JPH0666401B2 - リ−ドフレ−ムの検査方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの検査方法Info
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- JPH0666401B2 JPH0666401B2 JP60092229A JP9222985A JPH0666401B2 JP H0666401 B2 JPH0666401 B2 JP H0666401B2 JP 60092229 A JP60092229 A JP 60092229A JP 9222985 A JP9222985 A JP 9222985A JP H0666401 B2 JPH0666401 B2 JP H0666401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- light
- optical
- deformation
- spot
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、IC,LSI等の半導体装置の構成部品であるリー
ドフレームの検査方法に関するものであり、さらに詳し
く言えば、リードフレーム各部の面内での変形（以下横
変形）と面と垂直な方向での変形（以下上下変形）と、
部分メツキ部の位置不良を検査する方法に関するもので
ある。
ドフレームの検査方法に関するものであり、さらに詳し
く言えば、リードフレーム各部の面内での変形（以下横
変形）と面と垂直な方向での変形（以下上下変形）と、
部分メツキ部の位置不良を検査する方法に関するもので
ある。
リードフレームとは、エツチング法又はプレス法で厚さ
100〜300μｍの金属板を第２図示の様な形状に加工し、
アイランド１及びインナーリード２先端部に金，銀等の
金属を部分的にメツキしたもので、このリードフレーム
のアイランド１に反動体チツプを装着（ダンボンデイン
グ）し、さらにインナーリード先端部と半導体チツプの
電極を金，アルミなどの細い金属線で接続（ワイヤーボ
ンデイング）して半導体装置を製造するものである。な
お、第２図で、３はダム,4はアウターリード、５は外
枠、６は部分メツキ領域をそれぞれ表わす。
100〜300μｍの金属板を第２図示の様な形状に加工し、
アイランド１及びインナーリード２先端部に金，銀等の
金属を部分的にメツキしたもので、このリードフレーム
のアイランド１に反動体チツプを装着（ダンボンデイン
グ）し、さらにインナーリード先端部と半導体チツプの
電極を金，アルミなどの細い金属線で接続（ワイヤーボ
ンデイング）して半導体装置を製造するものである。な
お、第２図で、３はダム,4はアウターリード、５は外
枠、６は部分メツキ領域をそれぞれ表わす。
以上はリードフレームの説明であるが、リードフレーム
自体は前述の様に板圧が小さく、かつインナーリード２
など各部の巾は100〜数100μｍと細いため、製造途中で
変形を起こす場合があり、また製造装置の誤動作等によ
り部分メツキ領域６の位置精度不良が生ずる場合もあ
り、製品の中にこの様な不良品が混入する事がある。こ
の様な不良品を使用するとダイボンデイングあるいはワ
イヤーボンデイング工程での不良品の発生及び完成した
半導体装置を信頼性の低下などの原因となる為、リード
フレーム製造後検査を行い不良品を排除する事が不可欠
となつている。
自体は前述の様に板圧が小さく、かつインナーリード２
など各部の巾は100〜数100μｍと細いため、製造途中で
変形を起こす場合があり、また製造装置の誤動作等によ
り部分メツキ領域６の位置精度不良が生ずる場合もあ
り、製品の中にこの様な不良品が混入する事がある。こ
の様な不良品を使用するとダイボンデイングあるいはワ
イヤーボンデイング工程での不良品の発生及び完成した
半導体装置を信頼性の低下などの原因となる為、リード
フレーム製造後検査を行い不良品を排除する事が不可欠
となつている。
従来、この様なリードフレームの検査には、裸眼又は顕
微鏡を用いての目視により行なわれているのが通例であ
るが、多数の製品を検査するためには多大な人手を要
し、また、官能検査であるため、検査精度及び信頼性に
問題があった。
微鏡を用いての目視により行なわれているのが通例であ
るが、多数の製品を検査するためには多大な人手を要
し、また、官能検査であるため、検査精度及び信頼性に
問題があった。
この様な問題を解決するために、例えばリードフレーム
の横変形を検査する方法に関しては、ITVを用いてリー
ドフレームを透過照明で撮影して得たビデオ信号を基準
パターン又は隣接するパターンを同様に撮影して得た信
号と比較して変形を検出する方法が、また、部分メツキ
部分の検査に関しては、反射照明を用いて同様の処理を
行ってメツキ部の位置不良を検出する方法が、そして上
下変形の検査に関しては、光学式非接触高さ測定器を用
いた方法、などがそれぞれ提案されている。
の横変形を検査する方法に関しては、ITVを用いてリー
ドフレームを透過照明で撮影して得たビデオ信号を基準
パターン又は隣接するパターンを同様に撮影して得た信
号と比較して変形を検出する方法が、また、部分メツキ
部分の検査に関しては、反射照明を用いて同様の処理を
行ってメツキ部の位置不良を検出する方法が、そして上
下変形の検査に関しては、光学式非接触高さ測定器を用
いた方法、などがそれぞれ提案されている。
しかして、これらの方法によれば、各々個別には目的を
達らされるものの検査項目毎に異なる方法を用いなけれ
ばならないから、検査工程が複雑になり、また、ITVを
用いた方法では、リードフレームに付着したゴミやキズ
等不良原因とならないものを検出して不良判定する場合
があり、さらに、非接触高さ測定器を用いた方法では、
測定点がパターンのエツジ上にあるときに測定値が不安
定となるなど信頼性の面で問題が多く、実用化が困難で
あった。
達らされるものの検査項目毎に異なる方法を用いなけれ
ばならないから、検査工程が複雑になり、また、ITVを
用いた方法では、リードフレームに付着したゴミやキズ
等不良原因とならないものを検出して不良判定する場合
があり、さらに、非接触高さ測定器を用いた方法では、
測定点がパターンのエツジ上にあるときに測定値が不安
定となるなど信頼性の面で問題が多く、実用化が困難で
あった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、一工
程でリードフレームの横変形、縦変形、それにメッキの
有無などの表面状態の全ての検査を高い信頼性のもとで
行なうことができるリードフレームの検査方法を提供す
るにある。
程でリードフレームの横変形、縦変形、それにメッキの
有無などの表面状態の全ての検査を高い信頼性のもとで
行なうことができるリードフレームの検査方法を提供す
るにある。
この目的を達成するため、本発明は、検査すべきリード
フレームの面を光スポツトで走査し、このときの透過光
と走査位置によりリードフレームの横変形を検出し、こ
のときのリードフレームによる反射光の量によりリード
フレームの表面状態を検出し、さらに、このときのリー
ドフレーム上での光スポツトの像を、この光スポツトの
照射光軸に対して斜めの方向に投影結像したときの結像
位置の変位による光学的三角測量方式にもとずく計測に
よりリードフレームの上下変形を検出するようにした点
を特徴とする。
フレームの面を光スポツトで走査し、このときの透過光
と走査位置によりリードフレームの横変形を検出し、こ
のときのリードフレームによる反射光の量によりリード
フレームの表面状態を検出し、さらに、このときのリー
ドフレーム上での光スポツトの像を、この光スポツトの
照射光軸に対して斜めの方向に投影結像したときの結像
位置の変位による光学的三角測量方式にもとずく計測に
よりリードフレームの上下変形を検出するようにした点
を特徴とする。
以下、本発明によるリードフレームの検査方法につい
て、図示の実施例により詳細に説明する。
て、図示の実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例で、図において、７は光源側
検出部、８は点光源として働く半導体レーザ、９は光ス
ポツト照射用のレンズ、10は光スポツトの像を結像する
レンズ、11は一次元入射位置検出素子として働くPSD
（半導体位置検出素子）、12はPSD11からの信号S1,S2を
処理する信号処理部、13は透過検出部、14は集光用のレ
ンズ、15はフオトダイオード、光導動素子などからなる
受光素子、16は受光素子15の信号Ｔの信号処理部、17は
デジタルメモリからなる波形記憶装置、18はコンピユー
タなどからなる制御判定部、19は走査用のXYステージ、
20はXYステージ19を駆動するモータ、21はXYステージの
位置を検出するリニアエンコーダ、22は検査すべきリー
ドフレームである。
検出部、８は点光源として働く半導体レーザ、９は光ス
ポツト照射用のレンズ、10は光スポツトの像を結像する
レンズ、11は一次元入射位置検出素子として働くPSD
（半導体位置検出素子）、12はPSD11からの信号S1,S2を
処理する信号処理部、13は透過検出部、14は集光用のレ
ンズ、15はフオトダイオード、光導動素子などからなる
受光素子、16は受光素子15の信号Ｔの信号処理部、17は
デジタルメモリからなる波形記憶装置、18はコンピユー
タなどからなる制御判定部、19は走査用のXYステージ、
20はXYステージ19を駆動するモータ、21はXYステージの
位置を検出するリニアエンコーダ、22は検査すべきリー
ドフレームである。
次に、この実施例の動作について説明する。
まず、検出部７内の半導体レーザ８より射出された光は
レンズ９でリードフレーム22上に直径約100μｍの光ス
ポツトを形成する。この光スポツトの反射散乱光を照射
光軸に対して光軸を40゜の角度を持たせた受光レンズ10
で一次元位置検出用PSD11上に光スポットの像を形成す
る。PSD11は２個の出力端子をもち、それらから得られ
る信号S1,S2はPSD上に結像した光スポツトの光強度情報
とPSD上での結像位置情報を持ち、（S1＋S2）が光強
度、（S1−S2）／（S1＋S2）が位置の信号となる。そこ
で、このPSD11に接続されている信号処理部12は、PSDの
信号S1,S2に基づいて上記の演算を行った後、光学系及
びPSD11自体の受光特性の補正を行い、リードフレーム2
2上の光スポットの高さ及び散乱光強度に比例した信号
を出力する。
レンズ９でリードフレーム22上に直径約100μｍの光ス
ポツトを形成する。この光スポツトの反射散乱光を照射
光軸に対して光軸を40゜の角度を持たせた受光レンズ10
で一次元位置検出用PSD11上に光スポットの像を形成す
る。PSD11は２個の出力端子をもち、それらから得られ
る信号S1,S2はPSD上に結像した光スポツトの光強度情報
とPSD上での結像位置情報を持ち、（S1＋S2）が光強
度、（S1−S2）／（S1＋S2）が位置の信号となる。そこ
で、このPSD11に接続されている信号処理部12は、PSDの
信号S1,S2に基づいて上記の演算を行った後、光学系及
びPSD11自体の受光特性の補正を行い、リードフレーム2
2上の光スポットの高さ及び散乱光強度に比例した信号
を出力する。
一方、透過光検出器13は前記照射光がリードフレームパ
ターンの間を通過した光をレンズ14により受光素子15上
に入射させ信号処理16で透過光量に比例した信号STを17
及び18へ出力する。
ターンの間を通過した光をレンズ14により受光素子15上
に入射させ信号処理16で透過光量に比例した信号STを17
及び18へ出力する。
第３図はインナーリード２の先端部2aを光スポツトＳが
走査したときの各検出器12,16の信号の変化とリード先
端部2aとの位置関係を示す図で、図中でリード先端部2a
に施こしてある斜線部はメツキされている事を示す。ま
た、この図で、Ｔは透過光量の変化を示し実線はリード
の横変形がある部分を走査したときの信号、破線は変形
のない対応する部分を走査したときの信号を、TSは両者
の差を示し、Ｒは反射光量信号を、Ｈは高さ信号を示
す。
走査したときの各検出器12,16の信号の変化とリード先
端部2aとの位置関係を示す図で、図中でリード先端部2a
に施こしてある斜線部はメツキされている事を示す。ま
た、この図で、Ｔは透過光量の変化を示し実線はリード
の横変形がある部分を走査したときの信号、破線は変形
のない対応する部分を走査したときの信号を、TSは両者
の差を示し、Ｒは反射光量信号を、Ｈは高さ信号を示
す。
透過光量信号Ｔは、パターンの水平位置情報と、光スポ
ツトとパターンエツジとの位置関係情報の双方を持ち、
水平変形のある部分Ａを走査したときの信号（実線）
と、あらかじめ変形のないリードフレームの対応する部
分Ｂを走査して記憶してあるデータ（破線）とを源算す
るとTSで示す様に変形発生している部分のみ値が大きく
なっている信号が得られ、これを所定のスライスレベル
と比較すれば水平変形があるか否かを検出する事ができ
る。
ツトとパターンエツジとの位置関係情報の双方を持ち、
水平変形のある部分Ａを走査したときの信号（実線）
と、あらかじめ変形のないリードフレームの対応する部
分Ｂを走査して記憶してあるデータ（破線）とを源算す
るとTSで示す様に変形発生している部分のみ値が大きく
なっている信号が得られ、これを所定のスライスレベル
と比較すれば水平変形があるか否かを検出する事ができ
る。
一方、アイランド１など、その変位量が問題になる部分
では、透過光量が50％となる点でのステージ座標信号に
よりパターンのエツジ座標を検出し、設計値等の基準値
と比較して変形量を検出する事ができる。また、透過光
量が０又は所定のスライスレベル以下となる位置で、光
スポツトの全て又は大部分がパターン上にある事を認識
できるから、これによりPSD11による検査を正しく行な
うタイミングを知ることができる。すなわち、反射光量
信号Ｒはメツキ面と非メツキ面の表面粗度の相異により
メツキ面上で大きく非メツキ面上で小さくなり、メツキ
の有無に関する情報をもつ。しかし、反射光量信号を一
定のレベルと比較するだけでは、光スポツトがリードの
中間にある場合にはメツキ無しの信号となり、パターン
エツジ上にある場合には、非メツキ部であっても端面で
の光散乱によりメツキ有りの信号となるため、前記の様
に透過光量信号Ｔにより光スポツトの全て又は大部分が
パターン上にある事を条件としてメツキ部非メツキ部の
反射光量レベルの中間値をスライスレベルとして比較す
れば、メツキの有無を確実に検出でき、例えば部分メツ
キ指定領域境界線の内側を走査しているときにメツキ無
しの信号が検出されればメツキ位置不良を検出した事に
なる。
では、透過光量が50％となる点でのステージ座標信号に
よりパターンのエツジ座標を検出し、設計値等の基準値
と比較して変形量を検出する事ができる。また、透過光
量が０又は所定のスライスレベル以下となる位置で、光
スポツトの全て又は大部分がパターン上にある事を認識
できるから、これによりPSD11による検査を正しく行な
うタイミングを知ることができる。すなわち、反射光量
信号Ｒはメツキ面と非メツキ面の表面粗度の相異により
メツキ面上で大きく非メツキ面上で小さくなり、メツキ
の有無に関する情報をもつ。しかし、反射光量信号を一
定のレベルと比較するだけでは、光スポツトがリードの
中間にある場合にはメツキ無しの信号となり、パターン
エツジ上にある場合には、非メツキ部であっても端面で
の光散乱によりメツキ有りの信号となるため、前記の様
に透過光量信号Ｔにより光スポツトの全て又は大部分が
パターン上にある事を条件としてメツキ部非メツキ部の
反射光量レベルの中間値をスライスレベルとして比較す
れば、メツキの有無を確実に検出でき、例えば部分メツ
キ指定領域境界線の内側を走査しているときにメツキ無
しの信号が検出されればメツキ位置不良を検出した事に
なる。
同様に高さ信号Ｈも図示の様に光スポツトがパターンの
間にある場合は値が不定となり、また、エツジ上では端
面の反射光の影響及びPSD上に結像した光スポツトの輝
度分布が変化するために測定誤差を生ずるが、前記のメ
ツキの有無の検出の場合と同様に、光スポツトの全ての
又は大部分がパターン上にある事を条件として高さ検出
を行えば常に正確な値が得られ、基準値、例えばダム中
央部の高さ等と比較することにより上下変形が検出でき
る。
間にある場合は値が不定となり、また、エツジ上では端
面の反射光の影響及びPSD上に結像した光スポツトの輝
度分布が変化するために測定誤差を生ずるが、前記のメ
ツキの有無の検出の場合と同様に、光スポツトの全ての
又は大部分がパターン上にある事を条件として高さ検出
を行えば常に正確な値が得られ、基準値、例えばダム中
央部の高さ等と比較することにより上下変形が検出でき
る。
ここで、PSD11による上下変形検出の原理について、さ
らに詳しく説明する。
らに詳しく説明する。
第４図に示すように、半導体レーザ８からレンズ９を介
してビーム先端部2aに照射された光スポツトの像はレン
ズ10によってPSD11の検出面上の位置（イ）に結像され
ている。
してビーム先端部2aに照射された光スポツトの像はレン
ズ10によってPSD11の検出面上の位置（イ）に結像され
ている。
この状態でリード先端部2aが実線の位置から破線の位置
に移ったとすれば、このときにはPSD11上の光スポツト
像の位置は（ロ）に変位する。
に移ったとすれば、このときにはPSD11上の光スポツト
像の位置は（ロ）に変位する。
従って、PSD11により光スポツト像の移動距離ｌを検出
してやれば、リードフレームの上下変形ｈを測定するこ
とができるのである。
してやれば、リードフレームの上下変形ｈを測定するこ
とができるのである。
ところで、このときの光軸L1とL2のなす角度θは、90度
未満に保つ必要があり、実用上は上記実施例のように40
度付近にするのが望ましい。
未満に保つ必要があり、実用上は上記実施例のように40
度付近にするのが望ましい。
なお、このような一次元光入社位置検出手段としてのPS
Dについては、例えば、「電子材料」1980年２月号など
により公知である。
Dについては、例えば、「電子材料」1980年２月号など
により公知である。
以上が本発明の実施例による上下変形、横変形及びメツ
キ位置不良を検出する方法の説明である。
キ位置不良を検出する方法の説明である。
次に、本発明の実施例によりリードフレームを検査する
場合のさらに具体的な動作について説明する。第５図は
リードフレーム22のパターン上を走査して変形及びメツ
キ位置不良の検査を行う例を示したもので、図中斜線部
はメツキされている領域を示す。
場合のさらに具体的な動作について説明する。第５図は
リードフレーム22のパターン上を走査して変形及びメツ
キ位置不良の検査を行う例を示したもので、図中斜線部
はメツキされている領域を示す。
この図において、30〜46は走査径路を示す点で、まず、
30は走査開始点で、点30−31でダム部両端のＸ座標を、
点31−32でインナーリード２の両端のＹ座標を検出し、
各々の中点を求めてリードフレームの原点座標とし、以
後の走査経路がリードフレームの座標系で定められた経
路となる用に補正を行う。また、点30−31の走査デダム
部の高さを測定し、高さの基準値とする。点33−34−35
−36−33の経路はインナーリード先端部の水平及び上下
方向の変形を検出する部分で、水平変形に関しては点33
の座標からリニアエンコーダ21の信号により移動距離10
μｍ毎の透過光量信号をあらかじめ変形のないリードフ
レームの同一の経路を走査して得た同一の場所の透過光
量データと比較し、その差が所定のレベル以上の部分を
変形不良と判定する。
30は走査開始点で、点30−31でダム部両端のＸ座標を、
点31−32でインナーリード２の両端のＹ座標を検出し、
各々の中点を求めてリードフレームの原点座標とし、以
後の走査経路がリードフレームの座標系で定められた経
路となる用に補正を行う。また、点30−31の走査デダム
部の高さを測定し、高さの基準値とする。点33−34−35
−36−33の経路はインナーリード先端部の水平及び上下
方向の変形を検出する部分で、水平変形に関しては点33
の座標からリニアエンコーダ21の信号により移動距離10
μｍ毎の透過光量信号をあらかじめ変形のないリードフ
レームの同一の経路を走査して得た同一の場所の透過光
量データと比較し、その差が所定のレベル以上の部分を
変形不良と判定する。
また、上下変形に関しては透過光量レベルが所定のレベ
ル以下のときの高さ信号と基準値との差が所定のレベル
以上の部分を上下変形不良と判定する。
ル以下のときの高さ信号と基準値との差が所定のレベル
以上の部分を上下変形不良と判定する。
次に、点37−38−39−40−41の経路はメツキ部の検査を
行う経路で、指定されているメツキ領域境界線の100μ
ｍ程度内側を走査する。この経路で透過光量が所定レベ
ル以下のときに反射光量がメツキ有無判定レベル以下の
所が検出されたときにメツキ位置不良と判定する。
行う経路で、指定されているメツキ領域境界線の100μ
ｍ程度内側を走査する。この経路で透過光量が所定レベ
ル以下のときに反射光量がメツキ有無判定レベル以下の
所が検出されたときにメツキ位置不良と判定する。
また、点41−42−43−44−45−46はアイランド部の検査
経路で、点41−42及び点45−46で検出される二つのＸ座
標の平均値と基準値の差がアイランドのＸ方向の変形量
となり、２つのＸ座標の差がアイランドの回転量とな
る。
経路で、点41−42及び点45−46で検出される二つのＸ座
標の平均値と基準値の差がアイランドのＸ方向の変形量
となり、２つのＸ座標の差がアイランドの回転量とな
る。
一方、点42−43及び点44−45で検出される２つのＹ座標
の平均値と基準値との差がＹ方向の変形量となる。
の平均値と基準値との差がＹ方向の変形量となる。
さらに、点41−45の走査に測定するアイランド４隅の高
さの平均値と基準値の差がアイランドの上下変形量、４
隅の高さと最大値と最小値の差がアイランドの傾き量と
なり、各々の変形量を交差として比較して良、不良の判
定を行う。
さの平均値と基準値の差がアイランドの上下変形量、４
隅の高さと最大値と最小値の差がアイランドの傾き量と
なり、各々の変形量を交差として比較して良、不良の判
定を行う。
ところで、以上の例は、インナーリード及びアイランド
部の変形と、メツキ位置不良を検査する場合を示したも
のであるが、これ以外にアウターリード、外枠部などを
走査経路中に設定すればリードフレームの全体的なソ
リ、ネジレなども検出可能であり、また、検査不要な部
分を省略すれば検査時間を短縮する事もできる。
部の変形と、メツキ位置不良を検査する場合を示したも
のであるが、これ以外にアウターリード、外枠部などを
走査経路中に設定すればリードフレームの全体的なソ
リ、ネジレなども検出可能であり、また、検査不要な部
分を省略すれば検査時間を短縮する事もできる。
以上説明した様に、本発明によれば、リードフレームの
変形不良及びメツキ位置不良が一組の検出系で自動的
に、かつ、一工程で検査でき、かつ、線走査であるため
にゴミ、キズによる誤検出の確立も非常に小さく、検査
精度と信頼性の向上が容易に得られる。
変形不良及びメツキ位置不良が一組の検出系で自動的
に、かつ、一工程で検査でき、かつ、線走査であるため
にゴミ、キズによる誤検出の確立も非常に小さく、検査
精度と信頼性の向上が容易に得られる。
第１図は本発明にかかるリードフレームの検査方法の一
実施例を示すブロツク図、第２図はリードフレームの一
例を示す平面図、第３図は本発明の一実施例の動作を示
す波形図、第４図は本発明の一実施例における上下変形
の検出原理を示す説明図、第５図は本発明の一実施例に
おける動作をさらに具体的に示した説明図である。 １……アイランド、２……インナーリード、３……ダ
ム、４……アウターリード、５……外枠、６……部分メ
ツキ領域、７……光源側検出部、８……半導体レーザ、
9,10,14……レンズ、11……PSD、12……信号処理部、13
……透過光量検出器、15……受光素子、16……信号処理
部、17……波形記憶装置、18……制御判定部、19……XY
ステージ、20……モータ、21……リニアエンコーダ、22
……リードフレーム、Ｌ……光スポツト、Ａ……変形し
たインナーリード、Ｂ……変形していないインナーリー
ド、Ｔ……透過光量信号、Ｒ……反射光量信号、Ｈ……
高さ信号、TS……横変形信号、30〜46……リードフレー
ム上の走査点。
実施例を示すブロツク図、第２図はリードフレームの一
例を示す平面図、第３図は本発明の一実施例の動作を示
す波形図、第４図は本発明の一実施例における上下変形
の検出原理を示す説明図、第５図は本発明の一実施例に
おける動作をさらに具体的に示した説明図である。 １……アイランド、２……インナーリード、３……ダ
ム、４……アウターリード、５……外枠、６……部分メ
ツキ領域、７……光源側検出部、８……半導体レーザ、
9,10,14……レンズ、11……PSD、12……信号処理部、13
……透過光量検出器、15……受光素子、16……信号処理
部、17……波形記憶装置、18……制御判定部、19……XY
ステージ、20……モータ、21……リニアエンコーダ、22
……リードフレーム、Ｌ……光スポツト、Ａ……変形し
たインナーリード、Ｂ……変形していないインナーリー
ド、Ｔ……透過光量信号、Ｒ……反射光量信号、Ｈ……
高さ信号、TS……横変形信号、30〜46……リードフレー
ム上の走査点。
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレームの形状と表面状態を光学的
に検出する方式のリードフレームの検査方法において、
リードフレームの表面状態を検査すべき方の面に垂直に
光スポツトを照射する光源手段と、このリードフレーム
をはさんで上記光源手段と反対側に延びる光スポツトの
光軸上に位置する受光手段と、上記リードフレーム上に
照射された光スポツトの像をこの光スポツトの照射光軸
に対して90度未満の所定の角度方向の所定の位置に結像
させる結像光学手段と、この結像光学手段による上記光
スポツトの像の結像位置近傍に位置する一次元光入射位
置検出手段と、上記光スポツトの光軸を上記リードフレ
ームの面に沿つて相対的に移動させる走査手段と、この
走査手段による相対的な移動量を検出する計測手段とを
設け、上記受光手段の出力信号と上記計測手段の出力信
号によりリードフレームの面方向内での変形を検出し、
上記一次元光入射位置検出手段の出力信号によりリード
フレームの面方向に対して垂直な方向での変形と表面状
態とを検出するように構成したことを特徴とするリード
フレームの検査方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、上記光源
手段が半導体レーザで、上記一次元光入射位置検出手段
が半導体位置検出素子でそれぞれ構成されていることを
特徴とするリードフレームの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092229A JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60092229A JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252653A JPS61252653A (ja) | 1986-11-10 |
| JPH0666401B2 true JPH0666401B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14048605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60092229A Expired - Lifetime JPH0666401B2 (ja) | 1985-05-01 | 1985-05-01 | リ−ドフレ−ムの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666401B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01311256A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 形状検査装置 |
| JPH0770872B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1995-07-31 | 富士機械製造株式会社 | 電子部品実装装置 |
| DE69321405T2 (de) * | 1992-07-10 | 1999-05-12 | Sharp K.K., Osaka | Dokumentengrösseerkennungssystem zu verwenden in einem Dokumentenleser |
-
1985
- 1985-05-01 JP JP60092229A patent/JPH0666401B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61252653A (ja) | 1986-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |