JPH0661284A - 半導体装置用箱形樹脂成形体 - Google Patents
半導体装置用箱形樹脂成形体Info
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- JPH0661284A JPH0661284A JP21056192A JP21056192A JPH0661284A JP H0661284 A JPH0661284 A JP H0661284A JP 21056192 A JP21056192 A JP 21056192A JP 21056192 A JP21056192 A JP 21056192A JP H0661284 A JPH0661284 A JP H0661284A
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- resin molded
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体装置用箱形樹脂成形体の成形時に、エ
ジェクターピン当接部に発生する樹脂バリによって、箱
形樹脂成形体の寸法精度に悪影響を与えない箱形樹脂成
形体を提供する。 【構成】 成形体底面のエジェクターピン当接部３の周
辺を凹陥部５として形成したことを特徴とする半導体装
置用箱形樹脂成形体。前記凹陥部は、成形体上面のエジ
ェクターピン当接部の周辺にも形成されることが好まし
く、また、前記凹陥部の深さは、少なくとも１００μｍ
に形成されることが所定の効果を達成し得る点で好まし
い。
ジェクターピン当接部に発生する樹脂バリによって、箱
形樹脂成形体の寸法精度に悪影響を与えない箱形樹脂成
形体を提供する。 【構成】 成形体底面のエジェクターピン当接部３の周
辺を凹陥部５として形成したことを特徴とする半導体装
置用箱形樹脂成形体。前記凹陥部は、成形体上面のエジ
ェクターピン当接部の周辺にも形成されることが好まし
く、また、前記凹陥部の深さは、少なくとも１００μｍ
に形成されることが所定の効果を達成し得る点で好まし
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の箱形樹
脂成形体に関するものであり、より詳しくは、箱形樹脂
成形体底面に、成形時のエジェクターピンの作動によっ
て発生する樹脂バリがあっても、箱形樹脂成形体の底面
の寸法精度に悪影響を与えない箱形樹脂成形体に関す
る。
脂成形体に関するものであり、より詳しくは、箱形樹脂
成形体底面に、成形時のエジェクターピンの作動によっ
て発生する樹脂バリがあっても、箱形樹脂成形体の底面
の寸法精度に悪影響を与えない箱形樹脂成形体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な
ゴミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してし
まうことや、機械的振動や衝撃によって破損し易いこと
などの理由で半導体素子を封止したパッケージとして使
用に供されている。
導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な
ゴミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してし
まうことや、機械的振動や衝撃によって破損し易いこと
などの理由で半導体素子を封止したパッケージとして使
用に供されている。
【０００３】パッケージ方式としては、大別して気密封
止方式と樹脂封止方式とに分けられる。気密封止方式の
パッケージに使用される箱形樹脂成形体は、射出成形や
トランスファー成形によって成形されるが、現在の成形
技術では、成形品を金型から分離させるために金型にセ
ットされているエジェクターピンによって、成形品の表
裏両面に、わずかな縦方向の樹脂バリが発生するという
事態がしばしば起こり得る。
止方式と樹脂封止方式とに分けられる。気密封止方式の
パッケージに使用される箱形樹脂成形体は、射出成形や
トランスファー成形によって成形されるが、現在の成形
技術では、成形品を金型から分離させるために金型にセ
ットされているエジェクターピンによって、成形品の表
裏両面に、わずかな縦方向の樹脂バリが発生するという
事態がしばしば起こり得る。
【０００４】ところが、半導体装置に使用される箱形樹
脂成形体は、極めてハイレベルの寸法精度が要求され、
とくに、固体撮像装置では前記箱形樹脂成形体を用いた
基板にセットする場合などでは、箱形樹脂成形体の外形
寸法にわずかな狂いが生じた場合でも、基板実装時の素
子の角度に狂いが生じ、光学系での使用に支障が生じる
という問題がある。
脂成形体は、極めてハイレベルの寸法精度が要求され、
とくに、固体撮像装置では前記箱形樹脂成形体を用いた
基板にセットする場合などでは、箱形樹脂成形体の外形
寸法にわずかな狂いが生じた場合でも、基板実装時の素
子の角度に狂いが生じ、光学系での使用に支障が生じる
という問題がある。
【０００５】従来このような場合には、成形後の箱形樹
脂成形体に発生した樹脂バリを、いわゆる、バリ取りと
言われる作業を行って余分な樹脂バリを除去し、成形体
の寸法精度を出していたものである。ところが、成形後
に、いちいち成形体の成形バリ発生の有無を調べたり、
寸法精度をチエックすることは、作業工程上極めて不利
であることは言うまでもないことである。
脂成形体に発生した樹脂バリを、いわゆる、バリ取りと
言われる作業を行って余分な樹脂バリを除去し、成形体
の寸法精度を出していたものである。ところが、成形後
に、いちいち成形体の成形バリ発生の有無を調べたり、
寸法精度をチエックすることは、作業工程上極めて不利
であることは言うまでもないことである。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、成形後の箱形
樹脂成形体のエジェクターピン当接部に、例え樹脂バリ
が発生しても、該樹脂バリの存在が成形体の外形寸法の
精度に影響を与えない構造のものにした箱形樹脂成形体
を提供することにある。
樹脂成形体のエジェクターピン当接部に、例え樹脂バリ
が発生しても、該樹脂バリの存在が成形体の外形寸法の
精度に影響を与えない構造のものにした箱形樹脂成形体
を提供することにある。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明は、前記目的を
達成するために提案されたもので、エジェクターピン当
接部に発生する樹脂バリの高さまたは量をあらかじめ想
定し、その高さまたは量をわずかに上回る程度の凹陥部
を箱形樹脂成形体のエジェクターピン当接部周辺に形成
する点に特徴を有するものである。
達成するために提案されたもので、エジェクターピン当
接部に発生する樹脂バリの高さまたは量をあらかじめ想
定し、その高さまたは量をわずかに上回る程度の凹陥部
を箱形樹脂成形体のエジェクターピン当接部周辺に形成
する点に特徴を有するものである。
【０００８】すなわち、本発明によれば、成形体底面の
エジェクターピン当接部の周辺を凹陥部として形成した
ことを特徴とする半導体装置用箱形樹脂成形体が提供さ
れる。また本発明によれば、前記凹陥部が、成形体上面
のエジェクターピン当接部にも形成された半導体装置用
箱形樹脂成形体が提供される。さらに本発明によれば、
前記凹陥部の深さが、少なくとも１００μｍである半導
体装置用箱形樹脂成形体が提供される。
エジェクターピン当接部の周辺を凹陥部として形成した
ことを特徴とする半導体装置用箱形樹脂成形体が提供さ
れる。また本発明によれば、前記凹陥部が、成形体上面
のエジェクターピン当接部にも形成された半導体装置用
箱形樹脂成形体が提供される。さらに本発明によれば、
前記凹陥部の深さが、少なくとも１００μｍである半導
体装置用箱形樹脂成形体が提供される。
【０００９】
【発明の具体的説明】本発明の箱形樹脂成形体の構造
を、従来の箱形樹脂成形体の構造と比較しながら、図面
に基づいて説明する。図１ないし図４は、従来の箱形樹
脂成形体（１）の構造を示すもので、図１は底面図、図
２は上面図、図３は図１のＡ−Ａ断面図、図４は同Ｂ−
Ｂ断面図、図５はエジェクターピン当接部の拡大断面図
である。また、図６ないし図９は、本発明の箱形樹脂成
形体（１）の構造を示すもので、図６は底面図、図７は
上面図、図８は図６のＢ−Ｂ断面図、図９は同Ａ−Ａ断
面図である。図１０ないし図１３は実施例によって得ら
れた中空パッケージの構造を示す。
を、従来の箱形樹脂成形体の構造と比較しながら、図面
に基づいて説明する。図１ないし図４は、従来の箱形樹
脂成形体（１）の構造を示すもので、図１は底面図、図
２は上面図、図３は図１のＡ−Ａ断面図、図４は同Ｂ−
Ｂ断面図、図５はエジェクターピン当接部の拡大断面図
である。また、図６ないし図９は、本発明の箱形樹脂成
形体（１）の構造を示すもので、図６は底面図、図７は
上面図、図８は図６のＢ−Ｂ断面図、図９は同Ａ−Ａ断
面図である。図１０ないし図１３は実施例によって得ら
れた中空パッケージの構造を示す。
【００１０】従来から、箱形樹脂成形体は、あらかじめ
リードフレーム（内部リードを２ａ，外部リードを２ｂ
で示す）をインサートした金型内で、射出成形法あるい
はトランスファー成形法によって成形され、金型解放時
に、金型にセットされているエジェクターピンで成形体
の上下方向から突き出し、金型から分離させるものであ
るが、この際、エジェクターピン当接部（３）の周辺に
は、図５に示すように、タテ方向に溶融した樹脂がバリ
（４）となって形成され、この樹脂バリが存在すると、
箱形樹脂成形体の底面が平滑にならないという好ましく
ない事態がもたらされることになる。
リードフレーム（内部リードを２ａ，外部リードを２ｂ
で示す）をインサートした金型内で、射出成形法あるい
はトランスファー成形法によって成形され、金型解放時
に、金型にセットされているエジェクターピンで成形体
の上下方向から突き出し、金型から分離させるものであ
るが、この際、エジェクターピン当接部（３）の周辺に
は、図５に示すように、タテ方向に溶融した樹脂がバリ
（４）となって形成され、この樹脂バリが存在すると、
箱形樹脂成形体の底面が平滑にならないという好ましく
ない事態がもたらされることになる。
【００１１】そこで、本発明においては、図６ないし図
９に示すように、箱形樹脂成形体の底面のエジェクター
ピン当接部の周辺を凹陥部として形成するものであり、
こうすることによって、例えエジェクターピン当接部に
樹脂バリが発生しても、エジェクターピンの当接部は成
形体の底面の形成された凹陥部内にあるため、発生した
樹脂バリが、成形体の底面まで達することはなく、した
がって、成形体底面の平滑性を損なう事態には至らな
い。つまり、成形体の外面に形成される樹脂バリが、成
形体の上下方向の寸法精度に影響を与えないようにする
ためには、樹脂バリ全体が前記凹陥部内に納まるもので
あれば良いことになる。
９に示すように、箱形樹脂成形体の底面のエジェクター
ピン当接部の周辺を凹陥部として形成するものであり、
こうすることによって、例えエジェクターピン当接部に
樹脂バリが発生しても、エジェクターピンの当接部は成
形体の底面の形成された凹陥部内にあるため、発生した
樹脂バリが、成形体の底面まで達することはなく、した
がって、成形体底面の平滑性を損なう事態には至らな
い。つまり、成形体の外面に形成される樹脂バリが、成
形体の上下方向の寸法精度に影響を与えないようにする
ためには、樹脂バリ全体が前記凹陥部内に納まるもので
あれば良いことになる。
【００１２】したがって、この凹陥部は、通常、底面よ
りも１００μｍ程度の深さに形成すればよいが、樹脂バ
リの量が多い場合には、当然凹陥部の深さをそれ以上に
構成すれば良い。いずれにしても、樹脂バリの量や高さ
は、成形時の樹脂量や金型の設計によってある程度予測
し得るものであり、樹脂バリの高さが、予測を超えて凹
陥部の深さを上回る虞はないし、エジェクターピンは成
形体の肉厚側にさらに２０ないし６０μｍ程度窪んだ状
態で当接するために、この凹陥部を超えて成形バリが発
生することはない。
りも１００μｍ程度の深さに形成すればよいが、樹脂バ
リの量が多い場合には、当然凹陥部の深さをそれ以上に
構成すれば良い。いずれにしても、樹脂バリの量や高さ
は、成形時の樹脂量や金型の設計によってある程度予測
し得るものであり、樹脂バリの高さが、予測を超えて凹
陥部の深さを上回る虞はないし、エジェクターピンは成
形体の肉厚側にさらに２０ないし６０μｍ程度窪んだ状
態で当接するために、この凹陥部を超えて成形バリが発
生することはない。
【００１３】凹陥部の形状は、エジェクターピン当接部
よりもいくぶん広めに形成されていればどのような形状
および数でも良く、例えば、エジェクターピン当接部の
周囲を数ミリ程度拡張した形の円形溝状に構成したり、
または、図６に示したように、箱形樹脂成形体底面の両
隅または４隅からエジェクターピン当接部を包含した角
形溝状の形状に構成してもよい。なお、箱形樹脂成形体
は、デバイス実装時などに光学特性に悪影響を与えない
ためには、少なくとも、底面の寸法精度が保たれている
ことが重要であり、そのような意味から前記凹陥部は、
少なくとも箱形樹脂成形体の底面には形成されていなけ
ればならず、もちろん、成形体上面のエジェクターピン
当接部周辺にも形成されていることが好ましい。
よりもいくぶん広めに形成されていればどのような形状
および数でも良く、例えば、エジェクターピン当接部の
周囲を数ミリ程度拡張した形の円形溝状に構成したり、
または、図６に示したように、箱形樹脂成形体底面の両
隅または４隅からエジェクターピン当接部を包含した角
形溝状の形状に構成してもよい。なお、箱形樹脂成形体
は、デバイス実装時などに光学特性に悪影響を与えない
ためには、少なくとも、底面の寸法精度が保たれている
ことが重要であり、そのような意味から前記凹陥部は、
少なくとも箱形樹脂成形体の底面には形成されていなけ
ればならず、もちろん、成形体上面のエジェクターピン
当接部周辺にも形成されていることが好ましい。
【００１４】これら箱形樹脂成形体は、前述したよう
に、射出成形あるいはトランスファー成形などの自体公
知の成形方法によって容易に成形することができる。成
形条件は、箱形樹脂成形体を構成する樹脂の種類によっ
ても異なるが、エポキシ樹脂を使用した場合には、温度
１００ないし３００℃、圧力１０ないし５００ｋｇ／ｃ
ｍ2 のような成形条件が採用される。
に、射出成形あるいはトランスファー成形などの自体公
知の成形方法によって容易に成形することができる。成
形条件は、箱形樹脂成形体を構成する樹脂の種類によっ
ても異なるが、エポキシ樹脂を使用した場合には、温度
１００ないし３００℃、圧力１０ないし５００ｋｇ／ｃ
ｍ2 のような成形条件が採用される。
【００１５】箱形樹脂成形体（１）は、前記エポキシ樹
脂以外にも、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹
脂、または、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、ポリスルホン樹脂などの耐熱性熱可塑性樹脂によ
って成形されることが好ましく、リードフレーム（アイ
ランド部を含む）は、銅、鉄、アルミニウム、ニッケル
またはこれらの合金からなる群から選ばれたもの、なか
んずく、４２アロイ、または銅合金によって形成されて
いることが望ましい。また、リードフレームには、必要
に応じて、全面ないし部分的に、金、銀、ニッケル、ハ
ンダなどのメッキを施したりすることができ、とくに、
アイランド部には放熱性向上のために銅などの他の材料
を接合しても良い。
脂以外にも、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹
脂、または、液晶ポリマー、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、ポリスルホン樹脂などの耐熱性熱可塑性樹脂によ
って成形されることが好ましく、リードフレーム（アイ
ランド部を含む）は、銅、鉄、アルミニウム、ニッケル
またはこれらの合金からなる群から選ばれたもの、なか
んずく、４２アロイ、または銅合金によって形成されて
いることが望ましい。また、リードフレームには、必要
に応じて、全面ないし部分的に、金、銀、ニッケル、ハ
ンダなどのメッキを施したりすることができ、とくに、
アイランド部には放熱性向上のために銅などの他の材料
を接合しても良い。
【００１６】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明する。 ＜実施例１＞４２アロイ製のリードフレームをトランス
ファー成形機の金型内の所定の位置にインサートした。
ついで、ノボラック型エポキシ樹脂系成形材料を、温度
１８０℃、圧力８０ｋｇ／ｃｍ2 、時間２分の条件でイ
ンサート成形した後、温度１８０℃、３時間で後硬化を
行って、図１０ないし図１３に示すような中空パッケー
ジを得た。
ファー成形機の金型内の所定の位置にインサートした。
ついで、ノボラック型エポキシ樹脂系成形材料を、温度
１８０℃、圧力８０ｋｇ／ｃｍ2 、時間２分の条件でイ
ンサート成形した後、温度１８０℃、３時間で後硬化を
行って、図１０ないし図１３に示すような中空パッケー
ジを得た。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置用の箱形樹
脂成形体を成形した時にエジェクターピン当接部に発生
する樹脂バリによって、成形体の寸法精度に悪影響を与
えないばかりでなく、成形後の仕上げ工程を短縮化し得
る特有の構造を有する箱形樹脂成形体が提供される。と
くに、成形体底面部の平坦性が良好であるため、この箱
形樹脂成形体を用いた半導体装置を基板に実装した時
に、光学系の狂いを防止することができる。
脂成形体を成形した時にエジェクターピン当接部に発生
する樹脂バリによって、成形体の寸法精度に悪影響を与
えないばかりでなく、成形後の仕上げ工程を短縮化し得
る特有の構造を有する箱形樹脂成形体が提供される。と
くに、成形体底面部の平坦性が良好であるため、この箱
形樹脂成形体を用いた半導体装置を基板に実装した時
に、光学系の狂いを防止することができる。
【図１】従来の箱形樹脂成形体の底面図である。
【図２】同上面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図４の凹陥部の拡大断面図である。
【図６】本発明の箱形樹脂成形体の底面図である。
【図７】同上面図である。
【図８】図６のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】図６のＡ−Ａ断面図である。
【図１０】本発明の実施例によって成形された箱形樹脂
成形体の底面図である。
成形体の底面図である。
【図１１】同上面図である。
【図１２】図１０のＡ−Ａ断面図である。
【図１３】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
１ 箱形樹脂成形体 ２ａ 内部リード ２ｂ 外部リード ３ エジェクターピン当接部 ４ 樹脂バリ ５ 凹陥部
Claims (3)
- 【請求項１】 成形体底面のエジェクターピン当接部の
周辺を凹陥部として形成したことを特徴とする半導体装
置用箱形樹脂成形体。 - 【請求項２】 前記凹陥部が、成形体上面のエジェクタ
ーピン当接部の周辺にも形成された請求項１記載の半導
体装置用箱形樹脂成形体。 - 【請求項３】前記凹陥部の深さが、少なくとも１００μ
ｍである請求項１記載の半導体装置用箱形樹脂成形体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21056192A JPH0661284A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置用箱形樹脂成形体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21056192A JPH0661284A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置用箱形樹脂成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661284A true JPH0661284A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16591362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21056192A Pending JPH0661284A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置用箱形樹脂成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073600A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012000805A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体装置の保管方法、半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 |
| JP6752381B1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP21056192A patent/JPH0661284A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073600A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012000805A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、半導体装置の保管方法、半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 |
| US8623701B2 (en) | 2010-06-15 | 2014-01-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus |
| US9159636B2 (en) | 2010-06-15 | 2015-10-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP6752381B1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| WO2020245996A1 (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| US12074082B2 (en) | 2019-06-06 | 2024-08-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module and power conversion device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |