JPH0661000B2 - マスク製造方法 - Google Patents
マスク製造方法Info
- Publication number
- JPH0661000B2 JPH0661000B2 JP17704787A JP17704787A JPH0661000B2 JP H0661000 B2 JPH0661000 B2 JP H0661000B2 JP 17704787 A JP17704787 A JP 17704787A JP 17704787 A JP17704787 A JP 17704787A JP H0661000 B2 JPH0661000 B2 JP H0661000B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- pattern
- silicide
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マスク製造方法、特にマスク乾板に微細なパターンをエ
ッチングによって形成する方法の改良に関し、 マスク乾板のクロム膜を、高精度にパターニングし、信
頼性の高い微細パターンを精度良く形成することを目的
とし、 光に透明な例えば石英基板とその上のクロム膜およびレ
ジスト膜からなるマスク乾板のクロム膜のエッチングを
なす際に、クロム膜上にシリサイド（珪化物）膜とレジ
スト膜とを順に形成し、レジスト膜をパターニングして
得られるレジストパターンをマスクにしてシリサイド膜
を選択的にエッチングして、シリサイドパターンを形成
し、レジストパターンを剥離し、前記シリサイドパター
ンをマスクにしてクロム膜を選択的にエッチングし、次
いでシリサイドパターンを剥離する工程を含む構成とす
る。
ッチングによって形成する方法の改良に関し、 マスク乾板のクロム膜を、高精度にパターニングし、信
頼性の高い微細パターンを精度良く形成することを目的
とし、 光に透明な例えば石英基板とその上のクロム膜およびレ
ジスト膜からなるマスク乾板のクロム膜のエッチングを
なす際に、クロム膜上にシリサイド（珪化物）膜とレジ
スト膜とを順に形成し、レジスト膜をパターニングして
得られるレジストパターンをマスクにしてシリサイド膜
を選択的にエッチングして、シリサイドパターンを形成
し、レジストパターンを剥離し、前記シリサイドパター
ンをマスクにしてクロム膜を選択的にエッチングし、次
いでシリサイドパターンを剥離する工程を含む構成とす
る。
本発明はマスク製造方法、特にマスク乾板に微細なパタ
ーンをエッチングによって形成する方法の改良に関す
る。
ーンをエッチングによって形成する方法の改良に関す
る。
半導体集積回路の形成においてはイオン注入とかエッチ
ングなどにおいて所定のパターンが形成されたマスクを
使用するが、最近集積回路のパターンは集積度を高める
べくサブミクロンのオーダーのものが要求されているの
で、かかるパターン形成に使用するパターンの微細化、
高集積度化が求められている。
ングなどにおいて所定のパターンが形成されたマスクを
使用するが、最近集積回路のパターンは集積度を高める
べくサブミクロンのオーダーのものが要求されているの
で、かかるパターン形成に使用するパターンの微細化、
高集積度化が求められている。
従来のマスクの形成方法を２図を参照して説明すると、
同図(a)に示される如く厚さ約2.5mmの石英基板11上にク
ロム膜12（膜厚1000Å）をスパッタで形成し、その上に
5000Å〜10000Åの厚さのレジストを塗布してレジスト
膜13を形成する。このように、石英基板とクロム膜とレ
ジストから成るものはマスク乾板と呼称され、この例で
はレジストはポジ型のホトレジストを用いるが、それは
ネガ型であってもよく、または電子ビール（EB）用のレ
ジストであってもよい。またクロム膜12は直接石英基板
上に形成されているが、石英基板上に酸化クロム（CrO
x）を形成しその上に純粋クロムをスパッタする例、さ
らには酸化クロム／クロム／酸化クロムの３層構造にす
る例もある。
同図(a)に示される如く厚さ約2.5mmの石英基板11上にク
ロム膜12（膜厚1000Å）をスパッタで形成し、その上に
5000Å〜10000Åの厚さのレジストを塗布してレジスト
膜13を形成する。このように、石英基板とクロム膜とレ
ジストから成るものはマスク乾板と呼称され、この例で
はレジストはポジ型のホトレジストを用いるが、それは
ネガ型であってもよく、または電子ビール（EB）用のレ
ジストであってもよい。またクロム膜12は直接石英基板
上に形成されているが、石英基板上に酸化クロム（CrO
x）を形成しその上に純粋クロムをスパッタする例、さ
らには酸化クロム／クロム／酸化クロムの３層構造にす
る例もある。
次に第２図(b)に示される如く、所定のパターンに従っ
てレジスト膜13を露光する。
てレジスト膜13を露光する。
次にレジスト膜13を現像すると、露光されたレジストは
溶けて第２図(c)に示される如きレジストパターン13aが
作られる。
溶けて第２図(c)に示される如きレジストパターン13aが
作られる。
このレジストパターン13aをマスクにして、第２図(d)に
