JPH065720B2 - 固体撮像装置の受光部のパターン描画方法 - Google Patents
固体撮像装置の受光部のパターン描画方法Info
- Publication number
- JPH065720B2 JPH065720B2 JP58118518A JP11851883A JPH065720B2 JP H065720 B2 JPH065720 B2 JP H065720B2 JP 58118518 A JP58118518 A JP 58118518A JP 11851883 A JP11851883 A JP 11851883A JP H065720 B2 JPH065720 B2 JP H065720B2
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- JP
- Japan
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- light receiving
- pattern
- solid
- light
- imaging device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は被加工物表面にエネルギ線をラスタ走査してパ
ターンを描画する、固体撮像装置の受光部のパターン描
画方法に関する。
ターンを描画する、固体撮像装置の受光部のパターン描
画方法に関する。
固体撮像装置の受光部のパターンを形成する方法とし
て、電子ビームにより描画する方法がある。これは第１
図に示すように電子銃100から発する電子ビームを集束
レンズ200により集束し、偏向器300により偏向させてラ
スタ走査し、対象物400に描画するものである。電子銃1
00は、パターン信号発生器500により制御され、全面を
ラスタ走査しながら、対象物400の露光すべき部分に電
子ビームの位置があるときだけ電子ビームを発する。
て、電子ビームにより描画する方法がある。これは第１
図に示すように電子銃100から発する電子ビームを集束
レンズ200により集束し、偏向器300により偏向させてラ
スタ走査し、対象物400に描画するものである。電子銃1
00は、パターン信号発生器500により制御され、全面を
ラスタ走査しながら、対象物400の露光すべき部分に電
子ビームの位置があるときだけ電子ビームを発する。
第２図に固体撮像装置の受光部のスリットパターンを形
成する露光マスクを形成する場合の描画の様子を示す。
スリットパターン１を形成するのに所定幅ずつラスタ走
査している。これらラスタ走査の軌跡は参照番号２，
３，４，５で示される。これらラスタ走査の境界６，
７，８，９においてすき間が発生することを防ぐため、
境界６，７，８，９上で少しオーバーラップさせる。従
って境界６，７，８，９上の領域では他の領域の２倍の
電子ビームの照射を受ける。
成する露光マスクを形成する場合の描画の様子を示す。
スリットパターン１を形成するのに所定幅ずつラスタ走
査している。これらラスタ走査の軌跡は参照番号２，
３，４，５で示される。これらラスタ走査の境界６，
７，８，９においてすき間が発生することを防ぐため、
境界６，７，８，９上で少しオーバーラップさせる。従
って境界６，７，８，９上の領域では他の領域の２倍の
電子ビームの照射を受ける。
第２図の場合は露光マスクにポジ形レジストが塗布され
ており、スリットパターン１内で点線で示した部分だけ
照射される。このようにして形成されたパターンを第３
図に示す。露光マスク１１に所望のスリットパターン１
０が形成されている。このようにして形成されたスリッ
トパターン１０は受光部の受光素子の受光領域１２にな
るが、この受光領域１２は全て同一面積である必要があ
る。ところが境界６，７，８上では電子ビームが２倍照
射されるため、スリットパターン１０に不規則な切り込
み１３，１４，１５ができる。したがってこのようなス
リットパターン１０を用いると、各受光領域１２の面積
が場所により異なり、固体撮像装置における受光素子の
特性が不均一となる問題があった。
ており、スリットパターン１内で点線で示した部分だけ
照射される。このようにして形成されたパターンを第３
図に示す。露光マスク１１に所望のスリットパターン１
０が形成されている。このようにして形成されたスリッ
トパターン１０は受光部の受光素子の受光領域１２にな
るが、この受光領域１２は全て同一面積である必要があ
る。ところが境界６，７，８上では電子ビームが２倍照
射されるため、スリットパターン１０に不規則な切り込
み１３，１４，１５ができる。したがってこのようなス
リットパターン１０を用いると、各受光領域１２の面積
が場所により異なり、固体撮像装置における受光素子の
特性が不均一となる問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、固体撮像
装置の受光部のパターンを均一に描くことができる、固
体撮像装置の受光部のパターン描画方法を提供すること
を目的とする。
装置の受光部のパターンを均一に描くことができる、固
体撮像装置の受光部のパターン描画方法を提供すること
を目的とする。
