JPH065906A

JPH065906A - モノリシック型光結合装置の製造方法

Info

Publication number: JPH065906A
Application number: JP16276392A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Hanamoto; 哲也花本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-06-22
Filing date: 1992-06-22
Publication date: 1994-01-14

Abstract

(57)【要約】【目的】受発光両素子の製作工程および実装工数を簡
略化する。【構成】ベースとなる半導体基板２１に凹部２２を設
け、エピタキシャル成長にて光結合素子１０を一度に形
成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング手法
を用いて発光素子１１と受光素子１２に分離する。受発
光素子１１，１２の電極３１，３２を同一面上に形成
し、導電バンプ４７を形成し、接続を容易にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、受発光一体型のモノリ
シック型光結合装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７，８に、従来の技術により作製され
た光結合装置（フォトカプラ）の構成を示す。図７は斜
視図、図８は断面図である。

【０００３】図示の如く、鉄系もしくは銅系の金属リー
ドフレーム１，２の先端部に、発光素子３（ＬＥＤチッ
プ）と受光素子４（フォトダイオードチップやフォトト
ランジスタチップ）を各々ダイボンドし、その後Ａｕワ
イヤー等による接続が施され、それらは対向して配置さ
れる。そして、前記受発光素子３，４は、これらチップ
の保護および光量子効率向上の目的で、透光性絶縁材料
５による一次モールドを施した後、前記リードフレーム
１，２の保護と外乱光遮蔽のために、遮光性樹脂６で二
次モールドされていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術により作製
された光結合装置では、発光素子３がＧａＡｓ系半導
体、受光素子４がＳｉ系半導体と、その構成材料が夫々
異なるため、各々の素子３，４は別工程で作製しなけれ
ばならなかった。

【０００５】また、上記光結合装置の構造上、発光素子
３と受光素子４は各々一個以上、合計二個以上のリード
フレーム１，２に搭載する必要があった。したがって、
従来の技術方式では、個々の素子３，４を実装するため
に作製にかかる工数が多く、また、各素子３，４間の幅
にもバラツキがあった。

【０００６】さらに、光結合装置の小型化を考える場
合、受発光素子３，４と実装基板とを接続しているボン
ディングワイヤーに係る信頼性を考慮しなければなら
ず、このため、基板側での電気的接続用ワイヤーボンデ
ィングパッドの設定が不可避であった。

【０００７】また、リードフレーム１，２と外装モール
ド樹脂としての遮光性樹脂６との膨張係数の違いによ
り、両材料間での密着性に係る不安定要素を包含してい
た。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑み、受発光両素子
の製作工程および実装工数を簡略化し、各素子間の幅の
バラツキを軽減し、実装基板への接続を容易とし、かつ
各部材間の膨張係数の違いを考慮する必要がなくなるモ
ノリシック型光結合装置の製造方法の提供を目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１〜６の如く、発光素子１１と受光素
子１２とを有する光結合装置の製造方法において、半導
体基板２１の電極形成面またはこれと反対側の面に凹部
２２を形成し、該凹部２２の表面上に、発光素子１１お
よび受光素子１２としての光結合素子１０をエピタキシ
ャル成長法により同時に一体形成し、前記電極形成面ま
たはこれと反対側の面に、受発光素子１１，１２間の一
部を切り欠くように溝２６を形成し、該溝２６に透光性
絶縁材料２７を充填して光路を形成し、発光素子１１と
受光素子１２との間の透光性絶縁材料２７以外の部分を
エッチングにて除去して受発光間を電気的に分離し、前
記電極形成面に外部回路との接続用電極３１，３２をパ
ターン形成するものである。

【００１０】本発明請求項２による課題解決手段は、請
求項１記載の各接続用電極３１，３２に、実装基板上に
直接実装するための導電バンプ４７を形成するものであ
る。

【００１１】本発明請求項３による課題解決手段は、上
面に収納凹部４２を有する樹脂ケース４１を射出成形ま
たはトランスファ成形等によって成形し、前記収納凹部
４２から樹脂ケース４１の側面あるいは下面にかけて、
薄膜状の立体配線部４３ａ〜４３ｄを立体的に引き回し
て形成し、請求項１記載の光結合素子１０を前記収納凹
部４２内に搭載し、該収納凹部４２を封止樹脂４８で封
止するものである。

