JPH0660328A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0660328A JPH0660328A JP23155192A JP23155192A JPH0660328A JP H0660328 A JPH0660328 A JP H0660328A JP 23155192 A JP23155192 A JP 23155192A JP 23155192 A JP23155192 A JP 23155192A JP H0660328 A JPH0660328 A JP H0660328A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シールド層間の間隔を小さくした場合にも良
好な絶縁性を維持することのできる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３５と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２とＭＲ素子３１とリー
ド２６と上部ギャップ絶縁層３３とを含んでいる薄膜磁
気ヘッドであって、リード２６とＭＲ素子３１との間、
及びリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との間に絶縁
膜３４が形成されている。下部シールド層３０上に下部
ギャップ絶縁層３２を形成し、この下部ギャップ絶縁層
３２上にＭＲ膜を形成してパターニングすることにより
ＭＲ素子３１を形成し、コンタクトホール３４ａの領域
を除いてこのＭＲ素子３１上及び下部ギャップ絶縁層３
２上に絶縁膜３４を形成し、この絶縁膜３４上にコンタ
クトホール３４ａを介してＭＲ素子３１と導通するリー
ド２６を形成し、このリード２６上及び絶縁膜３４上に
上部ギャップ絶縁層３３及び上部シールド層３５を順次
形成する。
好な絶縁性を維持することのできる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３５と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２とＭＲ素子３１とリー
ド２６と上部ギャップ絶縁層３３とを含んでいる薄膜磁
気ヘッドであって、リード２６とＭＲ素子３１との間、
及びリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との間に絶縁
膜３４が形成されている。下部シールド層３０上に下部
ギャップ絶縁層３２を形成し、この下部ギャップ絶縁層
３２上にＭＲ膜を形成してパターニングすることにより
ＭＲ素子３１を形成し、コンタクトホール３４ａの領域
を除いてこのＭＲ素子３１上及び下部ギャップ絶縁層３
２上に絶縁膜３４を形成し、この絶縁膜３４上にコンタ
クトホール３４ａを介してＭＲ素子３１と導通するリー
ド２６を形成し、このリード２６上及び絶縁膜３４上に
上部ギャップ絶縁層３３及び上部シールド層３５を順次
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してＭＲ素子及びＭＲリー
ドを設けることにより構成されている。
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してＭＲ素子及びＭＲリー
ドを設けることにより構成されている。
【０００３】図５は、従来のＭＲヘッドの一部を、ＭＲ
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た様子を概略的に表したものである。
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た様子を概略的に表したものである。
【０００４】同図において、５０は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層５０と
上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５
２、ＭＲ素子５１、このＭＲ素子５１、リード５６、及
び上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。この
ようにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、図
示されていないインダクティブヘッドが積層されてい
る。
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層５０と
上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５
２、ＭＲ素子５１、このＭＲ素子５１、リード５６、及
び上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。この
ようにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、図
示されていないインダクティブヘッドが積層されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この種のＭＲヘッドで
は、ＭＲ膜を全面に形成した後、イオンミリング等のエ
ッチングによりパターニングしてＭＲ素子５１を形成す
ることが行われる。このパターニング時に、ＭＲ素子領
域以外の部分ではＭＲ膜のみならずその下の下部ギャッ
プ絶縁層５２も削られてしまう。例えば、膜厚が０．２
５μｍ程度の下部ギャップ絶縁層５２が０．１μｍ程度
の膜厚に削られてしまう。このため、下部ギャップ絶縁
層５２のＭＲ素子パターンと異なる部分５２ａの膜厚が
非常に薄くなってしまい、この下部ギャップ絶縁層５２
の膜厚を薄くした場合に、リード５６と下部シールド層
５０とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッド特性
が大幅に悪化するという問題が生じる。
は、ＭＲ膜を全面に形成した後、イオンミリング等のエ
ッチングによりパターニングしてＭＲ素子５１を形成す
ることが行われる。このパターニング時に、ＭＲ素子領
域以外の部分ではＭＲ膜のみならずその下の下部ギャッ
プ絶縁層５２も削られてしまう。例えば、膜厚が０．２
５μｍ程度の下部ギャップ絶縁層５２が０．１μｍ程度
の膜厚に削られてしまう。このため、下部ギャップ絶縁
層５２のＭＲ素子パターンと異なる部分５２ａの膜厚が
非常に薄くなってしまい、この下部ギャップ絶縁層５２
の膜厚を薄くした場合に、リード５６と下部シールド層
５０とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッド特性
が大幅に悪化するという問題が生じる。
【０００６】特に、ＭＲヘッドの分解能を高めるために
は、下部シールド層５０と上部シールド層５５との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁化反転距離）
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
ＭＲ素子５１の膜厚が約２０００Å程度であるとする
と、下部ギャップ絶縁層５２の膜厚は０．１μｍ程度で
あることが要求されるからより深刻な問題となる。
は、下部シールド層５０と上部シールド層５５との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁化反転距離）
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
ＭＲ素子５１の膜厚が約２０００Å程度であるとする
と、下部ギャップ絶縁層５２の膜厚は０．１μｍ程度で
あることが要求されるからより深刻な問題となる。
【０００７】従って本発明は、シールド層間の間隔を小
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んで
いる薄膜磁気ヘッドであって、リードとＭＲ素子との
間、及びリードと下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が
形成されている薄膜磁気ヘッドが提供される。
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んで
いる薄膜磁気ヘッドであって、リードとＭＲ素子との
間、及びリードと下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が
形成されている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【０００９】上述のリードとＭＲ素子とが上述の絶縁膜
に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れていることが好ましい。
に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続さ
れていることが好ましい。
【００１０】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を形成し、この下部ギャップ絶縁
層上にＭＲ膜を形成してパターニングすることによりＭ
Ｒ素子を形成し、コンタクトホールの領域を除いてこの
ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜上にコンタクトホールを介してＭＲ素子
と導通するリードを形成し、このリード上及び絶縁膜上
に上部ギャップ絶縁層及び上部シールド層を順次形成す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
に下部ギャップ絶縁層を形成し、この下部ギャップ絶縁
層上にＭＲ膜を形成してパターニングすることによりＭ
Ｒ素子を形成し、コンタクトホールの領域を除いてこの
ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜上にコンタクトホールを介してＭＲ素子
と導通するリードを形成し、このリード上及び絶縁膜上
に上部ギャップ絶縁層及び上部シールド層を順次形成す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１１】上述の絶縁膜がＡｌ2 Ｏ3 で形成されるか
もしれない。
もしれない。
【００１２】絶縁膜の上述のコンタクトホールがリフト
オフ法によってパターニングされるかもしれない。
オフ法によってパターニングされるかもしれない。
【００１３】
【作用】ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタ
クトホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上
にコンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリード
を形成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべ
く下部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下
部シールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。
クトホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上
にコンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリード
を形成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべ
く下部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下
部シールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。
【００１４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１５】図２は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
【００１６】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
【００１７】薄膜磁気ヘッド２１は下地膜２４上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
【００１８】保護膜２２はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
【００１９】図３は、薄膜磁気ヘッド２１の構造をより
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
【００２０】上述したセラミック構造体２３の後端面上
に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が
形成されており、この下部シールド層３０上には、下部
ギャップ絶縁層３２が形成されており、その上にパーマ
ロイ等のＭＲ膜によるＭＲ素子３１が形成されている。
ＭＲ素子３１上及びこのＭＲ素子３１の領域を除く下部
ギャップ絶縁層３２上には、後述するごとくＡｌ2 Ｏ3
による絶縁膜３４が形成されている。その上に、リード
２６（図２）が形成され、さらにその上に上部ギャップ
絶縁層３３が形成されている。上部ギャップ絶縁層３３
の上には、上部シールド層３５が形成されている。
に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が
形成されており、この下部シールド層３０上には、下部
ギャップ絶縁層３２が形成されており、その上にパーマ
ロイ等のＭＲ膜によるＭＲ素子３１が形成されている。
ＭＲ素子３１上及びこのＭＲ素子３１の領域を除く下部
ギャップ絶縁層３２上には、後述するごとくＡｌ2 Ｏ3
による絶縁膜３４が形成されている。その上に、リード
２６（図２）が形成され、さらにその上に上部ギャップ
絶縁層３３が形成されている。上部ギャップ絶縁層３３
の上には、上部シールド層３５が形成されている。
【００２１】これら下部シールド層３０、下部ギャップ
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、絶縁膜３４、リード２６、
上部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再
生用のＭＲヘッド部を構成している。上部シールド層３
５上には、Ａｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより他の
絶縁膜３７が形成されている。
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、絶縁膜３４、リード２６、
上部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再
生用のＭＲヘッド部を構成している。上部シールド層３
５上には、Ａｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより他の
絶縁膜３７が形成されている。
【００２２】絶縁膜３７上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部磁性層４６が形成され
ており、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜４
７に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体４８が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっきすることにより上部磁性層４９が形成されてい
る。
膜をめっき等することにより下部磁性層４６が形成され
ており、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜４
７に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体４８が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっきすることにより上部磁性層４９が形成されてい
る。
【００２３】下部磁性層４６及び上部磁性層４９は、磁
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分４９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体４８は、下部
磁性層４６及び上部磁性層４９の結合部４９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分４９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体４８は、下部
磁性層４６及び上部磁性層４９の結合部４９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
【００２４】上部磁性層４９の上には、前述した保護膜
２２が形成されている。
２２が形成されている。
【００２５】なお、下部磁性層４６が上部シールド層３
５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３７は省略される。
５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３７は省略される。
【００２６】図１は、本実施例におけるＭＲヘッドの一
部についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た様子を概略的に表したものであり、
図４はその製造工程を表している。
部についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た様子を概略的に表したものであり、
図４はその製造工程を表している。
【００２７】まず図４（Ａ）を参照すると、下地膜２４
（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層３０が形成される。この下部シ
ールド層３０は少なくともＭＲ素子３１の領域を覆うよ
うに設けられており、１〜２μｍ程度の膜厚で形成され
る。
（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層３０が形成される。この下部シ
ールド層３０は少なくともＭＲ素子３１の領域を覆うよ
うに設けられており、１〜２μｍ程度の膜厚で形成され
る。
【００２８】この下部シールド層３０上には、Ａｌ2 Ｏ
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２
が積層形成される。
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２
が積層形成される。
【００２９】下部ギャップ絶縁層３２上の全面には、パ
ーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜
厚のＭＲ膜３１′を形成しさらにＴｉをスパッタしてバ
イアスを与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシ
ャント層を形成する。シャント層の代わりにソフト・フ
ィルム・バイアス層等を形成してもよい。また、成膜順
序はこれと逆であってもよい。
ーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜
厚のＭＲ膜３１′を形成しさらにＴｉをスパッタしてバ
イアスを与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシ
ャント層を形成する。シャント層の代わりにソフト・フ
ィルム・バイアス層等を形成してもよい。また、成膜順
序はこれと逆であってもよい。
【００３０】次いで図４（Ｂ）に示すように、ＭＲ膜３
１′等をエッチング（イオンミリング等）して所定のパ
ターンにパターニングしてＭＲ素子３１を形成する。こ
の場合、下部ギャップ絶縁層３２のＭＲ素子３１領域を
除く部分３２ａが図示のようにエッチングによって削ら
れてしまう。
１′等をエッチング（イオンミリング等）して所定のパ
ターンにパターニングしてＭＲ素子３１を形成する。こ
の場合、下部ギャップ絶縁層３２のＭＲ素子３１領域を
除く部分３２ａが図示のようにエッチングによって削ら
れてしまう。
【００３１】その後、図４（Ｃ）に示すように、ＭＲ素
子３１上及びこのＭＲ素子３１領域を除く下部ギャップ
絶縁層３２上には、コンタクトホール３４ａの部分が上
下に貫通している絶縁膜３４が形成される。図４（Ｄ）
は、図４（Ｃ）の状態を矢印Ｃ方向から見た様子を表し
ている。この図からも明らかのように、リード２６用の
コンタクトホール３４ａは、ＭＲ素子３１上に２つ設け
られ、それらの間隔がＭＲ素子３１の読取り幅を決定す
る。
子３１上及びこのＭＲ素子３１領域を除く下部ギャップ
絶縁層３２上には、コンタクトホール３４ａの部分が上
下に貫通している絶縁膜３４が形成される。図４（Ｄ）
は、図４（Ｃ）の状態を矢印Ｃ方向から見た様子を表し
ている。この図からも明らかのように、リード２６用の
コンタクトホール３４ａは、ＭＲ素子３１上に２つ設け
られ、それらの間隔がＭＲ素子３１の読取り幅を決定す
る。
【００３２】このようなパターンの絶縁膜３４は、例え
ばリフトオフ法によって形成される。即ち、ＭＲ素子３
１形成後、コンタクトホール３４ａの領域にひさし構造
のレジストパターン（ステンシル）を形成し、Ａｌ2 Ｏ
3 等の絶縁材料をスパッタした後、アセトン等の溶剤で
レジストを除去することによって形成される。
ばリフトオフ法によって形成される。即ち、ＭＲ素子３
１形成後、コンタクトホール３４ａの領域にひさし構造
のレジストパターン（ステンシル）を形成し、Ａｌ2 Ｏ
3 等の絶縁材料をスパッタした後、アセトン等の溶剤で
レジストを除去することによって形成される。
【００３３】次いで図４（Ｅ）に示すように、この絶縁
膜３４の上に、コンタクトホール３４ａを介してＭＲ素
子３１と導通するようにリード２６が形成される。この
リード２６は、例えばＣｕ等を約０．３μｍ程度の膜厚
にめっきしてパターニングすることによって形成され
る。
膜３４の上に、コンタクトホール３４ａを介してＭＲ素
子３１と導通するようにリード２６が形成される。この
リード２６は、例えばＣｕ等を約０．３μｍ程度の膜厚
にめっきしてパターニングすることによって形成され
る。
【００３４】次いで図１に示すように、その上にＡｌ2
Ｏ3 をスパッタすること等により上部ギャップ絶縁層３
３が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶縁層３
３上の少なくともＭＲ素子を覆う領域には、パーマロイ
等の軟磁性膜をめっき等することにより１．５〜３μｍ
程度の膜厚の上部シールド層３５が形成される。
Ｏ3 をスパッタすること等により上部ギャップ絶縁層３
３が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶縁層３
３上の少なくともＭＲ素子を覆う領域には、パーマロイ
等の軟磁性膜をめっき等することにより１．５〜３μｍ
程度の膜厚の上部シールド層３５が形成される。
【００３５】このように本実施例によれば、ＭＲ素子３
１の形成後、絶縁膜３４が形成されるため、その上に形
成されるＭＲリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との
絶縁性が良好となり、この下部ギャップ絶縁層３２の膜
厚を約０．１μｍ程度に薄くしても優れた絶縁性を保つ
ことができる。その結果、より優れた分解能を有しつつ
耐圧の高いＭＲヘッドを提供することができる。しか
も、絶縁膜３４は、その後の工程におけるエッチング等
からＭＲ素子３１を保護するという役割をも果たしてい
る。
１の形成後、絶縁膜３４が形成されるため、その上に形
成されるＭＲリード２６と下部ギャップ絶縁層３２との
絶縁性が良好となり、この下部ギャップ絶縁層３２の膜
厚を約０．１μｍ程度に薄くしても優れた絶縁性を保つ
ことができる。その結果、より優れた分解能を有しつつ
耐圧の高いＭＲヘッドを提供することができる。しか
も、絶縁膜３４は、その後の工程におけるエッチング等
からＭＲ素子３１を保護するという役割をも果たしてい
る。
【００３６】なお、絶縁膜３４のパターニング法として
は、上述したリフトオフ法の他に公知の種々の方法が適
用可能である。
は、上述したリフトオフ法の他に公知の種々の方法が適
用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタクト
ホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にコ
ンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリードを形
成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべく下
部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下部シ
ールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。その結
果、耐圧の高い優れた分解能を有する薄膜磁気ヘッド得
ることができる。
ば、ＭＲ素子上及び下部ギャップ絶縁層上にコンタクト
ホール領域を除いて絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にコ
ンタクトホールを介してＭＲ素子と導通するリードを形
成するようにしたので、ヘッドの分解能を上げるべく下
部ギャップ絶縁層の膜厚を小さくしてもリードと下部シ
ールド層との絶縁性が充分保たれることとなる。その結
果、耐圧の高い優れた分解能を有する薄膜磁気ヘッド得
ることができる。
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの一部構
成についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た概略断面図である。
成についてＭＲ素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向
する底面側から見た概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
【図３】図２のＡＡ線による部分断面図である。
【図４】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一部を表す図である。
程の一部を表す図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの一部構成についてＭＲ
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た概略断面図である。
素子の中央を通る断面を磁気媒体に対向する底面側から
見た概略断面図である。
２３ セラミック構造体 ２６ リード ３０ 下部シールド層 ３１ ＭＲ膜 ３２ 下部ギャップ絶縁層 ３３ 上部ギャップ絶縁層 ３４ 絶縁膜 ３４ａ コンタクトホール ３５ 上部シールド層
Claims (5)
- 【請求項１】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子とリードと上部
ギャップ絶縁層とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記リードと前記磁気抵抗素子との間、及び前記リ
ードと前記下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が形成さ
れていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記リードと前記磁気抵抗素子とが前記
絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に
接続されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層
を形成し、該下部ギャップ絶縁層上に磁気抵抗膜を形成
してパターニングすることにより磁気抵抗素子を形成
し、コンタクトホールの領域を除いて前記磁気抵抗素子
上及び前記下部ギャップ絶縁層上に絶縁膜を形成し、該
絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記磁気抵抗
素子と導通するリードを形成し、該リード上及び前記絶
縁膜上に上部ギャップ絶縁層及び上部シールド層を順次
形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁膜がＡｌ2 Ｏ3 で形成されるこ
とを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項５】 前記絶縁膜の前記コンタクトホールがリ
フトオフ法によってパターニングされることを特徴とす
る請求項３又は４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155192A JPH0660328A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155192A JPH0660328A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660328A true JPH0660328A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16925273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23155192A Pending JPH0660328A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP23155192A patent/JPH0660328A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756269A3 (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-07 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001219 |