この目的を達成するために、本発明によるパターン描画
方法は、固体撮像装置の受光部の各単位受光素子の形状
を画定する各単位パターンが並ぶ方向とほぼ直角な方向
に、エネルギ線束を走査させることを特徴とする。
方法は、固体撮像装置の受光部の各単位受光素子の形状
を画定する各単位パターンが並ぶ方向とほぼ直角な方向
に、エネルギ線束を走査させることを特徴とする。
本発明の一実施例によるパターン描画方法は、第４図に
示すようにスリットパターン１６の長手方向と直角方向
に電子ビームを走査させる。このラスタ走査の軌跡は参
照番号１７，１８で示すようなものであり、これらラス
タ走査の境界１９ではオーバーラップして走査される
が、スリットパターン１６をはずれている。これはラス
タ走査の幅はそんなに広くないが、スリットパターン１
６のスリット巾をカバーするには十分であるからであ
る。このようにして形成された露光用マスクを第５図に
示す。露光用マスク23に均一なスリットパターン20が形
成されている。このようにして形成されたスリットパタ
ーン20は、受光部の受光素子の受光領域22になるが、こ
れら受光領域22は全て同一面積である。したがってこの
露光マスク23を用いて形成された固体撮像装置の受光素
子の特性は均一となる。
示すようにスリットパターン１６の長手方向と直角方向
に電子ビームを走査させる。このラスタ走査の軌跡は参
照番号１７，１８で示すようなものであり、これらラス
タ走査の境界１９ではオーバーラップして走査される
が、スリットパターン１６をはずれている。これはラス
タ走査の幅はそんなに広くないが、スリットパターン１
６のスリット巾をカバーするには十分であるからであ
る。このようにして形成された露光用マスクを第５図に
示す。露光用マスク23に均一なスリットパターン20が形
成されている。このようにして形成されたスリットパタ
ーン20は、受光部の受光素子の受光領域22になるが、こ
れら受光領域22は全て同一面積である。したがってこの
露光マスク23を用いて形成された固体撮像装置の受光素
子の特性は均一となる。
電子ビームのラスタ走査の方向をこのようにスリットパ
ターン１６に直角にしても、境界１９がスリットパター
ン１６上になることが考えられる。この場合形成される
スリットパターンは、第６図に示すようになり、完全に
均一ではなく、不規則な切り込み28，29を生じる。した
がって受光部のうち両端の受光領域26，27の面積は他の
受光領域22と異なる。しかし、通常の固体撮像装置で
は、受光部の両端の受光素子は、他の面でも同一特性を
確保することが困難であり、ダミー素子としてその信号
値を考慮されない。したがって、露光マスクに第６図に
示すような切り込み28，29があっても問題はなく、この
露光マスク23を用いて形成された固体撮像装置の有効な
受光素子の特性は均一となる。
ターン１６に直角にしても、境界１９がスリットパター
ン１６上になることが考えられる。この場合形成される
スリットパターンは、第６図に示すようになり、完全に
均一ではなく、不規則な切り込み28，29を生じる。した
がって受光部のうち両端の受光領域26，27の面積は他の
受光領域22と異なる。しかし、通常の固体撮像装置で
は、受光部の両端の受光素子は、他の面でも同一特性を
確保することが困難であり、ダミー素子としてその信号
値を考慮されない。したがって、露光マスクに第６図に
示すような切り込み28，29があっても問題はなく、この
露光マスク23を用いて形成された固体撮像装置の有効な
受光素子の特性は均一となる。
次に第６図と同様に、パターン上にラスク走査の境界１
９があり、描画するパターンが、スリットパターンでは
なく、規則的に並んだ複数個の方形パターンである場合
を考える。この場合に形成される露光マスクを第７図に
示す。露光マスク23上に形成された方形パターン30〜36
は完全な方形ではなく、切り込み38〜45を生じている。
しかしながらこれら方形パターン30〜36は同じ切り込み
38〜45をそれぞれ有しており、方形パターン30〜36の形
状の均一性は確保されている。したがって、この露光マ
スク23を用いて形成された固体撮像装置の受光素子の特
性は実質的に均一となる。
９があり、描画するパターンが、スリットパターンでは
なく、規則的に並んだ複数個の方形パターンである場合
を考える。この場合に形成される露光マスクを第７図に
示す。露光マスク23上に形成された方形パターン30〜36
は完全な方形ではなく、切り込み38〜45を生じている。
しかしながらこれら方形パターン30〜36は同じ切り込み
38〜45をそれぞれ有しており、方形パターン30〜36の形
状の均一性は確保されている。したがって、この露光マ
スク23を用いて形成された固体撮像装置の受光素子の特
性は実質的に均一となる。
この実施例では電子ビームにより露光マスクに描画する
方法であったが、半導体ウェーハ上に直接描画する場合
にも適用可能である。また電子ビーム以外の粒子線束放
射線束等のエネルギ線束によりパターンを描画する場合
にも適用可能である。
方法であったが、半導体ウェーハ上に直接描画する場合
にも適用可能である。また電子ビーム以外の粒子線束放
