JPH0658977B2 - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH0658977B2 JPH0658977B2 JP14722784A JP14722784A JPH0658977B2 JP H0658977 B2 JPH0658977 B2 JP H0658977B2 JP 14722784 A JP14722784 A JP 14722784A JP 14722784 A JP14722784 A JP 14722784A JP H0658977 B2 JPH0658977 B2 JP H0658977B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
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- zinc
- znte
- selenide
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な半導体素子に関する。詳しくは、バンド
ギャップ（禁制帯幅）が広く短波長（高エネルギー）の
光を発光させる発光母体として好適である新規な半導体
素子を提供しようとするものである。
ギャップ（禁制帯幅）が広く短波長（高エネルギー）の
光を発光させる発光母体として好適である新規な半導体
素子を提供しようとするものである。
背景技術とその問題点 近年、各種のＯＡ機器に固体発光素子である、ＬＥＤや
ＥＬ、あるいは半導体レーザー等が広く利用されてい
る。しかしながら、短波長の光（青色）を発光するもの
は未だ開発されていないのが実情である。
ＥＬ、あるいは半導体レーザー等が広く利用されてい
る。しかしながら、短波長の光（青色）を発光するもの
は未だ開発されていないのが実情である。
これは、青色（短波長＝高エネルギー）の発光させる発
光母体として充分に広いバンドギャップを有する材料に
ドーパント（アクセプタ、ドナー）を適宜に添加してｐ
型あるいはｎ型の半導体を任意に形成する価電子制御
（ｐ−ｎ制御）ができていないためである。
光母体として充分に広いバンドギャップを有する材料に
ドーパント（アクセプタ、ドナー）を適宜に添加してｐ
型あるいはｎ型の半導体を任意に形成する価電子制御
（ｐ−ｎ制御）ができていないためである。
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｃｄ
ＴｅあるいはＺｎＳ1-xＳｅx、ＺｎＳｅ1-yＴｅy、Ｚｎ
Ｃｄ1-zＴｅz等のII−VI族化合物半導体は、直接遷移型
でバンドギャップが広いものが多く、短波長寄りの可視
光（青）から近紫外に至る波長域での発光素子用材料と
して良好な特質を備えている。
ＴｅあるいはＺｎＳ1-xＳｅx、ＺｎＳｅ1-yＴｅy、Ｚｎ
Ｃｄ1-zＴｅz等のII−VI族化合物半導体は、直接遷移型
でバンドギャップが広いものが多く、短波長寄りの可視
光（青）から近紫外に至る波長域での発光素子用材料と
して良好な特質を備えている。
しかしながら、II−VI族化合物の多くは、自己補償効果
のため、不純物の添加によるｐ−ｎ制御が殆どできず、
ＣｄＴｅ以外のII−VI族化合物でｐ型、ｎ型どちらかの
半導体しか形成することができず、ｐ型、ｎ型両方の半
導体を形成することはきわめて困難なこととされてい
る。
のため、不純物の添加によるｐ−ｎ制御が殆どできず、
ＣｄＴｅ以外のII−VI族化合物でｐ型、ｎ型どちらかの
半導体しか形成することができず、ｐ型、ｎ型両方の半
導体を形成することはきわめて困難なこととされてい
る。
なかでも、広いバンドギャップを持ち、青色発光母体と
して期待されるＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅにおい
てｐ−ｎ制御が可能となった例は未だ報告されていな
い。
して期待されるＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＴｅにおい
てｐ−ｎ制御が可能となった例は未だ報告されていな
い。
また、ｐ−ｎ制御を実現するためには、まず、格子整合
の良い、不純物の無い良好な結晶を作る必要があるが、
従来から行なわれている熱平衝状態での結晶成長技術で
あるＣＶＤ法やＬＰＥ法では上記の如き良好な結晶を作
ることは困難である。そこで、非熱平衝状態での結晶成
長法である、ＭＢＥ法、ＡＬＥ法、ＨＷＥ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法等が研究されているが、充分な成果は未だ得られて
いない。
の良い、不純物の無い良好な結晶を作る必要があるが、
従来から行なわれている熱平衝状態での結晶成長技術で
あるＣＶＤ法やＬＰＥ法では上記の如き良好な結晶を作
ることは困難である。そこで、非熱平衝状態での結晶成
長法である、ＭＢＥ法、ＡＬＥ法、ＨＷＥ法、ＭＯＣＶ
Ｄ法等が研究されているが、充分な成果は未だ得られて
いない。
発明の目的 そこで、本発明は、超格子構造においては量子井戸のエ
ネルギーレベルが大幅に増加することを巧みに活用し
て、青色発光が可能な広いバンドギャップを持つII−VI
族化合物半導体を使用してのｐ−ｎ制御を可能とし、こ
れによって、バンドギャップ（禁制帯幅）が広く短波長
（高エネルギー）の光（青色の光）を発光させる発光母
体として好適である新規な半導体素子を提供することを
目的とする。
ネルギーレベルが大幅に増加することを巧みに活用し
て、青色発光が可能な広いバンドギャップを持つII−VI
族化合物半導体を使用してのｐ−ｎ制御を可能とし、こ