示され如くクロム膜12をエッチングする。
示され如くクロム膜12をエッチングする。
次いでレジストパターン13aを剥離すると、第２図(e)に
示されるクロム膜パターン12aが得られる。このように
して作成したマスクを用いて半導体集積回路を製造する
のである。
示されるクロム膜パターン12aが得られる。このように
して作成したマスクを用いて半導体集積回路を製造する
のである。
しかし上述の従来方法によると、クロム膜をドライプロ
セスでエッチングする場合、クロムとレジストとの選択
比の悪さが問題になり、選択比でエッチングプロセスが
決定されるため、高いエッチングレートを用いることが
できない。
セスでエッチングする場合、クロムとレジストとの選択
比の悪さが問題になり、選択比でエッチングプロセスが
決定されるため、高いエッチングレートを用いることが
できない。
より具体的にいうと、ＥＢレジストのポジ型のものの場
合、クロムとレジストの選択比は クロム：レジスト＝１：２ であり、このことはレジストの１の厚さがエッチングさ
れるときに、２の厚さのレジストがエッチングされるこ
とを意味する。かくして、例えば1000Åのクロム膜をエ
ッチングするとき、最低5000Åの膜厚のレジスト膜を用
いないとエッチングを信頼性良くなすことができない。
微細パターンの形成にはレジストの膜厚が薄いことが必
要であるが、従来方法では第２図を参照して説明したよ
うに5000Å〜10000Åの膜厚にレジストを塗布しなけれ
ばならず、微細パターンのエッチングが実現し難い問題
がある。
合、クロムとレジストの選択比は クロム：レジスト＝１：２ であり、このことはレジストの１の厚さがエッチングさ
れるときに、２の厚さのレジストがエッチングされるこ
とを意味する。かくして、例えば1000Åのクロム膜をエ
ッチングするとき、最低5000Åの膜厚のレジスト膜を用
いないとエッチングを信頼性良くなすことができない。
微細パターンの形成にはレジストの膜厚が薄いことが必
要であるが、従来方法では第２図を参照して説明したよ
うに5000Å〜10000Åの膜厚にレジストを塗布しなけれ
ばならず、微細パターンのエッチングが実現し難い問題
がある。
更に、ポジ型のホトレジストを用い、クロム膜厚１に対
しレジスト膜厚を５にしてクロム膜のエッチングをなし
た例を第３図を参照して説明すると、レジスト膜13の現
像において、レジストパターン13aの側壁は真直ぐでは
なく第３図(a)に示される如く底部で60度の傾斜をもっ
て現像され、かかるレジストパターン13aをマスクにク
ロム膜12をエッチングすると、レジスト側壁の形状がCr
膜に移され、クロム膜パターン12aはやはり底部で60度
の斜をもち、本来あるべきパターン幅に対して各側壁で
500Åずつパターンが内方にずれ、このずれの総量は500
Å＋500Å＝1000Å（0.1μｍ）となり、サブミクロン幅
のパターンを形成しようとするとき、この0.1μｍのず
れはパターン精度に10％程度のずれをもたらす結果とな
る。
しレジスト膜厚を５にしてクロム膜のエッチングをなし
た例を第３図を参照して説明すると、レジスト膜13の現
像において、レジストパターン13aの側壁は真直ぐでは
なく第３図(a)に示される如く底部で60度の傾斜をもっ
て現像され、かかるレジストパターン13aをマスクにク
ロム膜12をエッチングすると、レジスト側壁の形状がCr
膜に移され、クロム膜パターン12aはやはり底部で60度
の斜をもち、本来あるべきパターン幅に対して各側壁で
500Åずつパターンが内方にずれ、このずれの総量は500
Å＋500Å＝1000Å（0.1μｍ）となり、サブミクロン幅
のパターンを形成しようとするとき、この0.1μｍのず
れはパターン精度に10％程度のずれをもたらす結果とな
る。
そこで本発明はマスク乾板のクロム膜を、高精度にパタ
ーニングし、信頼性の高い微細パターンを精度良く形成
することを目的とする。
ーニングし、信頼性の高い微細パターンを精度良く形成
することを目的とする。
上記問題点は、光に透明な例えば石英基板とその上のク
ロム膜およびレジスト膜からなるマスク乾板のクロム膜
のエッチングをなす際に、クロム膜上にシリサイド（珪
化物）膜とレジスト膜とを順に形成し、レジスト膜をパ
ターニングして得られるレジストパターンをマスクにし
てシリサイド膜を選択的にエッチングしてシリサイドパ
ターンを形成し、レジストパターンを剥離し、前記シリ
サイドパターンをマスクにしてクロム膜を選択的にエッ
チングし、次いでシリサイドパターンを剥離する工程を
含むことによって達成される。
ロム膜およびレジスト膜からなるマスク乾板のクロム膜
のエッチングをなす際に、クロム膜上にシリサイド（珪
化物）膜とレジスト膜とを順に形成し、レジスト膜をパ
ターニングして得られるレジストパターンをマスクにし
てシリサイド膜を選択的にエッチングしてシリサイドパ
ターンを形成し、レジストパターンを剥離し、前記シリ
サイドパターンをマスクにしてクロム膜を選択的にエッ
チングし、次いでシリサイドパターンを剥離する工程を
含むことによって達成される。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明す