【００１２】

【作用】上記請求項１による課題解決手段において、発
光素子１１および受光素子１２を同一の半導体基板２１
上でモノリシックに形成するため、従来別々の工程で作
製していたものを同時工程で一体的に作製でき、工程の
単純化を図ることができる。さらに、受発光素子１１，
１２間の間隔を、高精度にかつ短距離に取ることができ
る。したがって、光の利用効率を上げることが可能とな
る。

【００１３】また、これまでチップの上部と下部とに別
れて形成されていた電極を、同一平面上に形成できるの
で、光結合素子１０と樹脂ケース４１あるいは外部の実
装基板との接続を平面的に行なうことができ、さらに、
請求項２のように、電極３１，３２をバンプ化すること
で、従来使用していたＡｕワイヤー等を用いた接続を改
善することができ、ワイヤー断線等の不良の発生が無く
なり、その結果、製品の信頼性が向上する。

【００１４】請求項３では、立体配線を施した樹脂ケー
ス４１を用いることにより、従来のような金属リードフ
レーム、モールド樹脂間の熱膨張係数の違いによる外装
モールド樹脂の剥離およびクラック等の発生を防止する
ことができる。また、リードレス化したことにより金属
リードピンの曲がりや変形も無くなる。

【００１５】あるいは、請求項１および２の製造方法に
より得られるモノリシック型の光結合素子１０は、電気
回路配線等を有するプリント基板上へ直接実装が可能で
あるため、プリント配線基板等のさらなる高密度実装が
可能となる。

【００１６】

【実施例】（第一実施例）図１は本発明の第一実施例を
示すモノリシック型光結合装置の各製造工程図面であ
り、（Ａ）は半導体基板に凹部を形成した状態を示す
図、（Ｂ）は凹部に半導体成長層をエピタキシャル成長
させた図、（Ｃ）は半導体成長層の中央部分を除去して
溝を形成した図、（Ｄ）は溝に透光性絶縁材料を充填し
た図、（Ｅ）は凹部を光反射膜で塞いだ図、（Ｆ）は樹
脂ケースに搭載した図、図２はモノリシック型光結合装
置の外観斜視図、図３は本発明の第一実施例のモノリシ
ック型光結合装置を搭載する樹脂ケースであって、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図、
（Ｃ）は側面図、（Ｄ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、
（Ｅ）は正面図、（Ｆ）は底面図、図４は光結合素子を
外部実装基板上に直接実装した外観斜視図である。

【００１７】本実施例の光結合装置は、図示の如く、入
力電源にて駆動発光する発光素子１１からの光を受光素
子１２にて受光し、再び電気的信号に光電変換して出力
するものであって、前記両素子１１，１２が、一体的な
光結合素子１０としてモノリシックに成長形成されたも
のである。

【００１８】該光結合素子１０は、次のように製造され
る。

【００１９】まず、図１（Ａ）の如く、例えば、ＧａＡ
ｓ製の半導体基板２１の表面の一部を、フォトリソグラ
フィ法と選択エッチング液を用いてメサ型にエッチング
し、凹部２２を形成する。該凹部２２の幅および深さ
は、形成する両素子１１，１２の大きさによって規定さ
れる。

【００２０】次に、図１（Ｂ）の如く、凹部２２を含め
た半導体基板２１の表面上に、エピタキシャル成長によ
り、Ｐ型クラッド層（Ｐ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡｓ）２３、Ｐ
型活性層（Ｐ−Ｇａ_1-xＡｌ_xＡｓ）２４およびＮ型クラ
ッド層（Ｎ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡｓ）２５を順次成長させ
る。ここで、化学式中のｘ，ｙは、ｘ＞ｙの関係にある
ものとする。

【００２１】そして、各半導体成長層２３〜２５につい
て、イオンビームエッチング、化学エッチングあるいは
研磨等を行い、半導体基板２１の凸状の表面部分が露出
するまで除去する。これにて、半導体成長層２３〜２５
は凹部２２内に限定される。

【００２２】また、図１（Ｃ）の如く、半導体基板２１
の凹部２２内の半導体成長層２３〜２５の中央部分に、
フォトリソグラフィ法とエッチング手法を用いて表溝２
６を形成し、発光素子１１と受光素子１２を分断する。
この際、半導体基板２１の凹部２２が露出するまで除去
しておく。

【００２３】図１（Ｄ）の如く、表溝２６に、発光素子
１１と受光素子１２との間の光路確保のため、ＳｉＯ₂
等の透光性絶縁材料２７を、スパッタリング、蒸着ある
いはＰ−ＣＶＤ等の手法を用いて充填する。なお、該透
光性絶縁材料２７は、光結合に実使用する光の波長を透
過するものであればどのようなものでも良く、例えば、
ポリイミド等の樹脂材料を用いて形成しても良い。

【００２４】その後、半導体基板２１の透光性絶縁材料
２７形成側と逆側の裏面の一部を、フォトリソグラフィ
法と選択エッチング液を用いてメサ型にエッチングし、
裏溝２８を形成する。この際、裏側からみて透光性絶縁
材料２７を完全に露出させる。これにより、光結合素子
内では発光素子１１と受光素子１２とは完全に電気的に
分離された構造となる。

【００２５】さらに、図１（Ｅ）の如く、露出した半導
体成長層２３〜２５や透光性絶縁材料２７からの光の漏
れを防止して光の利用効率を向上させるため、半導体成
長層２３〜２５および透光性絶縁材料２７の表面にＡｌ
₂Ｏ₃等の光反射膜２９をＥＢ蒸着法等により成膜する。

【００２６】次に、この光反射膜２９の一部をエッチン
グし、外部回路との電気的接続用の電極３１，３２を形
成する。

【００２７】該電極３１，３２の形成においては、Ｎ電
極３１として例えばＡｕＧｅ／Ｎｉをスパッタリング等
の手法により形成する。また、Ｐ電極３２としては例え
ばＡｕ／Ｚｎを同様にスパッタリング等の手法を用いて
形成する。この時、Ｐ・Ｎ両電極３１，３２とも、光の
吸収層として作用するので、寸法はできる限り小さく
し、望ましくはボンディング可能最小形状にしておく。
また、該接続用電極３１，３２には、外部への接続作業
の容易のため、Ａｕ等の導電バンプ４７を形成してお
く。

【００２８】しかる後、光結合素子１０を、スクライブ
手法やダイシング等により個々のチップに分割形成す
る。

【００２９】そして、図１（Ｆ）に示すように、光結合
素子１０を樹脂ケース４１に収納する。

【００３０】該樹脂ケース４１は、図３（Ａ）〜（Ｆ）
の如く、リードフレームを用いずに、小型、薄型の一体
化した部品を得るためのＭｏｌｄｅｄＩｎｔｅｒｃｏ
ｎｎｅｃｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅ法（以下、ＭＩＤ法と
称す）を用いたものである。ここで、ＭＩＤ法とは、射
出成形またはトランスファ成形等によって得られた成形
品に化学めっき等の方法でフレームレスにて電気回路を
形成したものである。

【００３１】該樹脂ケース４１の基本材料としては、熱
硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が用いられ、熱硬化性樹脂を
用いる場合はトランスファ成形等法、熱可塑性樹脂を用
いる場合は射出成形法等の手法を用いて、多数個取り形
状の基板状に一体形成し、チップ搭載・封止後、スクラ
イブ手法やダイシング手法等を用いて個々の単位に分割
してなる。

【００３２】該樹脂ケース４１の上面には、前記光結合
素子１０を収納するための収納凹部４２が形成されてい
る。該収納凹部４２には、金属メッキ技術、スパッタリ
ング技術あるいは蒸着技術等により、薄膜状の立体配線
部４３ａ〜４３ｄが立体的に形成されている。該各立体
配線部４３ａ〜４３ｄは、図３（Ａ）〜（Ｆ）の如く、
前記光結合素子１０と接続するためのランド部４４ａ〜
４４ｄを有し、収納凹部４２の底面から樹脂ケース４１
の上面および側面のスルーホール４５を介して裏面電極
４６ａ〜４６ｄにまで夫々引きまわしされている。該裏
面電極４６ａ〜４６ｄは、他の実装基板等への実装時の
半田付け用パッドとして使用される。

【００３３】前記モノリシック型光結合素子１０は、樹
脂ケース４１の収納凹部４２内の立体配線部４３ａ〜４
３ｄの各ランド部４４ａ〜４４ｄに、導電バンプ４７等
を介して直接搭載される。

【００３４】該光結合素子１０の収納凹部４２への搭載
後、黒色エポキシ樹脂等の遮光性封止樹脂４８によって
樹脂封止しておく。

【００３５】以上のように、本実施例によるモノリシッ
ク型光結合装置においては、ＭＩＤ法、すなわち、樹脂
ケース４１の立体配線部４３ａ〜４３ｄを、金属メッキ
技術、スパッタリング技術或いは蒸着技術等によって施
したリードフレームレスの構造であり、金属リードフレ
ームとモールド用樹脂材料との間の熱膨張係数等の違い
を考慮する必要が無い。したがって、従来から発生して
いた、金属リードフレームと封止樹脂との間の剥離も発
生しない。さらに、リードフレームレス化したことによ
り、金属リードピンの曲がりや変形も無くなる。

【００３６】また、本実施例においては、光結合素子１
０の封止用に遮光性封止樹脂４８を使用している。した
がって、外装樹脂ケース４１としては、遮光性を考慮す
る必要は無く、耐熱性・耐湿性等にのみ留意して選定す
れば良い。また、反対に遮光性封止樹脂４８と樹脂ケー
ス４１とを同じ材料の遮光性樹脂で形成することによ
り、異種材料を用いた場合の密着不良から来る剥離等が
防止できる。

【００３７】また、図４に示すように、上記光結合素子
１０は、通常のいわゆる表面実装タイプ（ＳＭＴ）のチ
ップ部品として、プリント基板５１等の各種基板上に直
接実装することも可能である。この場合は、光結合素子
１０をＡｕバンプ等を用いてダイボンディング後に、遮
光性封止樹脂５２をポッティングし、光結合素子１０を
外乱光から遮光する。

【００３８】このようにすれば、樹脂ケースを用いるこ
と無く、直接モノリシック型光結合素子をベアチップ部
品としてプリント基板５１上に実装することができるの
で、プリント基板５１等の高密度実装化に対応できる。

【００３９】（第二実施例）図５は本発明の第二実施例
を示すモノリシック型光結合装置の各製造工程図面であ
り、（Ａ）は半導体基板に凹部を形成した状態を示す
図、（Ｂ）は凹部に半導体成長層をエピタキシャル成長
させた図、（Ｃ）は半導体基板の裏面に溝を形成した
図、（Ｄ）は溝に透光性絶縁材料を充填し凹部を光反射
膜で塞いだ図、図６は本発明の第二実施例のモノリシッ
ク型光結合装置を搭載する樹脂ケースであって、（Ａ）
は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は側
面図、（Ｄ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｅ）は正面
図、（Ｆ）は底面図である。

【００４０】図示の如く、本実施例の光結合装置は、半
導体成長層２３〜２５を形成する凹部として、予め発光
側と受光側とに別々に分けて形成し、両凹部２２ａ，２
２ｂの間の光路を、半導体基板２１の裏側から形成した
ものである。

【００４１】本実施例の光結合素子１０は、次のように
製造される。

【００４２】まず、図５（Ａ）の如く、半導体基板２１
の表面の一部を、フォトリソグラフィ法および選択エッ
チング液を用いてメサ型にエッチングし、一対の凹部２
２ａ，２２ｂを並置形成する。該各凹部２２ａ，２２ｂ
の幅および深さは、形成する各素子１１，１２の大きさ
によって規定される。

【００４３】次に、図５（Ｂ）の如く、凹部２２ａ，２
２ｂを含めた半導体基板２１の表面上に、エピタキシャ
ル成長により、Ｐ型クラッド層（Ｐ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡ
ｓ）２３、Ｐ型活性層（Ｐ−Ｇａ_1-xＡｌ_xＡｓ）２４お
よびＮ型クラッド層（Ｎ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡｓ）２５を順
次積層成長させる（ｘ＞ｙ）。

【００４４】また、該半導体成長層２３〜２５の半導体
基板２１から突出した部分は、イオンビームエッチン
グ、化学エッチング或いは研磨等にて除去する。

【００４５】そして、図５（Ｃ）の如く、半導体基板２
１の裏面の一部に、フォトリソグラフィ法および選択エ
ッチング液を用いてメサ型にエッチングし、裏溝２６を
形成する。このとき、裏溝２６は、半導体基板２１の両
凹部２２ａ，２２ｂの間の位置、すなわち半導体成長層
２３〜２５が形成されていない部分に対応する位置に形
成する。また、裏溝２６の底面の位置は、Ｎ型クラッド
層（Ｎ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡｓ）２５の底面部より充分深く
なるまでエッチングを行う。

【００４６】上記工程で形成された裏溝２６に、図５
（Ｄ）の如く、受・発光素子間の光路確保の目的で、Ｓ
ｉＯ₂等の透光性絶縁材料２７を、スパッタリング、蒸
着或はＰ−ＣＤＶ等の手法を用いて形成する。形成領域
は、少なくともＰ型クラッド層（Ｐ−Ｇａ_1-yＡｌ_yＡ
ｓ）２３が完全に隠れる位置まで積層する。なお、透光
性絶縁材料２７は、実使用する光の波長を透過するもの
であれば良く、例えば、ポリイミド等の樹脂材料を用い
て形成しても良い。

【００４７】次に、半導体基板２１の表面を、半導体基
板２１の表側（図５（Ｃ）中の２１ａ）が無くなるま
で、研磨する。これにより、半導体成長層２３〜２５の
発光側と受光側とは電気的に完全に分離された構造とな
る。

【００４８】さらに、図５（Ｄ）の如く、エッチング手
法等により露出した半導体成長層２３〜２５と透光性絶
縁材料２７からの光の漏れを防止するためと、光の利用
効率向上を目的として、Ａｌ₂Ｏ₃等の光反射膜２９をＥ
Ｂ蒸着法等により成膜する。

【００４９】次に、この光反射膜２９の一部をエッチン
グし、受・発光各々の素子部と外部回路との電気的接続
用の電極３１，３２を形成する。

【００５０】電極３１，３２の形成においては、Ｎ電極
３１として例えばＡｕＧｅ／Ｎｉをスパッタリング等の
手法により形成する。Ｐ電極３２としては例えばＡｕ／
Ｚｎを同様にスパッタリング等の手法を用いて形成す
る。このとき、Ｐ・Ｎ両電極３１，３２とも、吸収層と
して作用するので、電極寸法はできる限り小さくし、望
ましくはボンディング可能な最小形状にする必要があ
る。

【００５１】最後に、この基板をスクライブ手法やダイ
シング等により基板から個々のチップに分割形成する。

【００５２】そして、本実施例の光結合素子１０を、例
えば図６（Ａ）〜（Ｆ）に示した樹脂ケース４１に収納
し、光結合装置が完成する。該樹脂ケース４１は第一実
施例と同様にＭＩＤ法にて作成されたものである。

【００５３】本実施例による光結合装置においても第一
実施例と同様の効果を奏することは言うまでもない。

【００５４】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１によると、受発光素子を同一半導体基板上に一体
形成しているため、従来の光結合装置に較べて製造工程
が単純で、短時間に、精度良く造ることができる。ま
た、受発光素子間の距離が短くできるので、光の利用効
率が上がり、高効率・低電流化が期待できる。

【００５６】請求項２によると、電極に導電バンプを設
けることにより、光結合素子をダイレクトに樹脂ケース
内のランド部やプリント基板等の配線回路上に直接ボン
ディングできる。したがって、従来使用していた様な、
Ａｕワイヤー等によるボンディングが不要となるため、
チップ保護等の目的で使用される樹脂の応力による影響
を受けることが無く、ワイヤー断線等の不良の無い高信
頼性の製品を提供することができる。また、従来より用
いられていた外部配線回路上の二次側ワイヤーボンディ
ング用パッドを設ける必要が無いので、ケースサイズを
コンパクト化できる。さらに、チップ面に対して張力が
均等にかかるように電極パッドを設計することにより、
ダイボンディングの際のマンハッタン（浮き上がり）現
象も防ぐことができる。また、光結合素子をプリント配
線基板上等に直接実装することにより、従来のものに比
べてより高密度な実装が達成される。

【００５７】請求項３によると、リードフレームレス形
状の樹脂ケースを用いて、上記チップを封止することに
より、リードフレームと外装モールド樹脂材料との間の
熱膨張係数の違いによる、クラック・剥離等の、両材料
間での密着性に係る信頼性上の問題も解消される。ま
た、リードレス化したことにより、金属リードピン化の
曲がりや変形も無くなるといった優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施例を示すモノリシック型光結
合装置の各製造工程図面であり、（Ａ）は半導体基板に
凹部を形成した状態を示す図、（Ｂ）は凹部に半導体成
長層をエピタキシャル成長させた図、（Ｃ）は半導体成
長層の中央部分を除去して溝を形成した図、（Ｄ）は溝
に透光性絶縁材料を充填した図、（Ｅ）は凹部を光反射
膜で塞いだ図、（Ｆ）は樹脂ケースに搭載した図

【図２】モノリシック型光結合装置の外観斜視図

【図３】本発明の第一実施例のモノリシック型光結合装
置を搭載する樹脂ケースであって、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ断面図、（Ｃ）は側面図、
（Ｄ）は（Ａ）のＢ−Ｂ断面図、（Ｅ）は正面図、
（Ｆ）は底面図

【図４】光結合素子を外部実装基板上に直接実装した外
観斜視図

【図５】本発明の第二実施例を示すモノリシック型光結
合装置の各製造工程図面であり、（Ａ）は半導体基板に
凹部を形成した状態を示す図、（Ｂ）は凹部に半導体成
長層をエピタキシャル成長させた図、（Ｃ）は半導体基
板の裏面に溝を形成した図、（Ｄ）は溝に透光性絶縁材
料を充填し凹部を光反射膜で塞いだ図

【図６】本発明の第二実施例のモノリシック型光結合装
置を搭載する樹脂ケースであって、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は側面図、
（Ｄ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｅ）は正面図、
（Ｆ）は底面図

【図７】従来の光結合装置の斜視図

【図８】従来の光結合装置の断面図

【符号の説明】１０光結合素子１１発光素子１２受光素子２１半導体基板２２凹部２６溝２７透光性絶縁材料３１，３２接続用電極４１樹脂ケース４２収納凹部４３ａ〜４３ｄ立体配線部４７導電バンプ４８封止樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子と受光素子とを有する光結合装
置の製造方法において、半導体基板の電極形成面または
これと反対側の面に凹部を形成し、該凹部の表面上に、
発光素子および受光素子としての光結合素子をエピタキ
シャル成長法により同時に一体形成し、前記電極形成面
またはこれと反対側の面に、受発光素子間の一部を切り
欠くように溝を形成し、該溝に透光性絶縁材料を充填し
て光路を形成し、発光素子と受光素子との間の透光性絶
縁材料以外の部分をエッチングにて除去して受発光間を
電気的に分離し、前記電極形成面に外部回路との接続用
電極をパターン形成することを特徴とするモノリシック
型光結合装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の各接続用電極に、実装基
板上に直接実装するための導電バンプを形成することを
特徴とするモノリシック型光結合装置の製造方法。
【請求項３】上面に収納凹部を有する樹脂ケースを射
出成形またはトランスファ成形等によって成形し、前記
収納凹部から樹脂ケースの側面あるい下面にかけて、薄
膜状の立体配線部を立体的に引き回して形成し、請求項
１記載の光結合素子を前記収納凹部内に搭載し、該収納
凹部を封止樹脂で封止することを特徴とするモノリシッ
ク型光結合装置の製造方法。