JPS6218712A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6218712A JPS6218712A JP60158735A JP15873585A JPS6218712A JP S6218712 A JPS6218712 A JP S6218712A JP 60158735 A JP60158735 A JP 60158735A JP 15873585 A JP15873585 A JP 15873585A JP S6218712 A JPS6218712 A JP S6218712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- forming method
- pattern forming
- pitch
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はビーム露光装置を用いたパターン形成方法に関
する。
する。
半導体装置の微細化、高集積化に伴い、マスクおよびレ
ジストに対して微小パターンを描画形成するために、従
来用いられていた光の代りに電子線、Ｘ＄１、イオン線
等が使用されるようになっている。
ジストに対して微小パターンを描画形成するために、従
来用いられていた光の代りに電子線、Ｘ＄１、イオン線
等が使用されるようになっている。
第３図〜第８図に電子ビーム露光装置を使用した従来の
パターン形成方法を示す。
パターン形成方法を示す。
この電子ビーム露光装置においてはステージを動かし、
ビームを必要に応じて所続させながら走査する、いわゆ
るラスク方式であって、電子ビームは第４図に示すよう
にエネルギー分布がガウス分布をなすガウス形ビーム３
となっている。なお、第３図の説明においては、ビーム
がオンとなっている場合を網目により、ビームがオフと
なっている場合を白扱きにより示している。
ビームを必要に応じて所続させながら走査する、いわゆ
るラスク方式であって、電子ビームは第４図に示すよう
にエネルギー分布がガウス分布をなすガウス形ビーム３
となっている。なお、第３図の説明においては、ビーム
がオンとなっている場合を網目により、ビームがオフと
なっている場合を白扱きにより示している。
いま、−辺２ａの微小正方形パターン２を形成づるもの
とすれば、直径ａの分布範囲を有するビームを用い、第
３図に示すようにＸ方向にビームを偏向させ、かつ−偏
向ごとにステージをＹ方向にΔＹ＝ａのピッチで送り、
図形データに従った所望パターン部でビームをオンする
。このときのビーム偏向幅は例えば２５６μあるいは５
１２μである。
とすれば、直径ａの分布範囲を有するビームを用い、第
３図に示すようにＸ方向にビームを偏向させ、かつ−偏
向ごとにステージをＹ方向にΔＹ＝ａのピッチで送り、
図形データに従った所望パターン部でビームをオンする
。このときのビーム偏向幅は例えば２５６μあるいは５
１２μである。
このようにして、第５図（ａ）に示すような露光パター
ン４が形成される。
ン４が形成される。
しかしながら、このようなパターン形成方法ではパター
ンのエツジにおける品質が十分でないという問題がある
。
ンのエツジにおける品質が十分でないという問題がある
。
寸なわち、第５図（ａ）に示すようなパターン４を形成
後のレジスト等における荷電粒子密度分布は第５図（ａ
）のＡ−Ａ線上では第５図（ｂ）、Ｂ−８線上では第５
図（Ｃ）にそれぞれ示すグラフのようになっており、Ｘ
方向とＹ方向で密度分布が異なっている。このため、現
像の進み方がＸ方向とＹ方向で異なり同−設計寸法でも
いわゆるＸ−Ｙ寸法差が出る原因となっている。
後のレジスト等における荷電粒子密度分布は第５図（ａ
）のＡ−Ａ線上では第５図（ｂ）、Ｂ−８線上では第５
図（Ｃ）にそれぞれ示すグラフのようになっており、Ｘ
方向とＹ方向で密度分布が異なっている。このため、現
像の進み方がＸ方向とＹ方向で異なり同−設計寸法でも
いわゆるＸ−Ｙ寸法差が出る原因となっている。
また、ビームのエネルギー分布が中心部で高く、周辺で
低いことから第６図（ａ）に示すようにコーナ部にビー
ム５が照射された後の現像結果は第６図（ｂ）に示すよ
うに丸みを帯びたパターン６となり、第７図（ａ）に示
すような長方形パターン１０を得るために、第７図（ｂ
）に示すようなＸ方向走査を行なった場合、各行間の中
間部でのエネルギー密度が小さく、Ｙ軸に平行な端部で
は第７図＜Ｃ）に示すような本来の輪郭線に対して内方
に規則的に後退した部分８を生じる。したがって、第８
図に示すような矩形切欠きを有するマスク２０を形成し
た際Ｙ軸に平行な線は真直線とならずに鋸歯状の線２３
となり、コーナ部２４は丸みを帯びたものとなる。
低いことから第６図（ａ）に示すようにコーナ部にビー
ム５が照射された後の現像結果は第６図（ｂ）に示すよ
うに丸みを帯びたパターン６となり、第７図（ａ）に示
すような長方形パターン１０を得るために、第７図（ｂ
）に示すようなＸ方向走査を行なった場合、各行間の中
間部でのエネルギー密度が小さく、Ｙ軸に平行な端部で
は第７図＜Ｃ）に示すような本来の輪郭線に対して内方
に規則的に後退した部分８を生じる。したがって、第８
図に示すような矩形切欠きを有するマスク２０を形成し
た際Ｙ軸に平行な線は真直線とならずに鋸歯状の線２３
となり、コーナ部２４は丸みを帯びたものとなる。
本発明はこのような問題点を解決するためなされたもの
で、パターン形状および寸法精度を向上さけることので
きるパターン形成方法を提供することを目的とする。
で、パターン形状および寸法精度を向上さけることので
きるパターン形成方法を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては、高エネルギー
線ビームを被描画材上を偏向照射しながら走査させて描
画パターンを形成する際に、照射密度が小さい箇所での
照射量を多くするようにしており、照射密度を描画パタ
ーン内で一定化、することによりパターン形状および寸
法の精度を向上させることができるものである。
線ビームを被描画材上を偏向照射しながら走査させて描
画パターンを形成する際に、照射密度が小さい箇所での
照射量を多くするようにしており、照射密度を描画パタ
ーン内で一定化、することによりパターン形状および寸
法の精度を向上させることができるものである。
以下図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明にかかるパターン形成方法を説明する図
