JPH0661205A - 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置 - Google Patents
半導体ウェハの研磨方法および研磨装置Info
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- JPH0661205A JPH0661205A JP21432392A JP21432392A JPH0661205A JP H0661205 A JPH0661205 A JP H0661205A JP 21432392 A JP21432392 A JP 21432392A JP 21432392 A JP21432392 A JP 21432392A JP H0661205 A JPH0661205 A JP H0661205A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体ウェハの研磨方法、特にデバ
イス作製工程における配線層の平坦化や張り合わせＳＯ
ＩウェハのＳｉ層の薄膜化等に有用な研磨方法に関し、
ウェハ上の各位置における研磨量を制御することによ
り、配線層の平坦化方法として十分実用可能で、ＳＯＩ
ウェハのＳｉ層を更に薄膜化し得る、ウェハ全面の均一
な研磨を可能とした研磨方法およびその実施のための装
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウェハを保持板上に吸着保持し、研磨
治具に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触さ
せ、研磨剤を該研磨布を透過させて該接触部に供給しな
がら該保持板と該研磨治具の少なくとも一方を回転させ
ることにより該ウェハを研磨する際に、該ウェハの吸着
部と該研磨治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間
の電圧および／または電流を検出し、得られた検出値に
基づいて各研磨位置での研磨速度を制御するように構成
する。
イス作製工程における配線層の平坦化や張り合わせＳＯ
ＩウェハのＳｉ層の薄膜化等に有用な研磨方法に関し、
ウェハ上の各位置における研磨量を制御することによ
り、配線層の平坦化方法として十分実用可能で、ＳＯＩ
ウェハのＳｉ層を更に薄膜化し得る、ウェハ全面の均一
な研磨を可能とした研磨方法およびその実施のための装
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウェハを保持板上に吸着保持し、研磨
治具に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触さ
せ、研磨剤を該研磨布を透過させて該接触部に供給しな
がら該保持板と該研磨治具の少なくとも一方を回転させ
ることにより該ウェハを研磨する際に、該ウェハの吸着
部と該研磨治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間
の電圧および／または電流を検出し、得られた検出値に
基づいて各研磨位置での研磨速度を制御するように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの研磨方法
に関し、特にデバイス作製工程における配線層の平坦化
や張り合わせＳＯＩウェハのＳｉ層の薄膜化等に有用な
研磨方法に関する。半導体装置の集積度の増大に伴い、
配線の多層化が進み、それによって配線層の凹凸も増大
して断線の危険性が高くなる。その防止策として配線層
の平坦化が益々重要になる。
に関し、特にデバイス作製工程における配線層の平坦化
や張り合わせＳＯＩウェハのＳｉ層の薄膜化等に有用な
研磨方法に関する。半導体装置の集積度の増大に伴い、
配線の多層化が進み、それによって配線層の凹凸も増大
して断線の危険性が高くなる。その防止策として配線層
の平坦化が益々重要になる。
【０００２】デバイスの諸機能を増大させる上で非常に
有用なＳＯＩウェハは、少なくとも一枚は酸化したウェ
ハを２枚張り合わせたもので、片側のＳｉ層を研磨して
薄膜化しデバイス形成層として用いる。
有用なＳＯＩウェハは、少なくとも一枚は酸化したウェ
ハを２枚張り合わせたもので、片側のＳｉ層を研磨して
薄膜化しデバイス形成層として用いる。
【０００３】
【従来の技術】一般に市販されている半導体デバイス
は、配線層の平坦化に研磨は用いられていない。現在の
デバイスでは研磨を用いなくとも配線が可能なのであ
る。しかし近い将来、配線層の平坦化に研磨が必要にな
ることが十分予想される。そのために例えば W.J.Patri
ckらは研磨による平坦化を積極的に検討し、実際のデバ
イスの試作にも成功している（Journal Electrochem. S
oc., Vol.138, No.6, p1778-1784, Jun.,1991)。この方
法では、図１に示すように、基板１０上に横方向導電部
（horizontal interconnection) １１を形成した後、そ
の上に縦方向導電部（studまたはvertical interconnec
tion) １２を形成する。次にＣＶＤによりＳｉＯ2 絶縁
層１３を形成する。絶縁層１３は先に形成した横・縦の
導電部１１および１２の配置に応じた凹凸のあるプロフ
ァイルを有する。この絶縁層１３を研磨して図中の破線
１４の位置まで削除し、縦方向導電部１２の上部が露出
したところで平坦化（研磨）を終了する。この研磨には
図２に示すような枚葉式の研磨装置を用いる。回転軸２
１により回転する定盤２２の上面に研磨布２３を装着す
る。回転軸２４により回転するウェハ保持板２５の下面
にウェハ２６を吸着により保持し、研磨対象面であるウ
ェハ２６下面を研磨布２３に接触させ、上方より研磨布
２３上に研磨剤を供給しながら、定盤２２およびウェハ
保持板２５を回転させて研磨を行う。
は、配線層の平坦化に研磨は用いられていない。現在の
デバイスでは研磨を用いなくとも配線が可能なのであ
る。しかし近い将来、配線層の平坦化に研磨が必要にな
ることが十分予想される。そのために例えば W.J.Patri
ckらは研磨による平坦化を積極的に検討し、実際のデバ
イスの試作にも成功している（Journal Electrochem. S
oc., Vol.138, No.6, p1778-1784, Jun.,1991)。この方
法では、図１に示すように、基板１０上に横方向導電部
（horizontal interconnection) １１を形成した後、そ
の上に縦方向導電部（studまたはvertical interconnec
tion) １２を形成する。次にＣＶＤによりＳｉＯ2 絶縁
層１３を形成する。絶縁層１３は先に形成した横・縦の
導電部１１および１２の配置に応じた凹凸のあるプロフ
ァイルを有する。この絶縁層１３を研磨して図中の破線
１４の位置まで削除し、縦方向導電部１２の上部が露出
したところで平坦化（研磨）を終了する。この研磨には
図２に示すような枚葉式の研磨装置を用いる。回転軸２
１により回転する定盤２２の上面に研磨布２３を装着す
る。回転軸２４により回転するウェハ保持板２５の下面
にウェハ２６を吸着により保持し、研磨対象面であるウ
ェハ２６下面を研磨布２３に接触させ、上方より研磨布
２３上に研磨剤を供給しながら、定盤２２およびウェハ
保持板２５を回転させて研磨を行う。
【０００４】上記の方法の最大の欠点は、ウェハの研磨
対象面全体について縦方向導電部１２が露出した時点で
研磨を終了させることが実際上不可能なことである。す
なわち、ウェハの研磨対象面内の一部の領域を平坦化す
ることはできるが、高い研磨歩留りを得ることができな
い。そのため上記の方法は実用化されるには到っていな
い。
対象面全体について縦方向導電部１２が露出した時点で
研磨を終了させることが実際上不可能なことである。す
なわち、ウェハの研磨対象面内の一部の領域を平坦化す
ることはできるが、高い研磨歩留りを得ることができな
い。そのため上記の方法は実用化されるには到っていな
い。
【０００５】一方、張り合わせＳＯＩウェハのＳｉ層の
薄膜化は、図３に示す手順で行われる。例えば同図
（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ３１の表面に熱酸化に
より酸化膜３３を形成したものと、酸化膜の無いＳｉウ
ェハ３２とを準備し、同図（ｂ）に示すようにこれら２
枚のウェハ３１と３２とを密着させて重ね合わせ、例え
ば窒素雰囲気中、９００℃、３０分の熱処理を行って接
着する。次に酸化膜３３のあるウェハ３１側を、同図
（ｃ）に示すように厚さ３μｍ程度になるまで研削した
後、同図（ｄ）に示すように更に厚さ２μｍ程度まで研
磨する。この研磨は通常、やはり図２に示すような枚葉
式の研磨装置を用いて行っており、研磨量は研磨時間で
制御している。しかし、ウェハ面内の位置によって研磨
量にばらつきが生ずることが避けられないため、高い歩
留りが得られない上、Ｓｉ層の薄膜化に限界があるとい
う問題があった。
薄膜化は、図３に示す手順で行われる。例えば同図
（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ３１の表面に熱酸化に
より酸化膜３３を形成したものと、酸化膜の無いＳｉウ
ェハ３２とを準備し、同図（ｂ）に示すようにこれら２
枚のウェハ３１と３２とを密着させて重ね合わせ、例え
ば窒素雰囲気中、９００℃、３０分の熱処理を行って接
着する。次に酸化膜３３のあるウェハ３１側を、同図
（ｃ）に示すように厚さ３μｍ程度になるまで研削した
後、同図（ｄ）に示すように更に厚さ２μｍ程度まで研
磨する。この研磨は通常、やはり図２に示すような枚葉
式の研磨装置を用いて行っており、研磨量は研磨時間で
制御している。しかし、ウェハ面内の位置によって研磨
量にばらつきが生ずることが避けられないため、高い歩
留りが得られない上、Ｓｉ層の薄膜化に限界があるとい
う問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ウェハ上の
各位置における研磨量を制御することにより、配線層の
平坦化方法として十分実用可能で、ＳＯＩウェハのＳｉ
層を更に薄膜化し得る、ウェハ全面の均一な研磨を可能
とした研磨方法およびその実施のための装置を提供する
ことを目的とする。
各位置における研磨量を制御することにより、配線層の
平坦化方法として十分実用可能で、ＳＯＩウェハのＳｉ
層を更に薄膜化し得る、ウェハ全面の均一な研磨を可能
とした研磨方法およびその実施のための装置を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の研磨方法は、半導体ウェハを保持板上に
吸着保持し、研磨治具に装着した研磨布を該ウェハの研
磨対象面に接触させ、研磨剤を該研磨布を透過させて該
接触部に供給しながら該保持板と該研磨治具の少なくと
も一方を回転させることにより該ウェハを研磨する際
に、該ウェハの吸着部と該研磨治具との間に電圧を印加
し、研磨中に両者間の電圧および／または電流を検出
し、得られた検出値に基づいて各研磨位置での研磨速度
を制御することを特徴とする。
めに、本発明の研磨方法は、半導体ウェハを保持板上に
吸着保持し、研磨治具に装着した研磨布を該ウェハの研
磨対象面に接触させ、研磨剤を該研磨布を透過させて該
接触部に供給しながら該保持板と該研磨治具の少なくと
も一方を回転させることにより該ウェハを研磨する際
に、該ウェハの吸着部と該研磨治具との間に電圧を印加
し、研磨中に両者間の電圧および／または電流を検出
し、得られた検出値に基づいて各研磨位置での研磨速度
を制御することを特徴とする。
【０００８】本発明の研磨方法を実施するための研磨装
置は、半導体ウェハを吸着保持する保持板と、先端に装
着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触させるよう
に配置した研磨治具と、該研磨布を透過させて該接触部
に研磨剤を供給する手段と、該ウェハの吸着部と該研磨
治具との間に電圧を印加する手段と、研磨中に両者間の
電圧および／または電流を検出する手段と、得られた検
出値に応じて研磨速度を制御する手段とを有し、該保持
板と該研磨治具の少なくとも一方が回転し得ることを特
徴とする。
置は、半導体ウェハを吸着保持する保持板と、先端に装
着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接触させるよう
に配置した研磨治具と、該研磨布を透過させて該接触部
に研磨剤を供給する手段と、該ウェハの吸着部と該研磨
治具との間に電圧を印加する手段と、研磨中に両者間の
電圧および／または電流を検出する手段と、得られた検
出値に応じて研磨速度を制御する手段とを有し、該保持
板と該研磨治具の少なくとも一方が回転し得ることを特
徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ウェハの保持板吸着部と研磨
治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間の電圧およ
び／または電流を検出し、得られた検出値に基づいて各
研磨位置での研磨速度を制御することにより、ウェハ全
面を高度に均一研磨することができる。
治具との間に電圧を印加し、研磨中に両者間の電圧およ
び／または電流を検出し、得られた検出値に基づいて各
研磨位置での研磨速度を制御することにより、ウェハ全
面を高度に均一研磨することができる。
【００１０】以下に、添付図面を参照し、実施例によっ
て本発明を更に詳細に説明する。
て本発明を更に詳細に説明する。
【００１１】
【実施例】〔実施例１〕図４を参照し、本発明に従って
デバイス作製工程中の配線層の平坦化を行う一例を説明
する。この例では、ウェハ面上の層間絶縁膜を研磨する
際に、各研磨位置で層間絶縁膜の厚さを実測しながら研
磨することにより、ウェハ全面について均一な所望の層
間絶縁膜を得る。
デバイス作製工程中の配線層の平坦化を行う一例を説明
する。この例では、ウェハ面上の層間絶縁膜を研磨する
際に、各研磨位置で層間絶縁膜の厚さを実測しながら研
磨することにより、ウェハ全面について均一な所望の層
間絶縁膜を得る。
【００１２】ウェハ４０１には、一方の全面に例えば横
方向導通部（インタコネクト）および縦方向導通部（ス
タッド）のような導電部４０２を形成した後、層間絶縁
膜４０３を形成してある。またウェハ４０１の側面およ
び下面は全体が熱酸化膜等の絶縁膜４０４で覆われてい
る。研磨装置のウェハ保持板４１１は金属等の導電材料
で作られており、同様の導電材料で作られている回転軸
４１２によって回転する。ウェハ４０１をウェハ保持板
４１１上に吸着保持する。この吸着は、真空吸着、吸着
パッド、ワックス、接着剤等の通常の方法により行う。
真空吸着を行う場合には、回転軸４１２内からウェハ保
持板４１１内を通ってウェハ保持板４１１の吸着面に開
口する真空排気用の通気路が用いられる。通常この吸着
用開口を多数設け、ウェハを全面で強固に保持できるよ
うにする。
方向導通部（インタコネクト）および縦方向導通部（ス
タッド）のような導電部４０２を形成した後、層間絶縁
膜４０３を形成してある。またウェハ４０１の側面およ
び下面は全体が熱酸化膜等の絶縁膜４０４で覆われてい
る。研磨装置のウェハ保持板４１１は金属等の導電材料
で作られており、同様の導電材料で作られている回転軸
４１２によって回転する。ウェハ４０１をウェハ保持板
４１１上に吸着保持する。この吸着は、真空吸着、吸着
パッド、ワックス、接着剤等の通常の方法により行う。
真空吸着を行う場合には、回転軸４１２内からウェハ保
持板４１１内を通ってウェハ保持板４１１の吸着面に開
口する真空排気用の通気路が用いられる。通常この吸着
用開口を多数設け、ウェハを全面で強固に保持できるよ
うにする。
【００１３】研磨装置の回転式研磨治具４２１は金属等
の導電材料で作られた円柱状の部材であり、その下部端
面４２２に研磨布４３１を装着し、上部から導入された
研磨剤を内部の貫通孔（図示せず）を通して研磨布４３
１に供給するようになっている。研磨剤としては、コロ
イダルシリカ等の微細な研磨砥粒を溶液中に分散させた
ものが一般的に用いられる。研磨布４３１は研磨砥粒が
自由に透過し得る多数の貫通路４３２を含んでいる。研
磨剤は電解質の添加によりその比抵抗値を必要な水準に
まで小さくすることができる。研磨治具４２１は、ウェ
ハ保持板４１１上のウェハ４０１の半径方向に移動し
て、ウェハ４０１の任意の半径位置を研磨できるように
なっている。
の導電材料で作られた円柱状の部材であり、その下部端
面４２２に研磨布４３１を装着し、上部から導入された
研磨剤を内部の貫通孔（図示せず）を通して研磨布４３
１に供給するようになっている。研磨剤としては、コロ
イダルシリカ等の微細な研磨砥粒を溶液中に分散させた
ものが一般的に用いられる。研磨布４３１は研磨砥粒が
自由に透過し得る多数の貫通路４３２を含んでいる。研
磨剤は電解質の添加によりその比抵抗値を必要な水準に
まで小さくすることができる。研磨治具４２１は、ウェ
ハ保持板４１１上のウェハ４０１の半径方向に移動し
て、ウェハ４０１の任意の半径位置を研磨できるように
なっている。
【００１４】ウェハ４０１は、下面の一部で絶縁膜４０
４を除去し、この部分に導体ペースト等の導電物質４０
５を配置して、ウェハ保持板４１１との間で電気的に導
通をとった状態で保持されている。ウェハ保持板４１１
と研磨治具４１２との間には直流電圧４４１が印加され
ており、ウェハ４０１上の各位置で層間絶縁膜４０３の
厚さに対応する電流値を電流計４４２により研磨中に連
続的に検出する。
４を除去し、この部分に導体ペースト等の導電物質４０
５を配置して、ウェハ保持板４１１との間で電気的に導
通をとった状態で保持されている。ウェハ保持板４１１
と研磨治具４１２との間には直流電圧４４１が印加され
ており、ウェハ４０１上の各位置で層間絶縁膜４０３の
厚さに対応する電流値を電流計４４２により研磨中に連
続的に検出する。
【００１５】研磨は例えば下記のように行う。ウェハ４
０１をウェハ保持板４１１に吸着して保持し、ウェハ保
持板４１１を回転させながら１〜４ｃｍ2 の面積を持つ
研磨布４３１をウェハ４０１に押し付ける。研磨剤を研
磨治具４２１を介して研磨布４３１に供給する。研磨治
具４２１と研磨板４１１との間に直流電圧を印加する。
研磨剤に適当な電解質を添加することにより、印加電圧
のほとんどが層間絶縁膜４０３に印加されるようにする
ことができる。
０１をウェハ保持板４１１に吸着して保持し、ウェハ保
持板４１１を回転させながら１〜４ｃｍ2 の面積を持つ
研磨布４３１をウェハ４０１に押し付ける。研磨剤を研
磨治具４２１を介して研磨布４３１に供給する。研磨治
具４２１と研磨板４１１との間に直流電圧を印加する。
研磨剤に適当な電解質を添加することにより、印加電圧
のほとんどが層間絶縁膜４０３に印加されるようにする
ことができる。
【００１６】層間絶縁膜４０３の研磨が進行して導電部
４０２が露出すると、研磨剤と導電部４０２とが電気的
に導通して電流が流れ、これが電流計４４２によって検
出される。この時に研磨を一時停止し、研磨治具４２１
をウェハ４０１の半径方向外側に移動させてから研磨を
再開する。ウェハ４０１の同一半径上では、回転するウ
ェハ４０１と研磨布４３１との相対速度がほぼ一定にな
り、研磨速度の分布も非常に小さい。このようにして研
磨治具４２１をウェハ４０１の中心付近から次第に外側
に移動させてウェハ４０１の全体を研磨する。研磨布４
３１を介してウェハ４０１上に供給された研磨剤は、ウ
ェハ４０１の回転による遠心力により研磨位置からウェ
ハ４０１の外側へ向かって流れる。したがって、研磨位
置をウェハの内側から外側に移動させることにより、研
磨剤がウェハ４０１の研磨完了部分に供給されることが
防止できる。研磨剤が研磨完了部に供給されると、そこ
に露出されている導電部４０２を介して電流が流れてし
まい、現に進行中の研磨を制御することが困難になる。
４０２が露出すると、研磨剤と導電部４０２とが電気的
に導通して電流が流れ、これが電流計４４２によって検
出される。この時に研磨を一時停止し、研磨治具４２１
をウェハ４０１の半径方向外側に移動させてから研磨を
再開する。ウェハ４０１の同一半径上では、回転するウ
ェハ４０１と研磨布４３１との相対速度がほぼ一定にな
り、研磨速度の分布も非常に小さい。このようにして研
磨治具４２１をウェハ４０１の中心付近から次第に外側
に移動させてウェハ４０１の全体を研磨する。研磨布４
３１を介してウェハ４０１上に供給された研磨剤は、ウ
ェハ４０１の回転による遠心力により研磨位置からウェ
ハ４０１の外側へ向かって流れる。したがって、研磨位
置をウェハの内側から外側に移動させることにより、研
磨剤がウェハ４０１の研磨完了部分に供給されることが
防止できる。研磨剤が研磨完了部に供給されると、そこ
に露出されている導電部４０２を介して電流が流れてし
まい、現に進行中の研磨を制御することが困難になる。
【００１７】なおウェハ４０１を回転させず研磨治具４
２１のみを回転させて研磨を行う場合には、図５に示す
ようにウェハ４０１の中心部分上方に配置した流体供給
口４６１から純水等の流体４６２を供給し、ウェハ４０
１面上を外側へ向かう流れ４６３を形成することによ
り、研磨完了部分への研磨剤供給を防止することができ
る。このための流体４６２としては、ウェハおよび研磨
装置を汚染しない液体および気体を用いる。
２１のみを回転させて研磨を行う場合には、図５に示す
ようにウェハ４０１の中心部分上方に配置した流体供給
口４６１から純水等の流体４６２を供給し、ウェハ４０
１面上を外側へ向かう流れ４６３を形成することによ
り、研磨完了部分への研磨剤供給を防止することができ
る。このための流体４６２としては、ウェハおよび研磨
装置を汚染しない液体および気体を用いる。
【００１８】研磨が行われるためには、研磨板および研
磨治具の少なくとも一方を回転させればよいが、両者を
回転させるとウェハ全面について均一に研磨を行うのに
最も有利である。特に研磨治具を回転させることは、研
磨布面積内での研磨速度を均一化し、またウェハ上同一
半径位置での研磨量の制御を容易にする。また、研磨板
を回転させ研磨治具は停止させて研磨を行う場合には、
図６に示すように、研磨治具の研磨布装着面４２２の幅
Ｗを、ウェハ半径方向に対して内側（Ｗ１）よりも外側
（Ｗ２）を小さくすることが望ましい。これにより、研
磨布面積内での研磨板回転周速度の差による研磨速度差
を軽減でき、すなわち研磨布の面積内での研磨速度をよ
り均一にすることができる。
磨治具の少なくとも一方を回転させればよいが、両者を
回転させるとウェハ全面について均一に研磨を行うのに
最も有利である。特に研磨治具を回転させることは、研
磨布面積内での研磨速度を均一化し、またウェハ上同一
半径位置での研磨量の制御を容易にする。また、研磨板
を回転させ研磨治具は停止させて研磨を行う場合には、
図６に示すように、研磨治具の研磨布装着面４２２の幅
Ｗを、ウェハ半径方向に対して内側（Ｗ１）よりも外側
（Ｗ２）を小さくすることが望ましい。これにより、研
磨布面積内での研磨板回転周速度の差による研磨速度差
を軽減でき、すなわち研磨布の面積内での研磨速度をよ
り均一にすることができる。
【００１９】各研磨位置で検出された電流値の大小に応
じて研磨速度を増減することにより、ウェハ全面を均一
に研磨することができる。すなわち検出電流値が小さい
（大きい）領域では、（１）研磨圧力の増大（減少）、
（２）研磨治具の回転速度の増大（減少）および／また
は（３）ウェハ保持板の回転速度の増大（減少）によ
り、研磨速度を増大（減少）させることができる。
じて研磨速度を増減することにより、ウェハ全面を均一
に研磨することができる。すなわち検出電流値が小さい
（大きい）領域では、（１）研磨圧力の増大（減少）、
（２）研磨治具の回転速度の増大（減少）および／また
は（３）ウェハ保持板の回転速度の増大（減少）によ
り、研磨速度を増大（減少）させることができる。
【００２０】図５に示す方法で本発明により層間絶縁膜
の平坦化を行い、図２に示す従来の枚葉式研磨装置によ
る平坦化と比較した。
の平坦化を行い、図２に示す従来の枚葉式研磨装置によ
る平坦化と比較した。
【００２１】＜供試ウェハの準備＞直径１５０ｍｍのＳ
ｉウェハ６０１上に、直径２μｍ、高さ０．５μｍのＷ
（タングステン）スタッド（縦方向導通部）６０２を１