れによって、バンドギャップ（禁制帯幅）が広く短波長
（高エネルギー）の光（青色の光）を発光させる発光母
体として好適である新規な半導体素子を提供することを
目的とする。
発明の概要 本発明半導体素子は、上記した目的を達成するために、
第１のものは、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛（Ｚ
ｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して
超格子構造として成るｐ型半導体とｎ型イオウセレン化
亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体とで構成したｐ−ｎ接
合を持つことを特徴とし、第２のものは、ｎ型のものを
作り易いセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の半導体超薄膜と真
性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄
膜とを交互に多数積層して超格子構造として成るｎ型半
導体と、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛（ＺｎＴ
ｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ
1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して超格
子構造として成るｐ型半導体とで構成したｐ−ｎ接合を
持つことを特徴とする。
第１のものは、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛（Ｚ
ｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して
超格子構造として成るｐ型半導体とｎ型イオウセレン化
亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体とで構成したｐ−ｎ接
合を持つことを特徴とし、第２のものは、ｎ型のものを
作り易いセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の半導体超薄膜と真
性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄
膜とを交互に多数積層して超格子構造として成るｎ型半
導体と、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛（ＺｎＴ
ｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ
1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して超格
子構造として成るｐ型半導体とで構成したｐ−ｎ接合を
持つことを特徴とする。
実施例 以下に本発明半導体素子の詳細を添附図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は本発明半導体素子の一例のエネルギー準位の分
布を示す図である。
布を示す図である。
この半導体は、アンチモン（Ｓｂ）をアクセプタとして
添加してｐ型としたテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）半導体超
薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx、以下
ＺｎＳＳｅと記載する。）半導体超薄膜とを多数積層し
て超格子構造半導体としたものである。
添加してｐ型としたテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）半導体超
薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx、以下
ＺｎＳＳｅと記載する。）半導体超薄膜とを多数積層し
て超格子構造半導体としたものである。
このような超格子構造とすると、バンドギャップが２．
２６ｅＶのｐ型ＺｎＴｅの価電子帯側のバンドギャップ
は格子定数の歪と量子井戸効果とによって大幅に拡大
し、最終的には、ＺｎＳＳｅの持つ３．１５ｅＶのバン
ドギャップを殆ど損なうことなく、広いバンドギャップ
が保持される。
２６ｅＶのｐ型ＺｎＴｅの価電子帯側のバンドギャップ
は格子定数の歪と量子井戸効果とによって大幅に拡大
し、最終的には、ＺｎＳＳｅの持つ３．１５ｅＶのバン
ドギャップを殆ど損なうことなく、広いバンドギャップ
が保持される。
更に、ｐ型ＺｎＴｅに存在するホール（正孔）のかなり
の部分は、ＺｎＴｅ及びＺｎＳＳｅの膜厚が薄いため、
トンネル効果又は統計力学的平衝状態を保つため、Ｚｎ
ＳＳｅ側に移動する現象を生じ、これがために、ＺｎＳ
Ｓｅはｐ型となり、従って、このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
Ｓｅ超格子構造半導体はＺｎＳＳｅと殆ど変わらないバ
ンドギャップを保持したままｐ型半導体を形成すること
になる。
の部分は、ＺｎＴｅ及びＺｎＳＳｅの膜厚が薄いため、
トンネル効果又は統計力学的平衝状態を保つため、Ｚｎ
ＳＳｅ側に移動する現象を生じ、これがために、ＺｎＳ
Ｓｅはｐ型となり、従って、このｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳ
Ｓｅ超格子構造半導体はＺｎＳＳｅと殆ど変わらないバ
ンドギャップを保持したままｐ型半導体を形成すること
になる。
次に、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子構造をもった半導体素
子を例にして、その物理的特性について説明する。
子を例にして、その物理的特性について説明する。
次頁の表１、表２はＺｎＴｅ、ＺｎＳｅの単膜について
の特性を示すものである。
の特性を示すものである。
表１におけるサンプル１のようにＬｉ3Ｐをドーパント
としたＺｎＴｅ膜について、フォトンエネルギー−発光
強度特性の一例を第３図に示す。
としたＺｎＴｅ膜について、フォトンエネルギー−発光
強度特性の一例を第３図に示す。
また、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子構造の半導体について
の諸量を次頁の表３に示す。
の諸量を次頁の表３に示す。
表３のサンプル６のようにＬｉ3Ｐをドーパントとした
ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子構造の半導体についてフォト
ンエネルギー−発光強度特性の一例を第４図に示す。
ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子構造の半導体についてフォト
ンエネルギー−発光強度特性の一例を第４図に示す。
前の第３図に比較して「Ｅｘ」で示すピーク部分が高エ
ネルギー側に移動していることが分かる。これは材質の
単なる組み合わせからは予想し得ない特徴である。
ネルギー側に移動していることが分かる。これは材質の
単なる組み合わせからは予想し得ない特徴である。
尚、表３中のサンプル７ではさらにＨ2を用いており、
この場合１０17オーダーの高濃度Ｐ型ＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子が得られる。
この場合１０17オーダーの高濃度Ｐ型ＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子が得られる。
上記Ｌｉ3ＰドープＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子について
の電気的特性を次頁の表４に示す。
の電気的特性を次頁の表４に示す。
表４では層厚や層数等を異にする２例を示しており、
「Ｅｇ」はエネルギーギャップ、「Ｐ」はキャリア濃
度、「μ」は移動度、「ρ」は抵抗率をそれぞれ示して
いる。尚、「＊」を付したものは計算値である。
「Ｅｇ」はエネルギーギャップ、「Ｐ」はキャリア濃
度、「μ」は移動度、「ρ」は抵抗率をそれぞれ示して
いる。尚、「＊」を付したものは計算値である。
表１のサンプル１に示すＬｉ3ＰをドーパントとしたＰ
型ＺｎＴｅ膜についての移動度や抵抗率と比較するとそ
の違いが明らかとなる。
型ＺｎＴｅ膜についての移動度や抵抗率と比較するとそ
の違いが明らかとなる。
本発明では、ＮＨ3を用いてＮを添加したＰ型ＺｎＴｅ
−ＺｎＳｅ超格子を実施態様として挙げることができ、
波長−発光強度特性の一例を第５図に示す（尚、Ｎドー
プＺｎＴｅ膜についてはサンプル３を参照。）。
−ＺｎＳｅ超格子を実施態様として挙げることができ、
波長−発光強度特性の一例を第５図に示す（尚、Ｎドー
プＺｎＴｅ膜についてはサンプル３を参照。）。
第２図は上記したｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳＳｅ超格子構造
半導体に例えば臭素（Ｂｒ）等のドナーを添加したｎ型
ＺｎＳＳｅ半導体を接合した場合のエネルギー準位図で
あるが、このようにすることによって、広いバンドギャ
ップを有するｐ−ｎ接合が得られ、青色発光の注入型Ｅ
Ｌは半導体レーザーの製作が可能となる。
半導体に例えば臭素（Ｂｒ）等のドナーを添加したｎ型
ＺｎＳＳｅ半導体を接合した場合のエネルギー準位図で
あるが、このようにすることによって、広いバンドギャ
ップを有するｐ−ｎ接合が得られ、青色発光の注入型Ｅ
Ｌは半導体レーザーの製作が可能となる。
尚、上記と同様のことは、ｎ型ＺｎＳＳｅ半導体超薄膜
と真性ＺｎＴｅ半導体超薄膜とによりｎ型超格子構造半
導体を作る場合にも同様のことが云えるものであり、ま
た、該ｎ型ＺｎＳＳｅ／ＺｎＴｅの超格子構造半導体と
ｐ型ＺｎＴｅ半導体とによりｐ−ｎ接合を製作すると赤
から緑の発光色の注入型ＥＬが可能となる。
と真性ＺｎＴｅ半導体超薄膜とによりｎ型超格子構造半
導体を作る場合にも同様のことが云えるものであり、ま
た、該ｎ型ＺｎＳＳｅ／ＺｎＴｅの超格子構造半導体と
ｐ型ＺｎＴｅ半導体とによりｐ−ｎ接合を製作すると赤
から緑の発光色の注入型ＥＬが可能となる。
尚、本発明半導体素子の製造はＨ．Ｗ．Ｅ．法（ホット
ウォールエピタキシー法）を用いて行われた。
ウォールエピタキシー法）を用いて行われた。
第６図はＨ．Ｗ．Ｅ．装置の構成を概略的に示すもので
あり、ソース管及びヒーター管は石英ガラス製とされ、
また、ヒーター線にはモリブデン線が用いられている。
あり、ソース管及びヒーター管は石英ガラス製とされ、
また、ヒーター線にはモリブデン線が用いられている。
成長糸は、ヘッド部、ウォール、ソース部、リザーバー
部からなり、これらはクロメル−アルメルの熱電灯を用
いて測温され温度コントローラーにより各々独立した温
度制御が可能とされている。
部からなり、これらはクロメル−アルメルの熱電灯を用
いて測温され温度コントローラーにより各々独立した温
度制御が可能とされている。
基板はヘッド部上に置かれ、その裏側からヒーターで加
熱することができるように構成されている。尚、ヘッド
部は図示しないステッピングモーターにより摺動され、
基板をチャンバー上で往復させることによって超格子成
長を実現することができるように構成されている。
熱することができるように構成されている。尚、ヘッド
部は図示しないステッピングモーターにより摺動され、
基板をチャンバー上で往復させることによって超格子成
長を実現することができるように構成されている。
第６図ではＰ型Ｎ添加のＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子の成
長に関する装置の構成例を示しており、一方のソース源
ＺｎＴｅをリザーバー部に入れると共に、他方のソース
源ＺｎＳｅを別のソース部に入れ、石英管を通してアン
モニア（ＮＨ3）ガスをＺｎＴｅのソース部に直接引き
込むようにしている。
長に関する装置の構成例を示しており、一方のソース源
ＺｎＴｅをリザーバー部に入れると共に、他方のソース
源ＺｎＳｅを別のソース部に入れ、石英管を通してアン
モニア（ＮＨ3）ガスをＺｎＴｅのソース部に直接引き
込むようにしている。
尚、その場合、アンモニアガスの分圧は１×１０-5Ｔｏ
ｒｒに保たれている。そして、各部の温度は図示の通り
である。
ｒｒに保たれている。そして、各部の温度は図示の通り
である。
尚、本例においてはＺｎＴｅをリザーバー部に入れて加
熱成長を行なうことが好ましい。これは、ＺｎＴｅをソ
ース部に入れたのでは、アンモニアガスを分解させるた
めにソース部を高温に保つことが、成長レートの制御を
困難なものにしてしまうためである。
熱成長を行なうことが好ましい。これは、ＺｎＴｅをソ
ース部に入れたのでは、アンモニアガスを分解させるた
めにソース部を高温に保つことが、成長レートの制御を
困難なものにしてしまうためである。
発明の効果 以上に記載したところから明らかなように、本発明半導
体素子の第１のものは、ｐ型のものを作り易いテルル化
亜鉛（ＺｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化
亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数
積層して超格子構造として成るｐ型半導体とｎ型イオウ
セレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体とで構成した
ｐ−ｎ接合を持つことを特徴とし、第２のものは、ｎ型
のものを作り易いセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の半導体超
薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半
導体超薄膜とを交互に多数積層して超格子構造として成
るｎ型半導体と、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛
（ＺｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛
（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層
して超格子構造として成るｐ型半導体とで構成したｐ−
ｎ接合を持つことを特徴とする。
体素子の第１のものは、ｐ型のものを作り易いテルル化
亜鉛（ＺｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化
亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数
積層して超格子構造として成るｐ型半導体とｎ型イオウ
セレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体とで構成した
ｐ−ｎ接合を持つことを特徴とし、第２のものは、ｎ型
のものを作り易いセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）の半導体超
薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半
導体超薄膜とを交互に多数積層して超格子構造として成
るｎ型半導体と、ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛
（ＺｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛
（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層
して超格子構造として成るｐ型半導体とで構成したｐ−
ｎ接合を持つことを特徴とする。
従って、本発明によれば、バンドギャップ（禁制帯幅）
が広く短波長（高エネルギー）の光を発光させる発光母
体として好適である新規な半導体素子を提供することが
できる。
が広く短波長（高エネルギー）の光を発光させる発光母
体として好適である新規な半導体素子を提供することが
できる。
第１図は本発明半導体素子の一例におけるエネルギー準
位の分布を示す図、第２図は本発明に係るｐ−ｎ接合半
導体素子のエネルギー準位の分布を示す図、第３図乃至
第５図はフォトンエネルギー−発光強度特性を示す図、
第６図はＨ．Ｗ．Ｅ．装置（ホットウォールエピタキシ
ー装置）の構成を概略的に示す図である。
位の分布を示す図、第２図は本発明に係るｐ−ｎ接合半
導体素子のエネルギー準位の分布を示す図、第３図乃至
第５図はフォトンエネルギー−発光強度特性を示す図、
第６図はＨ．Ｗ．Ｅ．装置（ホットウォールエピタキシ
ー装置）の構成を概略的に示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】ｐ型のものを作り易いテルル化亜鉛（Ｚｎ
Ｔｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して超
格子構造として成るｐ型半導体とｎ型イオウセレン化亜
鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体とで構成したｐ−ｎ接合
を持つことを特徴とする半導体素子 - 【請求項２】ｎ型のものを作り易いセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）の半導体超薄膜と真性イオウセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを交互に多数積層して超
格子構造として成るｎ型半導体と、ｐ型のものを作り易
いテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）の半導体超薄膜と真性イオ
ウセレン化亜鉛（ＺｎＳ1-xＳｅx）の半導体超薄膜とを
交互に多数積層して超格子構造として成るｐ型半導体と
で構成したｐ−ｎ接合を持つことを特徴とする半導体素
子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14722784A JPH0658977B2 (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14722784A JPH0658977B2 (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126271A JPS6126271A (ja) | 1986-02-05 |
| JPH0658977B2 true JPH0658977B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=15425443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14722784A Expired - Lifetime JPH0658977B2 (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658977B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077849B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP2545212B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1996-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 青色発光素子 |
| JP2588280B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-03-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| JPH04199887A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ｐｎ接合素子及びその製造方法並びに青色発光ダイオード素子 |
| JP2663787B2 (ja) * | 1991-06-05 | 1997-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 発光素子 |
| JPH0766984B2 (ja) * | 1992-02-13 | 1995-07-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ヘテロ超格子ｐｎ接合 |
| KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| JP3278951B2 (ja) * | 1992-10-23 | 2002-04-30 | ソニー株式会社 | オーミック電極の形成方法 |
| US6608621B2 (en) | 2000-01-20 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image displaying method and apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880883A (ja) * | 1981-11-07 | 1983-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 青色発光素子 |
| JPS59181485A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | 柊元 宏 | 発光素子 |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14722784A patent/JPH0658977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄｂｈｙｓｉｃｓ５７（８），１５Ａｐｒｉｌ１９８５Ｐ．２９６０〜Ｐ．２９６２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126271A (ja) | 1986-02-05 |
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