射線束等のエネルギ線束によりパターンを描画する場合
にも適用可能である。
以上の通り本発明によれば、固体撮像装置の受光部の特
性が均一になるパターンを描くことができる。
性が均一になるパターンを描くことができる。
第１図は電子ビーム露光装置の主要部を示す図、第２図
は従来のパターン描画方法を示す図、第３図は同パター
ン描画方法により描かれた露光マスクの平面図、第４図
は本発明の一実施例によるパターン描画方法を示す図、
第５図、第６図、第７図はそれぞれ同パターン描画方法
により描かれた露光マスクの平面図である。 １…スリットパターン、２，３，４，５…ラスタ走査の
軌跡、６，７，８，９…ラスタ走査の境界、11…露光マ
スク、16…スリットパターン、17，18…ラスタ走査の軌
跡、19…境界、20…スリットパターン、22…受光領域、
23…露光マスク、100…電子銃、200…集束レンズ、300
…偏向器、400…対象物、500…パターン信号発生器。
は従来のパターン描画方法を示す図、第３図は同パター
ン描画方法により描かれた露光マスクの平面図、第４図
は本発明の一実施例によるパターン描画方法を示す図、
第５図、第６図、第７図はそれぞれ同パターン描画方法
により描かれた露光マスクの平面図である。 １…スリットパターン、２，３，４，５…ラスタ走査の
軌跡、６，７，８，９…ラスタ走査の境界、11…露光マ
スク、16…スリットパターン、17，18…ラスタ走査の軌
跡、19…境界、20…スリットパターン、22…受光領域、
23…露光マスク、100…電子銃、200…集束レンズ、300
…偏向器、400…対象物、500…パターン信号発生器。
Claims (1)
- 【請求項１】受光素子が複数個直線状に配列された固体
撮像装置の受光部における前記各受光素子に光を入射す
るための単位受光パターンが直線状に連続して配列され
た受光パターンを、対象物の表面にエネルギ線束を走査
させることにより描画する固体撮像装置の受光部のパタ
ーン描画方法において、 前記受光パターンの単位受光パターンが並んでいる方向
とはほぼ直角の方向に、前記受光パターンの長さよりも
走査幅が短くなるように前記エネルギ線束を走査させる
ことを特徴とする、固体撮像装置の受光部のパターン描
画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118518A JPH065720B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置の受光部のパターン描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118518A JPH065720B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置の受光部のパターン描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010669A JPS6010669A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH065720B2 true JPH065720B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=14738603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118518A Expired - Lifetime JPH065720B2 (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置の受光部のパターン描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065720B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2515741B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | カ―ド形記憶装置 |
| US4974167A (en) * | 1989-02-28 | 1990-11-27 | Tektronix, Inc. | Erasable data acquisition and storage instrument |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880837A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Toshiba Corp | パタ−ン形成装置 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118518A patent/JPH065720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010669A (ja) | 1985-01-19 |
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