０ｍｍ間隔で形成し、図７に示すスタッドパターンを形
成した。その上に、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 を１μｍ堆積させ
た。
ｉウェハ６０１上に、直径２μｍ、高さ０．５μｍのＷ
（タングステン）スタッド（縦方向導通部）６０２を１
０ｍｍ間隔で形成し、図７に示すスタッドパターンを形
成した。その上に、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 を１μｍ堆積させ
た。
【００２２】＜研磨条件＞ 本発明による研磨 ウェハの中心から研磨を開始し、ウェハ保持板と研磨治
具との間に直流電圧を印加しておき、両者間の電流値が
所定値を超えた所で研磨を一時停止し、研磨治具をウェ
ハ半径方向外側に移動させて研磨を再開する。研磨中、
ウェハ中心部に純水を供給し、ウェハ研磨面上に中心か
ら外側へ向かう水流を形成しておく。 従来法による研磨 図２の研磨装置により単に研磨時間で研磨量を調節す
る。
具との間に直流電圧を印加しておき、両者間の電流値が
所定値を超えた所で研磨を一時停止し、研磨治具をウェ
ハ半径方向外側に移動させて研磨を再開する。研磨中、
ウェハ中心部に純水を供給し、ウェハ研磨面上に中心か
ら外側へ向かう水流を形成しておく。 従来法による研磨 図２の研磨装置により単に研磨時間で研磨量を調節す
る。
【００２３】＜研磨結果の評価＞上記ウェハ１０枚ずつ
を上記各研磨条件で研磨し、周辺部１５ｍｍ以内（図７
中に６０３で表示した領域）にあるスタッド上のＣＶＤ
−ＳｉＯ2 が全て除去された後、除去されていないスタ
ッドの個数を数えた。その結果を図８に示す。本発明に
より研磨した場合はスタッドはほぼ１００％残っている
のに対し、従来法による研磨ではスタッドの７０％が研
磨により除去されてしまっている。
を上記各研磨条件で研磨し、周辺部１５ｍｍ以内（図７
中に６０３で表示した領域）にあるスタッド上のＣＶＤ
−ＳｉＯ2 が全て除去された後、除去されていないスタ
ッドの個数を数えた。その結果を図８に示す。本発明に
より研磨した場合はスタッドはほぼ１００％残っている
のに対し、従来法による研磨ではスタッドの７０％が研
磨により除去されてしまっている。
【００２４】このように本発明によれば、ウェハ全面に
ついて層間絶縁膜を極めて均一に研磨することができ
る。なお、本実施例では電流値により研磨の制御を行う
例を示したが、電位差を用いても同様の制御を行うこと
ができる。
ついて層間絶縁膜を極めて均一に研磨することができ
る。なお、本実施例では電流値により研磨の制御を行う
例を示したが、電位差を用いても同様の制御を行うこと
ができる。
【００２５】〔実施例２〕図９を参照し、本発明に従っ
て張り合わせＳＯＩウェハのＳｉ層を薄膜化する一例を
説明する。この例では、ウェハ面上のＳｉ層を研磨する
際に、各研磨位置でＳｉ層の厚さを実測しながら研磨す
ることにより、ウェハ全面について均一な所望の薄膜Ｓ
ｉ層を得る。
て張り合わせＳＯＩウェハのＳｉ層を薄膜化する一例を
説明する。この例では、ウェハ面上のＳｉ層を研磨する
際に、各研磨位置でＳｉ層の厚さを実測しながら研磨す
ることにより、ウェハ全面について均一な所望の薄膜Ｓ
ｉ層を得る。
【００２６】張り合わせＳＯＩウェハ５０１は、図３を
参照して既に説明した手順により同図（ｃ）の研削まで
を行って準備したものである。図９中で図３と同一の対
象物は同一の参照番号で示してある。すなわち、ＳＯＩ
ウェハ５０１は、３μｍ程度にまで研削されたＳｉ層３
１と、支持側ウェハ３２と、これら両者の間に介在する
絶縁膜３３とから実質的になる構造を有する。
参照して既に説明した手順により同図（ｃ）の研削まで
を行って準備したものである。図９中で図３と同一の対
象物は同一の参照番号で示してある。すなわち、ＳＯＩ
ウェハ５０１は、３μｍ程度にまで研削されたＳｉ層３
１と、支持側ウェハ３２と、これら両者の間に介在する
絶縁膜３３とから実質的になる構造を有する。
【００２７】実施例１と同様の研磨装置および研磨剤を
用いて研磨を行う。但し、ウェハ保持板４１１とと研磨
治具４２１との間に、交流電圧５４１を印加し、交流電
流計５４２により電流を検出する。ＳＯＩウェハ５０１
は、ウェハ保持板４１１との間で電気的に導通した状態
で保持されている。研磨は例えば下記のように行う。
用いて研磨を行う。但し、ウェハ保持板４１１とと研磨
治具４２１との間に、交流電圧５４１を印加し、交流電
流計５４２により電流を検出する。ＳＯＩウェハ５０１
は、ウェハ保持板４１１との間で電気的に導通した状態
で保持されている。研磨は例えば下記のように行う。
【００２８】ＳＯＩウェハ５０１をウェハ保持板４１１
に吸着して保持し、ウェハ保持板４１１を回転させなが
ら１〜４ｃｍ2 の面積を持つ研磨布４３１をウェハ５０
１に押し付ける。研磨剤を研磨治具４２１を介して研磨
布４３１に供給する。研磨治具４２１と研磨板４１１と
の間に交流電圧５４１を印加する。研磨剤に適当な電解
質を添加することにより、印加電圧のほとんどがＳｉ層
３１および支持側ウェハ３２に印加されるようにするこ
とができる。支持側ウェハ３２のＳｉの抵抗値を小さく
しておくと実質的な電圧は研磨対象であるＳｉ層３１に
印加される。
に吸着して保持し、ウェハ保持板４１１を回転させなが
ら１〜４ｃｍ2 の面積を持つ研磨布４３１をウェハ５０
１に押し付ける。研磨剤を研磨治具４２１を介して研磨
布４３１に供給する。研磨治具４２１と研磨板４１１と
の間に交流電圧５４１を印加する。研磨剤に適当な電解
質を添加することにより、印加電圧のほとんどがＳｉ層
３１および支持側ウェハ３２に印加されるようにするこ
とができる。支持側ウェハ３２のＳｉの抵抗値を小さく
しておくと実質的な電圧は研磨対象であるＳｉ層３１に
印加される。
【００２９】Ｓｉ層３１の研磨が進行して薄くなると、
Ｓｉ層３１による抵抗値が減少して電流値は増大する。
所望のＳｉ層厚さに対応する参照電流値を予め実験によ
り求めておく。研磨中に電流値がこの参照値になったら
研磨を一時停止し、研磨治具４２１をウェハ４０１の半
径方向外側に移動させてから研磨を再開する。ウェハ５
０１の同一半径上では、回転するウェハ５０１と研磨布
４３１との相対速度がほぼ一定になり、研磨速度の分布
も非常に小さい。このようにして研磨治具４２１をウェ
ハ５０１の中心付近から次第に外側に移動させてウェハ
５０１の全体を研磨する。研磨布４３１を介してウェハ
５０１上に供給された研磨剤は、ウェハ５０１の回転に
よる遠心力により研磨位置からウェハ５０１の外側へ向
かって流れる。したがって、研磨位置をウェハの内側か
ら外側に移動させることにより、研磨剤がウェハ５０１
の研磨完了部分に供給されることが防止できる。研磨剤
が研磨完了部に供給されると、そこに露出されている導
電部４０２を介して電流が流れてしまい、現に進行中の
研磨を制御することが困難になる。
Ｓｉ層３１による抵抗値が減少して電流値は増大する。
所望のＳｉ層厚さに対応する参照電流値を予め実験によ
り求めておく。研磨中に電流値がこの参照値になったら
研磨を一時停止し、研磨治具４２１をウェハ４０１の半
径方向外側に移動させてから研磨を再開する。ウェハ５
０１の同一半径上では、回転するウェハ５０１と研磨布
４３１との相対速度がほぼ一定になり、研磨速度の分布
も非常に小さい。このようにして研磨治具４２１をウェ
ハ５０１の中心付近から次第に外側に移動させてウェハ
５０１の全体を研磨する。研磨布４３１を介してウェハ
５０１上に供給された研磨剤は、ウェハ５０１の回転に
よる遠心力により研磨位置からウェハ５０１の外側へ向
かって流れる。したがって、研磨位置をウェハの内側か
ら外側に移動させることにより、研磨剤がウェハ５０１
の研磨完了部分に供給されることが防止できる。研磨剤
が研磨完了部に供給されると、そこに露出されている導
電部４０２を介して電流が流れてしまい、現に進行中の
研磨を制御することが困難になる。
【００３０】なおウェハ５０１を回転させず研磨治具４
２１のみを回転させて研磨を行う場合には、図５に示す
ようにウェハ５０１の中心部分に例えば純水等の流体を
供給し、ウェハ５０１面上を外側へ向かう流れを形成す
ることにより、研磨完了部分への研磨剤供給を防止する
ことができる。このための流体としては、ウェハおよび
研磨装置を汚染しない液体および気体を用いる。
２１のみを回転させて研磨を行う場合には、図５に示す
ようにウェハ５０１の中心部分に例えば純水等の流体を
供給し、ウェハ５０１面上を外側へ向かう流れを形成す
ることにより、研磨完了部分への研磨剤供給を防止する
ことができる。このための流体としては、ウェハおよび
研磨装置を汚染しない液体および気体を用いる。
【００３１】研磨が行われるためには、研磨板および研
磨治具の少なくとも一方を回転させればよいが、両者を
回転させるとウェハ全面について均一に研磨を行うのに
最も有利である。特に研磨治具を回転させることは、研
磨布面積内での研磨速度を均一化し、またウェハ上同一
半径位置での研磨量の制御を容易にする。また、研磨板
を回転させ研磨治具は停止させて研磨を行う場合には、
図６に示すように、研磨治具の研磨布装着面４２２の幅
Ｗを、ウェハ半径方向に対して内側（Ｗ１）よりも外側
（Ｗ２）を小さくすることが望ましい。これにより、研
磨布面積内での研磨板回転周速度の差による研磨速度差
を軽減でき、すなわち研磨布の面積内での研磨速度をよ
り均一にすることができる。
磨治具の少なくとも一方を回転させればよいが、両者を
回転させるとウェハ全面について均一に研磨を行うのに
最も有利である。特に研磨治具を回転させることは、研
磨布面積内での研磨速度を均一化し、またウェハ上同一
半径位置での研磨量の制御を容易にする。また、研磨板
を回転させ研磨治具は停止させて研磨を行う場合には、
図６に示すように、研磨治具の研磨布装着面４２２の幅
Ｗを、ウェハ半径方向に対して内側（Ｗ１）よりも外側
（Ｗ２）を小さくすることが望ましい。これにより、研
磨布面積内での研磨板回転周速度の差による研磨速度差
を軽減でき、すなわち研磨布の面積内での研磨速度をよ
り均一にすることができる。
【００３２】図９に示す方法で本発明により張り合わせ
ＳＯＩウェハのＳｉ層の薄膜化を行い、図２に示す従来
の枚葉式研磨装置による薄膜化と比較した。
ＳＯＩウェハのＳｉ層の薄膜化を行い、図２に示す従来
の枚葉式研磨装置による薄膜化と比較した。
【００３３】＜供試ウェハの準備＞直径１５０ｍｍのＳ
ｉウェハに図３（ｃ）の研削までを行って、Ｓｉ層の厚
さ３μｍのＳＯＩウェハを準備した。
ｉウェハに図３（ｃ）の研削までを行って、Ｓｉ層の厚
さ３μｍのＳＯＩウェハを準備した。
【００３４】＜研磨条件＞ 本発明による研磨 ウェハの中心から研磨を開始し、ウェハ保持板と研磨治
具との間に交流電圧を印加しておき、両者間の電流値が
所定値を超えた所で研磨を一時停止し、研磨治具をウェ
ハ半径方向外側に移動させて研磨を再開する。研磨中、
ウェハ中心部に純水を供給し、ウェハ研磨面上に中心か
ら外側へ向かう水流を形成しておく。 従来法による研磨 図２の研磨装置により単に研磨時間で研磨量を調節す
る。
具との間に交流電圧を印加しておき、両者間の電流値が
所定値を超えた所で研磨を一時停止し、研磨治具をウェ
ハ半径方向外側に移動させて研磨を再開する。研磨中、
ウェハ中心部に純水を供給し、ウェハ研磨面上に中心か
ら外側へ向かう水流を形成しておく。 従来法による研磨 図２の研磨装置により単に研磨時間で研磨量を調節す
る。
【００３５】＜研磨結果の評価＞Ｓｉ層厚さ１μｍを目
標にして、上記ウェハ１０枚ずつを上記各研磨条件で研
磨し、研磨後のウェハ中心部１点と周辺部４点のＳｉ層
厚さを測定した。その結果を図１０に示す。本発明によ
り研磨した場合はＳｉ層の平均厚さが０．９５μｍ、厚
さのばらつきが平均０．０５μｍであるのに対し、従来
法による研磨ではＳｉ層の平均厚さが１．１０μｍ、厚
さばらつきが平均０．５μｍであった。このように、本
発明によれば従来法に比べて均一に且つより薄膜化が可
能である。
標にして、上記ウェハ１０枚ずつを上記各研磨条件で研
磨し、研磨後のウェハ中心部１点と周辺部４点のＳｉ層
厚さを測定した。その結果を図１０に示す。本発明によ
り研磨した場合はＳｉ層の平均厚さが０．９５μｍ、厚
さのばらつきが平均０．０５μｍであるのに対し、従来
法による研磨ではＳｉ層の平均厚さが１．１０μｍ、厚
さばらつきが平均０．５μｍであった。このように、本
発明によれば従来法に比べて均一に且つより薄膜化が可
能である。
【００３６】なお、本実施例では電流値により研磨の制
御を行う例を示したが、電位差を用いても同様の制御を
行うことができる。
御を行う例を示したが、電位差を用いても同様の制御を
行うことができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハ上の各位置における研磨量を制御することにより
ウェハ全面の均一に研磨し、配線層の平坦化方法として
十分実用可能で、ＳＯＩウェハのＳｉ層を更に薄膜化す
ることができる。
ウェハ上の各位置における研磨量を制御することにより
ウェハ全面の均一に研磨し、配線層の平坦化方法として
十分実用可能で、ＳＯＩウェハのＳｉ層を更に薄膜化す
ることができる。
【図１】従来の方法によりデバイス作製過程で層間絶縁
膜を平坦化する研磨方法を示す断面図である。
膜を平坦化する研磨方法を示す断面図である。
【図２】従来の方法によりウェハ研磨を行う装置および
方法を示す配置図である。
方法を示す配置図である。
【図３】張り合わせウェハの作製過程の一例を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明に従って、デバイス作製過程で層間絶縁
膜を平坦化するための研磨装置および研磨方法の一例を
示す配置図である。
膜を平坦化するための研磨装置および研磨方法の一例を
示す配置図である。
【図５】本発明に従って、デバイス作製過程で層間絶縁
膜を平坦化するための研磨装置および研磨方法の他の例
を示す配置図である。
膜を平坦化するための研磨装置および研磨方法の他の例
を示す配置図である。
【図６】本発明の研磨装置における研磨布装着面形状の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図７】研磨試験に用いる供試ウェハ上のスタッドの配
置パターンを示す平面図である。
置パターンを示す平面図である。
【図８】図７のウェハの研磨結果を示すグラフである。
【図９】本発明に従って、張り合わせＳＯＩウェハはＳ
ｉ層を薄膜化するための研磨装置および研磨方法の一例
を示す配置図である。
ｉ層を薄膜化するための研磨装置および研磨方法の一例
を示す配置図である。
【図１０】張り合わせＳＯＩウェハの研磨結果を示すグ
ラフである。
ラフである。
１０…半導体基板 １１…横方向導電部（horizontal interconnection) １２…縦方向導電部（studまたはvertical interconnec
tion) １３…ＣＶＤによるＳｉＯ2 絶縁層 １４…研磨終了位置 ２１…回転軸 ２２…回転定盤 ２３…研磨布 ２４…回転軸 ２５…回転するウェハ保持板 ２６…ウェハ ３１…Ｓｉウェハ ３２…Ｓｉウェハ ３３…熱酸化による酸化膜 ４０１…Ｓｉウェハ ４０２…横方向導通部（インタコネクト）および縦方向
導通部（スタッド）のような導電部 ４０３…層間絶縁膜 ４０４…熱酸化膜等の絶縁膜 ４０５…ウェハ４０１の下面の一部に配置された導体ペ
ースト等の導電物質 ４１１…研磨装置のウェハ保持板（金属等の導電材料で
作られている） ４１２…ウェハ保持板４１１の回転軸（金属等の導電材
料で作られている） ４２１…研磨装置の回転式研磨治具（金属等の導電材料
で作られている） ４２２…研磨治具４２１の下部端面（研磨布装着面） Ｗ…研磨治具４２１の研磨布装着面４２２の幅 ４３１…研磨布 ４３２…研磨砥粒が自由に透過し得る多数の貫通路 ４４１…ウェハ保持板４１１と研磨治具４１２との間に
印加される直流電圧 ４４２…電流計 ４６１…ウェハ４０１の中心部分上方に配置した流体供
給口 ４６２…純水等の流体 ４６３…ウェハ４０１面上を外側へ向かう流れの向き ５０１…張り合わせＳＯＩウェハ ５４１…交流電圧 ５４２…交流電圧計 ６０１…ウェハ ６０２…Ｗスタッド
tion) １３…ＣＶＤによるＳｉＯ2 絶縁層 １４…研磨終了位置 ２１…回転軸 ２２…回転定盤 ２３…研磨布 ２４…回転軸 ２５…回転するウェハ保持板 ２６…ウェハ ３１…Ｓｉウェハ ３２…Ｓｉウェハ ３３…熱酸化による酸化膜 ４０１…Ｓｉウェハ ４０２…横方向導通部（インタコネクト）および縦方向
導通部（スタッド）のような導電部 ４０３…層間絶縁膜 ４０４…熱酸化膜等の絶縁膜 ４０５…ウェハ４０１の下面の一部に配置された導体ペ
ースト等の導電物質 ４１１…研磨装置のウェハ保持板（金属等の導電材料で
作られている） ４１２…ウェハ保持板４１１の回転軸（金属等の導電材
料で作られている） ４２１…研磨装置の回転式研磨治具（金属等の導電材料
で作られている） ４２２…研磨治具４２１の下部端面（研磨布装着面） Ｗ…研磨治具４２１の研磨布装着面４２２の幅 ４３１…研磨布 ４３２…研磨砥粒が自由に透過し得る多数の貫通路 ４４１…ウェハ保持板４１１と研磨治具４１２との間に
印加される直流電圧 ４４２…電流計 ４６１…ウェハ４０１の中心部分上方に配置した流体供
給口 ４６２…純水等の流体 ４６３…ウェハ４０１面上を外側へ向かう流れの向き ５０１…張り合わせＳＯＩウェハ ５４１…交流電圧 ５４２…交流電圧計 ６０１…ウェハ ６０２…Ｗスタッド
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体ウェハを保持板上に吸着保持し、
研磨治具に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接
触させ、研磨剤を該研磨布を透過させて該接触部に供給
しながら該保持板と該研磨治具の少なくとも一方を回転
させることにより該ウェハを研磨する際に、該ウェハの
吸着部と該研磨治具との間に電圧を印加し、研磨中に両
者間の電圧および／または電流を検出し、得られた検出
値に基づいて各研磨位置での研磨速度を制御することを
特徴とする半導体ウェハの研磨方法。 - 【請求項２】 前記保持されたウェハの研磨対象面のほ
ぼ中央部に流体を供給することにより、研磨屑をウェハ
外部へ排除することを特徴とする請求項１記載の研磨方
法。 - 【請求項３】 前記研磨布を装着する面の幅が、ウェハ
半径方向に対して内側よりも外側が小さい研磨治具を用
いることを特徴とする請求項１または２記載の研磨方
法。 - 【請求項４】 研磨位置をウェハの半径方向内側から外
側に向けて順次移動させ研磨を行い、前記検出された電
流値が参照値以上または検出された電圧値が参照値以下
となったら研磨位置をウェハの半径方向外側に移動させ
るように制御することを特徴とする請求項１から３まで
のいずれか１項に記載の研磨方法。 - 【請求項５】 前記ウェハの研磨対象面は絶縁体から成
る最表層とその下の導電体の層を有し、前記電圧として
直流電圧を印加することを特徴とする請求項１から４ま
でのいずれか１項に記載の研磨方法。 - 【請求項６】 前記ウェハの研磨対象面は半導体から成
る最表層とその下の絶縁体の層を有し、前記電圧として
交流電圧を印加することを特徴とする請求項１から４ま
でのいずれか１項に記載の研磨方法。 - 【請求項７】 前記ウェハ保持板を回転させて前記ウェ
ハの特定半径上を研磨する際に、該半径上で検出電流値
が小さいか検出電圧値が大きい位置では前記研磨布の接
触圧を増加させ、検出電流値が大きいか検出電圧値が小
さい位置では該接触圧を減少させることを特徴とする請
求項１から６までのいずれか１項に記載の研磨方法。 - 【請求項８】 前記ウェハ保持板と前記研磨治具とを同
方向に回転させることを特徴とする請求項１から７まで
のいずれか１項に記載の研磨方法。 - 【請求項９】 前記ウェハの特定半径上を研磨する際
に、該半径上で検出電流値が小さいか検出電圧値が大き
い位置では前記研磨治具の回転速度を増加させ、検出電
流値が大きいか検出電圧値が小さい位置では該回転速度
を減少させることを特徴とする請求項８に記載の研磨方
法。 - 【請求項１０】 前記保持されたウェハの中央部に供給
する流体として、純水のような比抵抗の小さい液体、コ
ーティング剤または空気のような気体を用いることを特
徴とする請求項２〜９のいずれか１項に記載の研磨方
法。 - 【請求項１１】 半導体ウェハを吸着保持する保持板
と、先端に装着した研磨布を該ウェハの研磨対象面に接
触させるように配置した研磨治具と、該研磨布を透過さ
せて該接触部に研磨剤を供給する手段と、該ウェハの吸
着部と該研磨治具との間に電圧を印加する手段と、研磨
中に両者間の電圧および／または電流を検出する手段
と、得られた検出値に応じて研磨速度を制御する手段と
を有し、該保持板と該研磨治具の少なくとも一方が回転
し得ることを特徴とする半導体ウェハの研磨装置。 - 【請求項１２】 前記保持されたウェハの研磨対象面の
ほぼ中央部に流体を供給する手段を有することを特徴と
する請求項１記載の研磨装置。 - 【請求項１３】 前記研磨治具は前記研磨布を装着する
面の幅が、ウェハ半径方向に対して内側よりも外側が小
さいことを特徴とする請求項１１または１２記載の研磨
装置。 - 【請求項１４】 研磨位置をウェハの半径方向に移動さ
せるための手段を有することを特徴とする請求項１１か
ら１３項のいずれか１項に記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21432392A JP3276409B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21432392A JP3276409B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661205A true JPH0661205A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3276409B2 JP3276409B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=16653858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21432392A Expired - Fee Related JP3276409B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 半導体ウェハの研磨方法および研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3276409B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138577U (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | ||
| CN104493683A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测定薄膜研磨速率的方法 |
| JP2017216356A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21432392A patent/JP3276409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138577U (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | ||
| CN104493683A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-08 | 上海华力微电子有限公司 | 一种测定薄膜研磨速率的方法 |
| JP2017216356A (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 株式会社Sumco | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3276409B2 (ja) | 2002-04-22 |
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