JPH0654754B2 - 非晶質半導体膜の形成方法 - Google Patents
非晶質半導体膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0654754B2 JPH0654754B2 JP60125305A JP12530585A JPH0654754B2 JP H0654754 B2 JPH0654754 B2 JP H0654754B2 JP 60125305 A JP60125305 A JP 60125305A JP 12530585 A JP12530585 A JP 12530585A JP H0654754 B2 JPH0654754 B2 JP H0654754B2
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- Japan
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- gas
- substrate
- semiconductor film
- film
- container
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はシリコン，ゲルマニュームなどの局在化状態密
度を減少せしめる補償元素を含む非晶質半導体膜を形成
する方法に関する。
度を減少せしめる補償元素を含む非晶質半導体膜を形成
する方法に関する。
従来の技術 太陽電池，電子写真感光体などの非晶質シリコン、非晶
質ゲルマニュームなどの非晶質半導体膜の形成には、従
来比較的低温で薄膜が形成できるプラズマＣＶＤ法が最
もよく使用されている。この方法は、例えば非晶質シリ
コン膜を形成する場合、原料ガスとしてSiH4（シランガ
ス）あるいはSiH4とＨ2の混合ガスを使用し、基板温度
を２００〜３５０℃に、またガス圧力を０．１〜１０To
rrに制御しながら電極と対向した基板間に高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、シランガスを分解して基
板上に膜を形成する方法である。この場合、堆積速度は
約３μｍ／h と遅く、約２０μｍ以上を要する電子写真
感光体を製作する場合には６時間以上を必要とし、迅速
な量産が困難である。また、堆積速度を上げるために高
周波電力を増加すると、原料ガス中で気相反応により粉
体状のシリコンが大量に発生し、製造装置の排気系にめ
ずまりを起こし量産上大きな問題であった。
質ゲルマニュームなどの非晶質半導体膜の形成には、従
来比較的低温で薄膜が形成できるプラズマＣＶＤ法が最
もよく使用されている。この方法は、例えば非晶質シリ
コン膜を形成する場合、原料ガスとしてSiH4（シランガ
ス）あるいはSiH4とＨ2の混合ガスを使用し、基板温度
を２００〜３５０℃に、またガス圧力を０．１〜１０To
rrに制御しながら電極と対向した基板間に高周波電力を
印加してプラズマを発生させ、シランガスを分解して基
板上に膜を形成する方法である。この場合、堆積速度は
約３μｍ／h と遅く、約２０μｍ以上を要する電子写真
感光体を製作する場合には６時間以上を必要とし、迅速
な量産が困難である。また、堆積速度を上げるために高
周波電力を増加すると、原料ガス中で気相反応により粉
体状のシリコンが大量に発生し、製造装置の排気系にめ
ずまりを起こし量産上大きな問題であった。
上記のプラズマＣＶＤ装置の持つ問題点を解決する手段
として提案されたのが、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）を用いたプラズマＣＶＤ装置である。（特開昭５６
−１５５５３５号公報，特開昭５９−１５９１６７号公
報） 第２図にこの装置の基本構成を示す。１はプラズマ生成
室、２は膜形成室であり、プラズマ生成室１にはマグネ
トロン電源から導波管３が導波用窓４で接続されてお
り、その外周には磁気コイル５が設置してある。また、
膜形成室２の外周は水冷パイプ６で冷却されている。プ
ラズマ生成室１には第１ガス導入口７よりプラズマ励起
用ガスを導入し、マイクロ波によりプラズマ生成室内１
にプラズマを励起し、更に磁場を印加することによりプ
ラズマ中に電子サイクロトロン共鳴を起こし、拡散磁界
によりプラズマを導入口８より膜形成室２に配置された
基板ホルダー９上の基板１０に導く。膜形成室２に第２
ガス導入口１１，１１Ａより原料ガスを導入しプラズマ
と接触させ、原料ガス１２を分解し膜を堆積させる。
として提案されたのが、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）を用いたプラズマＣＶＤ装置である。（特開昭５６
−１５５５３５号公報，特開昭５９−１５９１６７号公
報） 第２図にこの装置の基本構成を示す。１はプラズマ生成
室、２は膜形成室であり、プラズマ生成室１にはマグネ
トロン電源から導波管３が導波用窓４で接続されてお
り、その外周には磁気コイル５が設置してある。また、
膜形成室２の外周は水冷パイプ６で冷却されている。プ
ラズマ生成室１には第１ガス導入口７よりプラズマ励起
用ガスを導入し、マイクロ波によりプラズマ生成室内１
にプラズマを励起し、更に磁場を印加することによりプ
ラズマ中に電子サイクロトロン共鳴を起こし、拡散磁界
によりプラズマを導入口８より膜形成室２に配置された
基板ホルダー９上の基板１０に導く。膜形成室２に第２
ガス導入口１１，１１Ａより原料ガスを導入しプラズマ
と接触させ、原料ガス１２を分解し膜を堆積させる。
この方法は、電子サイクロトロン共鳴を用いていること
から、２×１０-5〜０．１Torrの低圧力下でも放電の持
続が可能になっており、更に膜形成に利用されるエネル
ギーは基板１０に入射するイオンの有するエネルギーで
与えられ、膜表面のイオンの衝突が膜をちみつにするた
め基板温度を室温に設定している場合においても良質な
膜が得られる。この方法により半導体プロセス用として
良質なSiN,SiO2などの絶縁層、またはＳｉを低温で形成
できることが示されている。これは、ごく表面のみがイ
オンエネルギーによって高温に上昇しＳｉ−Ｈの結合を
立ち切ることによると考えられている。
から、２×１０-5〜０．１Torrの低圧力下でも放電の持
続が可能になっており、更に膜形成に利用されるエネル
ギーは基板１０に入射するイオンの有するエネルギーで
与えられ、膜表面のイオンの衝突が膜をちみつにするた
め基板温度を室温に設定している場合においても良質な
膜が得られる。この方法により半導体プロセス用として
良質なSiN,SiO2などの絶縁層、またはＳｉを低温で形成
できることが示されている。これは、ごく表面のみがイ
オンエネルギーによって高温に上昇しＳｉ−Ｈの結合を
立ち切ることによると考えられている。
発明が解決しようとする問題点 上記のようなＥＣＲを用いたＣＶＤ法は低温で高速に膜
堆積ができる半面、マイクロ波と磁界を用いることから
大面積にわたって均一な膜形成には不向きである。ま
た、ＣＶＤ法の欠点であったシリコン粉体の発生につい
てはまだまだ未知の状態である。
堆積ができる半面、マイクロ波と磁界を用いることから
大面積にわたって均一な膜形成には不向きである。ま
た、ＣＶＤ法の欠点であったシリコン粉体の発生につい
てはまだまだ未知の状態である。
また、イオンの入射により局在化状態密度を減少せしめ
る１価補償元素である水素を含む非晶質半導体膜が形成
できるかについての未知の状態である。
る１価補償元素である水素を含む非晶質半導体膜が形成
できるかについての未知の状態である。
本発明は粉体の発生量少く、また大面積においても均一
な膜堆積が可能な非晶質半導体膜の堆積方法の実現を目
的とする。
な膜堆積が可能な非晶質半導体膜の堆積方法の実現を目
的とする。
また、励起ガスに水素などの１価元素をもちい、イオン
の入射により局在化状態密度を減少せしめる１価補償元
素である水素を含む非晶質半導体膜が形成できる膜の堆
積方法を実現することを目的とする。
の入射により局在化状態密度を減少せしめる１価補償元
素である水素を含む非晶質半導体膜が形成できる膜の堆
積方法を実現することを目的とする。
問題点を解決するための手段 被着される基板が配置された容器内を減圧し、被着膜原
材料であるガス化された分子を前記容器内に導入し前記
基板上に堆積する非晶質膜の形成方法であって、電気的
放電を用いてガスを前励起しイオンを含む励起されたガ
スを前記容器内に導入された前記原材料ガスと接触さ
せ、その原材料ガスをラジカル化し前記基板上に堆積す
る工程を含み、その工程は、前記基板と、前記イオン及
びラジカルを含むプラズマとの間に形成されるシースの
幅（以下Sisと記す）が容器内のイオンの平均自由工程
(λ)に対し、Sis＜λとなるガス圧にて実施される。
材料であるガス化された分子を前記容器内に導入し前記
基板上に堆積する非晶質膜の形成方法であって、電気的
放電を用いてガスを前励起しイオンを含む励起されたガ
スを前記容器内に導入された前記原材料ガスと接触さ
せ、その原材料ガスをラジカル化し前記基板上に堆積す
る工程を含み、その工程は、前記基板と、前記イオン及
びラジカルを含むプラズマとの間に形成されるシースの
幅（以下Sisと記す）が容器内のイオンの平均自由工程
(λ)に対し、Sis＜λとなるガス圧にて実施される。
作 用 電気的放電によって励起されイオン化された前励起ガス
は基板が設置された容器内に導入される。この時イオン
は電子をひきつれ原材料ガスと接触し多量のラジカルを
生成する。このラジカルは基板表面まで拡散し基板上の
膜材料と反応し堆積する。
は基板が設置された容器内に導入される。この時イオン
は電子をひきつれ原材料ガスと接触し多量のラジカルを
生成する。このラジカルは基板表面まで拡散し基板上の
膜材料と反応し堆積する。
また、イオンの寿命は比較的短くプラズマの存在しない
シース内に存在する中性分子との衝突により基板に付着
する前にエネルギーを失う。このため、多量に発生した
イオンも基板に到達する量は極く少なく堆積速度を遅く
している原因と考えられる。またこの際、気相において
イオン，ラジカルどうしの衝突により多量の気相反応が
誘起され半導体材料のポリマーが発生し、反応容器内に
粉体を付着させる。この考えを基にシースの幅が小さく
なるようガス圧を制御する事により堆積速度を著しく向
上する事ができ、また反応容器内の粉体の発生を著しく
減少させることが出来た。また、励起ガスとして水素を
含むガスを用いることによって、局在化状態密度を減少
させる事ができる半導体膜を形成することができた。
シース内に存在する中性分子との衝突により基板に付着
する前にエネルギーを失う。このため、多量に発生した
イオンも基板に到達する量は極く少なく堆積速度を遅く
している原因と考えられる。またこの際、気相において
イオン，ラジカルどうしの衝突により多量の気相反応が
誘起され半導体材料のポリマーが発生し、反応容器内に
粉体を付着させる。この考えを基にシースの幅が小さく
なるようガス圧を制御する事により堆積速度を著しく向
上する事ができ、また反応容器内の粉体の発生を著しく
減少させることが出来た。また、励起ガスとして水素を
含むガスを用いることによって、局在化状態密度を減少
させる事ができる半導体膜を形成することができた。
実施例 以下、図面をもって本発明の実施例について述べる。
〔実施例１〕 第１図に本発明に用いたイオン源を示す。イオン源には
励起ガスとして水素を含むガスを励起ガス導入口１３よ
り導入する。プラズマソース１４の背面と側面には磁石
１５を配し、カスプ磁界１５ａを作るようになってい
る。最大磁場の強さは約２．３ＫＧで、プラズマソース
１４の内側では１ＫＧ、壁から約４cm内側では２０Ｇで
ある。プラズマはフィラメント１６と陽極（壁）１７と
の間に１２０Ｖ〜２５０Ｖの交流電圧を印加し放電によ
り発生する。カスプ磁界１５ａにより電子のとじ込め時
間が長くなるため１０-2〜１０-3Torrでも安定に放電す
る。このように発生したプラズマは多孔グリッド１８を
通って、あらかじめ原料ガス導入口１９から原料ガスが
導入されている反応室２０に、外部磁界２１による拡散
磁界により導かれて移動し、原料ガス（SiH4）と接触し
ラジカル化する。
励起ガスとして水素を含むガスを励起ガス導入口１３よ
り導入する。プラズマソース１４の背面と側面には磁石
１５を配し、カスプ磁界１５ａを作るようになってい
る。最大磁場の強さは約２．３ＫＧで、プラズマソース
１４の内側では１ＫＧ、壁から約４cm内側では２０Ｇで
ある。プラズマはフィラメント１６と陽極（壁）１７と
