JPH0666272B2 - シリコン系アモルフアス膜の形成方法 - Google Patents
シリコン系アモルフアス膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0666272B2 JPH0666272B2 JP61298705A JP29870586A JPH0666272B2 JP H0666272 B2 JPH0666272 B2 JP H0666272B2 JP 61298705 A JP61298705 A JP 61298705A JP 29870586 A JP29870586 A JP 29870586A JP H0666272 B2 JPH0666272 B2 JP H0666272B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- silicon
- film
- vacuum chamber
- based amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基体たとえば導電性基板にシリコン系アモルフ
ァス膜を形成する方法に係り、特に電子サイクロトロン
共鳴プラズマを利用した光導電特性に優れたシリコン系
アモルファス膜の形成方法に関する。
ァス膜を形成する方法に係り、特に電子サイクロトロン
共鳴プラズマを利用した光導電特性に優れたシリコン系
アモルファス膜の形成方法に関する。
電子サイクロトロン共鳴プラズマを利用したシリコン系
アモルファス膜の形成に関しては、特開昭59−159167号
記載の公知例がある。上記公知例では0.2〜05Worrのガ
ス圧力域でＨ２ガスもしくはＨ２−Ｈ２混合ガスを磁場
中電子のサイクロトロン運動とマイクロ波との共鳴によ
りプラズマ励起し、これをシリコン原子含有ガスと接触
せしめて300℃に加熱した基体上にシリコン系アモルフ
ァス膜を形成している。
アモルファス膜の形成に関しては、特開昭59−159167号
記載の公知例がある。上記公知例では0.2〜05Worrのガ
ス圧力域でＨ２ガスもしくはＨ２−Ｈ２混合ガスを磁場
中電子のサイクロトロン運動とマイクロ波との共鳴によ
りプラズマ励起し、これをシリコン原子含有ガスと接触
せしめて300℃に加熱した基体上にシリコン系アモルフ
ァス膜を形成している。
上記従来技術は、電子サイクロトロン共鳴プラズマを利
用しているが、Ｈ２−Ｈ２混合ガスを利用してもＨ２ガ
スが分解されない様な低エネルギ電子のプラズマを利用
するものである。このため、得られるシリコン系アモル
ファス膜は暗導電率10−11Ｓ／cm（S:Ω・cm-1）光導電
率10−７Ｓ／cm程度のものであり、必ずしも良好な物性
のシリコン系アモルファス膜が得られているとはいい難
い。
用しているが、Ｈ２−Ｈ２混合ガスを利用してもＨ２ガ
スが分解されない様な低エネルギ電子のプラズマを利用
するものである。このため、得られるシリコン系アモル
ファス膜は暗導電率10−11Ｓ／cm（S:Ω・cm-1）光導電
率10−７Ｓ／cm程度のものであり、必ずしも良好な物性
のシリコン系アモルファス膜が得られているとはいい難
い。
本発明は、上述した公知例によるシリコン系アモルファ
ス膜より光導電率が高く、また光導電率と暗導電率の比
が大きい、光導電特性に優れるシリコン系アモルファス
膜の形成方法を提供することにある。
ス膜より光導電率が高く、また光導電率と暗導電率の比
が大きい、光導電特性に優れるシリコン系アモルファス
膜の形成方法を提供することにある。
上記発明は、上記公知例よりも電子エネルギが高いプラ
ズマ条件でシリコン系アモルファス膜を形成する事によ
り達成される。より具体的には上述の公知例よりは低い
0.1Torr以下の成膜圧力で電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを利用する事により達成される。
ズマ条件でシリコン系アモルファス膜を形成する事によ
り達成される。より具体的には上述の公知例よりは低い
0.1Torr以下の成膜圧力で電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマを利用する事により達成される。
プラズマ中の電子のエネルギは成膜圧力の低下とともに
増大し、Ｎ２分子などが存在すれば容易に分解される程
のエネルギになる。電子エネルギが過大である事も好ま
