JPH0660645A - Power saving storage device - Google Patents

Power saving storage device

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Publication number
JPH0660645A
JPH0660645A JP4227860A JP22786092A JPH0660645A JP H0660645 A JPH0660645 A JP H0660645A JP 4227860 A JP4227860 A JP 4227860A JP 22786092 A JP22786092 A JP 22786092A JP H0660645 A JPH0660645 A JP H0660645A
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JP
Japan
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memory
refresh
signal
power
memory device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4227860A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiko Makino
俊彦 牧野
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0660645A publication Critical patent/JPH0660645A/en
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 DRAMを用いたメモリ装置において、消費
電力の低減を図ったメモリ装置を提供する。 【構成】 検出手段1は、メモリ5が使用中であるか不
使用であるかを検出する。選択手段4は、検出手段が検
出した結果が使用中である場合はノーマルリフレッシュ
回路2からのノーマルリフレッシュ信号12によりメモ
リをリフレッシュし、検出結果が不使用の場合はバック
アップリフレッシュ回路3からのバックアップリフレッ
シュ信号13によりメモリをリフレッシュする。
(57) [Summary] [Object] To provide a memory device in which power consumption is reduced in a memory device using a DRAM. [Structure] The detection means 1 detects whether the memory 5 is in use or not. The selection means 4 refreshes the memory with the normal refresh signal 12 from the normal refresh circuit 2 when the result detected by the detection means is in use, and the backup refresh from the backup refresh circuit 3 when the detection result is not used. The signal 13 refreshes the memory.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、節電型メモリ装置に係
り、特にメモリ素子にDRAMを用いた節電型メモリ装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power saving type memory device, and more particularly to a power saving type memory device using a DRAM as a memory element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一般に電池駆動の情報処理装置
(以下、パソコンと記す)においては、電池の連続動作
時間を伸ばすために消費電力の低減(以下、低消費化と
記す)が図られている。かかる低消費化の一環として、
パソコンの構成部品の1つである半導体記憶素子部分
(以下、メモリと記す)においても低消費化が図られて
いる。そして、近年パソコンのメモリ容量が増大してい
く傾向があるために、メモリの低消費化は重要になり、
特にメモリの中でもコストと容量における比率の大きい
DRAMには、前述の低消費化が不可欠である。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a battery-powered information processing apparatus (hereinafter referred to as a personal computer), power consumption has been reduced (hereinafter referred to as low power consumption) in order to extend the continuous operation time of the battery. There is. As part of such low consumption,
The semiconductor memory element portion (hereinafter, referred to as a memory), which is one of the components of a personal computer, is also being reduced in power consumption. And since the memory capacity of personal computers tends to increase in recent years, it is important to reduce memory consumption.
In particular, the aforementioned low consumption is indispensable for DRAM, which has a large ratio in cost and capacity among memories.

【0003】前記メモリにおける消費電力低減手段とし
ては、大きく分けると次に示す2つの手段がある。その
1の手段は、メモリが動作中の消費電力を低減する手段
であり、具体的には動作電流の低減や動作電圧の低電圧
化、また代表的なメモリであるDRAMでは、リフレッ
シュ周期の長期化である。その2の手段は、不使用メモ
リの電源を切断してしまう手段である。例えば、特開昭
64−51512号公報や特開平2−232752号公
報に開示されている如く、不使用のメモリを検出して電
源供給を切断,停止してしまう方法である。
The power consumption reducing means in the memory can be roughly divided into the following two means. The first means is a means for reducing power consumption during operation of the memory. Specifically, the operation current is reduced and the operation voltage is lowered, and in a typical DRAM, the DRAM has a long refresh cycle. It is becoming. The second means is a means for cutting off the power of the unused memory. For example, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-51512 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-232752, there is a method of detecting an unused memory and cutting off and stopping the power supply.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
「メモリの動作中の低消費化」の面では大きな効果は見
られず、従来比の数十%減などの数値しか達成できない
ため、システム全体での効果が少ない。これに対し、
「不使用メモリの電源を切断する手段」は,消費電力が
0となるため低消費化の面で大きな効果があり、また、
メモリの種類を問わず全てのシステムに適用可能であ
る。ところが、システムの動作開始後に一度でも使用さ
れたメモリは、その後常に電源が入っているために低消
費化を図ることができない。その理由は、一度使用され
たメモリには必要なデータが入力されていて、電源を切
断するとデータが消失してしまうからである。このよう
に電源の切断を行う手段は、実際に情報処理装置を使用
した場合に、不都合がある。
However, the above-mentioned "reduction of power consumption while the memory is operating" has no great effect, and only a numerical value such as a reduction of several tens of percent from the conventional value can be achieved. There is little effect on. In contrast,
The "means for cutting off unused memory power" has a great effect in terms of low power consumption since the power consumption becomes 0.
It is applicable to all systems regardless of memory type. However, the memory that has been used even once after the system starts operating cannot be reduced in power consumption because the power is always on thereafter. The reason is that necessary data has been input to the memory once used, and the data will be lost when the power is turned off. The means for cutting off the power in this way has a disadvantage when the information processing apparatus is actually used.

【0005】また、電源が切断されているメモリを使用
する時は、電源の再投入後、実際に使用可能状態となる
までは立ち上げ時間を要するために、システムの性能が
低下してしまう。そこで、本発明の目的は、リフレッシ
ュ動作を必要とするDRAMを使用したメモリにおい
て、メモリのデータを消失することなく電池の連続動作
時間を伸ばすことが可能であり、また、システムの性能
を低下させることのない節電型メモリ装置を提供するこ
とにある。
Further, when a memory whose power supply is cut off is used, it takes a startup time after the power is turned on again until the memory is actually ready for use, so that the system performance is deteriorated. Therefore, an object of the present invention is to extend the continuous operation time of a battery in a memory using a DRAM that requires a refresh operation without losing the data in the memory, and reduce the system performance. An object of the present invention is to provide a power-saving memory device without a problem.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明で
は、DRAMによりメモリを構成し、このメモリを動作
モードまたはデータ保持モードのいずれかを選択的に使
用する情報処理装置において、前記メモリが使用中であ
るか否かを検出する検出手段と、前記メモリが使用中の
場合に通常の動作モードのリフレッシュ動作を行うノー
マルリフレッシュ回路と、前記メモリが不使用の場合に
データ保持モードのリフレッシュ動作を行うバックアッ
プリフレッシュ回路と、前記検出手段からの信号に基づ
き前記メモリのリフレッシュ動作を、前記ノーマルリフ
レッシュ回路からの動作モードのリフレッシュ動作また
は前記バックアップリフレッシュ回路からのデータ保持
モードのリフレッシュ動作のいずれかに切り替える選択
手段とを備えて構成して前記目的を達成する。請求項2
記載の発明では、前記メモリを選択的に使用する機構
が、EMSまたはバンク切替方式により構成して前記目
的を達成する。請求項3記載の発明では、前記メモリを
選択的に使用する機構が、キャッシュシステムにより構
成して前記目的を達成する。請求項4記載の発明では、
前記選択手段によるリフレッシュ回路の切り替えの実施
をプログラムにより行うようにして前記目的を達成す
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an information processing apparatus, wherein a memory is constituted by a DRAM and the memory is selectively used in either an operation mode or a data holding mode. Detecting means for detecting whether or not the memory is in use, a normal refresh circuit for performing a refresh operation in a normal operation mode when the memory is in use, and a refresh operation in a data holding mode when the memory is not in use And a refresh operation of the memory on the basis of a signal from the detecting means, either a refresh operation in an operation mode from the normal refresh circuit or a refresh operation in a data holding mode from the backup refresh circuit. Configuration with switching selection means To achieve the above object Te. Claim 2
In the invention described above, the mechanism for selectively using the memory is configured by an EMS or a bank switching system to achieve the above object. In a third aspect of the present invention, the mechanism for selectively using the memory is configured by a cache system to achieve the above object. According to the invention of claim 4,
The object is achieved by executing the switching of the refresh circuit by the selecting means by a program.

【0007】[0007]

【作用】請求項1記載の節電型メモリ装置では、検出手
段は、メモリが使用中であるか否かを検出する。選択手
段は、メモリが使用中の場合はノーマルリフレッシュ回
路からのノーマルリフレッシュ信号により通常の動作モ
ードのリフレッシュ動作を行い、メモリが不使用の場合
はバックアップリフレッシュ回路からのバックアップリ
フレッシュ信号によりデータ保持モードのリフレッシュ
動作を行う。このように、メモリの使用中または不使用
に応じてリフレッシュ電流を切り替えているので、メモ
リ装置全体の消費電力を低減させることができる。
In the power saving type memory device according to the first aspect, the detecting means detects whether or not the memory is in use. The selecting means performs the refresh operation in the normal operation mode by the normal refresh signal from the normal refresh circuit when the memory is in use, and the data holding mode by the backup refresh signal from the backup refresh circuit when the memory is not used. Perform a refresh operation. In this way, the refresh current is switched depending on whether the memory is used or not used, so that the power consumption of the entire memory device can be reduced.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の節電型メモリ装置における一
実施例を図1ないし図7を参照して詳細に説明する。(1)原理構成および動作 図1に本発明の原理構成のブロック図を示す。図1に示
すように、リフレッシュ動作を必要とするDRAMを使
用した節電型メモリ装置は、メモリ5が使用中か未使用
かを検出する検出手段1と、メモリ5が使用中の場合に
通常の動作モードのリフレッシュ動作を行うノーマルリ
フレッシュ回路2と、メモリ5が未使用の場合にデータ
保持モードのリフレッシュ動作を行うバックアップリフ
レッシュ回路3と、前記検出手段1からの使用中を示す
信号と未使用を示す信号に基づきメモリ5のリフレッシ
ュ動作を使用中または未使用を選択する選択手段4によ
り構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a power saving type memory device of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. (1) Principle Configuration and Operation FIG. 1 shows a block diagram of the principle configuration of the present invention. As shown in FIG. 1, a power-saving memory device using a DRAM that requires a refresh operation includes a detection unit 1 that detects whether the memory 5 is in use or an unused state, and a normal device when the memory 5 is in use. A normal refresh circuit 2 that performs a refresh operation in an operation mode, a backup refresh circuit 3 that performs a refresh operation in a data holding mode when the memory 5 is unused, a signal indicating the busy state from the detection means 1 and an unused signal. The selection means 4 selects whether the refresh operation of the memory 5 is in use or not based on the signal shown.

【0009】前記検出手段1は、メモリが使用中である
か、未使用であるかを検出して使用中信号10または未
使用信号11を選択手段4へ出力する。前記選択手段4
は、使用中信号10が有効の場合は、ノーマルリフレッ
シュ回路2からのノーマルリフレッシュ信号12を選択
してメモリ5へリフレッシュ信号14として出力し、未
使用信号11が有効の場合は、バックアップリフレッシ
ュ回路3からのバックアップリフレッシュ信号13を選
択して、メモリ5へリフレッシュ信号14として出力す
る。ここで、前記ノーマルリフレッシュとバックアップ
リフレッシュについて説明する。
The detection means 1 detects whether the memory is in use or is unused and outputs a busy signal 10 or an unused signal 11 to the selection means 4. The selection means 4
Selects the normal refresh signal 12 from the normal refresh circuit 2 and outputs it as the refresh signal 14 to the memory 5 when the busy signal 10 is valid, and the backup refresh circuit 3 when the unused signal 11 is valid. The backup refresh signal 13 is selected and output to the memory 5 as the refresh signal 14. Here, the normal refresh and the backup refresh will be described.

【0010】半導体データブックの型名:μPD426
07(品名:シリコンファイル、DRAMの一種)によ
ると、リフレッシュ時の電流は、RASオンリ・リフレ
ッシュとCASビフォアRASリフレッシュの時は10
mA(MAX)である。これに対し、セルフリフレッシ
ュ時の電流は、30μA(0℃〜50℃、MAX)、6
0μA(0℃〜60℃、MAX)、120μA(0℃〜
70℃、MAX)のように大きく異なる。RASオンリ
・リフレッシュ時やCASビフォアRASリフレッシュ
時は、リード/ライトと混在できるために、メモリを使
用(リード/ライト)している時のリフレッシュである
(通常の動作モード)。
Model name of semiconductor data book: μPD426
According to 07 (product name: silicon file, a kind of DRAM), the refresh current is 10 at the time of RAS only refresh and CAS before RAS refresh.
mA (MAX). On the other hand, the current during self-refresh is 30 μA (0 ° C. to 50 ° C., MAX), 6
0 μA (0 ° C. to 60 ° C., MAX), 120 μA (0 ° C. to
70 ° C, MAX). At the time of RAS only refresh or CAS before RAS refresh, since it can be mixed with read / write, it is refresh when the memory is being used (read / write) (normal operation mode).

【0011】セルフリフレッシュは、リード/ライトと
混在できないために未使用(リード/ライトなし)で、
データ保持は行っている時のリフレッシュとなる(デー
タ保持モード)。このように使用(リード/ライト)の
時に行うリフレッシュをノーマルリフレッシュとし、未
使用(リード/ライトなし)の時でデータ保持だけ行っ
ている時のリフレッシュをバックアップリフレッシュと
する。
Self-refresh is unused (no read / write) because it cannot be mixed with read / write.
Data is refreshed while it is being held (data holding mode). In this way, the refresh performed during use (read / write) is referred to as normal refresh, and the refresh during data retention only when not used (no read / write) is referred to as backup refresh.

【0012】図2(A)にノーマルリフレッシュ時のμ
PD42601の各制御信号のタイミングを示し、図2
(B)にバックアップリフレッシュ時の各制御信号のタ
イミングを示す。このように、本発明では、リフレッシ
ュ動作を必要とするDRAMを使用したメモリにおい
て、使用されてないメモリを検出して、そのメモリをデ
ータ保持状態にすることにより、メモリのデータを消失
することが無く、大きな低消費化が図れる。また、この
方法では、メモリを未使用、使用状態に制限なく移行で
きるためにシステムの低消費化への効果も大きく、電池
での連続動作時間を伸ばすことができる。さらに、未使
用と使用状態の移行が素早くできるため、システムの性
能を低下させることもない。
FIG. 2A shows μ at the time of normal refresh.
The timing of each control signal of the PD42601 is shown in FIG.
(B) shows the timing of each control signal at the time of backup refresh. As described above, according to the present invention, in a memory using a DRAM that requires a refresh operation, an unused memory is detected, and the data is held in the memory, whereby the data in the memory can be lost. It is possible to achieve a large reduction in consumption. Further, according to this method, since the memory can be switched to the unused state or the used state without any limitation, the effect of reducing the system consumption is great, and the continuous operation time in the battery can be extended. Furthermore, since the unused state and the used state can be rapidly changed, the system performance is not deteriorated.

【0013】(2)具体的構成および動作 次に具体的な回路の構成およびその動作を説明する。EMS方式 メモリを選択的に使用するものとしてEMS(Lotus In
tel Microsoft expanded memory specification)が一般
化している。図3に、EMSにおけるメモリの選択方法
を示す。図3(A)に示す実アドレスメモリとは、実際
にリード/ライトが可能なエリアである。図3(B)
は、EMS用メモリとして準備されているメモリの集合
である。図3では、実アドレスメモリとして4つのメモ
リが使用可能であり、4つにはEMSメモリの斜線部
A、B、C、Dが割り当てられ、使用中となっている。
これをブロック図で示したのが図4である。図4に示す
ように、メモリ21は図3(B)のEMSメモリに対応
する。EMSコントローラ22は、レジスタR1 〜R4
とアドレス変換部22aからなり、EMSメモリを実ア
ドレスメモリに対応させる制御を行う。対応させる方法
としては、EMSメモリ内のレジスタR1 〜R4 に設定
された値によってアドレス変換部22aがメモリ用のア
ドレスと制御信号を生成する。
(2) Specific Configuration and Operation Next, a specific circuit configuration and its operation will be described. EMS (Lotus In
tel Microsoft expanded memory specification) has become popular. FIG. 3 shows a method of selecting a memory in EMS. The real address memory shown in FIG. 3A is an area that can be actually read / written. Figure 3 (B)
Is a set of memories prepared as EMS memory. In FIG. 3, four memories can be used as the real address memories, and the shaded areas A, B, C, and D of the EMS memory are allocated to the four memories and are in use.
This is shown in a block diagram in FIG. As shown in FIG. 4, the memory 21 corresponds to the EMS memory shown in FIG. The EMS controller 22 uses registers R1 to R4.
And the address conversion unit 22a, and controls the EMS memory to correspond to the real address memory. As a corresponding method, the address conversion unit 22a generates a memory address and a control signal according to the values set in the registers R1 to R4 in the EMS memory.

【0014】従って、レジスタR1 〜R4 の内容を検出
手段1へ出力することによって使用するメモリを判別で
きる。この検出手段1から選択手段4への信号は複数の
メモリ(A〜H)のそれぞれの使用中,未使用を知らせ
るため、選択手段4もそれぞれのメモリに対してノーマ
ルリフレッシュまたはバックアップリフレッシュを行
う。バンク方式 同様に、メモリの選択方法としてバンク方式がある。図
5にバンク方式のメモリマップを示し、図6にバンク方
式のブロック図を示す。図5では斜線部のバンクB2 が
選択(つまり割り当て)されている。図6のブロック図
の動作は、図4のEMSブロックのEMSコントローラ
がバンクコントローラ31に変更にされた以外は同じで
ある。
Therefore, the memory to be used can be determined by outputting the contents of the registers R1 to R4 to the detecting means 1. The signal from the detecting means 1 to the selecting means 4 informs the use or non-use of each of the plurality of memories (A to H), so that the selecting means 4 also performs normal refresh or backup refresh on each memory. Similarly bank system, there is a bank system as a selection method of a memory. FIG. 5 shows a memory map of the bank system, and FIG. 6 shows a block diagram of the bank system. In FIG. 5, the shaded bank B2 is selected (that is, assigned). The operation of the block diagram of FIG. 6 is the same except that the EMS controller of the EMS block of FIG. 4 is changed to the bank controller 31.

【0015】キャッシュシステム メモリを選択して使用する方法としてキャッシュシステ
ムも考えられる。図7にキャッシュシステムのブロック
図を示す。キャッシュがヒットしてキャッシュをCPU
がアクセスしている時はキャッシュが使用中でメモリが
未使用であり、キャッシュがミスしてメモリをアクセス
しているときはメモリが使用中でキャッシュが未使用に
なる。そのため、検出手段1への信号はキャッシュのヒ
ットまたはミスを示す信号になる。なお、以上3つのメ
モリ選択のシステムで説明したが、他のメモリ選択の方
式でにも本発明を適用できるのは勿論である。また、本
実施例ではメモリをDRAMとしてリフレッシュ動作を
切り替える方法で述べてきたが、メモリが動作モード、
データ保持又は省電力モードを有しているものであれば
容易に適用できるのも勿論である。
A cache system is also conceivable as a method of selecting and using the cache system memory. FIG. 7 shows a block diagram of the cache system. When the cache hits, the CPU
When the is accessed, the cache is in use and the memory is not used, and when the cache misses and the memory is accessed, the memory is in use and the cache is unused. Therefore, the signal to the detection means 1 becomes a signal indicating a cache hit or miss. Although the three memory selection systems have been described above, it goes without saying that the present invention can be applied to other memory selection systems. In addition, in the present embodiment, the method has been described in which the memory is a DRAM and the refresh operation is switched.
Of course, any device having a data retention or power saving mode can be easily applied.

【0016】さらに、 本発明によりバックアップリフ
レッシュは低消費化が達成できるが、ユーザーによって
は低消費化よりは少しでも高性能化を要求する場合があ
る。その場合には、図1に示した選択手段に切り替えの
実施を有効、または無効にする信号を入力させることで
可能となる。この信号の制御をプログラムでON/OF
F制御可能なポートでの出力信号とすることで、容易に
プログラムでの選択が可能となる。
Furthermore, although the present invention can achieve low power consumption in backup refresh, some users may demand even higher performance than low power consumption. In that case, it becomes possible by inputting a signal for enabling or disabling the execution of the switching to the selecting means shown in FIG. Programmatically turns on / off this signal control
By using the output signal at the F-controllable port, selection by a program can be easily performed.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
モリのリフレッシュ動作を消費電流が少ない動作を使用
することによりメモリの消費電流が低減でき、ひいては
システムの消費電流が低減できることにより、電池での
連続動作時間を伸ばすことが可能となる。
As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the current consumption of the memory by using the refresh operation of the memory and the operation of which the current consumption is small, and thus to reduce the battery consumption of the system. It is possible to extend the continuous operation time in.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理構成のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a principle configuration of the present invention.

【図2】(A)は、本発明におけるノーマルリフレッシ
ュ時の制御信号のタイミングの例を示す図、(B)はバ
ックアップリフレッシュ時の制御信号のタイミングの例
を示す図である。
FIG. 2A is a diagram showing an example of the timing of control signals at the time of normal refresh in the present invention, and FIG. 2B is a diagram showing an example of the timing of control signals at the time of backup refresh.

【図3】本発明の実施例におけるEMSでのメモリの選
択方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a method of selecting a memory in the EMS according to the embodiment of the present invention.

【図4】前記EMSを使用した場合の実施例のブロック
図である。
FIG. 4 is a block diagram of an embodiment when the EMS is used.

【図5】バンク方式を使用した場合の実施例におけるメ
モリマップである。
FIG. 5 is a memory map in an embodiment when a bank method is used.

【図6】前記バンク方式を使用した場合のブロック図で
ある。
FIG. 6 is a block diagram when the bank method is used.

【図7】キャッシュシステムを使用した場合の実施例の
ブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of an embodiment when a cache system is used.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 検出手段 2 ノーマルリフレッシュ回路 3 バックアップリフレッシュ回路 4 選択手段 5 メモリ 10 使用中信号 11 未使用信号 12 ノーマルリフレッシュ信号 13 バックアップリフレッシュ信号 14 リフレッシュ信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 detection means 2 normal refresh circuit 3 backup refresh circuit 4 selection means 5 memory 10 in-use signal 11 unused signal 12 normal refresh signal 13 backup refresh signal 14 refresh signal

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 DRAMによりメモリを構成し、このメ
モリを動作モードまたはデータ保持モードのいずれかを
選択的に使用する情報処理装置において、 前記メモリが使用中であるか否かを検出する検出手段
と、 前記メモリが使用中の場合に通常の動作モードのリフレ
ッシュ動作を行うノーマルリフレッシュ回路と、 前記メモリが不使用の場合にデータ保持モードのリフレ
ッシュ動作を行うバックアップリフレッシュ回路と、 前記検出手段からの信号に基づき前記メモリのリフレッ
シュ動作を、前記ノーマルリフレッシュ回路からの動作
モードのリフレッシュ動作または前記バックアップリフ
レッシュ回路からのデータ保持モードのリフレッシュ動
作のいずれかに切り替える選択手段と、を備えたことを
特徴とする節電型メモリ装置。
1. An information processing apparatus comprising a memory constituted by a DRAM and selectively using either the operation mode or the data holding mode, the detecting means detecting whether or not the memory is in use. A normal refresh circuit that performs a refresh operation in a normal operation mode when the memory is in use; a backup refresh circuit that performs a refresh operation in a data retention mode when the memory is not in use; Selection means for switching the refresh operation of the memory to either the refresh operation in the operation mode from the normal refresh circuit or the refresh operation in the data holding mode from the backup refresh circuit based on a signal. Power saving memory device.
【請求項2】 前記メモリを選択的に使用する機構が、
EMSまたはバンク切替方式であることを特徴とする請
求項1記載の節電型メモリ装置。
2. A mechanism for selectively using the memory comprises:
The power saving memory device according to claim 1, wherein the power saving memory device is an EMS or a bank switching system.
【請求項3】 前記メモリを選択的に使用する機構が、
キャッシュシステムであることを特徴とする請求項1記
載の節電型メモリ装置。
3. A mechanism for selectively using the memory comprises:
The power-saving memory device according to claim 1, wherein the power-saving memory device is a cache system.
【請求項4】 前記選択手段によるリフレッシュ回路の
切り替えの実施をプログラムにより行うようにしたこと
を特徴とする請求項1記載の節電型メモリ装置。
4. The power-saving memory device according to claim 1, wherein the switching of the refresh circuit by the selecting means is performed by a program.
JP4227860A 1992-08-04 1992-08-04 Power saving storage device Pending JPH0660645A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4227860A JPH0660645A (en) 1992-08-04 1992-08-04 Power saving storage device

Applications Claiming Priority (1)

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JP4227860A JPH0660645A (en) 1992-08-04 1992-08-04 Power saving storage device

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JP4227860A Pending JPH0660645A (en) 1992-08-04 1992-08-04 Power saving storage device

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JP (1) JPH0660645A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6775716B2 (en) 2000-05-19 2004-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-performance DMA controller
US7330928B2 (en) 2004-12-03 2008-02-12 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and electronic instrument

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6775716B2 (en) 2000-05-19 2004-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-performance DMA controller
US7330928B2 (en) 2004-12-03 2008-02-12 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and electronic instrument

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