JPH0666342B2 - 多層薄膜構造の製造方法 - Google Patents
多層薄膜構造の製造方法Info
- Publication number
- JPH0666342B2 JPH0666342B2 JP17449086A JP17449086A JPH0666342B2 JP H0666342 B2 JPH0666342 B2 JP H0666342B2 JP 17449086 A JP17449086 A JP 17449086A JP 17449086 A JP17449086 A JP 17449086A JP H0666342 B2 JPH0666342 B2 JP H0666342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- thin film
- multilayer thin
- film structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はIII−Ｖ族化合物半導体による絶縁膜とその界
面現象を利用したデバイスの実現、また、製造プロセス
の安定化あるいはデバイスの信頼性の向上に繋がる半導
体材料上に形成した多層薄膜構造の製造方法に関する。
面現象を利用したデバイスの実現、また、製造プロセス
の安定化あるいはデバイスの信頼性の向上に繋がる半導
体材料上に形成した多層薄膜構造の製造方法に関する。
［従来の技術とその問題点］ 表面の安定化、金属−絶縁体−半導体（Metal-Insulato
r-Semiconductorの略称としてＭＩＳとするのが一般的
であり以後この略称を用いる）構造トランジスタの実現
等に重要な半導体と絶縁体の接触による界面物性を制御
する技術はIII−Ｖ族化合物半導体に対しては成功して
いない。
r-Semiconductorの略称としてＭＩＳとするのが一般的
であり以後この略称を用いる）構造トランジスタの実現
等に重要な半導体と絶縁体の接触による界面物性を制御
する技術はIII−Ｖ族化合物半導体に対しては成功して
いない。
たとえば、III−Ｖ族化合物半導体の代表であるガリウ
ムヒ素（ＧａＡｓ）を例にとれば大気中に存在する酸素
や水分がＧａＡｓ表面を酸化し、このＧａＡｓ酸化層が
後に付着する絶縁膜との界面に挿入され易く、この界面
層等がＧａＡｓと絶縁膜の界面準位密度を増大させる原
因となる場合がある。
ムヒ素（ＧａＡｓ）を例にとれば大気中に存在する酸素
や水分がＧａＡｓ表面を酸化し、このＧａＡｓ酸化層が
後に付着する絶縁膜との界面に挿入され易く、この界面
層等がＧａＡｓと絶縁膜の界面準位密度を増大させる原
因となる場合がある。
絶縁膜として通常用いられるＳｉＯ２膜はＳｉに対して
はＳｉ表面のダングリング・ボンド（不対結合子）を閉
じる効果を有し、このダングリング・ボンドによる表面
準位密度を1010cm-2台にできることが実験的にも示され
ており、理論的にも予想されている。しかし、ＧａＡｓ
等のIII−Ｖ族化合物半導体に対しては表面ダングリン
グ・ボンドを閉じるような絶縁膜として何があるのか、
現在模索段階にあるが、すでに絶縁膜として良く知られ
ているＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等に代って、
III−Ｖ族化合物絶縁膜を適用する以外、ＭＩＳトラン
ジスタや表面安定化を実現する道はないのではないかと
考えられている。例えばジボラン（Ｂ２Ｈ６）とアンモ
ニア（ＮＨ３）から気相堆積法（以後、ＣＶＤ法と略称
する）で作られるIII−Ｖ族化合物半導体である窒化ボ
ロン（ＢＮ）膜がインジウムリン（ＩｎＰ）の絶縁膜に
適用され、1010cm-2台の低い界面準位密度が得られてい
る。また窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やアルミニウムガ
リウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）等がＭＩＳ構造用の絶縁膜
として分子線エピタキシャル成長法で形成されるなどII
I−Ｖ族化合物絶縁膜の検討が進んでいる。
はＳｉ表面のダングリング・ボンド（不対結合子）を閉
じる効果を有し、このダングリング・ボンドによる表面
準位密度を1010cm-2台にできることが実験的にも示され
ており、理論的にも予想されている。しかし、ＧａＡｓ
等のIII−Ｖ族化合物半導体に対しては表面ダングリン
グ・ボンドを閉じるような絶縁膜として何があるのか、
現在模索段階にあるが、すでに絶縁膜として良く知られ
ているＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３等に代って、
III−Ｖ族化合物絶縁膜を適用する以外、ＭＩＳトラン
ジスタや表面安定化を実現する道はないのではないかと
考えられている。例えばジボラン（Ｂ２Ｈ６）とアンモ
ニア（ＮＨ３）から気相堆積法（以後、ＣＶＤ法と略称
する）で作られるIII−Ｖ族化合物半導体である窒化ボ
ロン（ＢＮ）膜がインジウムリン（ＩｎＰ）の絶縁膜に
適用され、1010cm-2台の低い界面準位密度が得られてい
る。また窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やアルミニウムガ
リウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）等がＭＩＳ構造用の絶縁膜
として分子線エピタキシャル成長法で形成されるなどII
I−Ｖ族化合物絶縁膜の検討が進んでいる。
すなわち、III−Ｖ族化合物半導体上にその禁制帯幅よ
り広い禁制帯幅を持ったIII−Ｖ族化合物絶縁膜を形成
し、ＭＩＳトランジスタや表面安定化膜へ適用しようと
いう動きが強まっている。しかし、上記のような製造等
によるＢＮやＡｌＮ膜等では薄膜合成時に合成室内に残
留している酸素を膜中に取込みやすく、これが絶縁膜内
に深い準位や、また界面準位を形成する要因となってい
る様子であり、このためＭＩＳ特性や界面準位密度等を
必ずしも制御出来ていない。
り広い禁制帯幅を持ったIII−Ｖ族化合物絶縁膜を形成
し、ＭＩＳトランジスタや表面安定化膜へ適用しようと
いう動きが強まっている。しかし、上記のような製造等
によるＢＮやＡｌＮ膜等では薄膜合成時に合成室内に残
留している酸素を膜中に取込みやすく、これが絶縁膜内
に深い準位や、また界面準位を形成する要因となってい
る様子であり、このためＭＩＳ特性や界面準位密度等を
必ずしも制御出来ていない。
また、ＡｌＮやＧａＮはＧａＡｓ等と同じIII−Ｖ族化
合物半導体群ではあるが、安定な結晶構造はウルツ構造
であり、ＧａＡｓやＩｎＰ等のせん亜鉛鉱とは異なるた
め、厚さ100Å程度以上の薄膜をＧａＡｓ等の上に形成
すると均質な薄膜状には形成しにくいという問題があ
る。
合物半導体群ではあるが、安定な結晶構造はウルツ構造
であり、ＧａＡｓやＩｎＰ等のせん亜鉛鉱とは異なるた
め、厚さ100Å程度以上の薄膜をＧａＡｓ等の上に形成
すると均質な薄膜状には形成しにくいという問題があ
る。
本発明の目的はＧａＡｓ等のIII−Ｖ族化合物半導体上
に絶縁膜を形成した構造であって、界面準位低減および
界面物性を制御することのできる構造を有する多層薄膜
構造の製造方法を提供することにある。
に絶縁膜を形成した構造であって、界面準位低減および
界面物性を制御することのできる構造を有する多層薄膜
構造の製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ すなわち本発明はＧａＡｓの上にＡｌｘＧａ1-xＡｓ
（ｘは0.1＜ｘ≦１を示す）層を形成する工程と、この
ＡｌｘＧａ1-xＡｓ層の少なくとも一部にＮを５×１０
19cm-3以上添加する工程とを有することを特徴とする多
層薄膜構造の製造方法である。
（ｘは0.1＜ｘ≦１を示す）層を形成する工程と、この
ＡｌｘＧａ1-xＡｓ層の少なくとも一部にＮを５×１０
19cm-3以上添加する工程とを有することを特徴とする多
層薄膜構造の製造方法である。
［実施例］ 以下、この発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第１図(a)は本発明の方法で得られる多層薄膜ウエーハ
の模式的断面図である。その製造方法は、まずＧａＡｓ
基板11の表面に電子濃度１×1016cm-3のＧａＡｓ層12を
厚さ１〜２μｍ、続いて不純物添加することなしにＡｌ
ｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13を1000Åの厚さで周知の
有機金属熱分解エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ法）によ
り形成した。この発明の顕著な効果の一つはＧａＡｓ層
12とＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13のなす界面14の
特性改良に起因するものである。なお、用いた基板温度
は650℃であり、III族のＧａおよびＡｌ原料にはトリメ
チルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）を用い、Ｖ族のＡｓ原料にはアルシン（Ａｓ
Ｈ３）を用いた。この後、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.
