JPH0657418A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
- Publication number
- JPH0657418A JPH0657418A JP21182892A JP21182892A JPH0657418A JP H0657418 A JPH0657418 A JP H0657418A JP 21182892 A JP21182892 A JP 21182892A JP 21182892 A JP21182892 A JP 21182892A JP H0657418 A JPH0657418 A JP H0657418A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長尺なスパッタリング用ターゲットを得ると
ともに、スパッタリング時における接続部分からの不純
物の発生を防止することを目的とする。 【構成】 棒状基材の外周面にターゲット材を接合して
形成されたターゲット構成体を、その長さ方向に複数連
結してなり、前記棒状基材の端部を相互に連結するとと
もに、前記ターゲット材の端部の突き合わせ面を、ター
ゲット構成体の軸線に対して傾斜させてなることを特徴
とする。
ともに、スパッタリング時における接続部分からの不純
物の発生を防止することを目的とする。 【構成】 棒状基材の外周面にターゲット材を接合して
形成されたターゲット構成体を、その長さ方向に複数連
結してなり、前記棒状基材の端部を相互に連結するとと
もに、前記ターゲット材の端部の突き合わせ面を、ター
ゲット構成体の軸線に対して傾斜させてなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング用ター
ゲットに係わり、特に、長期に亙って使用が可能であ
り、また、大型の被スパッタリング材、例えば、自動車
の窓硝子やバンパー等へのスパッタリングを可能とした
スパッタリング用ターゲットに関するものである。
ゲットに係わり、特に、長期に亙って使用が可能であ
り、また、大型の被スパッタリング材、例えば、自動車
の窓硝子やバンパー等へのスパッタリングを可能とした
スパッタリング用ターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のスパッタリング用ターゲ
ット（以下、単にターゲット略称する）は、ターゲット
材をＨＩＰ（熱間静水圧プレス）等を用いて所定厚さの
円盤あるいは矩形等の平板状に形成し、このターゲット
材をＣｕ製あるいはＳＵＳ製のバッキングプレートにろ
う付けして構成されている。
ット（以下、単にターゲット略称する）は、ターゲット
材をＨＩＰ（熱間静水圧プレス）等を用いて所定厚さの
円盤あるいは矩形等の平板状に形成し、このターゲット
材をＣｕ製あるいはＳＵＳ製のバッキングプレートにろ
う付けして構成されている。
【０００３】一方、従来のスパッタリングにおいては、
その効率を上げるために、ターゲット材に照射される電
子を磁力を用いて収束させることにより、ターゲットの
一部に集中して照射させる、いわゆる、マグネトロンス
パッタリングが行われている。
その効率を上げるために、ターゲット材に照射される電
子を磁力を用いて収束させることにより、ターゲットの
一部に集中して照射させる、いわゆる、マグネトロンス
パッタリングが行われている。
【０００４】ところで、前述の形状を有するターゲット
を、マグネトロンスパッタリングに適用した場合、ター
ゲット材に偏摩耗を生じさせ、ターゲット材として使用
できる範囲が限られてしまうという問題点がある。
を、マグネトロンスパッタリングに適用した場合、ター
ゲット材に偏摩耗を生じさせ、ターゲット材として使用
できる範囲が限られてしまうという問題点がある。
【０００５】このような、問題点を解消するための対策
として、前記平板状のバッキングプレートに代えて、棒
状基材を用い、この棒状基材の外周面に、ターゲット材
をＨＩＰあるいは溶射等の手段を用いて接合したターゲ
ットが提案されている。
として、前記平板状のバッキングプレートに代えて、棒
状基材を用い、この棒状基材の外周面に、ターゲット材
をＨＩＰあるいは溶射等の手段を用いて接合したターゲ
ットが提案されている。
【０００６】このターゲットは、棒状基材の軸周りに回
転させつつその表面のターゲット材に電子を照射するこ
とにより、電子の照射位置を順次ずらしながらスパッタ