しくないが、比較的電子エネルギの高いプラズマの利用
が高特性のシリコン系アモルファス膜の生成に有効であ
る。この知見に基づいて本発明者らは、0.1mTorr以下の
成膜圧力で電子サイクロトロン共鳴により生成するプラ
ズマによって、シリコン原子及び水素原子またはハロゲ
ン原子を含有するガスを分解せしめてシリコン系アモル
ファス膜を作成することが有効であることを見い出した
ものであり、さらに上記公知例における一次プラズマ流
生成用の非成膜ガスとして、シリコン原子含有ガスの分
解の結果生成する水素もしくはハロゲンガスを利用する
事が膜質向上に有効である事を見い出し、本発明に至っ
たものである。
増大し、Ｎ２分子などが存在すれば容易に分解される程
のエネルギになる。電子エネルギが過大である事も好ま
しくないが、比較的電子エネルギの高いプラズマの利用
が高特性のシリコン系アモルファス膜の生成に有効であ
る。この知見に基づいて本発明者らは、0.1mTorr以下の
成膜圧力で電子サイクロトロン共鳴により生成するプラ
ズマによって、シリコン原子及び水素原子またはハロゲ
ン原子を含有するガスを分解せしめてシリコン系アモル
ファス膜を作成することが有効であることを見い出した
ものであり、さらに上記公知例における一次プラズマ流
生成用の非成膜ガスとして、シリコン原子含有ガスの分
解の結果生成する水素もしくはハロゲンガスを利用する
事が膜質向上に有効である事を見い出し、本発明に至っ
たものである。
更に詳細に説明すれば、上記目的は真空室内の少なくと
も一部に磁場を形成し、上記真空室内にマイクロ波を導
入し、上記真空室内に導入されたシリコン原子含有ガス
を上記磁場と上記マイクロ波によって生成したプラズマ
によって分解し、上記真空室内に設置された基体上にシ
リコン系アモルファス膜を形成するシリコン系アモルフ
ァス膜の形成方法において、上記真空室内に形成される
磁場強度が、マイクロ波の導入経路に沿って電子サイク
ロトロン共鳴磁界より大から減少し共鳴磁界をへて共鳴
磁界より小となり、上記磁場強度が電子サイクロトロン
共鳴磁界より小の領域にシリコン原子および水素または
ハロゲン原子を含有するガスを導入し、上記磁場強度が
より小の領域に設置され、100℃〜400℃に加熱した基体
上に成膜する事により達成される。
も一部に磁場を形成し、上記真空室内にマイクロ波を導
入し、上記真空室内に導入されたシリコン原子含有ガス
を上記磁場と上記マイクロ波によって生成したプラズマ
によって分解し、上記真空室内に設置された基体上にシ
リコン系アモルファス膜を形成するシリコン系アモルフ
ァス膜の形成方法において、上記真空室内に形成される
磁場強度が、マイクロ波の導入経路に沿って電子サイク
ロトロン共鳴磁界より大から減少し共鳴磁界をへて共鳴
磁界より小となり、上記磁場強度が電子サイクロトロン
共鳴磁界より小の領域にシリコン原子および水素または
ハロゲン原子を含有するガスを導入し、上記磁場強度が
より小の領域に設置され、100℃〜400℃に加熱した基体
上に成膜する事により達成される。
本発明の好ましい実施の態様によれば、上記本発明のシ
リコン系アモルファス膜の形成方法において、上記プラ
ズマ放電時の上記真空室内のガス圧が２×10−４〜１×
10−１Torrであって、上記真空室内に導入されるシリコ
ン原子および水素またはハロゲン原子を含有するガス
が、磁場強度が減少する方向に成膜基体に向けて供給さ
れる手法とすることにより、膜特性の良好なシリコン系
アモルファス膜が得られる。
リコン系アモルファス膜の形成方法において、上記プラ
ズマ放電時の上記真空室内のガス圧が２×10−４〜１×
10−１Torrであって、上記真空室内に導入されるシリコ
ン原子および水素またはハロゲン原子を含有するガス
が、磁場強度が減少する方向に成膜基体に向けて供給さ
れる手法とすることにより、膜特性の良好なシリコン系
アモルファス膜が得られる。
本発明において、上記のように、成膜時のガス圧を１×
10−１Torr以下と低くしてプラズマ中の電子のエネルギ
を上昇させることによりシリコン系アモルファス膜の膜
特性を高めることができた。このようにプラズマ中の電
子のエネルギの上昇によって膜特性が良好となる理由は
明確ではないが、原料ガスたとえばSiH２の分解反応に
必要なエネルギは生成活性種により次式(1)〜(4)のよう
にかわるので、プラズマ中の電子のエネルギにより皮膜
機構がかわるためと考えられる。