であって、ここでは第１図（ａ）に示すようにＸ方向に
偏向されＹ方向に走査される電子ビーム１１を用いて矩
形パターン１０を形成するものとする。
であって、ここでは第１図（ａ）に示すようにＸ方向に
偏向されＹ方向に走査される電子ビーム１１を用いて矩
形パターン１０を形成するものとする。
このとき生じる偏向範囲両端部における荷電粒子密度の
小さい部分の荷電粒子密度を向上させるために、まず第
１図（ｂ）に示すように両端の１列および４列において
Ｙ方向走査の走査ピッチの中間ピッチにハツチングによ
り示された重複描画ドツト１２を照射する。
小さい部分の荷電粒子密度を向上させるために、まず第
１図（ｂ）に示すように両端の１列および４列において
Ｙ方向走査の走査ピッチの中間ピッチにハツチングによ
り示された重複描画ドツト１２を照射する。
また第１図（Ｃ）においては両端の１列および４列のみ
通常のピッチでドツト１３を重ね照射するようにする。
通常のピッチでドツト１３を重ね照射するようにする。
さらに、第１図（ｄ）においてはコーナ部すなわち１行
１列、１行４列、５行１列、５行４列の点においてドツ
ト１４を重ね照射するようにしている。
１列、１行４列、５行１列、５行４列の点においてドツ
ト１４を重ね照射するようにしている。
このような中間ピッチにおける照射、重ね照射はパター
ンの両端列における荷電粒子密度分布をより均等なもの
とし、あるいは照射エネルギーを多くすることによって
荷電粒子密度の少ない部分をなくすことができる。
ンの両端列における荷電粒子密度分布をより均等なもの
とし、あるいは照射エネルギーを多くすることによって
荷電粒子密度の少ない部分をなくすことができる。
これにより偏向両端部では所望の輪郭線において後退し
た部分が生じにくく、第８図と同様第２図に示す矩形状
切欠きを有するマスク２０を形成した際、Ｙ軸に平行な
線はほば頁直な線２１となり、コーナ部２２は丸みのほ
とんどないものとなる。
た部分が生じにくく、第８図と同様第２図に示す矩形状
切欠きを有するマスク２０を形成した際、Ｙ軸に平行な
線はほば頁直な線２１となり、コーナ部２２は丸みのほ
とんどないものとなる。
以上の実施例では、中間走査ピッチおよび通常ピッチに
おいて両端列のみ照射するようにしているが、中間走査
ピッチにおいては仝列にわたり偏向させるようにしても
よい。また、中間走査ピッチにおける照射とコーナ部の
みの照射を組合わせるようにしてもよい。
おいて両端列のみ照射するようにしているが、中間走査
ピッチにおいては仝列にわたり偏向させるようにしても
よい。また、中間走査ピッチにおける照射とコーナ部の
みの照射を組合わせるようにしてもよい。
また、実施例ではパターン形成のだめの照射を電子ビー
ムを用いて行なっているが、各種の高エネルギー線ビー
ムを用いるパターン形成に本発明を適用することができ
、例えばＸ線、イオン線などにも適用することができる
。
ムを用いて行なっているが、各種の高エネルギー線ビー
ムを用いるパターン形成に本発明を適用することができ
、例えばＸ線、イオン線などにも適用することができる
。
さらに本発明を適用してパターン形成を行なう対象物と
して、実施例に示したマスクの他、レジストの塗布され
たウェーハ上に直接描画する場合もある。
して、実施例に示したマスクの他、レジストの塗布され
たウェーハ上に直接描画する場合もある。
以上のように本発明によれば、高エネルギー線を被描画
材上で偏向照射しながら走査させる際、照射密度が小さ
い箇所での照射量を多くするようにしているので、照射
密度の均一化を図ることができ、パターンエツジの直線
性、コーナ部の尖鋭性が向上する他、高エネルギー線の
偏向方向と走査方向での現像の進行の差が少なくなるた
めＸ−Ｙ寸法差が生じにくくなる。
材上で偏向照射しながら走査させる際、照射密度が小さ
い箇所での照射量を多くするようにしているので、照射
密度の均一化を図ることができ、パターンエツジの直線
性、コーナ部の尖鋭性が向上する他、高エネルギー線の
偏向方向と走査方向での現像の進行の差が少なくなるた
めＸ−Ｙ寸法差が生じにくくなる。
第１図は本発明にかかるパターン形成方法を示す説明図
、第２図は本発明の方法でマスクパターンを形成した様
子を示す説明図、第３図はラスク方式描画法を示す説明
図、第４図はガウス型ビームのエネルギー分布を示すグ
ラフ、第５図〜第７図は従来の方法による問題を示す説
明図、第８図は従来の方法でマスクパターンを形成した
様子を示す説明図である。 １．５．１１・・・ビームドツト、６．２４・・・丸み
を帯びたパターン、８・・・後退部分、１２・・・中間
走査ピッチに照射されたビーム、１３・・・両端列で再
照射されたビーム、１４・・・コーナ部で再照射された
ビーム。
、第２図は本発明の方法でマスクパターンを形成した様
子を示す説明図、第３図はラスク方式描画法を示す説明
図、第４図はガウス型ビームのエネルギー分布を示すグ
ラフ、第５図〜第７図は従来の方法による問題を示す説
明図、第８図は従来の方法でマスクパターンを形成した
様子を示す説明図である。 １．５．１１・・・ビームドツト、６．２４・・・丸み
を帯びたパターン、８・・・後退部分、１２・・・中間
走査ピッチに照射されたビーム、１３・・・両端列で再
照射されたビーム、１４・・・コーナ部で再照射された
ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高エネルギー線ビームを被描画材上で偏向照射しな
がら走査させて描画パターンを形成する際に、照射密度
が小さい箇所での照射量を多くしたパターン形成方法。 ２、走査ピッチの中間ピッチにおいて高エネルギー線ビ
ームを再照射するようにした特許請求の範囲第１項記載
のパターン形成方法。 ３、偏向幅の両端の点において高エネルギー線ビームを
再照射するようにした特許請求の範囲第１項記載のパタ
ーン形成方法。 ４、描画パターンのコーナ部で高エネルギー線ビームを
再照射するようにした特許請求の範囲第１項記載のパタ
ーン形成方法。 ５、高エネルギー線ビームが電子線である特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載のパターン形成
方法。 ６、高エネルギー線ビームがＸ線である特許請求の範囲
第１項ないし第４項のいずれかに記載のパターン形成方
法。 ７、高エネルギー線ビームがイオン線である特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載のパターン形
