電極メタル層５を越えてその裏面側におけるウエ
ハーシートＢにまで達するようにして切断するときにお
いて、当該ブレードＣにおける厚さＴが厚いために、前
記ウエハーＡの裏面側に形成されるカソード側電極メタ
ル層５を、シャープに切断することができず、当該カソ
ード側電極メタル層５を毟り取るように切断する状態に
なるから、その切断面に、前記カソード側電極メタル層
５のバリ５ａが発生し、このバリ５ａが、半導体チップ
１をリードフレームに対してダイボンディングする場合
に、半導体チップ１のリードフレームに対して接合不良
になったり、半導体チップ１がリードフレームに対して
傾いたりすると言うダイボンディングミスが発生する問
題を招来するのであった。
したブレードＣを使用すると、当該ブレードＣにおける
寿命を増大ことができる反面、このブレードＣにて、当
該ブレードＣがウエハーＡの裏面に形成されているカソ
ード側電極メタル層５を越えてその裏面側におけるウエ
ハーシートＢにまで達するようにして切断するときにお
いて、当該ブレードＣにおける厚さＴが厚いために、前
記ウエハーＡの裏面側に形成されるカソード側電極メタ
ル層５を、シャープに切断することができず、当該カソ
ード側電極メタル層５を毟り取るように切断する状態に
なるから、その切断面に、前記カソード側電極メタル層
５のバリ５ａが発生し、このバリ５ａが、半導体チップ
１をリードフレームに対してダイボンディングする場合
に、半導体チップ１のリードフレームに対して接合不良
になったり、半導体チップ１がリードフレームに対して
傾いたりすると言うダイボンディングミスが発生する問
題を招来するのであった。
【０００６】しかも、このカソード側電極メタル層５
を、厚さＴの厚いブレードＣによって、毟り取るように
切断するときにおいて、半導体チップ１に亀裂Ｄが発生
して、半導体チップが不良品になって歩留り率が低下
し、コストがアップすると言う問題もあった。本発明
は、ウエハーにおけるメサ溝内の部分を、回転式のブレ
ードによって切断するに際して、前記の問題を招来する
ことを確実に低減できるようにした方法を提供すること
を技術的課題とするものである。
を、厚さＴの厚いブレードＣによって、毟り取るように
切断するときにおいて、半導体チップ１に亀裂Ｄが発生
して、半導体チップが不良品になって歩留り率が低下
し、コストがアップすると言う問題もあった。本発明
は、ウエハーにおけるメサ溝内の部分を、回転式のブレ
ードによって切断するに際して、前記の問題を招来する
ことを確実に低減できるようにした方法を提供すること
を技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、ウエハーに形成した各半導体チップの
相互間における各メサ溝内の部分を、厚さの厚い第１ブ
レードにて、当該第１ブレードが前記ウエハーの裏面に
達しない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄い第
２ブレードにて、当該第２ブレードが前記ウエハーの裏
面に形成されているメタル層を越えてその裏面側におけ
るウエハーシートに達する深さの部位まで切断すること
にした。
るため本発明は、ウエハーに形成した各半導体チップの
相互間における各メサ溝内の部分を、厚さの厚い第１ブ
レードにて、当該第１ブレードが前記ウエハーの裏面に
達しない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄い第
２ブレードにて、当該第２ブレードが前記ウエハーの裏
面に形成されているメタル層を越えてその裏面側におけ
るウエハーシートに達する深さの部位まで切断すること
にした。
【０００８】
【作 用】このように、ウエハーにおける各メサ溝内
の部分を、厚さの厚い第１ブレードによる切断と、厚さ
の薄い第２ブレードによる切断との二回に分けて行うこ
とにより、前記各メサ溝内における硬い材質のガラス被
膜を、厚さの厚い第１ブレードにて、当該第１ブレード
における寿命の低下を招来することなく確実に切断でき
る一方、ウエハーの裏面におけるメタル層を、厚さの薄
い第２ブレードにてシャープに切断することができるの
であり、この場合、当該第２ブレードは、各メサ溝内に
おける硬い材質のガラス被膜に接触することがないか
ら、その寿命の低下を招来することを回避できるのであ
る。
の部分を、厚さの厚い第１ブレードによる切断と、厚さ
の薄い第２ブレードによる切断との二回に分けて行うこ
とにより、前記各メサ溝内における硬い材質のガラス被
膜を、厚さの厚い第１ブレードにて、当該第１ブレード
における寿命の低下を招来することなく確実に切断でき
る一方、ウエハーの裏面におけるメタル層を、厚さの薄
い第２ブレードにてシャープに切断することができるの
であり、この場合、当該第２ブレードは、各メサ溝内に
おける硬い材質のガラス被膜に接触することがないか
ら、その寿命の低下を招来することを回避できるのであ
る。
【０００９】
【発明の効果】従って、本発明によると、ウエハーにお
ける各メサ溝内の部分を、厚さの異なる二つのブレード
によって、当該両ブレードの寿命の低下を招来すること
なく、ウエハーの裏面に成形されているメタル層までシ
ャープに切断することができることにより、切断面にメ
タル層のバリが発生したり、ウエハーに亀裂が発生した
することを確実に低減できるから、半導体チップのダイ
ボンディングに際してダイボンディングミスが発生する
ことを大幅に低減できると共に、半導体チップの歩留り
率を大幅に向上できて、コストを低減できる効果を有す
る。
ける各メサ溝内の部分を、厚さの異なる二つのブレード
によって、当該両ブレードの寿命の低下を招来すること
なく、ウエハーの裏面に成形されているメタル層までシ
ャープに切断することができることにより、切断面にメ
タル層のバリが発生したり、ウエハーに亀裂が発生した
することを確実に低減できるから、半導体チップのダイ
ボンディングに際してダイボンディングミスが発生する
ことを大幅に低減できると共に、半導体チップの歩留り
率を大幅に向上できて、コストを低減できる効果を有す
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１，図２及び図
３の図面について説明する。表面に半導体チップ１の多
数個を形成したウエハーＡを、図１に示すように、軟質
合成樹脂製のウエハーシートＢに貼着して、このウエハ
ーＡにおける各半導体チップ１の相互間における各メサ
溝２内の部分を回転式のブレードによる切削によって切
断するに際して、この切断用のブレードとして、厚さＴ
1 を、例えば約４０〜７０ミクロンと言うように厚くし
た第１ブレードＣ1 と、厚さＴ2 を、例えば約１０〜３
０ミクロンと言うように薄くした第２ブレードＣ2 との
二つのブレードを使用する。
３の図面について説明する。表面に半導体チップ１の多
数個を形成したウエハーＡを、図１に示すように、軟質
合成樹脂製のウエハーシートＢに貼着して、このウエハ
ーＡにおける各半導体チップ１の相互間における各メサ
溝２内の部分を回転式のブレードによる切削によって切
断するに際して、この切断用のブレードとして、厚さＴ
1 を、例えば約４０〜７０ミクロンと言うように厚くし
た第１ブレードＣ1 と、厚さＴ2 を、例えば約１０〜３
０ミクロンと言うように薄くした第２ブレードＣ2 との
二つのブレードを使用する。
【００１１】そして、ウエハーＡにおける各メサ溝２内
の部分を、厚さＴ1 の厚い前記第１ブレードＣ1 にて、
図２に示すように、当該第１ブレードＣ1 がウエハーＡ
の裏面に達しない深さの部位まで切断する。次いで、厚
さＴ2 の薄い前記第２ブレードＣ2 にて、図３に示すよ
うに、当該第２ブレードＣ2 がウエハーＡの裏面に形成
されているカソード側電極メタル層５を越えてその裏面
側におけるウエハーシートＢに対して約２０ミクロンま
で達する深さの部位まで切断するのである。
の部分を、厚さＴ1 の厚い前記第１ブレードＣ1 にて、
図２に示すように、当該第１ブレードＣ1 がウエハーＡ
の裏面に達しない深さの部位まで切断する。次いで、厚
さＴ2 の薄い前記第２ブレードＣ2 にて、図３に示すよ
うに、当該第２ブレードＣ2 がウエハーＡの裏面に形成
されているカソード側電極メタル層５を越えてその裏面
側におけるウエハーシートＢに対して約２０ミクロンま
で達する深さの部位まで切断するのである。
【００１２】このように、ウエハーＡにおける各メサ溝
内の部分を、厚さＴ1 の厚い第１ブレードＣ1 による切
断と、厚さＴ2 の薄い第２ブレードＣ2 による切断との
二回に分けて行うことにより、前記各メサ溝２内におけ
る硬い材質のガラス被膜３を、厚さＴ1 の厚い第１ブレ
ードＣ1 にて、当該第１ブレードＣ1 における寿命の低
下を招来することなく確実に切断できる一方、ウエハー
Ａの裏面におけるカソード側電極メタル層５を、厚さＴ
2 の薄い第２ブレードＣ2 にてシャープに切断すること
ができるのであり、この場合、当該第２ブレードＣ
2 は、各メサ溝２内における硬い材質のガラス被膜３に
接触することがないから、その寿命の低下を招来するこ
とを回避できるのである。
内の部分を、厚さＴ1 の厚い第１ブレードＣ1 による切
断と、厚さＴ2 の薄い第２ブレードＣ2 による切断との
二回に分けて行うことにより、前記各メサ溝２内におけ
る硬い材質のガラス被膜３を、厚さＴ1 の厚い第１ブレ
ードＣ1 にて、当該第１ブレードＣ1 における寿命の低
下を招来することなく確実に切断できる一方、ウエハー
Ａの裏面におけるカソード側電極メタル層５を、厚さＴ
2 の薄い第２ブレードＣ2 にてシャープに切断すること
ができるのであり、この場合、当該第２ブレードＣ
2 は、各メサ溝２内における硬い材質のガラス被膜３に
接触することがないから、その寿命の低下を招来するこ
とを回避できるのである。
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】図１におけるII−II視拡大断面図で第１ブレー
ドによる切断状態を示す図である。
ドによる切断状態を示す図である。
【図３】図２と同じ箇所の視断面図で第２ブレードによ
る切断状態を示す図である。
る切断状態を示す図である。
【図４】従来の方法を示す斜視図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。
Ａ ウエハー Ｂ ウエハーシート １ 半導体チップ ２ メサ溝 ３ ガラス被膜 ４ アノード側電極メタル層 ５ カソード側電極メタル層 Ｃ1 第１ブレード Ｃ2 第１ブレード
Claims (1)
- 【請求項１】ウエハーに形成した各半導体チップの相互
間における各メサ溝内の部分を、厚さの厚い第１ブレー
ドにて、当該第１ブレードが前記ウエハーの裏面に達し
ない深さの部位まで切断し、次いで、厚さの薄い第２ブ
レードにて、当該第２ブレードが前記ウエハーの裏面に
形成されているメタル層を越えてその裏面側におけるウ
エハーシートに達する深さの部位まで切断することを特
徴とするメサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16142892A JPH065702A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16142892A JPH065702A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065702A true JPH065702A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15734925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16142892A Pending JPH065702A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | メサ型半導体チップ用ウエハーの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216241A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ等の切削方法 |
| US6361404B1 (en) * | 1997-07-02 | 2002-03-26 | Disco Corporation | Precision cutting apparatus and cutting method using the same |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP16142892A patent/JPH065702A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06216241A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハ等の切削方法 |
| US6361404B1 (en) * | 1997-07-02 | 2002-03-26 | Disco Corporation | Precision cutting apparatus and cutting method using the same |
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