10−１Torr以下と低くしてプラズマ中の電子のエネルギ
を上昇させることによりシリコン系アモルファス膜の膜
特性を高めることができた。このようにプラズマ中の電
子のエネルギの上昇によって膜特性が良好となる理由は
明確ではないが、原料ガスたとえばSiH２の分解反応に
必要なエネルギは生成活性種により次式(1)〜(4)のよう
にかわるので、プラズマ中の電子のエネルギにより皮膜
機構がかわるためと考えられる。
SiH４→Si＋2H２;4.4eV…………(1) SiH４→SiH＋Ｈ２＋H;5.9eV…………(2) SiH４→SiH２＋Ｈ２;2.1eV…………(3) SiH４→SiH３＋H;4.1eV…………(4) 一般にアモルファスシリコン膜はSiH２型の結合が少な
い膜が光導電特性がよいが、電子エネルギの上昇は上記
式(3)の反応の比率を下げるので良好な結果が得られる
ものと考えられる。
い膜が光導電特性がよいが、電子エネルギの上昇は上記
式(3)の反応の比率を下げるので良好な結果が得られる
ものと考えられる。
電子サイクロトロン共鳴を利用するシリコン系アモルフ
ァス膜の作成として、本発明者は先に、水素またはHeま
たはNeまたはArまたはKrまたはXeを、真空室内の磁場強
度が電子サイクロトロン共鳴磁界よりも大きな領域に導
入し、上記領域に導入されるマイクロ波によって一次プ
ラズマ流を形成し、真空室内の磁場強度が電子サイクロ
トロン共鳴磁界より小の領域に導入されたシリコン原子
含有ガスを分解させる手法により、成膜圧力５×10-5〜
１×10-1Torrで成膜を行うと良好なシリコン系アモルフ
ァス膜が得られる事を見い出しているが、鋭意検討した
結果、上記前励起する非成膜性ガスを用いなくとも、真
空室内に、マイクロ波の導入経路に沿って電子サイクロ
トロン共鳴磁界より大から減少し共鳴磁界をへて共鳴磁
界より小となる磁界分布を形成し、磁場強度が共鳴磁界
より小の領域に水素またはハロゲン原子を含有するシリ
コン原子含有ガスを、圧力２×10-4〜１×10-1Torrで、
磁場強度が減少する方向に成膜基体に向けて供給する手
法によると良好な結果が得られる事を見い出した。これ
はこの圧力域ではシリコン原子含有ガスの分解の結果生
成する水素またはハロゲンガスが選択的に磁場強度が共
鳴磁界より大の領域に拡散しこの領域でプラズマ励起さ
れ一次プラズマ流を形成し、この一次プラズマ流が後に
供給されるシリコン原子含有ガスを分解するためであ
り、シリコン原子含有ガスを磁場強度が大の領域に供給
した場合は良好な結果が得られず、また全体の磁場強度
を低下させ真空室内の最大の磁場強度が電子サイクロト
ロン共鳴磁場とした場合も良好な結果が得られない。
ァス膜の作成として、本発明者は先に、水素またはHeま
たはNeまたはArまたはKrまたはXeを、真空室内の磁場強
度が電子サイクロトロン共鳴磁界よりも大きな領域に導
入し、上記領域に導入されるマイクロ波によって一次プ
ラズマ流を形成し、真空室内の磁場強度が電子サイクロ
トロン共鳴磁界より小の領域に導入されたシリコン原子
含有ガスを分解させる手法により、成膜圧力５×10-5〜
１×10-1Torrで成膜を行うと良好なシリコン系アモルフ
ァス膜が得られる事を見い出しているが、鋭意検討した
結果、上記前励起する非成膜性ガスを用いなくとも、真
空室内に、マイクロ波の導入経路に沿って電子サイクロ
トロン共鳴磁界より大から減少し共鳴磁界をへて共鳴磁
界より小となる磁界分布を形成し、磁場強度が共鳴磁界
より小の領域に水素またはハロゲン原子を含有するシリ
コン原子含有ガスを、圧力２×10-4〜１×10-1Torrで、
磁場強度が減少する方向に成膜基体に向けて供給する手
法によると良好な結果が得られる事を見い出した。これ
はこの圧力域ではシリコン原子含有ガスの分解の結果生
成する水素またはハロゲンガスが選択的に磁場強度が共
鳴磁界より大の領域に拡散しこの領域でプラズマ励起さ
れ一次プラズマ流を形成し、この一次プラズマ流が後に
供給されるシリコン原子含有ガスを分解するためであ
り、シリコン原子含有ガスを磁場強度が大の領域に供給
した場合は良好な結果が得られず、また全体の磁場強度
を低下させ真空室内の最大の磁場強度が電子サイクロト
ロン共鳴磁場とした場合も良好な結果が得られない。
良好なシリコン系アモルファス膜を得るためには基体を
100℃以上に加熱する事が必要であるが、通常の平行平
板型Ｒ下クロー放電プラズマや前記公知例の場合に比し