の間に１２０Ｖ〜２５０Ｖの交流電圧を印加し放電によ
り発生する。カスプ磁界１５ａにより電子のとじ込め時
間が長くなるため１０-2〜１０-3Torrでも安定に放電す
る。このように発生したプラズマは多孔グリッド１８を
通って、あらかじめ原料ガス導入口１９から原料ガスが
導入されている反応室２０に、外部磁界２１による拡散
磁界により導かれて移動し、原料ガス（SiH4）と接触し
ラジカル化する。
反応室では基板２２との間に負バイアス２０Ｖが印加さ
れているためプラズマ中の陽イオンは基板２２に加速さ
れる。この時反応室２０の圧力は、原料ガス５×１０-2
×５×１０-4Torrにポンプ２３によって排気、制御され
ている。また多孔グリッド１８から基板２２までの距離
は約１５cmに設定されている。この時導入されたイオン
の平均自由行程はプラズマのイオン化率が数％なので
０．１〜２０cmである。基板２２に印加されている負バ
イアスにより基板表面にイオンシースを形成する。この
イオンシースの幅はLangmuir−Childの式からイオンの
飽和電流（IO）に対しＩO -1/2に比例し負バイアス電圧
（Vf）に対しＶf 3/4に比例する。５×１０-4Torrでは、
ＩO＝３０mA/cm2、Ｖf＝−２０Ｖの時イオンシース幅は
０．２mm程度である。しかし、５×１０-2Torrではイオ
ンの飽和電流ＩO＝１mA/cm2でイオンシース幅は１mm程
度となる。このような状態にて基板上に堆積した非晶質
シリコン膜の暗導電率、光導電率（５４６ｎｍ光で１．
４μＷ／cm2）、水素含有量を赤外吸収の吸光度からも
とめた。基板は室温からヒータ２４により３５０℃まで
制御したが基板温度の依存性は少ない。
れているためプラズマ中の陽イオンは基板２２に加速さ
れる。この時反応室２０の圧力は、原料ガス５×１０-2
×５×１０-4Torrにポンプ２３によって排気、制御され
ている。また多孔グリッド１８から基板２２までの距離
は約１５cmに設定されている。この時導入されたイオン
の平均自由行程はプラズマのイオン化率が数％なので
０．１〜２０cmである。基板２２に印加されている負バ
イアスにより基板表面にイオンシースを形成する。この
イオンシースの幅はLangmuir−Childの式からイオンの
飽和電流（IO）に対しＩO -1/2に比例し負バイアス電圧
（Vf）に対しＶf 3/4に比例する。５×１０-4Torrでは、
ＩO＝３０mA/cm2、Ｖf＝−２０Ｖの時イオンシース幅は
０．２mm程度である。しかし、５×１０-2Torrではイオ
ンの飽和電流ＩO＝１mA/cm2でイオンシース幅は１mm程
度となる。このような状態にて基板上に堆積した非晶質
シリコン膜の暗導電率、光導電率（５４６ｎｍ光で１．
４μＷ／cm2）、水素含有量を赤外吸収の吸光度からも
とめた。基板は室温からヒータ２４により３５０℃まで
制御したが基板温度の依存性は少ない。
またこの時の堆積速度は２０μｍ／ｈと非常に早いこと
が確認された。
が確認された。
第３図に暗導電率と光導電率の結果を示す。図中３１
ａ，３１ｂはそれぞれ原料ガスと励起ガスにSiH4とＨ２
をもちい、それぞれの流量がSiH4／Ｈ２の比が６７％，
３２ａ，３２ｂは流量の比が３４％の条件で、３１ｂ，
３２ｂは暗導電率、３１ａ，３２ａは光導電率を示す。
イオンシースの幅とイオンの平均自由行程とが等しくな
る５×１０-2Torr付近で光導電率が暗導電率と遠しく光
感度がない半導体材料としては膜質の悪い膜となる。ま
た、第４図には５×１０-4Torrでの原料ガスと励起ガス
の流量の比によって非晶質シリコン膜に含まれる水素量
は制御できることを示す。４１は励起ガスに水素を１０
０％、４２は励起ガスにHe／H2＝0.24とした場合につい
て示したもので、それぞれ４０〜１４atm％，２０〜５a
tm％まで制御できる事が分かった。
ａ，３１ｂはそれぞれ原料ガスと励起ガスにSiH4とＨ２
をもちい、それぞれの流量がSiH4／Ｈ２の比が６７％，
３２ａ，３２ｂは流量の比が３４％の条件で、３１ｂ，
３２ｂは暗導電率、３１ａ，３２ａは光導電率を示す。
イオンシースの幅とイオンの平均自由行程とが等しくな
る５×１０-2Torr付近で光導電率が暗導電率と遠しく光
感度がない半導体材料としては膜質の悪い膜となる。ま
た、第４図には５×１０-4Torrでの原料ガスと励起ガス
の流量の比によって非晶質シリコン膜に含まれる水素量
は制御できることを示す。４１は励起ガスに水素を１０
０％、４２は励起ガスにHe／H2＝0.24とした場合につい
て示したもので、それぞれ４０〜１４atm％，２０〜５a
tm％まで制御できる事が分かった。
また、このような堆積条件では通常のプラズマＣＶＤ法
と明らかに異なり、堆積容器内のシリコン粉体の発生量
が著しく少なく、電子写真感光体に必要な２０μｍ以上
の膜厚に堆積しても粉体の発生が極めて少ないため装置
の保守に必要だった時間が不用になり生産性が著しく向
上することができた。
と明らかに異なり、堆積容器内のシリコン粉体の発生量
が著しく少なく、電子写真感光体に必要な２０μｍ以上
の膜厚に堆積しても粉体の発生が極めて少ないため装置
の保守に必要だった時間が不用になり生産性が著しく向
上することができた。
また、原料ガスとしてSiH4を用いたが、他のSiF4，SiCl
4，Si2H6，Si2F6，SiH2F2，SiH3F，SiHCl３などのシリ
コン系ガスのほかにGeH4，GeF4，GeH2F2，Ge2F6，GeH
3F，GeHF3 などのゲルマニューム系ガスを用いて非晶質
ゲルマニューム、あるいは非晶質シリコン、ゲルマニュ
ーム半導体膜を形成することもできる。
4，Si2H6，Si2F6，SiH2F2，SiH3F，SiHCl３などのシリ
コン系ガスのほかにGeH4，GeF4，GeH2F2，Ge2F6，GeH
3F，GeHF3 などのゲルマニューム系ガスを用いて非晶質
ゲルマニューム、あるいは非晶質シリコン、ゲルマニュ
ーム半導体膜を形成することもできる。
〔実施例２〕 次に、第１図の装置を用いて堆積容器内にドーピングガ
スとしてB2H6を添加した場合について述べる。
スとしてB2H6を添加した場合について述べる。
第５図に５×１０-4Torr、SiH4／Ｈ２が３４％でB2H6の
量を変化させて第３図と同様に暗導電率５１ｂと光導電
率５１ａを測定した。一方、５×１０-2Torrでは５２
ｂ，５２ａに示すように感度が低く、またシリコン粉体
の発生量も著しく増加してくる。
量を変化させて第３図と同様に暗導電率５１ｂと光導電
率５１ａを測定した。一方、５×１０-2Torrでは５２
ｂ，５２ａに示すように感度が低く、またシリコン粉体
の発生量も著しく増加してくる。
励起ガスとしてＨガス、Ｈ，Ｈｅの混合ガスを用いた
が、Ｈガスに希ガス例えばAr，Ne，Xeなどを混合し用い
ても同じような結果が得られる。
が、Ｈガスに希ガス例えばAr，Ne，Xeなどを混合し用い
ても同じような結果が得られる。
ドーピング材料としてはＢ以外にもＰ、Ａｓ、Ｇａなど
のガス化可能な材料はすべて適応出来ることは明らかで
ある。
のガス化可能な材料はすべて適応出来ることは明らかで
ある。
発明の効果 以上述べたように、本発明によると、極めて早い堆積速
度でしかも反応容器内にほとんど粉体を発生させずに非
晶質半導体膜を堆積することができた。さらに半導体膜
には局在化状態密度を減少せしめる１価元素を励起ガス
に用いることにより価電子制御が可能な非晶質半導体膜
が容易に得られることができる。
度でしかも反応容器内にほとんど粉体を発生させずに非
晶質半導体膜を堆積することができた。さらに半導体膜
には局在化状態密度を減少せしめる１価元素を励起ガス
に用いることにより価電子制御が可能な非晶質半導体膜
が容易に得られることができる。
これにより、電子写真感光体、太陽電子などの非晶質半
導体膜をもちいた機能デバイスは従来のＣＶＤ法に比較
して更に安価に、容易に製造できる。
導体膜をもちいた機能デバイスは従来のＣＶＤ法に比較
して更に安価に、容易に製造できる。
第１図は本発明の一実施例に用いる堆積装置の一実施例
を示す断面図、第２図は従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の例を示す断面図、第３図は本発明に係わる非晶質半
導体膜の暗導電率、光導電率を示すグラフ、第４図は膜
中の水素濃度を測定した例を示すグラフ、第５図はＢド
ープによる暗導電率、光導電率の変化を示すグラフであ
る。 １３……ガス導入口、１４……プラズマソース、１５…
…磁石、１６……フィラメント、１７……陽極、１８…
…多孔グリッド、１９……原料ガス導入口、２０……反
応室、２１……外部磁界、22……基板。
を示す断面図、第２図は従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の例を示す断面図、第３図は本発明に係わる非晶質半
導体膜の暗導電率、光導電率を示すグラフ、第４図は膜
中の水素濃度を測定した例を示すグラフ、第５図はＢド
ープによる暗導電率、光導電率の変化を示すグラフであ
る。 １３……ガス導入口、１４……プラズマソース、１５…
…磁石、１６……フィラメント、１７……陽極、１８…
…多孔グリッド、１９……原料ガス導入口、２０……反
応室、２１……外部磁界、22……基板。
Claims (3)
- 【請求項１】被着される基板が配置された容器内を減圧
し、被着膜原材料であるガス化された分子を前記容器内
に導入し前記基板上に堆積する非晶質半導体膜の形成方
法であって、前記容器に隣接した空間で電気的放電を用
いて励起ガスを前励起し、イオンを含む励起されたガス
を、前記容器内に導入された前記原材料ガスと接触さ
せ、前記原材料ガスをラジカル化し基板上に堆積する工
程を含み、前記基板と、前記イオン及びラジカルを含む
プラズマとの間に形成されるシースの幅（Ｓｉｓと記
す）が前記容器内の前記イオンの平均自由工程(λ)に対
し、Ｓｉｓ＜λとなるガス圧にて堆積を実施する事を特
徴とする非晶質半導体膜の形成方法。 - 【請求項２】原材料ガスにシリコンを含むガスを用い、
また励起ガスとして水素を含むガスを用い、水素を含む
非晶質シリコン膜を堆積する特許請求の範囲第１項記載
の非晶質半導体膜の形成方法。 - 【請求項３】基板が配置された容器内の圧力を５×10-2
以下とすることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の非晶質半導体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125305A JPH0654754B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 非晶質半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60125305A JPH0654754B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 非晶質半導体膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283112A JPS61283112A (ja) | 1986-12-13 |
| JPH0654754B2 true JPH0654754B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14906800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60125305A Expired - Lifetime JPH0654754B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 非晶質半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654754B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666272B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP60125305A patent/JPH0654754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61283112A (ja) | 1986-12-13 |
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