3）層13の表面より窒素のイオン注入を行った。イオン
注入原料には窒素ガスを用い、加速電圧80KeVで行っ
た。イオン注入量は３×1021cm-2とした。その後、600
℃での熱処理を加えることにより、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ
（ｘ＝0.3）層13の表面より約850Åがアモルファス状高
抵抗化領域15となり、1011Ωcm以上の高い抵抗率となつ
た。注入量は３×1021cm-2を実現するには多大な時間を
要するため、第１図(b)に示すようにＭＩＳダイオード
特性を評価する領域についてのみイオン注入を選択的に
行った。アモルファス状となった領域15については窒素
のイオン注入量を１×1020cm-2以上にすると再現性よく
1011Ωcm以上の高い抵抗率が得られた。また、この窒素
イオン注入によるアモルファス状高抵抗化領域15を得る
には窒素の体積濃度は５×1019cm-3以上で得られること
が分った。
の模式的断面図である。その製造方法は、まずＧａＡｓ
基板11の表面に電子濃度１×1016cm-3のＧａＡｓ層12を
厚さ１〜２μｍ、続いて不純物添加することなしにＡｌ
ｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13を1000Åの厚さで周知の
有機金属熱分解エピタキシャル法（ＭＯＣＶＤ法）によ
り形成した。この発明の顕著な効果の一つはＧａＡｓ層
12とＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13のなす界面14の
特性改良に起因するものである。なお、用いた基板温度
は650℃であり、III族のＧａおよびＡｌ原料にはトリメ
チルガリウム（ＴＭＧ）およびトリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）を用い、Ｖ族のＡｓ原料にはアルシン（Ａｓ
Ｈ３）を用いた。この後、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.
3）層13の表面より窒素のイオン注入を行った。イオン
注入原料には窒素ガスを用い、加速電圧80KeVで行っ
た。イオン注入量は３×1021cm-2とした。その後、600
℃での熱処理を加えることにより、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ
（ｘ＝0.3）層13の表面より約850Åがアモルファス状高
抵抗化領域15となり、1011Ωcm以上の高い抵抗率となつ
た。注入量は３×1021cm-2を実現するには多大な時間を
要するため、第１図(b)に示すようにＭＩＳダイオード
特性を評価する領域についてのみイオン注入を選択的に
行った。アモルファス状となった領域15については窒素
のイオン注入量を１×1020cm-2以上にすると再現性よく
1011Ωcm以上の高い抵抗率が得られた。また、この窒素
イオン注入によるアモルファス状高抵抗化領域15を得る
には窒素の体積濃度は５×1019cm-3以上で得られること
が分った。
次にこのようなＧａＡｓ層12の上のＡｌｘＧａ1-xＡｓ
（ｘ＝0.3）層13に窒素イオン注入アモルファス状高抵
抗化領域15を形成したものを絶縁膜とし、この表面に50
0μｍφの直径で金属（実施例ではアルミニウム）を蒸
着してＭＩＳダイオードを試作し、この電圧（Ｖ）−容
量（Ｃ）特性を評価したところいわゆるヒステリシスは
示さず、界面準位密度も1010cm-2Ｖ-1台の低い値が再現
性よく得られた。また、この特性は窒素イオン注入によ
るアモルファス状高抵抗化領域15の厚さを800Åから980
Åの間で変えた実験においてはほとんど変化することな
く、良好な特性を示した。
（ｘ＝0.3）層13に窒素イオン注入アモルファス状高抵
抗化領域15を形成したものを絶縁膜とし、この表面に50
0μｍφの直径で金属（実施例ではアルミニウム）を蒸
着してＭＩＳダイオードを試作し、この電圧（Ｖ）−容
量（Ｃ）特性を評価したところいわゆるヒステリシスは
示さず、界面準位密度も1010cm-2Ｖ-1台の低い値が再現
性よく得られた。また、この特性は窒素イオン注入によ
るアモルファス状高抵抗化領域15の厚さを800Åから980
Åの間で変えた実験においてはほとんど変化することな
く、良好な特性を示した。
次に、この多層薄膜ウエーハを表面安定化膜として使用
した例を示す。
した例を示す。
第２図にその模式的断面図を示すように、ＧａＡｓ電解
効果トランジスタ（Fied-Effect-Transistor：ＦＥＴ）
のソース31とゲート32、およびドレイン33とゲート32の
間のＧａＡｓ表面34を本発明の方法によってえられた膜
構造で被覆したところ、ＧａＡｓＦＥＴで問題視されて
いる動作時の電流の短期的、長期的変化、すなわちドリ
フトはほとんどなくなった。この場合にはＡｌｘＧａ
1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13の厚さに関する制限は実質的に
なく、かつアモルファス状高抵抗化領域15の厚さについ
てもＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13の表面よりＧａ
Ａｓ層12とＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13のなす界
面14から500Å以上離してもドリフトはほとんどなかっ
た。
効果トランジスタ（Fied-Effect-Transistor：ＦＥＴ）
のソース31とゲート32、およびドレイン33とゲート32の
間のＧａＡｓ表面34を本発明の方法によってえられた膜
構造で被覆したところ、ＧａＡｓＦＥＴで問題視されて
いる動作時の電流の短期的、長期的変化、すなわちドリ
フトはほとんどなくなった。この場合にはＡｌｘＧａ
1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13の厚さに関する制限は実質的に
なく、かつアモルファス状高抵抗化領域15の厚さについ
てもＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13の表面よりＧａ
Ａｓ層12とＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13のなす界
面14から500Å以上離してもドリフトはほとんどなかっ
た。
一方、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＝0.3）層13の組成ｘは0.
1＜ｘ≦１であるが、特に0.2以上において、良好なＭＩ
Ｓダイオード特性と表面安定化効果が得られた。
1＜ｘ≦１であるが、特に0.2以上において、良好なＭＩ
Ｓダイオード特性と表面安定化効果が得られた。
以上、本実施例ではＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘ＞0.2）層13
をＭＯＣＶＤ法で形成したが、他の形成法であってもよ
い。また、窒素イオン注入によるアモルファス状高抵抗
化領域15に代って、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ（0.1＜ｘ≦１）
層13をアンモニア（ＮＨ３）やヒドラジン（Ｈ２Ｈ４）
の雰囲気中で加熱処理し窒化することでも同様な高抵抗
化領域15を得ることができる。
をＭＯＣＶＤ法で形成したが、他の形成法であってもよ
い。また、窒素イオン注入によるアモルファス状高抵抗
化領域15に代って、ＡｌｘＧａ1-xＡｓ（0.1＜ｘ≦１）
層13をアンモニア（ＮＨ３）やヒドラジン（Ｈ２Ｈ４）
の雰囲気中で加熱処理し窒化することでも同様な高抵抗
化領域15を得ることができる。
第１図は本発明の方法で得られる多層薄膜構造を有する
ウエーハの模式的断面図、第２図はそれをＧａＡｓＦＥ
Ｔに適用した場合のＦＥＴの模式的断面図である。 11……ＧａＡｓ基板、12……ＧａＡｓ層 13……ＡｌｘＧａ1-xＡｓ層 14……界面 15……アモルファス状高抵抗化領域 31……ソース、32……ゲート 33……ドレイン、34……ＧａＡｓ表面
ウエーハの模式的断面図、第２図はそれをＧａＡｓＦＥ
Ｔに適用した場合のＦＥＴの模式的断面図である。 11……ＧａＡｓ基板、12……ＧａＡｓ層 13……ＡｌｘＧａ1-xＡｓ層 14……界面 15……アモルファス状高抵抗化領域 31……ソース、32……ゲート 33……ドレイン、34……ＧａＡｓ表面
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (1)
- 【請求項１】ＧａＡｓの上にＡｌｘＧａ1-xＡｓ（ｘは
０．１＜ｘ≦１を示す）層を形成する工程と、このＡｌ
ｘＧａ1-xＡｓ層の少なくとも一部にＮを５×１０19cm
-3以上添加する工程とを有することを特徴とする多層薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17449086A JPH0666342B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 多層薄膜構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17449086A JPH0666342B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 多層薄膜構造の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329936A JPS6329936A (ja) | 1988-02-08 |
| JPH0666342B2 true JPH0666342B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15979397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17449086A Expired - Lifetime JPH0666342B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 多層薄膜構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666342B2 (ja) |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17449086A patent/JPH0666342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6329936A (ja) | 1988-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3760663B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| KR20040104959A (ko) | 도핑된 그룹 ⅲ-ⅴ 질화물 재료 및 이를 포함하는마이크로일렉트로닉 디바이스 및 디바이스 프리커서 구조물 | |
| US4789421A (en) | Gallium arsenide superlattice crystal grown on silicon substrate and method of growing such crystal | |
| JPH09249499A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JP3428838B2 (ja) | Ｍｉｓ型電界効果トランジスタ | |
| US5738722A (en) | III-V system compound semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device | |
| US5656538A (en) | Halide dopant process for producing semi-insulating group III-V regions for semiconductor devices | |
| US5142350A (en) | Transistor having cubic boron nitride layer | |
| JPH0666341B2 (ja) | 多層薄膜構造 | |
| JPH0666342B2 (ja) | 多層薄膜構造の製造方法 | |
| US5580382A (en) | Process for forming silicon doped group III-V semiconductors with SiBr.sub.4 | |
| KR20030036668A (ko) | 에피택셜 웨이퍼 장치 | |
| US5128275A (en) | Method for fabricating a semiconductor device including a semi-insulating semiconductor layer | |
| US6294016B1 (en) | Method for manufacturing p-type GaN based thin film using nitridation | |
| JP2674759B2 (ja) | 多層半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH0797567B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| US5081053A (en) | Method for forming a transistor having cubic boron nitride layer | |
| JPH012318A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| GB2195050A (en) | Semiconductor devices and methods of manufacture | |
| JPH02199875A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPS5853863A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0684893A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0652742B2 (ja) | 半導体ウエ−ハの製造方法 | |
| JPH0666343B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族半導体ウェーハ | |
| JPH0590602A (ja) | 半導体記憶素子およびその製法 |