リングを行うことにより、前記ターゲット材の表面全面
に均一に電子を照射して、その摩耗を均一にし、これに
よってターゲットの使用限度を広げようとするものであ
る。
転させつつその表面のターゲット材に電子を照射するこ
とにより、電子の照射位置を順次ずらしながらスパッタ
リングを行うことにより、前記ターゲット材の表面全面
に均一に電子を照射して、その摩耗を均一にし、これに
よってターゲットの使用限度を広げようとするものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな棒状のターゲットにおいても、なお、つぎのような
改善すべき問題点が残されている。
うな棒状のターゲットにおいても、なお、つぎのような
改善すべき問題点が残されている。
【０００８】すなわち、前述の棒状のターゲットを制作
する場合、ＨＩＰによるターゲット材の接合でも溶射に
よる接合でも、制作し得る長さがＨＩＰや溶射の装置の
大きさに制限されて、せいぜい１０００ｍｍ程度の長さ
のターゲットしか制作できないといった問題点である。
する場合、ＨＩＰによるターゲット材の接合でも溶射に
よる接合でも、制作し得る長さがＨＩＰや溶射の装置の
大きさに制限されて、せいぜい１０００ｍｍ程度の長さ
のターゲットしか制作できないといった問題点である。
【０００９】そして、近年、被スパッタリング材の大型
化に伴って、より長尺なターゲット、例えば、１３００
ｍｍ〜３５００ｍｍ程度のターゲットの提供が望まれて
いる。
化に伴って、より長尺なターゲット、例えば、１３００
ｍｍ〜３５００ｍｍ程度のターゲットの提供が望まれて
いる。
【００１０】また、このような長尺なターゲットを得る
ための一手段として、短いターゲットを長さ方向に連結
して長尺化を図ることが考えられるが、ターゲット材の
突き合わせ部分から電子が入り込んで、ターゲットの中
心部材である棒状基材に電子が照射されてしまい、これ
によってスパッタリング膜中に不純物が混入し、スパッ
タリング膜の品質に影響を与えてしまうおそれがある。
ための一手段として、短いターゲットを長さ方向に連結
して長尺化を図ることが考えられるが、ターゲット材の
突き合わせ部分から電子が入り込んで、ターゲットの中
心部材である棒状基材に電子が照射されてしまい、これ
によってスパッタリング膜中に不純物が混入し、スパッ
タリング膜の品質に影響を与えてしまうおそれがある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した従来
の問題点を有効に解消し得るスパッタリング用ターゲッ
トを提供せんとするもので、このスパッタリング用ター
ゲットは、特に、棒状基材の外周面にターゲット材を接
合して形成されたターゲット構成体を、その長さ方向に
複数連結してなり、前記棒状基材の端部を相互に連結す
るとともに、前記ターゲット材の端部の突き合わせ面
を、ターゲット構成体の軸線に対して傾斜させてなるこ
とを特徴とする。
の問題点を有効に解消し得るスパッタリング用ターゲッ
トを提供せんとするもので、このスパッタリング用ター
ゲットは、特に、棒状基材の外周面にターゲット材を接
合して形成されたターゲット構成体を、その長さ方向に
複数連結してなり、前記棒状基材の端部を相互に連結す
るとともに、前記ターゲット材の端部の突き合わせ面
を、ターゲット構成体の軸線に対して傾斜させてなるこ
とを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明に係わるスパッタリング用ターゲット
は、複数のターゲット構成体をその軸方向に連結するこ
とにより、長尺なスパッタリング用ターゲットが得られ
る。そして、ターゲット構成体相互の連結部におけるタ
ーゲット材の突き合わせ面をターゲット構成体の軸線に
対して傾斜させた構成であることから、スパッタリング
時における電子の照射方向に対して前記突き合わせ面が
交差することとなり、棒状基材への電子の照射が防止さ
れて不純物の発生が抑制される。この結果、スパッタリ
ング用ターゲットを長尺化した場合においても、高品質
のスパッタリング膜の形成が可能となる。
は、複数のターゲット構成体をその軸方向に連結するこ
とにより、長尺なスパッタリング用ターゲットが得られ
る。そして、ターゲット構成体相互の連結部におけるタ
ーゲット材の突き合わせ面をターゲット構成体の軸線に
対して傾斜させた構成であることから、スパッタリング
時における電子の照射方向に対して前記突き合わせ面が
交差することとなり、棒状基材への電子の照射が防止さ
れて不純物の発生が抑制される。この結果、スパッタリ
ング用ターゲットを長尺化した場合においても、高品質
のスパッタリング膜の形成が可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１ない
し図４に基づき説明する。図１中、符号１は本実施例に
係わるターゲットＴの基本体となるターゲット構成体を
示し、円筒状の金属製の基材２と、この基材２の外表面
に一体に接合されたターゲット材３とによって構成され
ている。
し図４に基づき説明する。図１中、符号１は本実施例に
係わるターゲットＴの基本体となるターゲット構成体を
示し、円筒状の金属製の基材２と、この基材２の外表面
に一体に接合されたターゲット材３とによって構成され
ている。
【００１４】さらに詳述すれば、前記基材２は、例え
ば、ＳＵＳ３０４によって、内径６０ｍｍ、厚さ５ｍ
ｍ、長さ６００ｍｍの寸法に形成される。そして、この
基材２は、あらかじめ円筒状に加工されたものであって
も、また、中実な円柱部材を用い、この円柱部材の外表
面に後述するターゲット材３を接合したのちの後加工に
よって円筒状とすること可能である。
ば、ＳＵＳ３０４によって、内径６０ｍｍ、厚さ５ｍ
ｍ、長さ６００ｍｍの寸法に形成される。そして、この
基材２は、あらかじめ円筒状に加工されたものであって
も、また、中実な円柱部材を用い、この円柱部材の外表
面に後述するターゲット材３を接合したのちの後加工に
よって円筒状とすること可能である。
【００１５】また、この基材２の材質は、前述したＳＵ
Ｓ３０４以外に、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、あるい
は、無酸素銅等が用いられるが、接合されるターゲット
材の種類等に対応して選択される。
Ｓ３０４以外に、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、あるい
は、無酸素銅等が用いられるが、接合されるターゲット
材の種類等に対応して選択される。
【００１６】一方、前記ターゲット材３は、例えばＣｒ
であり、ＨＩＰによって前記基材２の外表面に、２０ｍ
ｍの厚さに均一に接合されている。
であり、ＨＩＰによって前記基材２の外表面に、２０ｍ
ｍの厚さに均一に接合されている。
【００１７】ここで、このターゲット材３は、Ｃｒ粉末
の所定量と前記基材２とをＳＵＳ製の筒中に充填し、こ
の筒を密閉したのちにＨＩＰ処理を施すことによって接
合されるものであるが、その接合条件、すなわち、ＨＩ
Ｐ処理の条件を示せば、以下のとおりである。 圧力； １．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 温度； １２００℃ 加圧時間； ２時間
の所定量と前記基材２とをＳＵＳ製の筒中に充填し、こ
の筒を密閉したのちにＨＩＰ処理を施すことによって接
合されるものであるが、その接合条件、すなわち、ＨＩ
Ｐ処理の条件を示せば、以下のとおりである。 圧力； １．０Ｔｏｎ／ｃｍ2 温度； １２００℃ 加圧時間； ２時間
【００１８】このようにして形成されたターゲット構成
体１の複数本を軸方向に連結することにより、本実施例
のターゲットＴを得るのであるが、本実施例では、前記
基材２を溶接によって接続するようにしている。
体１の複数本を軸方向に連結することにより、本実施例
のターゲットＴを得るのであるが、本実施例では、前記
基材２を溶接によって接続するようにしている。
【００１９】このために、前記ターゲット構成体１の一
端部に機械加工を施して、図２に示すように、ターゲッ
ト材３の端部外表面を切削して円錐台形状の凸部を形成
することにより、軸線方向に向かう突き合わせ面４を成
形するとともに、その端部から、前記基材２の一部を突
出させておく。
端部に機械加工を施して、図２に示すように、ターゲッ
ト材３の端部外表面を切削して円錐台形状の凸部を形成
することにより、軸線方向に向かう突き合わせ面４を成
形するとともに、その端部から、前記基材２の一部を突
出させておく。
【００２０】この基材２の突出量Ｌは、この基材２と後
述する他のターゲット構成体１の基材２との突き合わせ
がなされた際における両者のターゲット材３の突き合わ
せ面４・５間の隙間量を規制する。
述する他のターゲット構成体１の基材２との突き合わせ
がなされた際における両者のターゲット材３の突き合わ
せ面４・５間の隙間量を規制する。
