JPH0660328A - Thin film magnetic head and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive head (Magneto) for reproducing from a magnetic medium such as a magnetic disk.
The present invention relates to a thin film magnetic head having at least a resistive head (hereinafter referred to as an MR head) and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してＭＲ素子及びＭＲリー
ドを設けることにより構成されている。2. Description of the Related Art In recent years, MR heads have begun to be put into practical use as thin film magnetic heads for magnetic media such as magnetic disks. The MR head uses the magnetoresistive effect that the electric resistance changes depending on the magnetization, and by its nature,
Providing shield layers on both sides to block unnecessary magnetic fields,
It is configured by providing an MR element and an MR lead with a gap insulating layer interposed therebetween.
【０００３】図５は、従来のＭＲヘッドの一部を、ＭＲ
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た様子を概略的に表したものである。FIG. 5 shows a part of a conventional MR head,
2 is a schematic view of a cross section passing through the center of the element as viewed from the bottom side facing the magnetic medium.
【０００４】同図において、５０は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層５０と
上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５
２、ＭＲ素子５１、このＭＲ素子５１、リード５６、及
び上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。この
ようにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、図
示されていないインダクティブヘッドが積層されてい
る。In the figure, reference numeral 50 denotes a lower shield layer formed on the rear end surface side of the flying slider via an insulating underlayer film (not shown). The lower shield layer 50 and the upper shield layer 55 are composed of Between the lower gap insulating layer 5
2, the MR element 51, the MR element 51, the lead 56, and the upper gap insulating layer 53 are sequentially stacked. An inductive head (not shown) is laminated on the reproducing MR head thus formed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この種のＭＲヘッドで
は、ＭＲ膜を全面に形成した後、イオンミリング等のエ
ッチングによりパターニングしてＭＲ素子５１を形成す
ることが行われる。このパターニング時に、ＭＲ素子領
域以外の部分ではＭＲ膜のみならずその下の下部ギャッ
プ絶縁層５２も削られてしまう。例えば、膜厚が０．２
５μｍ程度の下部ギャップ絶縁層５２が０．１μｍ程度
の膜厚に削られてしまう。このため、下部ギャップ絶縁
層５２のＭＲ素子パターンと異なる部分５２ａの膜厚が
非常に薄くなってしまい、この下部ギャップ絶縁層５２
の膜厚を薄くした場合に、リード５６と下部シールド層
５０とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッド特性
が大幅に悪化するという問題が生じる。In this type of MR head, after forming an MR film on the entire surface, the MR element 51 is formed by patterning by etching such as ion milling. At the time of this patterning, not only the MR film but also the lower gap insulating layer 52 thereunder is removed in a portion other than the MR element region. For example, the film thickness is 0.2
The lower gap insulating layer 52 having a thickness of about 5 μm is cut to a thickness of about 0.1 μm. Therefore, the film thickness of the portion 52a of the lower gap insulating layer 52 different from the MR element pattern becomes extremely thin, and the lower gap insulating layer 52 is formed.
When the film thickness is thinned, there arises a problem that the lead 56 and the lower shield layer 50 are short-circuited or a current is leaked and the head characteristics are significantly deteriorated.
【０００６】特に、ＭＲヘッドの分解能を高めるために
は、下部シールド層５０と上部シールド層５５との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁化反転距離）
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
ＭＲ素子５１の膜厚が約２０００Å程度であるとする
と、下部ギャップ絶縁層５２の膜厚は０．１μｍ程度で
あることが要求されるからより深刻な問題となる。In particular, in order to improve the resolution of the MR head, the distance between the lower shield layer 50 and the upper shield layer 55 is set to the bit distance of the recording magnetization on the magnetic medium (magnetization reversal distance).
It is necessary to keep the value below a little smaller value, and this magnetization reversal distance becomes several thousand Å in high density recording.
If the film thickness of the MR element 51 is about 2000 Å, the lower gap insulating layer 52 is required to have a film thickness of about 0.1 μm, which is a more serious problem.
【０００７】従って本発明は、シールド層間の間隔を小
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。Therefore, the present invention provides a thin film magnetic head capable of maintaining a good insulating property even when the distance between the shield layers is reduced, and a method of manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んで
いる薄膜磁気ヘッドであって、リードとＭＲ素子との
間、及びリードと下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が
形成されている薄膜磁気ヘッドが提供される。According to the present invention, there is provided a thin film magnetic head including a lower gap insulating layer, an MR element, a lead and an upper gap insulating layer between a lower shield layer and an upper shield layer. There is provided a thin film magnetic head having an insulating film formed between the lead and the MR element and between the lead and the lower gap insulating layer.
【０００９】上述のリードとＭＲ素子とが上述の絶縁膜
に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れていることが好ましい。It is preferable that the lead and the MR element are electrically connected to each other through a contact hole provided in the insulating film.
【００１０】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を形成し、この下部ギャップ絶縁
層上にＭＲ膜を形成してパターニングすることによりＭ
Ｒ素子を形成し、コンタクトホールの領域を除いてこの
ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜上にコンタクトホールを介してＭＲ素子
と導通するリードを形成し、このリード上及び絶縁膜上
に上部ギャップ絶縁層及び上部シールド層を順次形成す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。According to the present invention, a lower gap insulating layer is formed on the lower shield layer, and an MR film is formed on the lower gap insulating layer and patterned to form an M film.
An R element is formed, an insulating film is formed on the MR element and on the lower gap insulating layer except for the contact hole region, and a lead is formed on the insulating film to conduct with the MR element through the contact hole. There is provided a method of manufacturing a thin film magnetic head in which an upper gap insulating layer and an upper shield layer are sequentially formed on the leads and the insulating film.
【００１１】上述の絶縁膜がＡｌ2 Ｏ3 で形成されるか
もしれない。The insulating film described above may be formed of Al 2 O 3 .
【００１２】絶縁膜の上述のコンタクトホールがリフト
オフ法によってパターニングされるかもしれない。The above-mentioned contact holes in the insulating film may be patterned by the lift-off method.
【００１３】[0013]
【作用】ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタ
クトホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上
にコンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリード
を形成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべ
く下部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下
部シールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。Since the insulating film is formed on the MR element and the lower gap insulating layer except the contact hole region, and the lead is formed on the insulating film to be electrically connected to the MR element through the contact hole, the head is formed. Even if the film thickness of the lower gap insulating layer is reduced in order to improve the resolution, the insulation between the lead and the lower shield layer can be sufficiently maintained.
【００１４】[0014]
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail with reference to the following examples.
【００１５】図２は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit provided with a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.
【００１６】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。As shown in the figure, the flying type magnetic head unit of this embodiment comprises a slider 20 and two thin film magnetic heads provided on its rear end face (with respect to the relative traveling direction of the head unit to the magnetic medium). 21 and its protective film 22. The slider 20 is
For example, a ceramic structure 23 made of a ceramic material such as Al 2 O 3 —TiC and a base film 24 formed by sputtering an electrically insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 on the rear end surface of the ceramic structure 23. It is configured.
【００１７】薄膜磁気ヘッド２１は下地膜２４上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。The thin film magnetic head 21 is a thin film element formed on the base film 24, and the head 21 has a protective film 2 formed thereon.
Four electrodes 25 formed so as to be exposed on the surface of No. 2 are connected via four leads 26, respectively.
【００１８】保護膜２２はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。The protective film 22 is formed by sputtering Al 2 O 3 or SiO 2 or the like, and is formed so as to cover the entire surfaces of the thin film magnetic head 21, the base film 24, and the leads 26.
【００１９】図３は、薄膜磁気ヘッド２１の構造をより
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。FIG. 3 is a partial sectional view taken along the line AA of FIG. 2 to show the structure of the thin film magnetic head 21 in more detail.
【００２０】上述したセラミック構造体２３の後端面上
に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が
形成されており、この下部シールド層３０上には、下部
ギャップ絶縁層３２が形成されており、その上にパーマ
ロイ等のＭＲ膜によるＭＲ素子３１が形成されている。
ＭＲ素子３１上及びこのＭＲ素子３１の領域を除く下部
ギャップ絶縁層３２上には、後述するごとくＡｌ2 Ｏ3
による絶縁膜３４が形成されている。その上に、リード
２６（図２）が形成され、さらにその上に上部ギャップ
絶縁層３３が形成されている。上部ギャップ絶縁層３３
の上には、上部シールド層３５が形成されている。A lower shield layer 30 is formed on the base film 24 formed on the rear end face of the ceramic structure 23 described above, and a lower gap insulating layer 32 is formed on the lower shield layer 30. The MR element 31 made of an MR film of Permalloy or the like is formed thereon.
As described below, Al 2 O 3 is formed on the MR element 31 and the lower gap insulating layer 32 excluding the region of the MR element 31.
The insulating film 34 is formed. The lead 26 (FIG. 2) is formed thereon, and the upper gap insulating layer 33 is further formed thereon. Upper gap insulating layer 33
An upper shield layer 35 is formed on the upper surface.
【００２１】これら下部シールド層３０、下部ギャップ
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、絶縁膜３４、リード２６、
上部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再
生用のＭＲヘッド部を構成している。上部シールド層３
５上には、Ａｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより他の
絶縁膜３７が形成されている。These lower shield layer 30, lower gap insulating layer 32, MR element 31, insulating film 34, leads 26,
The upper gap insulating layer 33 and the upper shield layer 35 form a reproducing MR head part. Upper shield layer 3
Another insulating film 37 is formed on the substrate 5 by sputtering Al 2 O 3 or the like.
【００２２】絶縁膜３７上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部磁性層４６が形成され
ており、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜４
７に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体４８が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっきすることにより上部磁性層４９が形成されてい
る。A lower magnetic layer 46 is formed on the insulating film 37 by plating a soft magnetic film such as permalloy, and an insulating film 4 such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed thereon.
A coil conductor 48 made of Cu, Au, or the like is provided between the electrodes 7 and 7, and an upper magnetic layer 49 is formed by plating a soft magnetic film of Permalloy or the like on the coil conductor 48.
【００２３】下部磁性層４６及び上部磁性層４９は、磁
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分４９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体４８は、下部
磁性層４６及び上部磁性層４９の結合部４９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。The lower magnetic layer 46 and the upper magnetic layer 49 are connected to each other at a portion 49a on the side opposite to the surface B facing the magnetic medium, and thus constitute the core of the inductive head portion for recording. . The coil conductor 48 is formed so as to be spirally wound around the coupling portion 49a of the lower magnetic layer 46 and the upper magnetic layer 49.
【００２４】上部磁性層４９の上には、前述した保護膜
２２が形成されている。The protective film 22 described above is formed on the upper magnetic layer 49.
【００２５】なお、下部磁性層４６が上部シールド層３
５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３７は省略される。The lower magnetic layer 46 is the upper shield layer 3.
It is obvious that the dual-purpose structure may be used so as to fulfill the function of 5. In this case, as a matter of course, the insulating film 37 is omitted.
【００２６】図１は、本実施例におけるＭＲヘッドの一
部についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た様子を概略的に表したものであり、
図４はその製造工程を表している。FIG. 1 is a schematic view of a part of the MR head of this embodiment as seen from the bottom side facing the magnetic medium, showing a cross section passing through the center of the MR element.
FIG. 4 shows the manufacturing process.
【００２７】まず図４（Ａ）を参照すると、下地膜２４
（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層３０が形成される。この下部シ
ールド層３０は少なくともＭＲ素子３１の領域を覆うよ
うに設けられており、１〜２μｍ程度の膜厚で形成され
る。First, referring to FIG. 4A, the base film 24
(FIG. 3) The lower shield layer 30 is formed by plating a soft magnetic film such as permalloy on the top. The lower shield layer 30 is provided so as to cover at least the region of the MR element 31, and has a film thickness of about 1 to 2 μm.
【００２８】この下部シールド層３０上には、Ａｌ2 Ｏ
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２
が積層形成される。Al 2 O is formed on the lower shield layer 30.
The lower gap insulating layer 32 is formed by sputtering 3
Are laminated.
【００２９】下部ギャップ絶縁層３２上の全面には、パ
ーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜
厚のＭＲ膜３１′を形成しさらにＴｉをスパッタしてバ
イアスを与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシ
ャント層を形成する。シャント層の代わりにソフト・フ
ィルム・バイアス層等を形成してもよい。また、成膜順
序はこれと逆であってもよい。On the entire surface of the lower gap insulating layer 32, permalloy or the like is sputtered to form an MR film 31 'having a film thickness of about 300 to 600 Å, and then Ti is sputtered to give a bias of about 500 to 500 nm. A shunt layer with a thickness of 1500 Å is formed. A soft film bias layer or the like may be formed instead of the shunt layer. The film forming order may be reversed.
【００３０】次いで図４（Ｂ）に示すように、ＭＲ膜３
１′等をエッチング（イオンミリング等）して所定のパ
ターンにパターニングしてＭＲ素子３１を形成する。こ
の場合、下部ギャップ絶縁層３２のＭＲ素子３１領域を
除く部分３２ａが図示のようにエッチングによって削ら
れてしまう。Next, as shown in FIG. 4B, the MR film 3
1'and the like are etched (ion milling or the like) and patterned into a predetermined pattern to form the MR element 31. In this case, the portion 32a of the lower gap insulating layer 32 excluding the MR element 31 region is etched away as shown in the figure.
【００３１】その後、図４（Ｃ）に示すように、ＭＲ素
子３１上及びこのＭＲ素子３１領域を除く下部ギャップ
絶縁層３２上には、コンタクトホール３４ａの部分が上
下に貫通している絶縁膜３４が形成される。図４（Ｄ）
は、図４（Ｃ）の状態を矢印Ｃ方向から見た様子を表し
ている。この図からも明らかのように、リード２６用の
コンタクトホール３４ａは、ＭＲ素子３１上に２つ設け
られ、それらの間隔がＭＲ素子３１の読取り幅を決定す
る。After that, as shown in FIG. 4C, an insulating film having contact holes 34a vertically penetrating on the MR element 31 and the lower gap insulating layer 32 excluding the MR element 31 region. 34 is formed. Figure 4 (D)
Shows the state of FIG. 4C viewed from the direction of arrow C. As is clear from this figure, two contact holes 34a for the leads 26 are provided on the MR element 31, and the distance between them defines the read width of the MR element 31.
【００３２】このようなパターンの絶縁膜３４は、例え
ばリフトオフ法によって形成される。即ち、ＭＲ素子３
１形成後、コンタクトホール３４ａの領域にひさし構造
のレジストパターン（ステンシル）を形成し、Ａｌ2 Ｏ
3 等の絶縁材料をスパッタした後、アセトン等の溶剤で
レジストを除去することによって形成される。The insulating film 34 having such a pattern is formed by, for example, the lift-off method. That is, the MR element 3
After forming 1, a resist pattern (stencil) having an eave structure is formed in the region of the contact hole 34a, and Al 2 O
It is formed by sputtering an insulating material such as 3 and then removing the resist with a solvent such as acetone.
【００３３】次いで図４（Ｅ）に示すように、この絶縁
膜３４の上に、コンタクトホール３４ａを介してＭＲ素
子３１と導通するようにリード２６が形成される。この
リード２６は、例えばＣｕ等を約０．３μｍ程度の膜厚
にめっきしてパターニングすることによって形成され
る。Then, as shown in FIG. 4E, the lead 26 is formed on the insulating film 34 so as to be electrically connected to the MR element 31 through the contact hole 34a. The leads 26 are formed, for example, by plating Cu or the like with a film thickness of about 0.3 μm and patterning.
【００３４】次いで図１に示すように、その上にＡｌ2
Ｏ3 をスパッタすること等により上部ギャップ絶縁層３
３が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶縁層３
３上の少なくともＭＲ素子を覆う領域には、パーマロイ
等の軟磁性膜をめっき等することにより１．５〜３μｍ
程度の膜厚の上部シールド層３５が形成される。[0034] Then, as shown in FIG. 1, Al 2 thereon
O 3 upper gap insulative layer 3 such as by sputtering
3 are laminated and further, the upper gap insulating layer 3
1.5 to 3 μm by plating a soft magnetic film such as Permalloy on at least a region covering the MR element on 3
The upper shield layer 35 having a film thickness of about the same is formed.
【００３５】このように本実施例によれば、ＭＲ素子３
１の形成後、絶縁膜３４が形成されるため、その上に形
成されるＭＲリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との
絶縁性が良好となり、この下部ギャップ絶縁層３２の膜
厚を約０．１μｍ程度に薄くしても優れた絶縁性を保つ
ことができる。その結果、より優れた分解能を有しつつ
耐圧の高いＭＲヘッドを提供することができる。しか
も、絶縁膜３４は、その後の工程におけるエッチング等
からＭＲ素子３１を保護するという役割をも果たしてい
る。As described above, according to this embodiment, the MR element 3
1 is formed, the insulating film 34 is formed, so that the insulation between the MR lead 26 and the lower gap insulating layer 32 formed thereon is good, and the film thickness of the lower gap insulating layer 32 is about 0. Even if the thickness is reduced to about 1 μm, excellent insulation can be maintained. As a result, it is possible to provide an MR head having a higher breakdown voltage while having a better resolution. Moreover, the insulating film 34 also plays a role of protecting the MR element 31 from etching and the like in the subsequent steps.
【００３６】なお、絶縁膜３４のパターニング法として
は、上述したリフトオフ法の他に公知の種々の方法が適
用可能である。As the patterning method of the insulating film 34, various known methods other than the lift-off method described above can be applied.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタクト
ホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にコ
ンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリードを形
成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべく下
部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下部シ
ールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。その結
果、耐圧の高い優れた分解能を有する薄膜磁気ヘッド得
ることができる。As described in detail above, according to the present invention, an insulating film is formed on the MR element and on the lower gap insulating layer except the contact hole region, and the contact film is formed on the insulating film via the contact hole. Since the leads that are electrically connected to the MR element are formed, the insulation between the leads and the lower shield layer can be sufficiently maintained even if the film thickness of the lower gap insulating layer is reduced to improve the resolution of the head. As a result, a thin film magnetic head having a high breakdown voltage and excellent resolution can be obtained.
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの一部構
成についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a partial configuration of a thin-film magnetic head in the embodiment of FIG. 2 as seen from the bottom side facing a magnetic medium, the cross-section passing through the center of an MR element.
【図２】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit including a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.
【図３】図２のＡＡ線による部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図４】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一部を表す図である。FIG. 4 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the thin film magnetic head in the embodiment of FIG.
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの一部構成についてＭＲ
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た概略断面図である。FIG. 5: MR of a partial configuration of a conventional thin film magnetic head
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a cross section passing through the center of the element as seen from the bottom side facing the magnetic medium.
２３ セラミック構造体 ２６ リード ３０ 下部シールド層 ３１ ＭＲ膜 ３２ 下部ギャップ絶縁層 ３３ 上部ギャップ絶縁層 ３４ 絶縁膜 ３４ａ コンタクトホール ３５ 上部シールド層 23 ceramic structure 26 lead 30 lower shield layer 31 MR film 32 lower gap insulating layer 33 upper gap insulating layer 34 insulating film 34a contact hole 35 upper shield layer
Claims (5)
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子とリードと上部
ギャップ絶縁層とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記リードと前記磁気抵抗素子との間、及び前記リ
ードと前記下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。1. A thin-film magnetic head including a lower gap insulating layer, a magnetoresistive element, a lead, and an upper gap insulating layer between a lower shield layer and an upper shield layer, wherein the lead and the magnetoresistive element. A thin film magnetic head, wherein an insulating film is formed between the element and between the lead and the lower gap insulating layer.
絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に
接続されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッド。2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the lead and the magnetoresistive element are electrically connected to each other through a contact hole provided in the insulating film.
を形成し、該下部ギャップ絶縁層上に磁気抵抗膜を形成
してパターニングすることにより磁気抵抗素子を形成
し、コンタクトホールの領域を除いて前記磁気抵抗素子
上及び前記下部ギャップ絶縁層上に絶縁膜を形成し、該
絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記磁気抵抗
素子と導通するリードを形成し、該リード上及び前記絶
縁膜上に上部ギャップ絶縁層及び上部シールド層を順次
形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。3. A magnetoresistive element is formed by forming a lower gap insulating layer on a lower shield layer, forming a magnetoresistive film on the lower gap insulating layer, and patterning the magnetoresistive element, except for a contact hole region. An insulating film is formed on the magnetoresistive element and the lower gap insulating layer, a lead is formed on the insulating film so as to be electrically connected to the magnetoresistive element through the contact hole, and the lead and the insulating film are formed. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, which comprises sequentially forming an upper gap insulating layer and an upper shield layer on the substrate.
とを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。4. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 3, wherein the insulating film is formed of Al 2 O 3 .
フトオフ法によってパターニングされることを特徴とす
る請求項３又は４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。5. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 3, wherein the contact hole of the insulating film is patterned by a lift-off method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155192A JPH0660328A (en) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Thin film magnetic head and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155192A JPH0660328A (en) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Thin film magnetic head and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660328A true JPH0660328A (en) | 1994-03-04 |
Family
ID=16925273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23155192A Pending JPH0660328A (en) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Thin film magnetic head and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660328A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP23155192A patent/JPH0660328A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
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| Date | Code | Title | Description |
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