JPH0658975A - 基板試験装置 - Google Patents
基板試験装置Info
- Publication number
- JPH0658975A JPH0658975A JP4210585A JP21058592A JPH0658975A JP H0658975 A JPH0658975 A JP H0658975A JP 4210585 A JP4210585 A JP 4210585A JP 21058592 A JP21058592 A JP 21058592A JP H0658975 A JPH0658975 A JP H0658975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- crystal
- electro
- wiring
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の導通試験装置に関し，探針を使用しな
いで電気光学効果を利用し，基板を破壊する恐れのない
装置の提供を目的とする。 【構成】 基板に形成された配線の導通状態を試験する
装置であって，該基板に接触させる電気光学効果と光導
電性の両方の性質を持つ結晶と，該結晶の該基板とは反
対側の面に被着された透明電極と，該透明電極に接続し
て電圧を印加する電源と，光導電性を示す波長の光を被
測定配線に該結晶を通して照射する書込光ビーム照射部
と，電気光学効果を示す波長の読出光を該結晶に照射
し，該結晶からの反射光像を観測する電気光学式画像測
定部とを有するように構成する。
いで電気光学効果を利用し，基板を破壊する恐れのない
装置の提供を目的とする。 【構成】 基板に形成された配線の導通状態を試験する
装置であって，該基板に接触させる電気光学効果と光導
電性の両方の性質を持つ結晶と，該結晶の該基板とは反
対側の面に被着された透明電極と，該透明電極に接続し
て電圧を印加する電源と，光導電性を示す波長の光を被
測定配線に該結晶を通して照射する書込光ビーム照射部
と，電気光学効果を示す波長の読出光を該結晶に照射
し，該結晶からの反射光像を観測する電気光学式画像測
定部とを有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板試験装置に係り，特
に基板上の配線パターンが設計通りに接続されているか
どうかを試験する装置に関する。
に基板上の配線パターンが設計通りに接続されているか
どうかを試験する装置に関する。
【０００２】例えば，マルチチップモジュール(MCM) で
は半導体チップが使用され，配線が複数の層で形成され
るため，チップ搭載前に配線パターンの導通試験（オー
プン／ショート）を行う必要がある。
は半導体チップが使用され，配線が複数の層で形成され
るため，チップ搭載前に配線パターンの導通試験（オー
プン／ショート）を行う必要がある。
【０００３】
【従来の技術】基板に形成された配線の導通を試験する
ためには，配線の両端で電圧の印加，測定を行うことが
必要である。従来技術では，多数の探針を整列させて基
板に押し当て，スイッチの切り替えによって配線を選択
し，電圧の印加，測定を行っていた。
ためには，配線の両端で電圧の印加，測定を行うことが
必要である。従来技術では，多数の探針を整列させて基
板に押し当て，スイッチの切り替えによって配線を選択
し，電圧の印加，測定を行っていた。
【０００４】一方，光学の分野では結晶の電気光学効果
を利用した電圧測定技術が良く知られており，近年の高
速信号の計測にも応用されている。例えば，本発明者に
より，検出用電気光学結晶を実装プリント基板の配線部
に接近させて信号波形の測定を行う方式が提供されてい
る。この検出方式を拡張して基板の導通試験を行うこと
ができれば上記の探針による測定にとって代わることが
できる。
を利用した電圧測定技術が良く知られており，近年の高
速信号の計測にも応用されている。例えば，本発明者に
より，検出用電気光学結晶を実装プリント基板の配線部
に接近させて信号波形の測定を行う方式が提供されてい
る。この検出方式を拡張して基板の導通試験を行うこと
ができれば上記の探針による測定にとって代わることが
できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の試験方式では，
針圧によって基板を破壊したり，針により配線端が損傷
するという問題がある。
針圧によって基板を破壊したり，針により配線端が損傷
するという問題がある。
【０００６】本発明は探針を使用しないで電気光学効果
を利用し，基板を破壊する恐れのない導通試験装置の提
供を目的とする。
を利用し，基板を破壊する恐れのない導通試験装置の提
供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，基板
に形成された配線の導通状態を試験する装置であって，
該基板に接触させる電気光学効果と光導電性の両方の性
質を持つ結晶と，該結晶の該基板とは反対側の面に被着
された透明電極と，該透明電極に接続して電圧を印加す
る電源と，光導電性を示す波長の光を被測定配線に該結
晶を通して照射する書込光ビーム照射部と，電気光学効
果を示す波長の読出光を該結晶に照射し，該結晶からの
反射光像を観測する電気光学式画像測定部とを有する基
板試験装置により達成される。
に形成された配線の導通状態を試験する装置であって，
該基板に接触させる電気光学効果と光導電性の両方の性
質を持つ結晶と，該結晶の該基板とは反対側の面に被着
された透明電極と，該透明電極に接続して電圧を印加す
る電源と，光導電性を示す波長の光を被測定配線に該結
晶を通して照射する書込光ビーム照射部と，電気光学効
果を示す波長の読出光を該結晶に照射し，該結晶からの
反射光像を観測する電気光学式画像測定部とを有する基
板試験装置により達成される。
【０００８】
【作用】本発明は，探針を使用しない基板試験を実現す
るために，光による電圧印加と配線電圧検出（具体的に
は電気光学効果による配線電圧の読出と，光導電性によ
る電圧の印加）を行うものである。
るために，光による電圧印加と配線電圧検出（具体的に
は電気光学効果による配線電圧の読出と，光導電性によ
る電圧の印加）を行うものである。
【０００９】図１(A),(B) は本発明の原理説明図であ
る。被試験基板３上に電気光学効果と光導電性を有する
結晶１を置き，結晶が光導電性を示す波長λ1 （短波
長）の光（書込光）と，電気光学効果を示す波長λ
2（長波長）の光（読出光）の２つの光を結晶に照射す
る〔図１(B) 参照〕。電気光学結晶１の配線パターン４
の反対面には透明電極２が被着され，ここに電源５が接
続され電圧が印加される。
る。被試験基板３上に電気光学効果と光導電性を有する
結晶１を置き，結晶が光導電性を示す波長λ1 （短波
長）の光（書込光）と，電気光学効果を示す波長λ
2（長波長）の光（読出光）の２つの光を結晶に照射す
る〔図１(B) 参照〕。電気光学結晶１の配線パターン４
の反対面には透明電極２が被着され，ここに電源５が接
続され電圧が印加される。
【００１０】設計データに基づいて，測定しようとする
配線パターン４に書込光ビームを照射することにより，
この配線パターンに光導電性を利用して電圧を印加す
る。一方，結晶に読出光を照射することにより，電気光
学効果を利用して基板上の電圧分布を測定することによ
り，書込光照射パターンに接続された配線の導通を知る
ことができる。
配線パターン４に書込光ビームを照射することにより，
この配線パターンに光導電性を利用して電圧を印加す
る。一方，結晶に読出光を照射することにより，電気光
学効果を利用して基板上の電圧分布を測定することによ
り，書込光照射パターンに接続された配線の導通を知る
ことができる。
【００１１】この方式によると，基板にかかる荷重は結
晶の荷重のみであり，基板を破壊することはない。
晶の荷重のみであり，基板を破壊することはない。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の実施例を説明する断面図であ
る。図において，測定部は基板搭載台６，基板全面を覆
う結晶部１，結晶全面を走査可能な書込光ビーム照射
部，基板全面を観察可能な電気光学式画像測定部によっ
て構成される。
る。図において，測定部は基板搭載台６，基板全面を覆
う結晶部１，結晶全面を走査可能な書込光ビーム照射
部，基板全面を観察可能な電気光学式画像測定部によっ
て構成される。
【００１３】結晶１には例えば，基板全面を覆うGaAsを
用いる。この結晶の基板と反対の面には透明電極として
ITO(InSnO)電極２が被着され, ここに電源５より電圧が
印加される。
用いる。この結晶の基板と反対の面には透明電極として
ITO(InSnO)電極２が被着され, ここに電源５より電圧が
印加される。
【００１４】GaAs結晶が光導電性を示す波長領域と電気
光学効果を示す波長領域の境界は850 nm 付近にある。
書込光ビーム照射部の書込光光源７には He-Neレーザ
(波長 633 nm)を用いる。レンズ９とスキャナ（例えば
ガルバノスキャナ）８により書込光ビームを結晶上の任
意の点に照射できるようにする。
光学効果を示す波長領域の境界は850 nm 付近にある。
書込光ビーム照射部の書込光光源７には He-Neレーザ
(波長 633 nm)を用いる。レンズ９とスキャナ（例えば
ガルバノスキャナ）８により書込光ビームを結晶上の任
意の点に照射できるようにする。
【００１５】電気光学式画像測定部の読出光光源10には
赤外線ランプをフィルタリングしたり，あるいは InGaA
sP半導体レーザ（波長 1.3μｍ,1.5μｍ) を用いる。偏
光子と移相子11により, 光源からの光を例えば円偏光状
態にするとともに，レンズ９により読出光を基板全面に
照射する。
赤外線ランプをフィルタリングしたり，あるいは InGaA
sP半導体レーザ（波長 1.3μｍ,1.5μｍ) を用いる。偏
光子と移相子11により, 光源からの光を例えば円偏光状
態にするとともに，レンズ９により読出光を基板全面に
照射する。
【００１６】ここで，配線に電圧が印加されると，結晶
内に電界が誘起され結晶内を反射往復する光の偏光状態
が変化する。検光子12を通してCCD カメラ13で結晶から
の反射光像を観察することにより，配線電圧による読出
光偏光状態の変化が基板上の電圧分布として観測され
る。
内に電界が誘起され結晶内を反射往復する光の偏光状態
が変化する。検光子12を通してCCD カメラ13で結晶から
の反射光像を観察することにより，配線電圧による読出
光偏光状態の変化が基板上の電圧分布として観測され
る。
【００１７】この実施例では，反射光を一括して２次元
画像を観測する方式を示したが，読出光をビーム状にし
て結晶上を走査させ，反射光をフォトダイオード等で測
定してもよい。
画像を観測する方式を示したが，読出光をビーム状にし
て結晶上を走査させ，反射光をフォトダイオード等で測
定してもよい。
【００１８】図３は実施例の装置を構成するブロック
図，図４は実施例の動作フローを示す図である。以下
に，図３，４を用いて実施例の動作を説明する。
図，図４は実施例の動作フローを示す図である。以下
に，図３，４を用いて実施例の動作を説明する。
【００１９】試験対象の基板を基板搭載台６に搭載し，
制御部14の指示に従って基板を結晶に接触させる（図
４，41) 。次に，画像を観察しながら書込光の座標を較
正する（図４，42) 。制御部は設計データに基づき，測
定を行う配線パターンの端部の座標に書込光を照射する
（図４，43) 。光導電性によって透明電極２と配線パタ
ーン間に導電性が生ずるため，書込光が照射された配線
パターンに電圧が印加される。
制御部14の指示に従って基板を結晶に接触させる（図
４，41) 。次に，画像を観察しながら書込光の座標を較
正する（図４，42) 。制御部は設計データに基づき，測
定を行う配線パターンの端部の座標に書込光を照射する
（図４，43) 。光導電性によって透明電極２と配線パタ
ーン間に導電性が生ずるため，書込光が照射された配線
パターンに電圧が印加される。
【００２０】次いで，書込光ビームの照射を停止した
後，透明電極への電圧印加を停止すると，書込光ビーム
を照射した配線に接続された配線パターンが帯電したま
まとなる。このときの電気光学式画像測定部（画像処理
部15) で取得した電圧分布像を制御部に取り込み（図
４，44) 設計データと比較する（図４，45) ことによ
り，書込光を照射された配線パターンと導通した配線パ
ターンを抽出する。配線が断線しておれば設計通りのパ
ターンに電圧が検出されず，また，設計通りでないパタ
ーンに電圧が検出されれば短絡があることになる（図
４，46) 。
後，透明電極への電圧印加を停止すると，書込光ビーム
を照射した配線に接続された配線パターンが帯電したま
まとなる。このときの電気光学式画像測定部（画像処理
部15) で取得した電圧分布像を制御部に取り込み（図
４，44) 設計データと比較する（図４，45) ことによ
り，書込光を照射された配線パターンと導通した配線パ
ターンを抽出する。配線が断線しておれば設計通りのパ
ターンに電圧が検出されず，また，設計通りでないパタ
ーンに電圧が検出されれば短絡があることになる（図
４，46) 。
【００２１】なお，基板を貫通する方向に延びる配線に
ついての導通試験は，基板搭載台に電圧を印加し，電気
光学式画像測定部で電圧分布像を測定することで試験が
できる。
ついての導通試験は，基板搭載台に電圧を印加し，電気
光学式画像測定部で電圧分布像を測定することで試験が
できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば，探針を用いないで基板
の導通試験ができ，基板や配線を破壊しないで試験でき
るようになった。
の導通試験ができ，基板や配線を破壊しないで試験でき
るようになった。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例を説明する断面図
【図３】 実施例の装置を構成するブロック図
【図４】 実施例の動作フローを示す図
１ 電気光学効果と光導電性を有する結晶 ２ 透明電極でITO 電極 ３ 被試験基板 ４ 配線パターン ５ 電源 ６ 基板搭載台 ７ 書込光光源 ８ スキャナ ９ レンズ 10 読出光光源 11 偏光子と移相子 12 検光子 13 CCD カメラ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に形成された配線の導通状態を試験
する装置であって，該基板に接触させる電気光学効果と
光導電性の両方の性質を持つ結晶と，該結晶の該基板と
は反対側の面に被着された透明電極と，該透明電極に接
続して電圧を印加する電源と，光導電性を示す波長の光
を被測定配線に該結晶を通して照射する書込光ビーム照
射部と，電気光学効果を示す波長の読出光を該結晶に照
射し，該結晶からの反射光像を観測する電気光学式画像
測定部とを有することを特徴とする基板試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210585A JPH0658975A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 基板試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210585A JPH0658975A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 基板試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0658975A true JPH0658975A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16591759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4210585A Pending JPH0658975A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 基板試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658975A (ja) |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP4210585A patent/JPH0658975A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4983911A (en) | Voltage imaging system using electro-optics | |
| JPH06180353A (ja) | 電気光学を利用した電圧像形成装置及び方法 | |
| JPH0627428A (ja) | 試験中の表面上の多数の位置における画像を観察する装置およびそれらの位置の容量を観察する方法 | |
| JPH06213975A (ja) | 試験中のパネルの表面上の多数の位置における電圧を観察する装置および方法 | |
| TWI269878B (en) | Circuit pattern detector and circuit pattern detecting method | |
| JPH0580083A (ja) | 集積回路の試験方法および装置 | |
| JP4003371B2 (ja) | 回路基板の検査装置及び回路基板の検査方法 | |
| US5750981A (en) | Non-contact electro-optic detection of photovoltages created in a semiconductor by a probe beam | |
| JPH0792236A (ja) | 基板表面の電圧分布の検査装置 | |
| JP4403701B2 (ja) | 回路基板の検査装置 | |
| US6894514B2 (en) | Circuit pattern detecting apparatus and circuit pattern inspecting method | |
| JP3019798B2 (ja) | 回路基板検査方法 | |
| JP2003227859A (ja) | 回路パターン検出装置および回路パターン検査方法 | |
| JP2002014131A (ja) | 回路基板の検査方法及び検査装置 | |
| JPH04259862A (ja) | プリント基板試験装置 | |
| JP2005017024A (ja) | 回路基板の検査装置 | |
| JP2005172730A (ja) | 回路基板の断線検査装置 | |
| JP2003185696A (ja) | 回路パターン検出装置、回路パターン検出方法および回路パターン検査方法 | |
| JP2900784B2 (ja) | プリント基板検査装置 | |
| JP2735048B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
| JPH03167490A (ja) | 実装プリント板試験装置 | |
| JPH1172524A (ja) | プリント基板検査装置およびその検査方法 | |
| JPH06102318A (ja) | プローブ装置 | |
| JPH0787211B2 (ja) | 集積回路の試験装置 | |
| JPH0427884A (ja) | 実装プリント板試験装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020423 |