成方法。 ８、被描画材がマスクあるいはウェーハ上のレジストで
ある特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記
載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158735A JPS6218712A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158735A JPS6218712A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218712A true JPS6218712A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15678183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158735A Pending JPS6218712A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02136573A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-25 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 地熱発電プラントのスケール処理設備 |
| JP2008158118A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線描画における描画方法及び矩形領域分割方法 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60158735A patent/JPS6218712A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02136573A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-25 | Japan Metals & Chem Co Ltd | 地熱発電プラントのスケール処理設備 |
| JP2008158118A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子線描画における描画方法及び矩形領域分割方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4520269A (en) | Electron beam lithography proximity correction method | |
| EP0366367B1 (en) | Charged particle beam exposure method | |
| US6433348B1 (en) | Lithography using multiple pass raster-shaped beam | |
| JPH06132203A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US6503671B1 (en) | Electron beam writing method | |
| JP3930411B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 | |
| JPH09199389A (ja) | 電子ビーム描画方法 | |
| US3607382A (en) | Method of producing photovarnish masks for semiconductors | |
| JPS6218712A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US6352802B1 (en) | Mask for electron beam exposure and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| KR100264191B1 (ko) | 하전 입자빔을 사용하는 패턴 드로잉 방법 및 장치 | |
| EP0153864A2 (en) | A method of electron beam exposure | |
| US6090528A (en) | Spot-to-spot stitching in electron beam lithography utilizing square aperture with serrated edge | |
| JPH0669112A (ja) | 透過マスク板 | |
| DE102007063649B4 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Strukturen in einem Resistmaterial und Elektronenstrahlbelichtungsanlagen | |
| WO1997035235A1 (en) | Improved photomask | |
| JPS6010726A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JP3373185B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法 | |
| JPS5941831A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| JP3458628B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JP2910439B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS6229893B2 (ja) | ||
| JPS6258622A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2871617B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| KR20000065787A (ko) | 전자빔을 이용한 반도체소자의 제조방법 |