【００２１】また、接続される他のターゲット構成体１
の端部を機械加工によりロート状の凹部を形成し、図３
に示すように、基材２の端部をターゲット材３の内側へ
後退させるとともに、ターゲット材３の内面側に、前記
一方のターゲット構成体１のターゲット材３の突き合わ
せ面４と同一傾斜角を有する突き合わせ面５を形成して
おく。
の端部を機械加工によりロート状の凹部を形成し、図３
に示すように、基材２の端部をターゲット材３の内側へ
後退させるとともに、ターゲット材３の内面側に、前記
一方のターゲット構成体１のターゲット材３の突き合わ
せ面４と同一傾斜角を有する突き合わせ面５を形成して
おく。
【００２２】このようにして端部への加工が施された一
対のターゲット構成体１を、それぞれの凸部と凹部とが
嵌め合わされるようにして突き合わせると、両者の基材
２の端部が突き合わされ、かつ、ターゲット材３の突き
合わせ面４・５が所定の隙間をおいて対向させられた状
態となされる。
対のターゲット構成体１を、それぞれの凸部と凹部とが
嵌め合わされるようにして突き合わせると、両者の基材
２の端部が突き合わされ、かつ、ターゲット材３の突き
合わせ面４・５が所定の隙間をおいて対向させられた状
態となされる。
【００２３】ここで、前記ターゲット材３の突き合わせ
面４・５間にＡｕー１８％ＮｉろうＨを介装しておき、
真空中で約１０００℃に加熱することにより、両ターゲ
ット材３を突き合わせ面４・５間を埋めるとともに、両
者を接続する。
面４・５間にＡｕー１８％ＮｉろうＨを介装しておき、
真空中で約１０００℃に加熱することにより、両ターゲ
ット材３を突き合わせ面４・５間を埋めるとともに、両
者を接続する。
【００２４】これより、突き合わされている両基材２の
端部を溶接によって接続することにより、図４に示すよ
うに、両ターゲット構成体１を軸方向に連結して長尺な
（本実施例においては、ターゲット構成体１の長さが６
００ｍｍであるから、約１２００ｍｍである）ターゲッ
トＴが得られる。
端部を溶接によって接続することにより、図４に示すよ
うに、両ターゲット構成体１を軸方向に連結して長尺な
（本実施例においては、ターゲット構成体１の長さが６
００ｍｍであるから、約１２００ｍｍである）ターゲッ
トＴが得られる。
【００２５】そして、このようにして構成されたターゲ
ットＴは、スパッタリング装置内に設置され、基材２中
に流される冷却液によって温度上昇が制御され、また、
軸線周りに回転させられた状態で前記ターゲット材３へ
の電子の照射が行われることにより、被スパッタリング
材へのスパッタリング膜の形成が行われる。
ットＴは、スパッタリング装置内に設置され、基材２中
に流される冷却液によって温度上昇が制御され、また、
軸線周りに回転させられた状態で前記ターゲット材３へ
の電子の照射が行われることにより、被スパッタリング
材へのスパッタリング膜の形成が行われる。
【００２６】このようなスパッタリング操作に際し、タ
ーゲット材３の突き合わせ面４・５がターゲットＴの軸
線に対して傾斜させられていることから、電子がターゲ
ット材３間の接続部に照射させられても、この電子はタ
ーゲット材３に照射されるのみで、基材２へ照射させら
れることはない。
ーゲット材３の突き合わせ面４・５がターゲットＴの軸
線に対して傾斜させられていることから、電子がターゲ
ット材３間の接続部に照射させられても、この電子はタ
ーゲット材３に照射されるのみで、基材２へ照射させら
れることはない。
【００２７】したがって、被スパッタリング材に形成さ
れるスパッタリング膜の品質の低下が防止される。
れるスパッタリング膜の品質の低下が防止される。
【００２８】なお、前記実施例においては、基材２の接
続に、溶接を用いた例について説明したが、これに限ら
れるものではなく、種々変更可能である。
続に、溶接を用いた例について説明したが、これに限ら
れるものではなく、種々変更可能である。
【００２９】例えば、基材２の接続は、図５に示すよう
に、一方の基材２の端部内周面に凹部２ａを形成してお
き、また、他方の基材２の端部に前記凹部２ａの内径よ
りも若干大きな外径を有する凸部２ｂを形成し、この凸
部２ｂを前記凹部２ａへ圧入することによって両者を連
結することも可能である。
に、一方の基材２の端部内周面に凹部２ａを形成してお
き、また、他方の基材２の端部に前記凹部２ａの内径よ
りも若干大きな外径を有する凸部２ｂを形成し、この凸
部２ｂを前記凹部２ａへ圧入することによって両者を連
結することも可能である。
【００３０】但し、このような接続構造とする場合に
は、両基材２の接続と同時に、前記両ターゲット材３の
ろー付けを行う必要がある。
は、両基材２の接続と同時に、前記両ターゲット材３の
ろー付けを行う必要がある。
【００３１】また、接続すべきターゲット構成体１の基
材２を貫通するように連結ロッド６を挿入して、この連
結ロッド６の両端部に前記基材３の内径よりも大きな外
径の頭部を有するボルト７を螺着することにより、これ
らの両ボルト７間に、あるいは、このボルト７に挿通さ
れた座金等を介して前記基材２を挟持させるようにして
もよい。
材２を貫通するように連結ロッド６を挿入して、この連
結ロッド６の両端部に前記基材３の内径よりも大きな外
径の頭部を有するボルト７を螺着することにより、これ
らの両ボルト７間に、あるいは、このボルト７に挿通さ
れた座金等を介して前記基材２を挟持させるようにして
もよい。
【００３２】さらに、図７に示すように、一方の基材２
に雌螺子２ｃを形成しておき、また、他方の基材２に雄
螺子２ｄを形成しておき、これらの両螺子を螺合させる
ことによって両基材２の接続を行うことも可能である。
に雌螺子２ｃを形成しておき、また、他方の基材２に雄
螺子２ｄを形成しておき、これらの両螺子を螺合させる
ことによって両基材２の接続を行うことも可能である。
【００３３】このような構成とする場合には、螺子部か
らの冷却水等の漏れを防止するために、両基材２間に図
に示すようにシール材８を介装することが望ましい。
らの冷却水等の漏れを防止するために、両基材２間に図
に示すようにシール材８を介装することが望ましい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるス
パッタリング用ターゲットは、棒状基材の外周面にター
ゲット材を接合して形成されたターゲット構成体を、そ
の長さ方向に複数連結してなり、前記棒状基材の端部を
相互に連結するとともに、前記ターゲット材の端部の突
き合わせ面を、ターゲット構成体の軸線に対して傾斜さ
せてなることを特徴とするもので、つぎのような優れた
効果を奏する。
パッタリング用ターゲットは、棒状基材の外周面にター
ゲット材を接合して形成されたターゲット構成体を、そ
の長さ方向に複数連結してなり、前記棒状基材の端部を
相互に連結するとともに、前記ターゲット材の端部の突
き合わせ面を、ターゲット構成体の軸線に対して傾斜さ
せてなることを特徴とするもので、つぎのような優れた
効果を奏する。
【００３５】長尺なスパッタリング用ターゲットが容易
に得られるとともに、ターゲット材の突き合わせ部分に
おける傾斜によって、スパッタリング時に照射される電
子が基材へ到達することを防止することができる。
に得られるとともに、ターゲット材の突き合わせ部分に
おける傾斜によって、スパッタリング時に照射される電
子が基材へ到達することを防止することができる。
【００３６】したがって、形成されるスパッタリング膜
中への不純物の混入を防止して、高品質でかつ広いスパ
ッタリング膜を形成することができる。
中への不純物の混入を防止して、高品質でかつ広いスパ
ッタリング膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例に係わるターゲット構成体を
示すもので、一部を破断した側面図である。
示すもので、一部を破断した側面図である。
【図２】本発明の一実施例に係わるターゲット構成体を
示すもので、一端部に機械加工により円錐台形状の凸状
の突き合わせ面を形成した状態を示す側面図である。
示すもので、一端部に機械加工により円錐台形状の凸状
の突き合わせ面を形成した状態を示す側面図である。
【図３】本発明の一実施例に係わるターゲット構成体を
示すもので、一端部に機械加工によりろーと状の突き合
わせ面を形成した状態を示す側面図である。
示すもので、一端部に機械加工によりろーと状の突き合
わせ面を形成した状態を示す側面図である。
【図４】本発明の一実施例を示すもので、ターゲット構
成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すもので、ターゲット
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示すもので、ターゲット
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
【図７】本発明の他の実施例を示すもので、ターゲット
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
構成体の接合部分を示す縱断面側面図である。
１ ターゲット構成体 ２ 基材 ２ａ 凹部 ２ｂ 凸部 ２ｃ 雌螺子 ２ｄ 雄螺子 ３ 突き合わせ面 ４ 突き合わせ面 ５ 突き合わせ面 ６ 連結ロッド ７ ボルト ８ シール材 Ｈ ろー Ｔ ターゲット
Claims (8)
- 【請求項１】 棒状基材の外周面にターゲット材を接合
して形成されたターゲット構成体を、その長さ方向に複
数連結してなり、前記棒状基材の端部を相互に連結する
とともに、前記ターゲット材の端部の突き合わせ面を、
ターゲット構成体の軸線に対して傾斜させてなることを
特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 前記突き合わせ面とターゲット構成体の
軸線との傾斜角が、２０°〜８０°であることを特徴と
する請求項１記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】 前記棒状基材が円筒体であることを特徴
とする請求項１記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 前記複数の棒状基材が、溶接によって連
結されていることを特徴とする請求項３記載のスパッタ
リング用ターゲット。 - 【請求項５】 前記複数の棒状基材が圧入によって連結
されていることを特徴とする請求項３記載のスパッタリ
ング用ターゲット。 - 【請求項６】 前記複数の棒状基材が、内部に挿通され
た連結ロッドと、この連結ロッドの両端部に取付けられ
て、最外部に位置する棒状基材の外端に係合させられる
係止部材とによって挟持されることによって連結されて
いることを特徴とする請求項３記載のスパッタリング用
ターゲット。 - 【請求項７】 前記複数の棒状基材が、一方の棒状基材
の端部に他方の棒状基材の端部がねじ込まれることによ
って連結されていることを特徴とする請求項３記載のス
パッタリング用ターゲット。 - 【請求項８】 前記複数のターゲット材が、その突き合
わせ面においてＡｕーＮｉろうによりろう付けされてい
ることを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れかに
記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21182892A JPH0657418A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21182892A JPH0657418A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657418A true JPH0657418A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16612268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21182892A Pending JPH0657418A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657418A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013181221A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Ulvac Japan Ltd | ターゲットアセンブリ及びターゲットユニット |
| JP2016037610A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP21182892A patent/JPH0657418A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013181221A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Ulvac Japan Ltd | ターゲットアセンブリ及びターゲットユニット |
| JP2016037610A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |