JPH065969A

JPH065969A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH065969A
Application number: JP15653292A
Authority: JP
Inventors: Hideki Fukunaga; 秀樹福永; Shigeyuki Otake; 茂行大竹
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1992-06-16
Filing date: 1992-06-16
Publication date: 1994-01-14

Abstract

(57)【要約】【目的】埋め込み型半導体レーザにおいて、低しきい
値でかつ安定な横モードを得る。【構成】（１１１）Ａ面を有する（００１）面ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上のクラッド層２および５の間の（１１
１）Ａ面に光導波層３、量子井戸活性層４からなる活性
領域を埋め込むと共に、クラッド層５上にキャップ層６
を、さらに（１１１）Ａ面を除く（００１）面に電流ブ
ロック層７を設ける。結晶成長が行われる面の結晶方位
は（００１）と（１１１）Ａと決まっているため、成長
条件を決めるとそれぞれの面上での結晶成長速度が決ま
り、膜厚や活性領域の幅などを細かく制御することがで
きる。また（１１１）Ａ面の斜面上のみに活性領域が形
成されているため、注入された電流のうち上部クラッド
層で横方向に拡散した電流の再結合を抑制することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、埋め込み型半導体レ
ーザ装置に係り、特にＧａＡｓ基板の（１１１）Ａ面の
斜面上や（１１１）Ｂ面と（００１）面で形成されたＶ
字型の溝の底部上に光とキャリアの閉じ込めを行う構造
の半導体レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、埋め込み型半導体レーザは幾つか
の構造が提案されており、大別して３つの構造に分類す
ることができる。第１の構造は、（００１）面基板上に
活性層を含む結晶成長を行った後、エッチングによって
リッジを形成し、活性領域であるリッジの側面に再成長
によって埋め込み層が形成されたものである。この構造
では活性層厚みと埋め込み幅、及び埋め込み結晶の屈折
率が独立に選択でき、素子設計の自由度が高い。第２の
構造は、（００１）面基板にエッチングによって溝、リ
ッジ等を形成した後、結晶成長を行うことにより、リッ
ジの側面での活性層の折れ曲がりによって、リッジ上の
活性領域が上部クラッド層内に埋め込まれるか、または
溝底部の活性領域が下部クラッド層内に埋め込まれたも
のである。この構造の場合、一回の結晶成長で作製が可
能である。第３の構造は、まず活性層を含む結晶成長を
行い、次に必要な活性層幅を残して不純物の拡散を行
い、活性層とクラッド層を混晶化させることによって活
性領域を混晶化領域間に埋め込んだものである。この構
造の場合も、一回の結晶成長で作製が可能で、かつプレ
ーナ型であるため汎用性が高い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、第２の構造
では、リッジあるいは溝側面での活性層の折れ曲がりに
よって活性領域を埋め込んでいるが、通常の結晶成長の
場合リッジや溝の端部では、高次の面における成長速度
が平坦部と異なるため、薄膜の不均一が生じる。また、
リッジや溝の側面における薄膜は、斜面の角度によって
決まり、リッジの形状により活性層の幅やリッジ部にお
ける実行屈折率が変動するため、低しきい値でかつ安定
な横モードを得るために、リッジ作製を精度良く作製す
ることは困難である。

【０００４】さらに、リッジ以外の（００１）面上にも
活性層が形成されているため、上部クラッド層で横方向
に拡散した電流が、リッジ横平坦部の活性層に流れ込み
再結合する。ここで発生した光はリッジ上の活性領域で
のレーザの誘導放出には寄与しないため、横方向に拡散
した電流は漏れ電流となり、しきい値の増加をまねくと
いう問題がある。本発明の目的は、低しきい値でかつ安
定な横モードが得られる埋め込み半導体レーザ装置を提
供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成させる
ため、本発明は第一導電型ＧａＡｓ基板の結晶方位に対
して［０１１］方向に伸びたストライプ状の（１１１）
Ａ面の斜面を有する（００１）面基板上に成長させた、
第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層との間に
光導波層により挟まれた活性層が設けられた半導体レー
ザ装置において、前記光導波層と該光導波層により挟ま
れた活性領域とが前記（００１）面基板の（１１１）Ａ
面の斜面上に埋め込まれた構成にある。

【０００６】また第一導電型ＧａＡｓ基板は、（１１
１）Ａ面を挟んで一方側の（００１）面の表面を不純物
拡散により第二導電型とし、他方側の（００１）面上に
第二導電型半導体層が形成された半導体レーザ装置の構
成にある。

【０００７】また第一導電型ＧａＡｓ基板は、（１１
１）Ａ面の斜面と（００１）面からなる複数のストライ
プ状の凸部を有し、前記複数の（１１１）Ａ面の斜面上
に活性領域が埋め込まれた多ビーム型半導体レーザ装置
の構成にある。

【０００８】さらに他の発明の半導体レーザ装置は、第
一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板上に、所定幅を残し
て順次積層された第二導電型埋め込み層と第一導電型埋
め込み層を有し、前記ＧａＡｓ基板の結晶方位に対して
［０１１］方向に伸びたストライプ状の（１１１）Ｂ面
を斜面とし、（００１）面を底面及び上面としたＶ字型
の溝形状が形成され、該Ｖ字型の溝形状の底部上に活性
領域が埋め込まれた構成にある。

【０００９】また第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板
上に形成されたＶ字型の溝形状の側面は、Ｖ字型の溝形
状の底部上に埋め込まれた活性領域の光導波層よりも低
い屈折率を持つ半導体層からなる半導体レーザ装置の構
成にある。

【００１０】また第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板
はストライプ状の（１１１）Ｂ面を斜面とし（００１）
面を底面及び上面とする複数のＶ字型の溝形状を有し、
この複数のＶ字型の溝形状の底部上に活性領域が埋め込
まれた多ビーム型半導体レーザ装置の構成にある。

【００１１】

【作用】（００１）面基板の（１１１）Ａ面の斜面上に
活性領域が埋め込まれた半導体レーザの場合、結晶成長
が行われる面の結晶方位は（００１）と（１１１）Ａと
決まっているため、成長条件を決めるとそれぞれの面上
での結晶成長速度が決まり、時間によって膜厚を細かく
制御することができる。したがって、それぞれの面上で
の膜厚を均一にすることができるため、リッジの高さと
各面での結晶成長速度を決めることにより、活性領域の
幅も制御できる。ストライプ状斜面の高さを制御するこ
とにより、活性領域の幅も変えることができる。また、
（１１１）Ａ面の斜面上のみに活性領域が形成されてい
るため、注入された電流のうち上部クラッド層で横方向
に拡散した電流の再結合を抑制することができる。

【００１２】また第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板
上に、所定幅を残して順次積層された第二導電型埋め込
み層、第一導電型埋め込み層を有し、前記ＧａＡｓ基板
の結晶方位に対して［０１１］方向に伸びたストライプ
状の（１１１）Ｂ面を斜面とし、（００１）面を底面及
び上面としたＶ字型の溝形状が形成され、該Ｖ字型の溝
形状の底部上に活性領域が埋め込まれた半導体レーザの
場合、Ｖ字型の溝幅と（００１）面上での結晶成長速度
により活性領域の幅を制御することが可能である。ま
た、溝部の活性領域に効率良く電流を注入することがで
きる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は本
発明による半導体レーザ装置の第１の実施例を示す断面
構造を示している。本実施例ではｎ型を第一導電型と
し、ｐ型を第二導電型として説明する。半導体レーザ装
置は、（１１１）Ａ面を有する（００１）面ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１上に順次積層された、第一クラッド層２と、
（１１１）Ａ面に形成された光導波層３と、該光導波層
３に挟まれた量子井戸活性層４と、第二クラッド層５
と、キャップ層６とを備え、該キャップ層６には電流ブ
ロック層として（１１１）Ａ面を除く（００１）面にＳ
ｉ₃Ｎ₄膜７を設け、該Ｓｉ₃Ｎ₄膜７および（１１１）Ａ
面のキャップ層６に接触するｐ側電極８および（００
１）面ｎ型ＧａＡｓ基板１の底面に接触するｎ側電極９
とを有する構成になっている。

【００１４】上記半導体レーザ装置の製造を図２に基づ
いて説明する。なお、本製造では結晶成長にＭＯＣＶＤ
法を使用した。まず、（１１１）Ａ面を有する（００
１）面ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、等方的に成長する成長
条件でＳｅドープＡ１_0.6Ｇａ_0.4Ａｓからなる厚さ１μ
ｍの第一クラッド層２を成長させる（図２（ａ））。そ
の後、（１１１）Ａ面上で成長速度が速くなる成長条件
でアンドープＡ１_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ光導波層３、アンドー
プＧａＡｓ量子井戸活性層４およびアンドープＡ１_0.3
Ｇａ_0.7Ａｓ光導波層３を成長させる（図２（ｂ））。

【００１５】次に、等方的に成長する成長条件でＭｇド
ープＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓからなる厚さ１μｍの第二クラ
ッド層５，ＭｇドープＧａＡｓからなる厚さ０.１μｍ
のキャップ層６を順次成長させる（図２（ｃ））。通常
のＭＯＣＶＤ法による成長では、Ｖ／IIIの比を６０、
基板における成長温度を７００〜８００℃としており、
この成長条件の下では成長速度は等方的か又は（００
１）面上が速い。また、光導波層と量子井戸活性層を成
長させる場合には、Ｖ／IIIの比を６０、基板における
成長温度を６００℃とすることにより、（１１１）Ａ面
上での成長速度が（００１）面上に比べ３倍となる。

【００１６】したがって、（１１１）Ａ面上での光導波
層の厚さをそれぞれ０.１μｍ、量子井戸活性層の厚さ
を１００Åとすると、（００１）面上での光導波層の厚
さはそれぞれ０.０３μｍ、また量子井戸活性層の厚さ
は３０Åとなる。すると、厚さの違いによって、（００
１）面上の量子井戸活性層の井戸内におけるエネルギー
ギャップは（１１１）Ａ面上の量子井戸活性層より約１
００ｍｅＶ大きくなるため、注入されたキャリアは（１
１１）Ａ面上の量子井戸活性層に閉じ込められる。

【００１７】さらに、（００１）面上での光導波層は薄
く、また（１１１）Ａ面上と（００１）面上の間では光
導波層が折れ曲がり、（１１１）Ａ面上の光導波層が
（００１）面上のクラッド層により横方向に埋め込まれ
るため、光は（１１１）Ａ面上の導波層内に閉じ込めら
れる。結晶成長後、電流ブロック層として全面にＳｉ₃
Ｎ₄膜７を０．１μｍ着膜し、フォトリソグラフィによ
り電流注入領域となる（１１１）Ａ面上のＳｉ₃Ｎ₄膜７
をエッチングによって除去する（図３（ｄ））。その
後、ｐ側電極８とｎ側電極９を蒸着する（図３
（ｅ））。このように、斜面を有する基板と選択成長に
より、容易に埋め込み型のレーザを作製することができ
る。

【００１８】図４および５は、第１の実施例の半導体レ
ーザを製造する改良された方法の工程を示している。ま
ず、ｎ型ＧａＡｓ基板上１にＳｉ₃Ｎ₄膜７を着膜し、フ
ォトリソグラフィによって窓を開ける。このＳｉ₃Ｎ₄膜
７をマスクとして、ＧａＡｓ基板の表面にＺｎを０．５
μｍ拡散させ、Ｚｎ拡散領域１１を形成する（図４
（ａ））。Ｓｉ₃Ｎ₄膜７を除去した後、ＭＯＣＶＤ法に
より厚さ２μｍのＳｅドープＧａＡｓ層１２、厚さ０.
１μｍのＭｇドープＧａＡｓ層１３を順次成長させる
（図４（ｂ））。その後、再びＳｉ₃Ｎ₄膜７を着膜した
後、フォトリソグラフィによって窓を開ける（図４
（ｃ））。

【００１９】そして、Ｈ₂ＳＯ₄：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝１：
８：８０のエッチャントにより、Ｚｎ拡散領域１１に到
達するまでエッチングを行い、（１１１）Ａ面の斜面を
形成する（図５（ｄ））。マスクとしたＳｉ₃Ｎ₄膜７を
除去した後、第１の実施例と同様の結晶成長を行う（図
５（ｅ））。これにより、Ｚｎ拡散領域１１およびＭｇ
ドープＧａＡｓ層１３の上下の層の間でｎ−ｐ−ｎ構造
となるため、電流の流れが抑えられる。したがって、第
１の実施例に比べｎ側も電流狭搾されるため、漏れ電流
の少ない低しきい値半導体レーザとなる。

【００２０】本実施例では、第１導電型ＧａＡｓ基板を
ｎ型とし、不純物としてＺｎ，Ｍｇを用いているが、ｐ
型ドーパントとなるＢｅやＣでも良い。また第１導電型
ＧａＡｓ基板をｐ型とした場合、拡散させる不純物はＳ
ｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓなどのｎ型ドーパントを用いる。ま
た本実施例では、不純物導入法として、熱拡散を用いて
いるが、イオン注入によっても不純物の導入ができる。

【００２１】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。図６は本発明が適用された多ビーム半導体レーザ装
置の断面構造を示している。多ビーム半導体レーザ装置
は、（１１１）Ａ面と（００１）面からなる複数のスト
ライプ状のリッジが形成されたｎ型ＧａＡｓ基板１に順
次積層された、第一クラッド層２と、それぞれの（１１
１）Ａ面に形成された光導波層３および該光導波層３に
挟まれた量子井戸活性層４と、第二クラッド層５と、キ
ャップ層６とを備え、該キャップ層６には電流ブロック
層として（１１１）Ａ面を除く（００１）面にＳｉ₃Ｎ₄
膜７を設け、またそれぞれの（１１１）Ａ面との間に絶
縁領域１０を形成すると共に、Ｓｉ₃Ｎ₄膜７および（１
１１）Ａ面のキャップ層６に接触するｐ側電極８および
（００１）面ｎ型ＧａＡｓ基板１の底面に接触するｎ側
電極９とを有する構成になっている。

【００２２】上記多ビーム型半導体レーザ装置の製造に
ついて説明すると、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＳｉＯ₂膜
を０.１μｍ堆積させた後、フォトリソグラフィによっ
てＳｉＯ₂膜に複数の窓を開ける。この基板上に第１の
実施例で述べたように、ＭＯＣＶＤ法により（００１）
面での成長速度が速い成長条件で１.５μｍの厚さのＳ
ｅドープＧａＡｓ層を選択成長させるか、あるいは硫酸
系のエッチャントを用いて選択的にＧａＡｓ基板をエッ
チングを行うことによって、（１１１）Ａ面と（００
１）面からなる複数のストライプ状のリッジを形成す
る。ここで、各ビームが光学的に相互作用しないよう
（１１１）Ａ面間の距離は３μｍ以上とする。

【００２３】この基板上に第１の実施例と同様の結晶成
長を行うことによって、複数の（１１１）Ａ面に活性領
域が形成される。結晶成長後、この活性領域にプロトン
を１.２μｍ深さ注入し、絶縁領域１０を設ける。次に
全面にＳｉ₃Ｎ₄膜７を着膜し、フォトリソグラフィによ
り（１１１）Ａ面上のＳｉ₃Ｎ₄膜７をエッチングによっ
て除去する。その後、ｐ側電極８を蒸着した後、エッチ
ングあるいはリフトオフによって活性領域間のｐ側電極
８を除去し、ｎ側電極９を蒸着する。これによって、一
つのチップ上に個別にアドレス可能な多ビーム半導体レ
ーザが作製される。

【００２４】なお、活性層を量子井戸としているため、
出射される光はＴＥモードが支配的となり、隣り合った
活性領域は基板に対する傾きが逆であるために、隣り合
った活性領域から出射される光の偏波面が異なる。次に
本発明の第３の実施例を説明する。図７は本発明が適用
された埋め込み型半導体レーザの断面構造を示してい
る。なお、第１の実施例と同一機能をもつ層には同一の
参照番号を付し、その説明を省略する。

【００２５】半導体レーザ装置は、第一導電型（００
１）面ＧａＡｓ基板１上に、所定幅を残して順次積層さ
れた第一導電型埋め込み層２２、第二導電型埋め込み層
２３を有し、前記ＧａＡｓ基板の結晶方位に対して［０
１１］方向に伸びたストライプ状の（１１１）Ｂ面を斜
面とし、（００１）面を底面及び上面としたＶ字型の溝
形状２４を設け、このＶ字型の溝形状の底部上に埋め込
まれた活性領域２０を有する構成になっている。上記半
導体レーザ装置の製造を図８に基づいて説明する。な
お、本製造では結晶成長にＭＯＣＶＤ法を使用した。

【００２６】まず、（００１）面ＧａＡｓ基板上１にＳ
ｉＯ₂膜を１０００Å堆積させ、フォトリソグラフィに
より［０１１］方向に延びた幅３μｍのストライプ２１
を形成する（図８（ａ））。この基板上にストライプ状
のＳｉＯ₂膜をマスクとして、ＭｇドープＧａＡｓから
なる厚さ０.１μｍの第一埋め込み層２２およびＳｅド
ープＡｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓからなる厚さ１.２μｍの第二
埋め込み層２３を成長させる。ＭＯＣＶＤ法では成長速
度に異方性があり、通常（００１）面上で成長する成長
条件では（１１１）Ｂ面上には成長しないため、ＳｉＯ
₂膜１１上の（１１１）方向への成長は起こらず、Ｓｉ
Ｏ₂膜の両端を斜面の起点とした、（１１１）Ｂ面を斜
面とするＶ字型の溝形状が得られる（図８（ｂ））。

【００２７】そして、ストライプ状に延びたＳｉＯ₂膜
をエッチングで除去した後、再び（００１）面上でのみ
成長する成長条件で、ＳｅドープＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓか
らなる厚さ１μｍのクラッド層２、アンドープＡｌ_0.3
Ｇａ_0.7Ａｓからなる厚さ０.１μｍの光導波層３、アン
ドープＧａＡｓからなる厚さ０.０１μｍの量子井戸活
性層４、アンドープＡｌ_0.3Ｇａ_0.4Ａｓからなる厚さ
０.１μｍの光導波層３、ＭｇドープＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａ
ｓからなる厚さ１μｍのクラッド層５、ＭｇドープＧａ
Ａｓからなる厚さ０.１μｍのキャップ層６を順次積層
する（図８（ｃ））。この場合も（１１１）Ｂ面上で
（１１１）方向への成長は行われず、（００１）面上で
（００１）方向に成長するため、Ｖ字型の溝２４に活性
領域が埋め込まれる。

【００２８】ここに挙げた構造では、第二埋め込み層２
３のＡｌＡｓ混晶比を光導波層３のＡｌＡｓ混晶比より
も高くしているため、第二埋め込み層２３の屈折率は低
く、溝内の光導波を伝搬する光が横方向にも閉じ込めら
れる屈折率導波構造となる。この試料上にＳｉ₃Ｎ₄膜７
を堆積させ、フォトリソグラフィによって溝部のＳｉ₃
Ｎ₄膜を除去した後、ｐ側電極８とｎ側電極９を蒸着す
る。

【００２９】本実施例によれば、溝部のキャップ層６か
ら注入された電流は、活性領域２０に流れ込む有効電流
とＶ字型の溝の側面の第二埋め込み層２３に流れる漏れ
電流との成分が生じるが、ｎ型の第二埋め込み層２３と
ｐ型のクラッド層２のＡｌＡｓ混晶比が高く、活性領域
２０に比べターンオンボルテージが高いために、ｎ型埋
め込み層とｐ型クラッド層で形成されるｐ−ｎ接合によ
り第二埋め込み層２３への電流は流れにくくなり、効率
的に活性領域２０に電流が注入される。また埋め込み層
２２，２３と基板の間でｎ−ｐ−ｎ構造となっているた
めに、溝部以外を通過する電流は抑制される。

【００３０】次に本発明の第４の実施例を説明する。図
９は本発明が適用された多ビーム半導体レーザの断面構
造を示している。ｎ型ＧａＡｓ基板上にＳｉＯ₂膜を１
０００Å堆積させ、フォトリソグラフィにより［０１
１］方向に延びた幅３μｍの複数のストライプを１０μ
ｍ間隔で形成する。その後、第３の実施例と同様の結晶
成長を行うことによって複数のＶ字型の溝２４ａ，２４
ｂに活性領域２０が埋め込まれる。次に全面にＳｉ₃Ｎ₄
膜を堆積させ、フォトリソグラフィによって溝部のＳｉ
₃Ｎ₄膜を除去する。その後ｐ側電極を蒸着した後、エッ
チングあるいはリフトオフによって活性領域間の電極を
除去し、ｎ側電極を蒸着する。これにより、一つの半導
体レーザチップ上に個別にアドレス可能な多ビーム半導
体レーザが作製される。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、リッジ及び溝における
活性領域の幅や活性層の厚さを精密に制御することが可
能であるため、低しきい値でかつ安定な横モードを得る
ことができる。また、活性領域以外に活性層が形成され
ていないか、もしくは活性領域以外の活性層への電流の
通路がないため、レーザの誘導放出に寄与しない漏れ電
流が抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である半導体レーザ装
置の断面図である。

【図２】第１の実施例の半導体レーザ装置の製造手順
を示す断面図である。

【図３】図２に続く製造手順を示す断面図である。

【図４】第１の実施例の半導体レーザ装置の他の製造
手順を示す断面図である。

【図５】図４に続く製造手順を示す断面図である。

【図６】本発明の第２の実施例である多ビーム半導体
レーザ装置の断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例である半導体レーザ装
置の断面図である。

【図８】第３の実施例の半導体レーザ装置の製造手順
を示す断面図である。

【図９】本発明の第４の実施例である多ビーム半導体
レーザの断面図である。

【符号の説明】

１ｎ型ＧａＡｓ基板、２ｎ型ＳｅドープＡＩ_0.6Ｇ
ａ_0.4Ａｓクラッド層、３アンドープＡＩ_0.3Ｇａ_0.4
Ａｓ光導波層、４アンドープＧａＡｓ量子井戸活性
層、５ｐ型ＭｇドープＡＩ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓクラッド
層、６ｐ型ＭｇドープＧａＡｓキャップ層、７Ｓｉ
₃Ｎ₄膜、８ｐ側電極、９ｎ側電極、１０プロトン注
入領域、１１Ｚｎ拡散領域、２０活性領域、２１
ＳｉＯ₂膜２２ＭｇドープＧａＡｓ（第２埋め込み層）、２３
ＳｅドープＡｌ_0.4Ｇａ₀ _.6Ａｓ埋め込み層（第２埋め込
み層）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一導電型ＧａＡｓ基板の結晶方位に対
して［０１１］方向に伸びたストライプ状の（１１１）
Ａ面の斜面を有する（００１）面基板上に成長させた、
第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層との間に
光導波層により挟まれた活性層が設けられた半導体レー
ザ装置において、前記光導波層と該光導波層により挟まれた活性領域とが
前記（００１）面基板の（１１１）Ａ面の斜面上に埋め
込まれていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】第一導電型ＧａＡｓ基板は（１１１）Ａ
面を挟んで一方側の（００１）面の表面を不純物拡散に
より第二導電型とし、他方側の（００１）面上に第二導
電型半導体層が形成されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】第一導電型ＧａＡｓ基板は（１１１）Ａ
面の斜面と（００１）面からなる複数のストライプ状の
凸部を有し、前記複数の（１１１）Ａ面の斜面上に活性
領域が埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置。
【請求項４】第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板上
に、所定幅を残して順次積層された第二導電型埋め込み
層と第一導電型埋め込み層を有し、前記ＧａＡｓ基板の
結晶方位に対して［０１１］方向に伸びたストライプ状
の（１１１）Ｂ面を斜面とし、（００１）面を底面及び
上面としたＶ字型の溝形状が形成され、該Ｖ字型の溝形
状の底部上に活性領域が埋め込まれていることを特徴と
する半導体レーザ装置。
【請求項５】第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板上
に形成されたＶ字型の溝形状の底部上に埋め込まれた活
性層を有し、前記Ｖ字型の溝形状の側面が前記活性領域
の光導波層よりも低い屈折率を持つ半導体層からなるこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】第一導電型（００１）面ＧａＡｓ基板は
ストライプ状の（１１１）Ｂ面を斜面とし（００１）面
を底面及び上面とする複数のＶ字型の溝形状を有し、前
記複数のＶ字型の溝形状の底部上に活性領域が埋め込ま
れていることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ
装置。