JPH0661221A - 集積回路内の局所フィールド酸化物を形成する方法 - Google Patents
集積回路内の局所フィールド酸化物を形成する方法Info
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- JPH0661221A JPH0661221A JP3077277A JP7727791A JPH0661221A JP H0661221 A JPH0661221 A JP H0661221A JP 3077277 A JP3077277 A JP 3077277A JP 7727791 A JP7727791 A JP 7727791A JP H0661221 A JPH0661221 A JP H0661221A
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- layer
- forming
- integrated circuit
- pad oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン基板中に局所的フィールド酸化物を形
成する新規かつ改良された工程を提供する。 【構成】基板上にパッド酸化物が形成され、比較的薄い
第一の窒化物層が該パッド酸化物上に形成される。該第
一窒化物層上にはポリシリコン層が形成され、該ポリシ
リコン層上には第二の窒化物層が形成される。その後、
該第一、第二窒化物層、およびポリシリコン層中にウィ
ンドが空けられ、その中にフィールド酸化物を成長させ
る。
成する新規かつ改良された工程を提供する。 【構成】基板上にパッド酸化物が形成され、比較的薄い
第一の窒化物層が該パッド酸化物上に形成される。該第
一窒化物層上にはポリシリコン層が形成され、該ポリシ
リコン層上には第二の窒化物層が形成される。その後、
該第一、第二窒化物層、およびポリシリコン層中にウィ
ンドが空けられ、その中にフィールド酸化物を成長させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路についての孤立
化工程に関し、さらに特定すると、シリコン基板を局所
的に酸化させることにより孤立化領域を形成する方法に
関する。
化工程に関し、さらに特定すると、シリコン基板を局所
的に酸化させることにより孤立化領域を形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は共通の半導体基板上に形成さ
れた多数のアクティブ装置を含む。それらの間の電気的
干渉を防止するためには、これらアクティブ装置は相互
に孤立されなければならない。シリコン基板上でＭＯＳ
装置を使用する集積回路では、上記孤立をさせる方法の
一つはアクティブ領域の間にフィールド酸化物を局所的
に「成長」させることである。普通、ＬＯＣＯＳ（LOCa
l Oxidation of Silicon)と呼ばれるこの方法は、アク
ティブ領域のマスキングを行なってから孤立化する領域
を酸化する。さらに特定すると、初めシリコン基板を高
酸素濃度の雰囲気内で加熱することにより酸化して二酸
化シリコンを形成する。これは普通、「パッド酸化物
層」と呼ばれる。次いでシリコン窒化物層がパッド酸化
物の上に堆積される。孤立化領域はアクティブ領域をフ
ォトレジスト材料で覆ってから、マスキングを受けてい
ない窒化物層を通してエッチングされる。フォトレジス
トが除去されてから集積回路は再び高酸素濃度雰囲気中
で加熱されてフィールド酸化物を成長させる。
れた多数のアクティブ装置を含む。それらの間の電気的
干渉を防止するためには、これらアクティブ装置は相互
に孤立されなければならない。シリコン基板上でＭＯＳ
装置を使用する集積回路では、上記孤立をさせる方法の
一つはアクティブ領域の間にフィールド酸化物を局所的
に「成長」させることである。普通、ＬＯＣＯＳ（LOCa
l Oxidation of Silicon)と呼ばれるこの方法は、アク
ティブ領域のマスキングを行なってから孤立化する領域
を酸化する。さらに特定すると、初めシリコン基板を高
酸素濃度の雰囲気内で加熱することにより酸化して二酸
化シリコンを形成する。これは普通、「パッド酸化物
層」と呼ばれる。次いでシリコン窒化物層がパッド酸化
物の上に堆積される。孤立化領域はアクティブ領域をフ
ォトレジスト材料で覆ってから、マスキングを受けてい
ない窒化物層を通してエッチングされる。フォトレジス
トが除去されてから集積回路は再び高酸素濃度雰囲気中
で加熱されてフィールド酸化物を成長させる。
【０００３】窒化物層はその下に存在する基板領域の酸
化を防止する。窒化物は直接にシリコン表面に付着させ
ることはできない。その理由は熱的ストレスがシリコン
窒化物とシリコンの間に生ずるからである。このストレ
スは窒化物層の厚さと共に増大する。中間のパッド酸化
物層はこのストレスを低減する緩衝材として働く。
化を防止する。窒化物は直接にシリコン表面に付着させ
ることはできない。その理由は熱的ストレスがシリコン
窒化物とシリコンの間に生ずるからである。このストレ
スは窒化物層の厚さと共に増大する。中間のパッド酸化
物層はこのストレスを低減する緩衝材として働く。
【０００４】パッド酸化物の存在によって生ずる問題
は、パッド酸化物がフィールド酸化物に成長路を与える
ことである。フィールド酸化物の成長過程で酸素がパッ
ド酸化物層中に拡散すると、アクティブデバイスの形成
のために用意した領域中に進入する尖鋭物を酸素が形成
する。この尖鋭物は通常、「鳥嘴」と呼ばれている。鳥
嘴が占領した領域はアクティブデバイス製造の点から観
る限り、失われた領域である。さらに、鳥嘴の長さは一
般的に制御不可能なので、製造工程の変動を考慮すると
もっと広い領域が使用不能となる。
は、パッド酸化物がフィールド酸化物に成長路を与える
ことである。フィールド酸化物の成長過程で酸素がパッ
ド酸化物層中に拡散すると、アクティブデバイスの形成
のために用意した領域中に進入する尖鋭物を酸素が形成
する。この尖鋭物は通常、「鳥嘴」と呼ばれている。鳥
嘴が占領した領域はアクティブデバイス製造の点から観
る限り、失われた領域である。さらに、鳥嘴の長さは一
般的に制御不可能なので、製造工程の変動を考慮すると
もっと広い領域が使用不能となる。
【０００５】上に述べたように、窒化物層はその下の基
板の直接的酸化を防止する。さらにこの窒化物層はそれ
がパッド酸化物に与える機会的ストレスによって、鳥嘴
の横方向の侵入を抑制する。一般的にいって、窒化物層
が厚い程、鳥嘴の形成を良く抑制できる。しかしながら
厚い窒化物層はその下のパッド酸化物層に不当なストレ
スを与える。
板の直接的酸化を防止する。さらにこの窒化物層はそれ
がパッド酸化物に与える機会的ストレスによって、鳥嘴
の横方向の侵入を抑制する。一般的にいって、窒化物層
が厚い程、鳥嘴の形成を良く抑制できる。しかしながら
厚い窒化物層はその下のパッド酸化物層に不当なストレ
スを与える。
【０００６】鳥嘴形成をさらに低減できる別の孤立法は
多結晶シリコン緩衝材ＬＯＣＯＳ（ポリバッファＬＯＣ
ＯＳ）工程を使うことである。ポリバッファＬＯＣＯＳ
法では多結晶シリコン層がパッド酸化物上、パッド酸化
物と上にある窒化物層の間に堆積される。この多結晶は
一番上の窒化物層と下の層との間のバッファ（緩衝材）
として働く。これによって、幾分厚い窒化物層および／
又は薄いパッド酸化物の使用が可能となる。厚い窒化物
層は鳥嘴の横方向侵入を低減する。しかしながら、多結
晶はそれ自体、単結晶基板よりも早い速度で酸化され
る。
多結晶シリコン緩衝材ＬＯＣＯＳ（ポリバッファＬＯＣ
ＯＳ）工程を使うことである。ポリバッファＬＯＣＯＳ
法では多結晶シリコン層がパッド酸化物上、パッド酸化
物と上にある窒化物層の間に堆積される。この多結晶は
一番上の窒化物層と下の層との間のバッファ（緩衝材）
として働く。これによって、幾分厚い窒化物層および／
又は薄いパッド酸化物の使用が可能となる。厚い窒化物
層は鳥嘴の横方向侵入を低減する。しかしながら、多結
晶はそれ自体、単結晶基板よりも早い速度で酸化され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的は
新規かつ改良された局所フィールド酸化法を与えること
である。
新規かつ改良された局所フィールド酸化法を与えること
である。
【０００８】本発明のもう一つの目的は半導体チップの
アクティブ領域中にフィールド酸化物が横方向に侵入す
ることを低減する方法を与えることである。
アクティブ領域中にフィールド酸化物が横方向に侵入す
ることを低減する方法を与えることである。
【０００９】本発明のさらに別の目的は局所的フィール
ド酸化工程中におけるストレスを低減する方法を与える
ことである。
ド酸化工程中におけるストレスを低減する方法を与える
ことである。
【００１０】本発明のさらに別の目的は、シリコン基板
中に別の欠陥を起こさずに鳥嘴形成を低減することがで
きる局所フィールド酸化工程を与えることである。
中に別の欠陥を起こさずに鳥嘴形成を低減することがで
きる局所フィールド酸化工程を与えることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明はシリコン基板中
に局所フィールド酸化物を形成するための工程ないし製
造方法である。パッド酸化物が基板上に形成され、比較
的薄い第一の窒化物層がそのパッド酸化物の上に形成さ
れる。その第一窒化物層の上に多結晶シリコン層が形成
され、多結晶シリコン層上に第二窒化物層が形成され
る。次いで第一、第二窒化物および多結晶シリコン層に
ウィンドが空けられ、その中でフィールド酸化物の成長
ができるようにする。
に局所フィールド酸化物を形成するための工程ないし製
造方法である。パッド酸化物が基板上に形成され、比較
的薄い第一の窒化物層がそのパッド酸化物の上に形成さ
れる。その第一窒化物層の上に多結晶シリコン層が形成
され、多結晶シリコン層上に第二窒化物層が形成され
る。次いで第一、第二窒化物および多結晶シリコン層に
ウィンドが空けられ、その中でフィールド酸化物の成長
ができるようにする。
【００１２】
【実施例】図１は先行技術のＬＯＣＯＳ工程中の集積回
路１０を示す。集積回路１０はシリコン基板１４の上に
積層されたパッド酸化物層１２を有する。パッド酸化物
１２の頂上には窒化物層１６が形成されており、マスク
をかけられ、エッチングされてその中にウィンドが空け
られる。
路１０を示す。集積回路１０はシリコン基板１４の上に
積層されたパッド酸化物層１２を有する。パッド酸化物
１２の頂上には窒化物層１６が形成されており、マスク
をかけられ、エッチングされてその中にウィンドが空け
られる。
【００１３】集積回路１０は次に高酸素濃度の雰囲気中
で加熱されて、ウィンド１８付近のシリコン基板１４を
さらに酸化する。これが図２に示すようにフィールド酸
化物２０を発生させる。フィールド酸化物２０はシリコ
ン基板１４の元の表面の上下垂直方向に延びるのみなら
ず、横方向にも延びて窒化物層１６を持ち上げることに
注目されたい。横方向の侵入の程度はｂ２と記されてい
る。横方向のこの侵入ｂ２は通常、鳥嘴と呼ばれる。
で加熱されて、ウィンド１８付近のシリコン基板１４を
さらに酸化する。これが図２に示すようにフィールド酸
化物２０を発生させる。フィールド酸化物２０はシリコ
ン基板１４の元の表面の上下垂直方向に延びるのみなら
ず、横方向にも延びて窒化物層１６を持ち上げることに
注目されたい。横方向の侵入の程度はｂ２と記されてい
る。横方向のこの侵入ｂ２は通常、鳥嘴と呼ばれる。
【００１４】ポリバッファＬＯＣＯＳ工程は図２に示す
ように鳥嘴を低減する。図３は先行技術によるポリバッ
ファＬＯＣＯＳ工程で処理している段階の集積回路を示
す。集積回路２２はシリコン基板２６の上に積層された
パッド酸化物層２４を有する。多結晶シリコン（ポリシ
リコン）の層２８はパッド酸化物２４の上に形成され
る。さらに、。窒化物層３０および多結晶シリコン２８
がマスクをかけられてエッチングを受け、中にウィンド
３２を空けている。
ように鳥嘴を低減する。図３は先行技術によるポリバッ
ファＬＯＣＯＳ工程で処理している段階の集積回路を示
す。集積回路２２はシリコン基板２６の上に積層された
パッド酸化物層２４を有する。多結晶シリコン（ポリシ
リコン）の層２８はパッド酸化物２４の上に形成され
る。さらに、。窒化物層３０および多結晶シリコン２８
がマスクをかけられてエッチングを受け、中にウィンド
３２を空けている。
【００１５】集積回路２２は次に高濃度酸素雰囲気中で
さらに加熱されてさらにウィンド３２付近のシリコン基
板を酸化する。この追加的酸化によって図４に示すよう
に、フィールド酸化物３４が生ずる。フィールド酸化物
３４はシリコン基板２６の元の表面上下方向に延びるの
みならず、横方向にも延びて窒化物層３０を持ち上げ、
また部分的にポリシリコン２８を持ち上げ、かつ部分的
にポリシリコン２８を消耗することに注目されたい。横
方向の侵入（鳥嘴）の程度はｂ４と記されている。
さらに加熱されてさらにウィンド３２付近のシリコン基
板を酸化する。この追加的酸化によって図４に示すよう
に、フィールド酸化物３４が生ずる。フィールド酸化物
３４はシリコン基板２６の元の表面上下方向に延びるの
みならず、横方向にも延びて窒化物層３０を持ち上げ、
また部分的にポリシリコン２８を持ち上げ、かつ部分的
にポリシリコン２８を消耗することに注目されたい。横
方向の侵入（鳥嘴）の程度はｂ４と記されている。
【００１６】図２および図４を比較すると、鳥嘴は幾分
かポリバッファＬＯＣＯＳ工程で低減されていること、
すなわちｂ４＜ｂ２であることが判かろう。
かポリバッファＬＯＣＯＳ工程で低減されていること、
すなわちｂ４＜ｂ２であることが判かろう。
【００１７】図５は本発明の方法に基づく処理の一段階
にある集積回路３６を示す。集積回路３６はシリコン基
板４０上に積層されたパッド酸化物層３８を有する。比
較的薄い窒化物層４２がパッド酸化物３８の頂部に形成
されている。ポリシリコン層４４が窒化物層３８の頂部
に形成され、窒化物層４６がポリシリコン層４４の頂部
に形成される。窒化物層４６、ポリシリコン層４４、お
よび窒化物層４２はマスクをかけられてエッチングを受
け、その中にウィンド４８を空けられる。
にある集積回路３６を示す。集積回路３６はシリコン基
板４０上に積層されたパッド酸化物層３８を有する。比
較的薄い窒化物層４２がパッド酸化物３８の頂部に形成
されている。ポリシリコン層４４が窒化物層３８の頂部
に形成され、窒化物層４６がポリシリコン層４４の頂部
に形成される。窒化物層４６、ポリシリコン層４４、お
よび窒化物層４２はマスクをかけられてエッチングを受
け、その中にウィンド４８を空けられる。
【００１８】集積回路３６は次に高酸素濃度雰囲気中で
加熱され、ウィンド４８付近のシリコン基板４０をさら
に酸化する。この追加的酸化が図６に示すようにフィー
ルド酸化物５０を発生させる。フィールド酸化物５０は
シリコン基板１４の元の表面の上下方向に延びるのみな
らず、横方向にも延び、窒化物層４６を持ち上げ、部分
的にポリシリコン４４を持ち上げ、かつポリシリコン４
４を消耗し、また部分的に薄い窒化物層４２を部分的に
消耗することが判る。横方向の侵入（鳥嘴）の程度はｂ
６と記されている。
加熱され、ウィンド４８付近のシリコン基板４０をさら
に酸化する。この追加的酸化が図６に示すようにフィー
ルド酸化物５０を発生させる。フィールド酸化物５０は
シリコン基板１４の元の表面の上下方向に延びるのみな
らず、横方向にも延び、窒化物層４６を持ち上げ、部分
的にポリシリコン４４を持ち上げ、かつポリシリコン４
４を消耗し、また部分的に薄い窒化物層４２を部分的に
消耗することが判る。横方向の侵入（鳥嘴）の程度はｂ
６と記されている。
【００１９】図２、図４、および図６を比較すると、本
発明の方法で生ずる鳥嘴はいずれの先行技術について示
したものよりも小さい、即ち、ｂ６＜ｂ４＜ｂ２である
ことに注意されたい。
発明の方法で生ずる鳥嘴はいずれの先行技術について示
したものよりも小さい、即ち、ｂ６＜ｂ４＜ｂ２である
ことに注意されたい。
【００２０】図７から図１２までは図６に示す構造を達
成するための方法の諸段の詳細を示す。図７は酸化によ
ってシリコン基板４０上にパッド酸化物層３８を形成す
ることを示す。基板４０の表面は清浄にされてから酸素
の存在下に加熱されて二酸化シリコンを形成する。良く
知られているように、時間、温度、酸素を変えることに
よりその結果得られるパッド酸化物層３８の厚さが制御
される。好ましい実施例ではパッド酸化物層３８の厚さ
は２ｎｍから５０ｎｍの間である。
成するための方法の諸段の詳細を示す。図７は酸化によ
ってシリコン基板４０上にパッド酸化物層３８を形成す
ることを示す。基板４０の表面は清浄にされてから酸素
の存在下に加熱されて二酸化シリコンを形成する。良く
知られているように、時間、温度、酸素を変えることに
よりその結果得られるパッド酸化物層３８の厚さが制御
される。好ましい実施例ではパッド酸化物層３８の厚さ
は２ｎｍから５０ｎｍの間である。
【００２１】図８はパッド酸化物３８上に比較的薄い窒
化物層４２（Si3N4) が形成されていることを示す。窒
化物層４２は化学的蒸着（ＣＶＤ）法によって形成する
ことが好ましい。実施例では窒化物層４２の厚さは２ｎ
ｍから５０ｎｍの間にあり、５ｎｍと３０ｎｍの範囲に
あることが好ましい。
化物層４２（Si3N4) が形成されていることを示す。窒
化物層４２は化学的蒸着（ＣＶＤ）法によって形成する
ことが好ましい。実施例では窒化物層４２の厚さは２ｎ
ｍから５０ｎｍの間にあり、５ｎｍと３０ｎｍの範囲に
あることが好ましい。
【００２２】図９は窒化物層４２の上にポリシリコン層
４４（多結晶シリコン）を形成することを示す。ポリシ
リコン層４４は好ましくはＣＶＤ法で形成する。好まし
い実施例ではポリシリコン層４４の厚さは１０ｎｍから
３００ｎｍの間にある。
４４（多結晶シリコン）を形成することを示す。ポリシ
リコン層４４は好ましくはＣＶＤ法で形成する。好まし
い実施例ではポリシリコン層４４の厚さは１０ｎｍから
３００ｎｍの間にある。
【００２３】図１０はポリシリコン層４４の上に窒化物
層４６（Si3N4)を形成することを示す。窒化物層４６は
好ましくはＣＶＤで形成する。好ましい実施例では窒化
物層４６の厚さは５０ｎｍから５００ｎｍの間にある。
層４６（Si3N4)を形成することを示す。窒化物層４６は
好ましくはＣＶＤで形成する。好ましい実施例では窒化
物層４６の厚さは５０ｎｍから５００ｎｍの間にある。
【００２４】図１１に示すように、ウィンド４８は、ウ
ィンドとならない窒化物層４６の表面５２、５４をフォ
トマスキングしてから窒化物層４６、ポリシリコン層４
４および窒化物層４２をエッチングすることにより、窒
化物層４６、ポリシリコン層４４および窒化物層４２の
中に空けられる。好ましい実施例ではウィンド４８を空
けるのに反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）が利用される。
必要であればシリコン基板４０をエッチ停止層として使
用して、パッド酸化物層３８をその後のエッチング方法
で除去してもよい。
ィンドとならない窒化物層４６の表面５２、５４をフォ
トマスキングしてから窒化物層４６、ポリシリコン層４
４および窒化物層４２をエッチングすることにより、窒
化物層４６、ポリシリコン層４４および窒化物層４２の
中に空けられる。好ましい実施例ではウィンド４８を空
けるのに反応性イオンエッチ（ＲＩＥ）が利用される。
必要であればシリコン基板４０をエッチ停止層として使
用して、パッド酸化物層３８をその後のエッチング方法
で除去してもよい。
【００２５】窒化物層４２の表面からフォトレジストを
除去した後、不純物表面濃度を増大するため、フィール
ド不純物が基板４０中にイオン埋め込み法によって導入
される。この装置は次いで高酸素濃度雰囲気中で加熱さ
れ、図１２に示すようにウィンド４８内にフィールド酸
化物５０を成長させる。その結果得られる構造は前述し
たように低減された鳥嘴を有するものである。さらに窒
化物層４２は十分に薄く、ストレスはあるとしても小さ
い。
除去した後、不純物表面濃度を増大するため、フィール
ド不純物が基板４０中にイオン埋め込み法によって導入
される。この装置は次いで高酸素濃度雰囲気中で加熱さ
れ、図１２に示すようにウィンド４８内にフィールド酸
化物５０を成長させる。その結果得られる構造は前述し
たように低減された鳥嘴を有するものである。さらに窒
化物層４２は十分に薄く、ストレスはあるとしても小さ
い。
【００２６】当業者には本発明が上記特定の実施例およ
び図解に限定されないことは明瞭であろう。図面に例示
した寸法、縮尺、および構造的関係は例示のためであ
り、局所フィールド酸化法の実際の寸法、縮尺、構造的
関係ではないことを理解されたい。本発明は特許請求の
範囲に記載した発明の要旨内で種々の設計変更がなし得
よう。
び図解に限定されないことは明瞭であろう。図面に例示
した寸法、縮尺、および構造的関係は例示のためであ
り、局所フィールド酸化法の実際の寸法、縮尺、構造的
関係ではないことを理解されたい。本発明は特許請求の
範囲に記載した発明の要旨内で種々の設計変更がなし得
よう。
【図１】図１はＬＯＣＯＳ工程におけるフィールド酸化
の前の先行技術集積回路の断面図である。
の前の先行技術集積回路の断面図である。
【図２】図２はフィールド酸化後における図１の回路の
断面図である。
断面図である。
【図３】図３はポリバッファＬＯＣＯＳ工程におけるフ
ィールド酸化をする前の先行技術集積回路の断面図であ
る。
ィールド酸化をする前の先行技術集積回路の断面図であ
る。
【図４】図４はフィールド酸化後における図３の回路の
断面図である。
断面図である。
【図５】図５は本発明によるフィールド酸化をする前の
断面図である。
断面図である。
【図６】図６はフィールド酸化後における図５の回路の
断面図である。
断面図である。
【図７】図７は本発明に基づく方法の逐次的段階を選択
的に示す第一番目の集積回路断面図である。
的に示す第一番目の集積回路断面図である。
【図８】図８は図７に続く段階を示す第二番目の集積回
路断面図である。
路断面図である。
【図９】図９は図８に続く段階を示す第三番目の集積回
路断面図である。
路断面図である。
【図１０】図１０は図９に続く段階を示す第四番目の集
積回路断面図である。
積回路断面図である。
【図１１】図１１は図１０に続く段階を示す第五番目の
集積回路断面図である。
集積回路断面図である。
【図１２】図１２は図１１に続く段階を示す第六番目の
集積回路断面図である。
集積回路断面図である。
１０ 集積回路 １８ ウィンド ２２ 集積回路 ３２ ウィンド ３６ 集積回路 ４８ ウィンド
Claims (14)
- 【請求項１】シリコン基板内に局所化されたフィールド
酸化物を形成する方法であって、 該基板上にパッド酸化物を形成することと、 該パッド酸化物上に第一の窒化物層を形成することと、 該第一窒化物層上にポリシリコン層を形成することと、 該ポリシリコン層上に第にの窒化物層を形成すること
と、 該第一、第二窒化物層およびポリシリコン層内にフィー
ルド酸化物を成長させるためのウィンドを空けることを
含むことを特徴とする局所フィールド酸化物の形成方
法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法において、該第一窒
化物層が比較的の薄いことを特徴とする方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の方法において、該第一窒
化物層の厚さが５０ｎｍ未満であることを特徴とする方
法。 - 【請求項４】請求項３に記載の方法において、該パッド
酸化物層の厚さが２ｎｍより大きいことを特徴とする方
法。 - 【請求項５】請求項４に記載の方法において、該第一窒
化物層の厚さが５ｎｍから３０ｎｍの間であることを特
徴とする方法。 - 【請求項６】請求項５に記載の方法において、該ポリシ
リコン層の厚さが１０ｎｍから３００ｎｍの間であるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項７】請求項６に記載の方法において、該第二窒
化物層の厚さが５０ｎｍから５００ｎｍの間であること
を特徴とする方法。 - 【請求項８】請求項１に記載の方法において、該第一窒
化物層が化学蒸着で形成されたSi3N4 であることを特徴
とする方法。 - 【請求項９】請求項１に記載の方法において、該ポリシ
リコン層が化学蒸着で形成されることを特徴とする方
法。 - 【請求項１０】請求項１に記載の方法において、該第二
窒化物層が化学蒸着で形成されたSi3N4 であることを特
徴とする方法。 - 【請求項１１】請求項１に記載の方法において、該ウィ
ンドを空ける方法が、 該第二窒化物層の非ウィンド領域をフォトマスキングす
ることと、 該第二窒化物層、ポリシリコン層、および第一窒化物層
をエッチングすることを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１２】請求項１１に記載の方法において、該エ
ッチングが反応性イオンエッチングで行なわれることを
特徴とする方法。 - 【請求項１３】請求項１１に記載の方法において、さら
に該ウィンドに面したシリコン基板中にイオン埋め込み
によりフィールド不純物を導入することを含む方法。 - 【請求項１４】請求項１３に記載の方法において、さら
に該ウィンド内に該フィールド酸化物を成長させること
を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US496746 | 1983-05-20 | ||
| US49674690A | 1990-03-21 | 1990-03-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661221A true JPH0661221A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=23973948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077277A Pending JPH0661221A (ja) | 1990-03-21 | 1991-03-18 | 集積回路内の局所フィールド酸化物を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661221A (ja) |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3077277A patent/JPH0661221A/ja active Pending
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