JPH0666592A - 磁気検出ヘッド - Google Patents
磁気検出ヘッドInfo
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- JPH0666592A JPH0666592A JP22170692A JP22170692A JPH0666592A JP H0666592 A JPH0666592 A JP H0666592A JP 22170692 A JP22170692 A JP 22170692A JP 22170692 A JP22170692 A JP 22170692A JP H0666592 A JPH0666592 A JP H0666592A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子を有する磁気検出ヘッドにおい
て、強度を増加し且つ外気の温度変化の影響を少なくす
ることを目的とする。 【構成】 磁気検出ヘッドは磁気抵抗素子が装着された
第１の絶縁基板と第２の絶縁基板とを有し、上記２つの
絶縁基板は各々の磁気抵抗素子が装着された面が向かい
合うように重ね合わされている。
て、強度を増加し且つ外気の温度変化の影響を少なくす
ることを目的とする。 【構成】 磁気検出ヘッドは磁気抵抗素子が装着された
第１の絶縁基板と第２の絶縁基板とを有し、上記２つの
絶縁基板は各々の磁気抵抗素子が装着された面が向かい
合うように重ね合わされている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気式リニアエ
ンコーダに使用して好適な磁気検出ヘッドに関する。
ンコーダに使用して好適な磁気検出ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の磁気式リニアエンコーダ
の例を示す。磁気式リニアエンコーダは、長尺の平板型
の磁気スケール１０と、斯かる磁気スケール１０に対し
て相対的に移動することができる磁気検出ヘッド１８
と、信号処理手段３０とを有する。磁気スケール１０は
ベース１２と斯かるベース１２上に装着された磁性媒体
１４とを有し、斯かる磁性媒体１４には磁気目盛１６が
形成されている。
の例を示す。磁気式リニアエンコーダは、長尺の平板型
の磁気スケール１０と、斯かる磁気スケール１０に対し
て相対的に移動することができる磁気検出ヘッド１８
と、信号処理手段３０とを有する。磁気スケール１０は
ベース１２と斯かるベース１２上に装着された磁性媒体
１４とを有し、斯かる磁性媒体１４には磁気目盛１６が
形成されている。
【０００３】磁気検出ヘッド１８は検出部２０と該検出
部２０を支持するホルダ２４とを有し、検出部２０の表
面には磁気抵抗素子（ＭＲセンサ）が装着されており、
斯かる磁気抵抗素子は磁気目盛１６に対面するように配
置されている。磁気検出ヘッド１８が図示の矢印Ｌの方
向に磁気目盛１６に沿って相対的に移動すると、磁気抵
抗素子によって生成された出力電圧が信号処理手段３０
に供給される。信号処理手段３０は、例えばプリアンプ
３２と検出回路３４とを有し、磁気抵抗素子からの電圧
信号に基づいて磁気検出ヘッド１８の相対的変位量を検
出するように構成されている。
部２０を支持するホルダ２４とを有し、検出部２０の表
面には磁気抵抗素子（ＭＲセンサ）が装着されており、
斯かる磁気抵抗素子は磁気目盛１６に対面するように配
置されている。磁気検出ヘッド１８が図示の矢印Ｌの方
向に磁気目盛１６に沿って相対的に移動すると、磁気抵
抗素子によって生成された出力電圧が信号処理手段３０
に供給される。信号処理手段３０は、例えばプリアンプ
３２と検出回路３４とを有し、磁気抵抗素子からの電圧
信号に基づいて磁気検出ヘッド１８の相対的変位量を検
出するように構成されている。
【０００４】図８は磁気抵抗素子を含むブリッジ回路の
例を示す。この例では、検出部２０は２チャンネルより
構成されており、第１のチャンネルには２対の磁気抵抗
素子２１１、２１２及び２１３、２１４が含まれ、第２
のチャンネルには２対の磁気抵抗素子２２１、２２２及
び２２３、２２４が含まれている。第１のチャンネルの
４つの磁気抵抗素子２１１、２１２、２１３、２１４は
第１のブリッジ回路を形成し、第２のチャンネルの４つ
の磁気抵抗素子２２１、２２２、２２３、２２４は第２
のブリッジ回路を形成している。
例を示す。この例では、検出部２０は２チャンネルより
構成されており、第１のチャンネルには２対の磁気抵抗
素子２１１、２１２及び２１３、２１４が含まれ、第２
のチャンネルには２対の磁気抵抗素子２２１、２２２及
び２２３、２２４が含まれている。第１のチャンネルの
４つの磁気抵抗素子２１１、２１２、２１３、２１４は
第１のブリッジ回路を形成し、第２のチャンネルの４つ
の磁気抵抗素子２２１、２２２、２２３、２２４は第２
のブリッジ回路を形成している。
【０００５】これらのブリッジ回路の各磁気抵抗素子に
は入力端子４３ａ、４３ｂを経由して駆動電圧が印加さ
れる。第１のブリッジ回路の出力電圧ｅ1 、ｅ2 は第１
の入力アンプ（プリアンプ）４１に入力され、第２のブ
リッジ回路の出力電圧ｅ3 、ｅ4 は第２の入力アンプ
（プリアンプ）４２に入力される。
は入力端子４３ａ、４３ｂを経由して駆動電圧が印加さ
れる。第１のブリッジ回路の出力電圧ｅ1 、ｅ2 は第１
の入力アンプ（プリアンプ）４１に入力され、第２のブ
リッジ回路の出力電圧ｅ3 、ｅ4 は第２の入力アンプ
（プリアンプ）４２に入力される。
【０００６】２つの入力アンプ（プリアンプ）４１、４
２からはそれぞれ出力端子４１ａ、４２ａを経由して出
力信号Ｅ1 、Ｅ2 が出力される。これらの出力信号は互
いに位相が異なる正弦波信号であり、両者を演算するこ
とによって磁気スケール１０に対する磁気検出ヘッド１
８の相対的変位量の検出及び変位方向の分別がなされ
る。
２からはそれぞれ出力端子４１ａ、４２ａを経由して出
力信号Ｅ1 、Ｅ2 が出力される。これらの出力信号は互
いに位相が異なる正弦波信号であり、両者を演算するこ
とによって磁気スケール１０に対する磁気検出ヘッド１
８の相対的変位量の検出及び変位方向の分別がなされ
る。
【０００７】図９は磁気検出ヘッド１８の検出部２０の
例を示し、１対の磁気抵抗素子２２、２２を含む１チャ
ンネルに対応した部分を示す。検出部２０は絶縁基板７
２と斯かる絶縁基板７２上に配置された磁気抵抗素子２
２と斯かる磁気抵抗素子２２を他の電子部品に接続する
リード線４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄ、４８Ｅとを
有し、その上に保護用のガラス膜７４が装着されてい
る。
例を示し、１対の磁気抵抗素子２２、２２を含む１チャ
ンネルに対応した部分を示す。検出部２０は絶縁基板７
２と斯かる絶縁基板７２上に配置された磁気抵抗素子２
２と斯かる磁気抵抗素子２２を他の電子部品に接続する
リード線４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄ、４８Ｅとを
有し、その上に保護用のガラス膜７４が装着されてい
る。
【０００８】尚、検出部２０は、絶縁基板７２に導電体
金属薄膜を装着し、斯かる導電体金属薄膜は感磁部とリ
ード部からなるパターンとして形成することによって構
成してよい。斯かる場合、感磁部は磁気抵抗素子２２を
構成しリード部はリード線４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４
８Ｄ、４８Ｅを構成する。
金属薄膜を装着し、斯かる導電体金属薄膜は感磁部とリ
ード部からなるパターンとして形成することによって構
成してよい。斯かる場合、感磁部は磁気抵抗素子２２を
構成しリード部はリード線４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４
８Ｄ、４８Ｅを構成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図９に示す如き従来の
磁気検出ヘッドの検出部２０は以下のような問題点を有
していた。
磁気検出ヘッドの検出部２０は以下のような問題点を有
していた。
【００１０】（１）機械的強度が低い。位置検出装置は
例えば工作機械に取り付けて機械の定点位置又は相対的
移動量の検出に使用されることがある。磁気検出ヘッド
１８には上述のように保護用ガラス膜７４が装着されて
おり、それによって切り粉、切削油等より保護されるよ
うに構成されている。
例えば工作機械に取り付けて機械の定点位置又は相対的
移動量の検出に使用されることがある。磁気検出ヘッド
１８には上述のように保護用ガラス膜７４が装着されて
おり、それによって切り粉、切削油等より保護されるよ
うに構成されている。
【００１１】しかしながら、斯かる保護用のガラス膜７
４は厚さが５〜２０μｍ程度で極めて薄いから、切り粉
等によって容易に傷つけられ、又は熱膨張や振動等によ
って割れ目が生ずることがあり、そこから切削油等が進
入することがあり、切り粉、切削油等を完全に遮断する
ことはできない。切削油等が磁気抵抗素子２２に接触す
ると、磁気抵抗素子２２の電気抵抗が変化し磁気検出ヘ
ッド１８の機能を損なうこととなる。
４は厚さが５〜２０μｍ程度で極めて薄いから、切り粉
等によって容易に傷つけられ、又は熱膨張や振動等によ
って割れ目が生ずることがあり、そこから切削油等が進
入することがあり、切り粉、切削油等を完全に遮断する
ことはできない。切削油等が磁気抵抗素子２２に接触す
ると、磁気抵抗素子２２の電気抵抗が変化し磁気検出ヘ
ッド１８の機能を損なうこととなる。
【００１２】（２）外気温度の変化の影響を受け易い。
磁気抵抗素子２２は薄いガラス膜７４で覆われているだ
けで外気に接触している。従って、磁気抵抗素子２２は
外気の温度の影響を受け易く、外気の温度が変化すると
それによってその電気抵抗が変化する。こうして磁気抵
抗素子２２の電気抵抗が変化すると、磁気検出ヘッド１
８の出力が変化して誤差の原因となる。
磁気抵抗素子２２は薄いガラス膜７４で覆われているだ
けで外気に接触している。従って、磁気抵抗素子２２は
外気の温度の影響を受け易く、外気の温度が変化すると
それによってその電気抵抗が変化する。こうして磁気抵
抗素子２２の電気抵抗が変化すると、磁気検出ヘッド１
８の出力が変化して誤差の原因となる。
【００１３】本発明は、斯かる点に鑑み、磁気抵抗素子
２２を有する磁気検出ヘッド１８において、機械的強度
が高く且つ外気温度の変化の影響を受けることが少ない
磁気検出ヘッドを提供することを目的とする。
２２を有する磁気検出ヘッド１８において、機械的強度
が高く且つ外気温度の変化の影響を受けることが少ない
磁気検出ヘッドを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に依れば、例えば
図１に示すように、信号磁場に対する相対的変位量を検
出するための磁気検出ヘッドにおいて、磁気抵抗素子２
２が装着された第１の絶縁基板７２Ａと第２の絶縁基板
７２Ｂとを有し、２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々
の磁気抵抗素子２２が装着された面が向かい合うように
重ねられている。
図１に示すように、信号磁場に対する相対的変位量を検
出するための磁気検出ヘッドにおいて、磁気抵抗素子２
２が装着された第１の絶縁基板７２Ａと第２の絶縁基板
７２Ｂとを有し、２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々
の磁気抵抗素子２２が装着された面が向かい合うように
重ねられている。
【００１５】本発明に依れば、例えば図１に示すよう
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁気抵抗素子２２を有
し、第２の絶縁基板７２Ｂは第２のチャンネルＣＨ２の
１対の磁気抵抗素子２２を有し、第１のチャンネルＣＨ
１の１つの磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２の１
つの磁気抵抗素子とは磁気検出ヘッドの変位方向に対し
て略同一位置に配置されている。
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁気抵抗素子２２を有
し、第２の絶縁基板７２Ｂは第２のチャンネルＣＨ２の
１対の磁気抵抗素子２２を有し、第１のチャンネルＣＨ
１の１つの磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２の１
つの磁気抵抗素子とは磁気検出ヘッドの変位方向に対し
て略同一位置に配置されている。
【００１６】本発明に依れば、例えば図３に示すよう
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁気抵抗素子と第２の
チャンネルＣＨ２の１対の磁気抵抗素子とを有し、第２
の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁
気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２の１対の磁気抵抗
素子とを有し、磁気検出ヘッドによって検出される信号
磁場の記録波長の周期を２λとしｎを負でない整数とし
て、第１のチャンネルＣＨ１の磁気抵抗素子は磁気検出
ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／２）λ
だけ隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子
は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋
１／２）λだけ隔置され、第１のチャンネルＣＨ１と第
２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子の各々は磁気検出
ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／４）λ
だけ隔置されて配置されている。
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁気抵抗素子と第２の
チャンネルＣＨ２の１対の磁気抵抗素子とを有し、第２
の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１の１対の磁
気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２の１対の磁気抵抗
素子とを有し、磁気検出ヘッドによって検出される信号
磁場の記録波長の周期を２λとしｎを負でない整数とし
て、第１のチャンネルＣＨ１の磁気抵抗素子は磁気検出
ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／２）λ
だけ隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子
は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋
１／２）λだけ隔置され、第１のチャンネルＣＨ１と第
２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子の各々は磁気検出
ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／４）λ
だけ隔置されて配置されている。
【００１７】本発明に依れば、例えば図４に示すよう
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第２のチャンネルＣＨ２の２対の磁気抵抗素子を有し、
第２の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１の２対
の磁気抵抗素子を有し、磁気検出ヘッドによって検出さ
れる信号磁場の記録波長の周期を２λとしｎを負でない
整数として、第１のチャンネルＣＨ１の磁気抵抗素子は
磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１
／２）λだけ隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の磁気
抵抗素子は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに
（ｎ／２＋１／２）λだけ隔置され、第１のチャンネル
ＣＨ１と第２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子は磁気
検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／
４）λだけ隔置されて配置されている。
に、磁気検出ヘッドにおいて、第１の絶縁基板７２Ａは
第２のチャンネルＣＨ２の２対の磁気抵抗素子を有し、
第２の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１の２対
の磁気抵抗素子を有し、磁気検出ヘッドによって検出さ
れる信号磁場の記録波長の周期を２λとしｎを負でない
整数として、第１のチャンネルＣＨ１の磁気抵抗素子は
磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１
／２）λだけ隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の磁気
抵抗素子は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに
（ｎ／２＋１／２）λだけ隔置され、第１のチャンネル
ＣＨ１と第２のチャンネルＣＨ２の磁気抵抗素子は磁気
検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／
４）λだけ隔置されて配置されている。
【００１８】本発明に依れば、磁気検出ヘッドにおい
て、第１の絶縁基板７２Ａと第２の絶縁基板７２Ｂとの
間には熱伝導率が高い物質が配置されている。
て、第１の絶縁基板７２Ａと第２の絶縁基板７２Ｂとの
間には熱伝導率が高い物質が配置されている。
【００１９】
【作用】本発明の磁気検出ヘッドは各々磁気抵抗素子が
装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂを含み、斯か
る２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の磁気抵抗素子
が装着された面が向かい合うように重ね合わされている
から、１枚の絶縁体基板７２上に導電体金属薄膜を装着
しその上に保護用のガラス膜７４を装着した従来の磁気
検出ヘッドに比較してより強度が高く且つ外気温度の変
化の影響を受け難い。
装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂを含み、斯か
る２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の磁気抵抗素子
が装着された面が向かい合うように重ね合わされている
から、１枚の絶縁体基板７２上に導電体金属薄膜を装着
しその上に保護用のガラス膜７４を装着した従来の磁気
検出ヘッドに比較してより強度が高く且つ外気温度の変
化の影響を受け難い。
【００２０】
【実施例】以下に図１〜図６を参照して本発明の実施例
について説明する。尚図１〜図６において図７〜図９の
対応する部分には同一の参照符号を付してその詳細な説
明は省略する。
について説明する。尚図１〜図６において図７〜図９の
対応する部分には同一の参照符号を付してその詳細な説
明は省略する。
【００２１】図１は本発明の磁気検出ヘッドの第１の例
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図１Ａに示
すように、本例の検出部２０は１対の絶縁基板７２Ａ、
７２Ｂを含み、これらの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂの互い
に向き合った面にはそれぞれ磁気抵抗素子２２が装着さ
れている。磁気抵抗素子２２は例えば導電体金属薄膜を
絶縁基板７２Ａ、７２Ｂに装着して形成されたものとし
て構成してよい。
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図１Ａに示
すように、本例の検出部２０は１対の絶縁基板７２Ａ、
７２Ｂを含み、これらの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂの互い
に向き合った面にはそれぞれ磁気抵抗素子２２が装着さ
れている。磁気抵抗素子２２は例えば導電体金属薄膜を
絶縁基板７２Ａ、７２Ｂに装着して形成されたものとし
て構成してよい。
【００２２】磁気抵抗素子２２にはリード線４８が形成
されており、斯かるリード線４８の先端には他の電子部
品のリード線に接続するための端子部が形成されてい
る。尚、リード線４８の先端にスルーホールを設けて基
板の反対側面にて、他の電子部品のリード線に接続する
ように構成してもよい。
されており、斯かるリード線４８の先端には他の電子部
品のリード線に接続するための端子部が形成されてい
る。尚、リード線４８の先端にスルーホールを設けて基
板の反対側面にて、他の電子部品のリード線に接続する
ように構成してもよい。
【００２３】本例によると、第１の絶縁基板７２Ａには
第１の対の磁気抵抗素子２２が装着され、第２の絶縁基
板７２Ｂには第２の対の磁気抵抗素子２２が装着されて
いる。
第１の対の磁気抵抗素子２２が装着され、第２の絶縁基
板７２Ｂには第２の対の磁気抵抗素子２２が装着されて
いる。
【００２４】２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは、磁気抵
抗素子２２が装着された面が互いに向き合った状態で重
ね合わされて、検出部２０が形成される。こうして２つ
の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂが重ね合わされたとき、２対
の磁気抵抗素子２２が略同一平面上に配置されるように
構成してよい。尚、２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは周
知の適当な方法によって接着されてよい。
抗素子２２が装着された面が互いに向き合った状態で重
ね合わされて、検出部２０が形成される。こうして２つ
の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂが重ね合わされたとき、２対
の磁気抵抗素子２２が略同一平面上に配置されるように
構成してよい。尚、２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは周
知の適当な方法によって接着されてよい。
【００２５】図１Ｂは斯くして形成された検出部２０に
含まれる２対の磁気抵抗素子を図示したものである。図
示のように、第１の絶縁基板７２Ａに装着された１対の
磁気抵抗素子に参照符号２１１、２１３を付し、第２の
絶縁基板７２Ｂに装着された１対の磁気抵抗素子に参照
符号２１２、２１４を付す。４つの磁気抵抗素子２１
１、２１２、２１３、２１４は、例えば、図８の上側に
示す如き第１のチャンネルＣＨ１のブリッジ回路を構成
するように接続されてよい。
含まれる２対の磁気抵抗素子を図示したものである。図
示のように、第１の絶縁基板７２Ａに装着された１対の
磁気抵抗素子に参照符号２１１、２１３を付し、第２の
絶縁基板７２Ｂに装着された１対の磁気抵抗素子に参照
符号２１２、２１４を付す。４つの磁気抵抗素子２１
１、２１２、２１３、２１４は、例えば、図８の上側に
示す如き第１のチャンネルＣＨ１のブリッジ回路を構成
するように接続されてよい。
【００２６】本例によれば、図１Ｂに示すように、第１
の絶縁基板７２Ａに装着された１つの磁気抵抗素子２１
３と第２の絶縁基板７２Ｂに装着された１つの磁気抵抗
素子２１２とは整合して配置されている。図１Ａに示す
ように、磁気スケールに対して磁気検出ヘッドが相対的
に移動する方向をｘ軸にとり、それに垂直な方向をｙ軸
にとる。そうすると、第１の絶縁基板７２Ａの磁気抵抗
素子２１３と第２の絶縁基板７２Ｂの磁気抵抗素子２１
２とはｘ軸上にて略同一の位置に配置されている。
の絶縁基板７２Ａに装着された１つの磁気抵抗素子２１
３と第２の絶縁基板７２Ｂに装着された１つの磁気抵抗
素子２１２とは整合して配置されている。図１Ａに示す
ように、磁気スケールに対して磁気検出ヘッドが相対的
に移動する方向をｘ軸にとり、それに垂直な方向をｙ軸
にとる。そうすると、第１の絶縁基板７２Ａの磁気抵抗
素子２１３と第２の絶縁基板７２Ｂの磁気抵抗素子２１
２とはｘ軸上にて略同一の位置に配置されている。
【００２７】図１Ｂにおいて、各絶縁基板の磁気抵抗素
子に接続された端子に付された符号は図８の対応するブ
リッジ回路の接続部又は接続端子を示す。即ち、符号＋
及び−が付された端子はそれぞれ図８の入力端子４３
ａ、４３ｂに接続され、それを経由して駆動電圧が印加
される。符号ｅ1 、ｅ2 が付された端子は第１の入力ア
ンプ（プリアンプ）４１の入力側に接続される。
子に接続された端子に付された符号は図８の対応するブ
リッジ回路の接続部又は接続端子を示す。即ち、符号＋
及び−が付された端子はそれぞれ図８の入力端子４３
ａ、４３ｂに接続され、それを経由して駆動電圧が印加
される。符号ｅ1 、ｅ2 が付された端子は第１の入力ア
ンプ（プリアンプ）４１の入力側に接続される。
【００２８】次に図２を参照して図１に示した磁気検出
ヘッドの動作を説明する。図２Ａは磁性媒体の着磁部を
示しており、図２Ｂは斯かる着磁部によって生成される
磁界の強さφを示す。図２Ｃは第１の対の磁気抵抗素子
の出力電圧ｅ1 を示し、図２Ｄは第２の対の磁気抵抗素
子の出力電圧ｅ2 を示し、斯かる電圧は図８に示す第１
の入力アンプ（プリアンプ）４１に入力される。
ヘッドの動作を説明する。図２Ａは磁性媒体の着磁部を
示しており、図２Ｂは斯かる着磁部によって生成される
磁界の強さφを示す。図２Ｃは第１の対の磁気抵抗素子
の出力電圧ｅ1 を示し、図２Ｄは第２の対の磁気抵抗素
子の出力電圧ｅ2 を示し、斯かる電圧は図８に示す第１
の入力アンプ（プリアンプ）４１に入力される。
【００２９】図２Ｅは第１の入力アンプ（プリアンプ）
４１の出力電圧Ｅ1 を示す。図８に示すように、第１の
入力アンプ（プリアンプ）４１に対して第１の出力電圧
ｅ1はそのまま入力されるが、第２の出力電圧ｅ2 は反
転して入力される。従って、図２Ｅの出力電圧Ｅ1 は第
１の出力電圧ｅ1 と反転された第２の出力電圧ｅ2 との
和として表される。
４１の出力電圧Ｅ1 を示す。図８に示すように、第１の
入力アンプ（プリアンプ）４１に対して第１の出力電圧
ｅ1はそのまま入力されるが、第２の出力電圧ｅ2 は反
転して入力される。従って、図２Ｅの出力電圧Ｅ1 は第
１の出力電圧ｅ1 と反転された第２の出力電圧ｅ2 との
和として表される。
【００３０】図３に本発明の磁気検出ヘッドの第２の例
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図３Ａは第
１の絶縁基板７２Ａに装着された磁気抵抗素子の配列を
示し、図３Ｂは第２の絶縁基板７２Ｂに装着された磁気
抵抗素子の配列を示し、図３Ｃは２つの絶縁基板７２
Ａ、７２Ｂが張り合わされることによって重ね合わされ
た磁気抵抗素子の配列を示す。
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図３Ａは第
１の絶縁基板７２Ａに装着された磁気抵抗素子の配列を
示し、図３Ｂは第２の絶縁基板７２Ｂに装着された磁気
抵抗素子の配列を示し、図３Ｃは２つの絶縁基板７２
Ａ、７２Ｂが張り合わされることによって重ね合わされ
た磁気抵抗素子の配列を示す。
【００３１】第１の絶縁基板７２Ａは第１のチャンネル
ＣＨ１に含まれる１対の磁気抵抗素子と第２のチャンネ
ルＣＨ２に含まれる１対の磁気抵抗素子とを有し、第２
の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１に含まれる
１対の磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２に含まれ
る１対の磁気抵抗素子とを有する。
ＣＨ１に含まれる１対の磁気抵抗素子と第２のチャンネ
ルＣＨ２に含まれる１対の磁気抵抗素子とを有し、第２
の絶縁基板７２Ｂは第１のチャンネルＣＨ１に含まれる
１対の磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２に含まれ
る１対の磁気抵抗素子とを有する。
【００３２】この例では、図３Ｃに示す重ね合わされた
磁気抵抗素子を含む回路は、第１のチャンネルＣＨ１に
含まれる２対の磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２
に含まれる２対の磁気抵抗素子との合計８個の磁気抵抗
素子を含む。
磁気抵抗素子を含む回路は、第１のチャンネルＣＨ１に
含まれる２対の磁気抵抗素子と第２のチャンネルＣＨ２
に含まれる２対の磁気抵抗素子との合計８個の磁気抵抗
素子を含む。
【００３３】図１Ａに示す如く、磁気スケールに対して
磁気検出ヘッドが相対的に移動する方向をｘ軸にとる
と、これらの８個の磁気抵抗素子は、ｘ軸方向に沿って
互いに所定の間隔にて配置されている。即ち、第１のチ
ャンネルＣＨ１に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子の
間のｘ軸方向に沿った間隔をＬ1 とし、第２のチャンネ
ルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子との間の
ｘ軸方向に沿った間隔をＬ2 とすれば、斯かる間隔Ｌ1
及びＬ2 はいずれも次の数１の式によって求められる。
磁気検出ヘッドが相対的に移動する方向をｘ軸にとる
と、これらの８個の磁気抵抗素子は、ｘ軸方向に沿って
互いに所定の間隔にて配置されている。即ち、第１のチ
ャンネルＣＨ１に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子の
間のｘ軸方向に沿った間隔をＬ1 とし、第２のチャンネ
ルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子との間の
ｘ軸方向に沿った間隔をＬ2 とすれば、斯かる間隔Ｌ1
及びＬ2 はいずれも次の数１の式によって求められる。
【００３４】
【数１】Ｌ＝（ｎ／２＋１／２）λ λ：磁気スケールの記録波長の半周期 ｎ：負でない整数
【００３５】ここで磁気スケールの周期２λは図９に示
すように、磁気目盛りの隣接するＮ極とＮ極との間隔を
指し、したがって半周期λはその１／２の大きさを指
す。
すように、磁気目盛りの隣接するＮ極とＮ極との間隔を
指し、したがって半周期λはその１／２の大きさを指
す。
【００３６】例えば、図３Ａの左側の１対の磁気抵抗素
子２１１、２１３を第１のチャンネルＣＨ１とし、右側
の１対の磁気抵抗素子２２１、２２３を第２のチャンネ
ルＣＨ２とし、図３Ｂの左側の１対の磁気抵抗素子２２
２、２２４を第２のチャンネルＣＨ２とし、右側の１対
の磁気抵抗素子２１２、２１４を第１のチャンネルＣＨ
１とする。
子２１１、２１３を第１のチャンネルＣＨ１とし、右側
の１対の磁気抵抗素子２２１、２２３を第２のチャンネ
ルＣＨ２とし、図３Ｂの左側の１対の磁気抵抗素子２２
２、２２４を第２のチャンネルＣＨ２とし、右側の１対
の磁気抵抗素子２１２、２１４を第１のチャンネルＣＨ
１とする。
【００３７】次に、図３Ａに示すように、第１のチャン
ネルＣＨ１の磁気抵抗素子２１１、２１３は互いに間隔
Ｌ1 がλ／２にて隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の
磁気抵抗素子２２１、２２３は互いに間隔Ｌ2 がλ／２
にて隔置されて配置されている。第１のチャンネルＣＨ
１の磁気抵抗素子２１３と第２のチャンネルＣＨ２の磁
気抵抗素子２２１とはλ／４だけ隔置されている。
ネルＣＨ１の磁気抵抗素子２１１、２１３は互いに間隔
Ｌ1 がλ／２にて隔置され、第２のチャンネルＣＨ２の
磁気抵抗素子２２１、２２３は互いに間隔Ｌ2 がλ／２
にて隔置されて配置されている。第１のチャンネルＣＨ
１の磁気抵抗素子２１３と第２のチャンネルＣＨ２の磁
気抵抗素子２２１とはλ／４だけ隔置されている。
【００３８】同様に、図３Ｂに示すように、第１のチャ
ンネルＣＨ１の磁気抵抗素子２１２、２１４は互いに間
隔Ｌ1 がλ／２にて隔置され、第２のチャンネルＣＨ２
の磁気抵抗素子２２２、２２４は互いに間隔Ｌ2 がλ／
２にて隔置されて配置されている。第１のチャンネルＣ
Ｈ１の磁気抵抗素子２１２と第２のチャンネルＣＨ２の
磁気抵抗素子２２４とは（３／４）λだけ隔置されてい
る。
ンネルＣＨ１の磁気抵抗素子２１２、２１４は互いに間
隔Ｌ1 がλ／２にて隔置され、第２のチャンネルＣＨ２
の磁気抵抗素子２２２、２２４は互いに間隔Ｌ2 がλ／
２にて隔置されて配置されている。第１のチャンネルＣ
Ｈ１の磁気抵抗素子２１２と第２のチャンネルＣＨ２の
磁気抵抗素子２２４とは（３／４）λだけ隔置されてい
る。
【００３９】斯かる２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各
４個の磁気抵抗素子の中心線が一致するように重ね合わ
されて、図３Ｃに示すように、８個の磁気抵抗素子の配
列が形成される。こうして、第１のチャンネルＣＨ１に
含まれる任意の２つの磁気抵抗素子の間の間隔Ｌは数１
の式を充たすこととなり第２のチャンネルＣＨ２に含ま
れる任意の２つの磁気抵抗素子の間の間隔Ｌは数１の式
を充たすこととなる。更に、第１のチャンネルＣＨ１及
び第２のチャンネルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気
抵抗素子の間の間隔Ｌ’は次の数２の式を充たす。
４個の磁気抵抗素子の中心線が一致するように重ね合わ
されて、図３Ｃに示すように、８個の磁気抵抗素子の配
列が形成される。こうして、第１のチャンネルＣＨ１に
含まれる任意の２つの磁気抵抗素子の間の間隔Ｌは数１
の式を充たすこととなり第２のチャンネルＣＨ２に含ま
れる任意の２つの磁気抵抗素子の間の間隔Ｌは数１の式
を充たすこととなる。更に、第１のチャンネルＣＨ１及
び第２のチャンネルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気
抵抗素子の間の間隔Ｌ’は次の数２の式を充たす。
【００４０】
【数２】Ｌ’＝（ｎ／２＋１／４）λ λ：磁気スケールの記録波長の半周期 ｎ：負でない整数
【００４１】図３Ｃの８個の磁気抵抗素子の配列は、図
８に示されるブリッジ回路を形成する。
８に示されるブリッジ回路を形成する。
【００４２】図４に本発明の磁気検出ヘッドの第３の例
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図４Ａは第
１の絶縁基板７２Ａに装着された磁気抵抗素子の配列を
示し、図４Ｂは第２の絶縁基板７２Ｂに装着された磁気
抵抗素子の配列を示し、図４Ｃは２つの絶縁基板７２
Ａ、７２Ｂが重ね合わされたときの磁気抵抗素子の配列
を示す。
を示し、特にその検出部２０を詳細に示す。図４Ａは第
１の絶縁基板７２Ａに装着された磁気抵抗素子の配列を
示し、図４Ｂは第２の絶縁基板７２Ｂに装着された磁気
抵抗素子の配列を示し、図４Ｃは２つの絶縁基板７２
Ａ、７２Ｂが重ね合わされたときの磁気抵抗素子の配列
を示す。
【００４３】第１の絶縁基板７２Ａは第２のチャンネル
ＣＨ２に含まれる２対の磁気抵抗素子２２２、２２４、
２２１、２２３を有し、第２の絶縁基板７２Ｂは第１の
チャンネルＣＨ１に含まれる２対の磁気抵抗素子２１
１、２１３、２１２、２１４を有する。
ＣＨ２に含まれる２対の磁気抵抗素子２２２、２２４、
２２１、２２３を有し、第２の絶縁基板７２Ｂは第１の
チャンネルＣＨ１に含まれる２対の磁気抵抗素子２１
１、２１３、２１２、２１４を有する。
【００４４】図４Ｃに示す重ね合わされた磁気抵抗素子
の配列は図３Ｃに示した磁気抵抗素子の配列と同一であ
り、合計８個の磁気抵抗素子を含む。
の配列は図３Ｃに示した磁気抵抗素子の配列と同一であ
り、合計８個の磁気抵抗素子を含む。
【００４５】この第３の例でも、第１のチャンネルＣＨ
１に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子２１１、２１
３、２１２、２１４の間隔Ｌ1 と第２のチャンネルＣＨ
２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子２２２、２２
４、２２１、２２３の間隔Ｌ2 はいずれも上述の数１の
式を充たす。
１に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子２１１、２１
３、２１２、２１４の間隔Ｌ1 と第２のチャンネルＣＨ
２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子２２２、２２
４、２２１、２２３の間隔Ｌ2 はいずれも上述の数１の
式を充たす。
【００４６】更に、第１のチャンネルＣＨ１及び第２の
チャンネルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子
の間の間隔Ｌ’は上述の数２の式を充たす。図４Ｃの８
個の磁気抵抗素子の配列は、図８に示されるブリッジ回
路を形成する。
チャンネルＣＨ２に含まれる任意の２つの磁気抵抗素子
の間の間隔Ｌ’は上述の数２の式を充たす。図４Ｃの８
個の磁気抵抗素子の配列は、図８に示されるブリッジ回
路を形成する。
【００４７】次に、図５を参照して検出部２０の磁気抵
抗素子よりリード線を引き出す方法を説明する。図５Ａ
は、磁気スケール１０及び検出部２０をｘ軸（図１に示
す。）に垂直な面で切断した断面図であり、この例では
リード線は検出部２０の上側と下側より引き出されてい
る。２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは接着部２２Ｃにて
接着されており、第１の絶縁基板７２Ａには端子５４Ａ
よりリード線５２Ａが接続されており、第２の絶縁基板
７２Ｂには端子５４Ｂよりリード線５２Ｂが接続されて
いる。
抗素子よりリード線を引き出す方法を説明する。図５Ａ
は、磁気スケール１０及び検出部２０をｘ軸（図１に示
す。）に垂直な面で切断した断面図であり、この例では
リード線は検出部２０の上側と下側より引き出されてい
る。２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは接着部２２Ｃにて
接着されており、第１の絶縁基板７２Ａには端子５４Ａ
よりリード線５２Ａが接続されており、第２の絶縁基板
７２Ｂには端子５４Ｂよりリード線５２Ｂが接続されて
いる。
【００４８】図５Ｂは、磁気スケール１０及び検出部２
０を上側より見た平面図であり、この例ではリード線は
検出部２０の横側より引き出されている。
０を上側より見た平面図であり、この例ではリード線は
検出部２０の横側より引き出されている。
【００４９】図６は２つの絶縁基板７２Ａ、７２Ｂの接
着部２２Ｃの他の例を示す。この例では、２つの絶縁基
板７２Ａ、７２Ｂの接着部２２Ｃには適当な熱伝導体物
質が装着されている。熱伝導体物質としては熱伝導率の
高い材料が好ましく、例えば、銅、アルミニウム、シリ
コン等がある。図６Ｂに示すように、熱伝導体物質が配
置された接着部２２Ｃの周囲には適当なシール材５６が
装着されている。この例ではリード線５２Ａ、５２Ｂは
検出部２０の上側と下側より引き出されている。
着部２２Ｃの他の例を示す。この例では、２つの絶縁基
板７２Ａ、７２Ｂの接着部２２Ｃには適当な熱伝導体物
質が装着されている。熱伝導体物質としては熱伝導率の
高い材料が好ましく、例えば、銅、アルミニウム、シリ
コン等がある。図６Ｂに示すように、熱伝導体物質が配
置された接着部２２Ｃの周囲には適当なシール材５６が
装着されている。この例ではリード線５２Ａ、５２Ｂは
検出部２０の上側と下側より引き出されている。
【００５０】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００５１】例えば、以上にリニアエンコーダについて
説明したが本発明はロータリエンコーダ等にも適用する
ことも可能である。
説明したが本発明はロータリエンコーダ等にも適用する
ことも可能である。
【００５２】
【発明の効果】本発明によると、磁気検出ヘッドは各々
磁気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２
Ｂを含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々
の磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね
合わされているから、１枚の絶縁体基板７２上に導電体
金属薄膜を装着しその上に保護用のガラス膜７４を装着
した従来の磁気検出ヘッドに比較してより強度が高くな
る利点がある。
磁気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２
Ｂを含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々
の磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね
合わされているから、１枚の絶縁体基板７２上に導電体
金属薄膜を装着しその上に保護用のガラス膜７４を装着
した従来の磁気検出ヘッドに比較してより強度が高くな
る利点がある。
【００５３】本発明によると、磁気検出ヘッドは各々磁
気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂ
を含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の
磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね合
わされているから、１枚の絶縁体基板７２上に導電体金
属薄膜を装着しその上に保護用のガラス膜７４を装着し
た従来の磁気検出ヘッドに比較して外気温度の変化の影
響を排除することができる利点がある。
気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂ
を含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の
磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね合
わされているから、１枚の絶縁体基板７２上に導電体金
属薄膜を装着しその上に保護用のガラス膜７４を装着し
た従来の磁気検出ヘッドに比較して外気温度の変化の影
響を排除することができる利点がある。
【００５４】本発明によると、磁気検出ヘッドは各々磁
気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂ
を含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の
磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね合
わされ、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂの間には
熱伝導率が高い物質が挿入されているから、外気温度が
変化してもその影響を排除することができる利点があ
る。
気抵抗素子が装着された２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂ
を含み、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂは各々の
磁気抵抗素子が装着された面が向かい合うように重ね合
わされ、斯かる２枚の絶縁基板７２Ａ、７２Ｂの間には
熱伝導率が高い物質が挿入されているから、外気温度が
変化してもその影響を排除することができる利点があ
る。
【図１】本発明の磁気検出ヘッドの第１の例を示す図で
ある。
ある。
【図２】図１の磁気検出ヘッドの動作を説明する説明図
である。
である。
【図３】本発明の磁気検出ヘッドの第２の例を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の磁気検出ヘッドの第３の例を示す図で
ある。
ある。
【図５】本発明の磁気検出ヘッドにおけるリード線の引
き出し方法を示す図である。
き出し方法を示す図である。
【図６】本発明の磁気検出ヘッドの他の例を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の位置検出装置の例を示す概略図である。
【図８】従来の位置検出装置の回路構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図９】従来の磁気検出ヘッドの主要部を示す説明図で
ある。
ある。
１０ 磁気スケール １２ ベース １４ 磁性媒体 １６ 磁気目盛 ２０ 検出部 ２２ 磁気抵抗素子（ＭＲセンサ） ２２Ｃ 接続部 ２４ ホルダ ３０ 信号処理手段 ３２ プリアンプ ３４ 検出回路 ４１、４２ 入力アンプ（プリアンプ） ４１ａ、４２ａ 出力端子 ４３ａ 入力端子 ４３ｂ 入力端子 ４８Ａ、４８Ｂ、４８Ｃ、４８Ｄ、４８Ｅ リード線 ５２Ａ、５２Ｂ リード線 ５４Ａ、５４Ｂ 接続端子 ７２、７２Ａ、７２Ｂ 絶縁基板 ７４ ガラス膜 ２１１、２１２、２１３、２１４ 磁気抵抗素子 ２２１、２２２、２２３、２２４ 磁気抵抗素子
Claims (5)
- 【請求項１】 信号磁場に対する相対的変位量を検出す
るための磁気検出ヘッドにおいて、 磁気抵抗素子が装着された第１の絶縁基板と第２の絶縁
基板とを有し、上記２つの絶縁基板は各々の磁気抵抗素
子が装着された面が向かい合うように重ねられているこ
とを特徴とする磁気検出ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気検出ヘッドにおい
て、 上記第１の絶縁基板は第１のチャンネルの１対の磁気抵
抗素子を有し、上記第２の絶縁基板は第２のチャンネル
の１対の磁気抵抗素子を有し、上記第１のチャンネルの
１つの磁気抵抗素子と上記第２のチャンネルの１つの磁
気抵抗素子とは磁気検出ヘッドの変位方向に対して略同
一位置に配置されていることを特徴とする磁気検出ヘッ
ド。 - 【請求項３】 請求項１記載の磁気検出ヘッドにおい
て、 上記第１の絶縁基板は第１のチャンネルの１対の磁気抵
抗素子と第２のチャンネルの１対の磁気抵抗素子とを有
し、上記第２の絶縁基板は第１のチャンネルの１対の磁
気抵抗素子と第２のチャンネルの１対の磁気抵抗素子と
を有し、磁気検出ヘッドによって検出される信号磁場の
記録波長の周期を２λとしｎを負でない整数として、上
記第１のチャンネルの磁気抵抗素子は磁気検出ヘッドの
変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／２）λだけ隔置
され、上記第２のチャンネルの磁気抵抗素子は磁気検出
ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／２）λ
だけ隔置され、上記第１のチャンネルと第２のチャンネ
ルの磁気抵抗素子の各々は磁気検出ヘッドの変位方向に
対して互いに（ｎ／２＋１／４）λだけ隔置されて配置
されていることを特徴とする磁気検出ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁気検出ヘッドにおい
て、 上記第１の絶縁基板は第１のチャンネルの２対の磁気抵
抗素子を有し、上記第２の絶縁基板は第２のチャンネル
の２対の磁気抵抗素子を有し、磁気検出ヘッドによって
検出される信号磁場の記録波長の周期を２λとしｎを負
でない整数として、上記第１のチャンネルの磁気抵抗素
子は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２
＋１／２）λだけ隔置され、上記第２のチャンネルの磁
気抵抗素子は磁気検出ヘッドの変位方向に対して互いに
（ｎ／２＋１／２）λだけ隔置され、上記第１のチャン
ネルと第２のチャンネルの磁気抵抗素子の各々は磁気検
出ヘッドの変位方向に対して互いに（ｎ／２＋１／４）
λだけ隔置されて配置されていることを特徴とする磁気
検出ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の磁気検出
ヘッドにおいて、上記第１の絶縁基板と第２の絶縁基板
との間には熱伝導率が高い物質が配置されていることを
特徴とする磁気検出ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170692A JPH0666592A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気検出ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170692A JPH0666592A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気検出ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0666592A true JPH0666592A (ja) | 1994-03-08 |
Family
ID=16771004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22170692A Pending JPH0666592A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 磁気検出ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666592A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073672A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | 磁気センサ及びその製造方法 |
| CN100440565C (zh) * | 2004-09-17 | 2008-12-03 | 日本电产三协株式会社 | 磁阻元件 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22170692A patent/JPH0666592A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005073672A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Sankyo Seiki Mfg. Co., Ltd. | 磁気センサ及びその製造方法 |
| CN100440565C (zh) * | 2004-09-17 | 2008-12-03 | 日本电产三协株式会社 | 磁阻元件 |
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