50〜100℃低い温度で同等の膜質のシリコン系アモルフ
ァス膜が得られ、特に200℃以上に基体を加熱した場合
は、従来の手法では得られ難い良好な特性のシリコン系
アモルファス膜が得られる。
100℃以上に加熱する事が必要であるが、通常の平行平
板型Ｒ下クロー放電プラズマや前記公知例の場合に比し
50〜100℃低い温度で同等の膜質のシリコン系アモルフ
ァス膜が得られ、特に200℃以上に基体を加熱した場合
は、従来の手法では得られ難い良好な特性のシリコン系
アモルファス膜が得られる。
以下本発明を実施例によって説明する。
第１図は本発明のシリコン系アモルファス膜の形成方法
の実施例に使用した電子サイクロトロンプラズマ成膜装
置の構成説明図である。図において、１はマグネトロン
であり、通常0.1〜10GHzのマイクロ波を発生させる。発
生したマイクロ波は円形導波管２を通じて真空室３内に
導かれる。４は放電管でありマイクロ波を通すために絶
縁物（例えば石英ガラス，アルミナ等）で形成されてい
る。５は真空室内に磁場を形成させるためのソレノイド
コイルである。ガス導入口６は真空室３内の低磁場域に
ガスを供給する様に配置されている。７は被成膜基体で
ありガス導入口６から供給されるガスが表面に入射する
様設置される。８は加熱機構を備えた試料台である。９
は排気ポートでありターボ分子ポンプや油拡散ポンプの
様な排気速度の大きな減圧ポンプ（図示せず）が接続さ
れる。
の実施例に使用した電子サイクロトロンプラズマ成膜装
置の構成説明図である。図において、１はマグネトロン
であり、通常0.1〜10GHzのマイクロ波を発生させる。発
生したマイクロ波は円形導波管２を通じて真空室３内に
導かれる。４は放電管でありマイクロ波を通すために絶
縁物（例えば石英ガラス，アルミナ等）で形成されてい
る。５は真空室内に磁場を形成させるためのソレノイド
コイルである。ガス導入口６は真空室３内の低磁場域に
ガスを供給する様に配置されている。７は被成膜基体で
ありガス導入口６から供給されるガスが表面に入射する
様設置される。８は加熱機構を備えた試料台である。９
は排気ポートでありターボ分子ポンプや油拡散ポンプの
様な排気速度の大きな減圧ポンプ（図示せず）が接続さ
れる。
真空室内に放電ガスを所定の圧力に導入してマイクロ波
電力を供給すると、マイクロ波電界と磁場の相互作用に
よりマイクロ波放電が発生するが、上記磁場の設定条件
と上述したガス導入口の配置について説明する。磁場中
の電子は磁力線のまわりを電子サイクロトロン運動する
が、電子サイクロトロン周波数fceは磁場強度によって 但し B:磁束密度〔Ｔ〕 m:電子質量〔Kg〕 e:電子電荷〔Coulomb〕 と決定される。fceが入射マイクロ波周波数と一致する
磁場強度の位置では電子サイクロトロン共鳴励起が起こ
る。第１図において真空室３の放電管４の領域は上記電
子サイクロトロン共鳴が起こる磁場強度より大とし、磁
場強度が電子サイクロトロン共鳴磁界より小さな領域に
ガス導入口６から被成膜基体７に向けガスを供給する。
成膜最初期においてはこの領域でプラズマ放電が開始す
るが、水素またはハロゲン原子を含有するシリコン原子
含有ガスを用いた場合、シリコン原子等の成膜成分が成
膜のため消滅するのに対し、副次的に生成する水素また
はハロゲンガスは放電管４の領域に拡散し、この領域で
高密度のプラズマが生成し、生成プラズマの反磁性的性
質により磁力線に沿って低磁場側へ輸送され一次プラズ
マ流を形成する。経時的に遅れてガス導入口６から供給
されるシリコン原子を含有する成膜ガスは一次プラズマ
流中の電離電子により分解され、基体７の表面にシリコ
ン系アモルファス膜が形成される。この場合、プラズマ
放電時の真空室３内のガス圧は２×10-4〜１×10-1Torr
とする。ガス圧が１×10-1Torr以下のときには、プラズ
マ中の電子のエネルギーが上昇するが、ガス圧が２×10
-4よりも低い場合、プラズマ放電を維持するために必要
なガス圧以下となり、成膜不能となる。また、ガス圧が
１×10-1Torrよりも高くなると、プラズマ中での平均自
由行程が小さくなるため、プラズマの電子温度が下が
り、原料ガスを分解するに充分なエネルギーが不足す
る。従って、ガス圧を上記の範囲内にすることにより、
基体７の表面にシリコン系アモルファス膜が良好な膜特
性で得られる。
電力を供給すると、マイクロ波電界と磁場の相互作用に
よりマイクロ波放電が発生するが、上記磁場の設定条件
と上述したガス導入口の配置について説明する。磁場中
の電子は磁力線のまわりを電子サイクロトロン運動する
が、電子サイクロトロン周波数fceは磁場強度によって 但し B:磁束密度〔Ｔ〕 m:電子質量〔Kg〕 e:電子電荷〔Coulomb〕 と決定される。fceが入射マイクロ波周波数と一致する
磁場強度の位置では電子サイクロトロン共鳴励起が起こ
る。第１図において真空室３の放電管４の領域は上記電
子サイクロトロン共鳴が起こる磁場強度より大とし、磁
場強度が電子サイクロトロン共鳴磁界より小さな領域に
ガス導入口６から被成膜基体７に向けガスを供給する。
成膜最初期においてはこの領域でプラズマ放電が開始す
るが、水素またはハロゲン原子を含有するシリコン原子
含有ガスを用いた場合、シリコン原子等の成膜成分が成
膜のため消滅するのに対し、副次的に生成する水素また
はハロゲンガスは放電管４の領域に拡散し、この領域で
高密度のプラズマが生成し、生成プラズマの反磁性的性
質により磁力線に沿って低磁場側へ輸送され一次プラズ
マ流を形成する。経時的に遅れてガス導入口６から供給
されるシリコン原子を含有する成膜ガスは一次プラズマ
流中の電離電子により分解され、基体７の表面にシリコ
ン系アモルファス膜が形成される。この場合、プラズマ
放電時の真空室３内のガス圧は２×10-4〜１×10-1Torr
とする。ガス圧が１×10-1Torr以下のときには、プラズ
マ中の電子のエネルギーが上昇するが、ガス圧が２×10
-4よりも低い場合、プラズマ放電を維持するために必要
なガス圧以下となり、成膜不能となる。また、ガス圧が
１×10-1Torrよりも高くなると、プラズマ中での平均自
由行程が小さくなるため、プラズマの電子温度が下が
り、原料ガスを分解するに充分なエネルギーが不足す
る。従って、ガス圧を上記の範囲内にすることにより、
基体７の表面にシリコン系アモルファス膜が良好な膜特
性で得られる。
シリコン系アモルファス膜中にB.P.C.Ge等の異種原子を
含有させる場合には、異種原子を含有するガスをガス導
入口６から同時に供給してよい。
含有させる場合には、異種原子を含有するガスをガス導
入口６から同時に供給してよい。
次に上述したプラズマ成膜装置を用い、本発明のシリコ
ン系アモルファス膜を形成する方法を代表的実施例によ
って説明する。
ン系アモルファス膜を形成する方法を代表的実施例によ
って説明する。
シリコン原子含有ガスとしてはSiH4を用い、これをガス
導入口６から15sccm供給した。マイクロ波周波数＝2.4
5、CHz，マイクロ波入力＝200W.放電ガス圧＝１×10-3T
orr,基体温度＝200℃とした。磁場分布は放電管４の部
分で最大1750G,放電管４の排気側端部で875G（電子サイ
クロトロン共鳴磁場強度）になる様設定した。排気系に
は排気速度500l／秒のターボ分子ポンプを用いた。この
条件で作成したアモルファスシリコン膜は光導電率10-4
Ｓ／cm．光導電率と暗導電率との比が106という高特性
の膜であった。
導入口６から15sccm供給した。マイクロ波周波数＝2.4
5、CHz，マイクロ波入力＝200W.放電ガス圧＝１×10-3T
orr,基体温度＝200℃とした。磁場分布は放電管４の部
分で最大1750G,放電管４の排気側端部で875G（電子サイ
クロトロン共鳴磁場強度）になる様設定した。排気系に
は排気速度500l／秒のターボ分子ポンプを用いた。この
条件で作成したアモルファスシリコン膜は光導電率10-4
Ｓ／cm．光導電率と暗導電率との比が106という高特性
の膜であった。
なお、本実施例ではシリコン原子含有ガスとしてSi2H4
を用いたが、他に用い得るシリコン原子含有ガスとして
は、例えばSiH6.SiF4等が挙げられる。
を用いたが、他に用い得るシリコン原子含有ガスとして
は、例えばSiH6.SiF4等が挙げられる。
以上述べたように、本発明によれば、従来よりも光導電
特性に優れたアモルファスシリコンが形成でき、あるい
は比較的良好なアモルファスシリコン膜を低温で形成す
る事が可能となり光導電性特性を利用する各種素子への
応用が可能となる。
特性に優れたアモルファスシリコンが形成でき、あるい
は比較的良好なアモルファスシリコン膜を低温で形成す
る事が可能となり光導電性特性を利用する各種素子への
応用が可能となる。
第１図は、本発明のシリコン系アモルファス膜形成に使
用する電子サイクロトロン共鳴プラズマデポジション装
置の構成説明図である。 １…マグネトロン、２…導波管、 ３…真空室、４…放電管、 ５…ソレノイドコイル、６…ガス導入口、 ７…基体、８…試料台、 ９…排気ポート。
用する電子サイクロトロン共鳴プラズマデポジション装
置の構成説明図である。 １…マグネトロン、２…導波管、 ３…真空室、４…放電管、 ５…ソレノイドコイル、６…ガス導入口、 ７…基体、８…試料台、 ９…排気ポート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中谷 光雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 園部 正 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立工場内 (56)参考文献 特開 昭61−283112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−143418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−117712（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−281519（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】真空室内の少くとも一部に磁場を形成し、
上記真空室内にマイクロ波を導入し、上記真空室内に導
入されたシリコン原子含有ガスを上記磁場と上記マイク
ロ波によって生成したプラズマによって分解し、上記真
空室内に設置された基体上にシリコン系アモルファス膜
を形成するシリコン系アモルファス膜の形成方法におい
て、 上記真空室内に形成される磁場強度が、マイクロ波の導
入経路に沿って電子サイクロトロン共鳴磁場より大から
減少し共鳴磁界をへて共鳴磁界より小となり、上記磁場
強度が電子サイクロトロン共鳴磁界より小の領域にシリ
コン原子および水素またはハロゲン原子を含有するガス
を導入して、上記真空室内のガス圧を２×10−４〜１×
10−１Torrとし、上記磁場強度がより小の領域に設置さ
れ、100℃〜400℃に加熱した基体上に成膜することを特
徴とするシリコン系アモルファス膜の形成方法。 - 【請求項２】上記プラズマ放電時の上記真空室内に導入
されるシリコン原子および水素またはハロゲン原子を含
有するガスが、磁場強度が減少する方向に成膜基体に向
けて供給されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のシリコン系アモルファス膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298705A JPH0666272B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298705A JPH0666272B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152115A JPS63152115A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0666272B2 true JPH0666272B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17863216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298705A Expired - Lifetime JPH0666272B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666272B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117712A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| JPH081895B2 (ja) * | 1985-06-07 | 1996-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 非晶質シリコン膜の形成方法 |
| JPH0654754B2 (ja) * | 1985-06-10 | 1994-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 非晶質半導体膜の形成方法 |
| JPS62143418A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298705A patent/JPH0666272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63152115A (ja) | 1988-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Turban et al. | A study of the silane glow discharge deposition by isotopic labelling | |
| US20010048981A1 (en) | Method of processing substrate | |
| US5340621A (en) | Plasma CVD method | |
| US20080173402A1 (en) | Microwave plasma processing apparatus | |
| GB2220957A (en) | Thin film forming apparatus | |
| JPS6347141B2 (ja) | ||
| JPH0521983B2 (ja) | ||
| JP2965935B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JPH0666272B2 (ja) | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 | |
| JPH0658887B2 (ja) | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 | |
| Yoon et al. | Modeling and analysis of the electron cyclotron resonance diamond-like carbon deposition process | |
| JP3258441B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JPH0614522B2 (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JPH08222554A (ja) | プラズマを利用した成膜装置およびその方法 | |
| JPS63152116A (ja) | シリコン系アモルフアス合金膜の形成方法 | |
| JP2617539B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の製造装置 | |
| JP2975971B2 (ja) | 炭素膜形成方法 | |
| JPS6130040A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| KR100230356B1 (ko) | 공동 방식 전자 싸이크로트론 공명 화학기상 증착 장비 및 이를 사용한 박막 형성 방법 | |
| Sugai et al. | Ion and radical contributions to hydrogenated amorphous silicon film formation in a dc toroidal discharge | |
| JP2741931B2 (ja) | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 | |
| JPH07110995B2 (ja) | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 | |
| Sano et al. | Deposition of High Quality SiO2 Films Using Teos by ECR Plasma | |
| JPS6250468A (ja) | 薄膜のプラズマ気相成長方法 | |
| JPH01180981A (ja) | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ法及びその装置 |