る。
る。
本発明方法の工程を断面で示す第１図を参照すると、マ
スク乾板は、第１図(a)に示される如く、約2.5mmの光に
透明な例えば石英の基板11上にクロム膜を1000Åの厚さ
にスパッタで形成し、その上にシリサイド膜（例えばモ
リブデンシリサイド膜）14を200Åの膜厚にスパッタに
よって形成し、レジスト膜（ポジ型でもネガ型でもよ
い）13を5000Å以下の厚さに形成する。クロム膜は、前
記した如く酸化クロム膜を含むものであってもよく、レ
ジストはEBレジストであってもよい。なお、レジストの
膜厚は従来例で１μｍ以下のものであったのが5000Å以
下と薄くなっているので、レジスト膜のパターニング
は、微細に精度良くなされる利点がある。
スク乾板は、第１図(a)に示される如く、約2.5mmの光に
透明な例えば石英の基板11上にクロム膜を1000Åの厚さ
にスパッタで形成し、その上にシリサイド膜（例えばモ
リブデンシリサイド膜）14を200Åの膜厚にスパッタに
よって形成し、レジスト膜（ポジ型でもネガ型でもよ
い）13を5000Å以下の厚さに形成する。クロム膜は、前
記した如く酸化クロム膜を含むものであってもよく、レ
ジストはEBレジストであってもよい。なお、レジストの
膜厚は従来例で１μｍ以下のものであったのが5000Å以
下と薄くなっているので、レジスト膜のパターニング
は、微細に精度良くなされる利点がある。
次いで、第１図(b)に示される如くレジスト膜13を露光
し、現像して第１図(c)に示されるレジストパターン13a
を得る。
し、現像して第１図(c)に示されるレジストパターン13a
を得る。
レジストパターン13aをマスクにしてシリサイド膜14を
エッチングする。シリサイド膜のエッチングは、例えば
200〜400mTorrの圧力で、CFCl2＋Ｏ２ガスを用いるプラ
ズマエッチングによる（第１図(d)）。
エッチングする。シリサイド膜のエッチングは、例えば
200〜400mTorrの圧力で、CFCl2＋Ｏ２ガスを用いるプラ
ズマエッチングによる（第１図(d)）。
次いで第１図(e)に示される如くレジストパターン13aを
剥離してシリサイドパターン14aを得る。
剥離してシリサイドパターン14aを得る。
シリサイドパターン14aをマスクにしてクロム膜12を第
１図(f)に示される如くエッチングする。それにはCCl４
＋Ｏ２ガスを用いる200〜400mTorrの圧力の下でのプラ
ズマエッチングによる。
１図(f)に示される如くエッチングする。それにはCCl４
＋Ｏ２ガスを用いる200〜400mTorrの圧力の下でのプラ
ズマエッチングによる。
次いでシリサイドパターン14aを前記したCF Cl２＋Ｏ２
ガスを用いるエッチングで除去すると、第１図(g)に示
されるクロムパターン12aが得られる。かくして、シリ
サイドパターンは一種の中間レジストとしてマスク材の
機能を果すことになる。
ガスを用いるエッチングで除去すると、第１図(g)に示
されるクロムパターン12aが得られる。かくして、シリ
サイドパターンは一種の中間レジストとしてマスク材の
機能を果すことになる。
上記した如く、シリサイドとクロムとは選択的にエッチ
ングが可能であり、シリサイド膜14は200Å程度の薄い
膜であるので、シリサイドパターン14aを用いるクロム
膜12のエッチングにおいては、第１図(f)に示される如
くクロム膜は真直ぐにエッチングされ、第３図を参照し
て説明した従来例の如くエッチングされた部分の側壁が
傾斜することがなく、微細なクロムパターン12aが精度
良く形成される。
ングが可能であり、シリサイド膜14は200Å程度の薄い
膜であるので、シリサイドパターン14aを用いるクロム
膜12のエッチングにおいては、第１図(f)に示される如
くクロム膜は真直ぐにエッチングされ、第３図を参照し
て説明した従来例の如くエッチングされた部分の側壁が
傾斜することがなく、微細なクロムパターン12aが精度
良く形成される。
なお、シリサイドとクロムとは、エッチングガスにおい
て選択性をもち、シリサイドをエッチングするガスによ
ってはクロムがエッチングされず、クロムをエッチング
するガスによってはシリサイドがエッチングされず、上
記した選択性エッチングの信頼性が向上する。
て選択性をもち、シリサイドをエッチングするガスによ
ってはクロムがエッチングされず、クロムをエッチング
するガスによってはシリサイドがエッチングされず、上
記した選択性エッチングの信頼性が向上する。
シリサイドは、モリブデン，チタン，タングステンのシ
リサイドを用い良好な結果が得られることが判明した。
リサイドを用い良好な結果が得られることが判明した。
以上のように本発明によれば、従来例の半分の厚さのレ
ジスト膜と中間レジストとして働くきわめて薄いシリサ
イドを用いることにより、微細なマスクパターンが精度
良くかつ高信頼性をもって形成され、半導体集積回路の
高集積化、信頼性の向上に有効である。
ジスト膜と中間レジストとして働くきわめて薄いシリサ
イドを用いることにより、微細なマスクパターンが精度
良くかつ高信頼性をもって形成され、半導体集積回路の
高集積化、信頼性の向上に有効である。
第１図(a)〜(g)は本発明実施例の断面図、 第２図(a)〜(e)は従来例の断面図、 第３図(a)と(b)は従来の問題点を示す断面図である。 図中、 11は石英基板、 12はクロム膜、 12aはクロムパターン、 13はレジスト膜、 13aはレジストパターン、 14はシリサイド膜、 14aはシリサイドパターンである。
Claims (1)
- 【請求項１】光に透明な基板（11）とその上のクロム膜
（12）およびレジスト膜（13）からなるマスク乾板のク
ロム膜（12）のエッチングをなす際に、 クロム膜（12）上にシリサイド膜（14）とレジスト膜
（13）を順に形成し、 レジスト膜（13）をパターニングして得られるレジスト
パターン（13a）をマスクにしてシリサイド膜（14）を
選択的にエッチングしてシリサイドパターン（14a）を
形成し、 前記シリサイドパターン（14a）をマスクにしてクロム
膜（12）を選択的にエッチングし、次いでシリサイドパ
ターン（14a）を剥離する工程を含むことを特徴とする
マスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17704787A JPH0661000B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | マスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17704787A JPH0661000B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | マスク製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6421450A JPS6421450A (en) | 1989-01-24 |
| JPH0661000B2 true JPH0661000B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=16024208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17704787A Expired - Fee Related JPH0661000B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | マスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661000B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023274771A1 (de) | 2021-06-28 | 2023-01-05 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zum herstellen einer ätzmaske, verfahren zum ätzen einer struktur in ein substrat, verwendung einer tetrelschicht und struktur zum herstellen einer maske |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0611933Y2 (ja) * | 1989-03-11 | 1994-03-30 | 西部電機株式会社 | ピッキング用手押カート |
| JP4409362B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-02-03 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | レチクルの製造方法 |
| JP2015099183A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法およびパターン転写方法 |
-
1987
- 1987-07-17 JP JP17704787A patent/JPH0661000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023274771A1 (de) | 2021-06-28 | 2023-01-05 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zum herstellen einer ätzmaske, verfahren zum ätzen einer struktur in ein substrat, verwendung einer tetrelschicht und struktur zum herstellen einer maske |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6421450A (en) | 1989-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |