JPH0662445A - 過電圧保護回路 - Google Patents

過電圧保護回路

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Publication number
JPH0662445A
JPH0662445A JP3107424A JP10742491A JPH0662445A JP H0662445 A JPH0662445 A JP H0662445A JP 3107424 A JP3107424 A JP 3107424A JP 10742491 A JP10742491 A JP 10742491A JP H0662445 A JPH0662445 A JP H0662445A
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JP
Japan
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circuit
line
power supply
lines
supply voltage
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3107424A
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English (en)
Inventor
Yuzo Yamamoto
雄三 山本
Shinichi Ito
真一 伊藤
Kiyoshi Taguchi
清 田口
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Communication Systems Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Communication Systems Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, Fujitsu Communication Systems Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、加入者回路に用いられる過電圧保
護回路に関し、電源電圧VBBの変動を抑えることがで
きる過電圧保護回路を提供することを目的としている。 【構成】 加入者回路のA線,B線間に接続される回路
であって、A線,B線に直列に接続されるサーミスタ抵
抗RF,RFと、その一端がグラウンド電位に、他端が
電源電圧VBBに接続されたダイオードブリッジ回路2
0とで構成され、前記ダイオードブリッジ回路20がA
線,B線と接続される部分にこれら線と直列に接続され
るような高耐圧抵抗RM,RMを接続して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、加入者回路に用いられ
る過電圧保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は加入者回路の従来構成例を示すブ
ロック図である。図において、1は加入者電話機でA線
とB線間に接続されている。2は電話機1に直流電流を
供給する給電回路、3は強電回路2からの給電電流を吸
い込むための給電回路である。給電回路2はグランドG
に接続され、給電回路3は電源電圧VBBに接続されて
いる。電源電圧VBBとしては、例えば−48Vが用い
られる。
【0003】4はリンガ、5はA線,B線間にリンガ4
を接続すると共に、加入者電話機のオフフックを検出す
るリンガ接続回路である。このリンガ接続回路5からは
加入者電話機がオフフックされたことを示す信号RTP
が送出される。6はA線,B線に直列にサーミスタ抵抗
が接続されて構成される過電流保護回路、7はA線とB
線間に接続された過電圧保護回路である。該過電圧保護
回路7にはグランドGと電源電圧VBBが接続されてい
る。
【0004】8は2線と4線の変換を行う2線/4線変
換回路で、例えばハイブリッドトランス等が用いられ
る。9はアナログ信号をディジタル信号に変換するコー
デックで、その出力はハイウェイHWに送出されてい
る。10は給電回路2,3からの信号を受けて、電話機
1のオンフック,オフフック状態を監視する監視回路
で、その出力はSCN信号として外部に送出される。
【0005】このように構成された装置において、外部
から着信があった時には、リンガ接続回路5がA線とB
線にリンガ4を接続する。この結果、オンフック状態の
電話機1は鳴動する。加入者がこの電話機1をオフフッ
クすると、リンガ接続回路5はリンガ4のA線,B線へ
の接続をオフにする。
【0006】オフフック状態では、給電回路2から直流
電流が電話機1に供給され、給電回路2→B線→電話機
1→A線→給電回路3のループで電流が流れ、加入者は
外部の加入者との通話が可能となる。外部ハイウェイH
Wからの音声信号はコーデック9でアナログ信号に変換
され、2線/4線変換回路8で2線信号に変換され、電
話機1に流れる。一方、電話機1からの音声信号は、2
線/4線変換回路8により4線式の信号に変換された
後、コーデック9でディジタルデータに変換され、ハイ
ウェイHWに送出される。
【0007】ここで、A線又はB線等に商用電源(例:
AC100V)等の混触が発生すると、加入者回路に過
電流が流れる。この過電流が流れると過電流保護回路6
のサーミスタが過電流により高抵抗になり、加入者回路
に流れる電流を制限する。一方、過電圧保護回路7は、
A線,B線にかかる電圧をグランドGと電源電圧VBB
以内にクランプする。
【0008】図6は過電圧保護回路7の従来回路例を示
す図である。RFはそれぞれA線,B線に直列に接続さ
れた過電流保護抵抗で、例えば過電流で高抵抗になるサ
ーミスタが用いられる。11はA線とB線の間に接続さ
れたダイオードブリッジ回路で、ダイオードD1〜D4
で構成されている。A線にはD3とD4の接続点が接続
され、B線にはD1とD2の接続点が接続されている。
また、D1とD3の共通接続点(カソード)にはグラン
ドGが接続され、D2とD4の接続点(アノード)には
電源電圧VBBが接続されている。
【0009】このように構成された回路において、例え
ばA線にグランド電位以上の正の過電圧がかかると、ダ
イオードD3がオンになり、A線の電位はグランド電位
になる。また、A線にVBB以下の負の過電圧がかかる
と、ダイオードD4がオンになり、A線の電位はVBB
電位になる。以上の動作はB線に正の過電圧又はVBB
以下の負の過電圧がかかった場合も同様である。このよ
うにして、A線とB線の電位は常にグランド電位とVB
B電位の間に保持されるようになっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サーミ
スタ抵抗RFの抵抗値は10Ω程度であり、図7に示す
ように例えば信号源抵抗RSのノイズ発生器12から負
の1KV程度のピーク電圧がB線(又はA線)に印加さ
れたものとする。この時に流れる瞬間電流Iは、I=1
000/(RF+RS)となり、RFとRSが共に10
Ωであるものとすると、流れるピーク電流Iは50Aと
なる。
【0011】電源電圧VBBは通常は電流が入り込むよ
うに動作するが、図7に示すような負の過電圧がA線又
はB線に印加されると、電流が図に示すループで流れ出
すようになる。VBB電源の種類や容量等により、過電
流が流れるとその内部に含まれる出力インピーダンスの
ために電源電圧VBBの変動が発生する。そして、この
VBB電源の変動により加入者回路が破壊されてしまう
という問題があった。
【0012】また、過電流を抑えるために保護素子の抵
抗値を上げると、精度をとることが困難となり、加入者
回路のAB線のばらつきが大きくなり、対地不平衡減衰
量等の特性の劣化を引き起こしてしまう。
【0013】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、電源電圧VBBの変動を抑えることがで
きる過電圧保護回路を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理回路
図である。図6と同一のものは、同一の符号を付して示
す。図において、RFは加入者回路のA線,B線に直列
に接続されるサーミスタ抵抗、20はその一端がグラン
ド電位に、他端が電源電圧VBBに接続されたダイオー
ドブリッジ回路である。該ダイオードブリッジ回路20
は、図6に示すダイオードブリッジ回路11のD1とD
2が接続される部分と、D3とD4が接続される部分に
高耐圧抵抗RMが接続されたものである。しかも、これ
ら高耐圧抵抗RMは、A線,B線と直列に接続されるよ
うな構成になっている。ここで、高耐圧抵抗が用いられ
ているのは、過電圧が印加された時にも抵抗が耐圧破壊
されないためのものである。
【0015】
【作用】図2は本発明の作用説明図である。例えばB線
に正の過電圧が印加された時には、過電流は図2の
(a)に示すループでサーミスタ抵抗RFを介してグラ
ンドGに流れ、B線に負の過電圧が印加された時には図
2の(b)に示すループで高耐圧抵抗RMを介してB線
側に流れる。ここで、高耐圧抵抗RMのためにVBBか
ら流れ出る電流を減少させることができ、電源電圧VB
Bの電圧変動を抑えることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例の動作について説明す
る。
【0017】図3は正の過電圧印加時の動作を示す図で
ある。ノイズ発生器12から正の過電圧がB線に印加さ
れたものとする。この時には、電流Iは信号源抵抗RS
→RF→D1を通って流れる。この時の過電圧をVS、
信号源抵抗RSとすると、流れる過電流Iは I=VS/(RS+RF) (1) で表される。
【0018】図4は負の過電圧印加時の動作を示す図で
ある。ノイズ発生器12から負の過電圧がB線に印加さ
れると、電源電圧VBBからノイズ発生器12に電流I
が流れる。つまり、電源電圧VBB→ダイオードD2→
高耐圧抵抗RM→サーミスタ抵抗RF→信号源抵抗RS
→ノイズ発生器12へのループで電流が流れる。この時
の過電流Iは、 I=VS/(RF+RS+RM) (2) で表される。(2)式より明らかなように、高耐圧抵抗
RMにより、電源電圧VBBから流出する過電流Iが小
さくなり、電源電VBBの電圧変動を抑えることができ
る。
【0019】上述の実施例では、過電流保護抵抗RFと
してサーミスタを用いた場合を例にとったが、本発明は
必ずしもこれに限るものではなく、過電流が流れると抵
抗値が増大するものであれば、その種類の如何を問わな
い。
【0020】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば負の過電圧が印加された場合の電源電圧VBBか
らの流出電流を抑えるために、高耐圧抵抗をダイオード
ブリッジ回路内に設けることにより、電源電圧VBBか
ら流出する過電流を減少させることにより、電源電圧V
BBの変動を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理回路図である。
【図2】本発明の作用説明図である。
【図3】正の過電圧印加時の動作を示す図である。
【図4】負の過電圧印加時の動作を示す図である。
【図5】加入者回路の従来構成例を示すブロック図であ
る。
【図6】過電圧保護回路の従来構成例を示す図である。
【図7】過電圧印加時の過電流ループの流れを示す図で
ある。
【符号の説明】
20 ダイオードブリッジ回路 D1〜D4 ダイオード RF サーミスタ抵抗 RM 高耐圧抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 真一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 田口 清 神奈川県横浜市港北区新横浜三丁目9番18 号 富士通コミュニケーション・システム ズ株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加入者回路のA線,B線間に接続される
    回路であって、A線,B線に直列に接続されるサーミス
    タ抵抗(RF),(RF)と、 その一端がグラウンド電位に、他端が電源電圧VBBに
    接続されたダイオードブリッジ回路(20)とで構成さ
    れ、 前記ダイオードブリッジ回路(20)がA線,B線と接
    続される部分にこれら線と直列に接続されるような高耐
    圧抵抗(RM),(RM)を接続したことを特徴とする
    過電圧保護回路。
JP3107424A 1991-05-13 1991-05-13 過電圧保護回路 Withdrawn JPH0662445A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3107424A JPH0662445A (ja) 1991-05-13 1991-05-13 過電圧保護回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP3107424A JPH0662445A (ja) 1991-05-13 1991-05-13 過電圧保護回路

Publications (1)

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JPH0662445A true JPH0662445A (ja) 1994-03-04

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ID=14458801

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3107424A Withdrawn JPH0662445A (ja) 1991-05-13 1991-05-13 過電圧保護回路

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JP (1) JPH0662445A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011055492A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Zarlink Semiconductor (Us) Inc 共有の正の保護を制御するための方法および装置
CN102628834A (zh) * 2012-03-30 2012-08-08 广东电网公司电力科学研究院 大型汽轮机叶片断裂故障在线诊断方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011055492A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Zarlink Semiconductor (Us) Inc 共有の正の保護を制御するための方法および装置
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