JPH0666643A - 温度検出器付き基板 - Google Patents
温度検出器付き基板Info
- Publication number
- JPH0666643A JPH0666643A JP22131092A JP22131092A JPH0666643A JP H0666643 A JPH0666643 A JP H0666643A JP 22131092 A JP22131092 A JP 22131092A JP 22131092 A JP22131092 A JP 22131092A JP H0666643 A JPH0666643 A JP H0666643A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- temperature detector
- thermocouple
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体の基板の熱処理時の温度の検出を精度
良く行う。また、基板上の多くの箇所の温度を検出す
る。 【構成】 基板１上に、薄膜状の熱電対３を形成し、熱
電対３の接触部３３で基板１の温度に応じた起電力が発
生する。この起電力を検出して基板１の温度を測定す
る。また、基板上に薄膜状の熱電対３を複数組設ける
と、基板上の多くの箇所の温度を同時に検出することが
できる。
良く行う。また、基板上の多くの箇所の温度を検出す
る。 【構成】 基板１上に、薄膜状の熱電対３を形成し、熱
電対３の接触部３３で基板１の温度に応じた起電力が発
生する。この起電力を検出して基板１の温度を測定す
る。また、基板上に薄膜状の熱電対３を複数組設ける
と、基板上の多くの箇所の温度を同時に検出することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体デバイスの製造
等に用いられる基板の温度測定に関するものである。
等に用いられる基板の温度測定に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の温度測定に用いられてい
る熱電対付き基板である。図において、７は熱電対を固
定するセメント、１は基板、１２は熱電対である。
る熱電対付き基板である。図において、７は熱電対を固
定するセメント、１は基板、１２は熱電対である。
【０００３】次に動作を説明する。熱電対１２はセメン
ト７によって基板１に固定されている。基板１が加熱さ
れると、同時にセメント７も加熱され、セメント７の内
部に固定された熱電対１２の異種金属の接合部では、ゼ
ーベック効果による起電力が発生し、この起電圧を計測
することにより、基板１の温度を測定する。
ト７によって基板１に固定されている。基板１が加熱さ
れると、同時にセメント７も加熱され、セメント７の内
部に固定された熱電対１２の異種金属の接合部では、ゼ
ーベック効果による起電力が発生し、この起電圧を計測
することにより、基板１の温度を測定する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、熱電
対１２がセメント７によって固定されているので、基板
１と熱電対１２との接触状態が一定ではなく、特に短時
間の加熱冷却プロセス時には、接触状態の差により温度
表示が異なるという問題点があった。又、基板面内の複
数点で測定する場合、熱電対を取り付けるスペースが大
きい為、多点の同時測定が不能であった。
対１２がセメント７によって固定されているので、基板
１と熱電対１２との接触状態が一定ではなく、特に短時
間の加熱冷却プロセス時には、接触状態の差により温度
表示が異なるという問題点があった。又、基板面内の複
数点で測定する場合、熱電対を取り付けるスペースが大
きい為、多点の同時測定が不能であった。
【０００５】この発明は、上記の問題点を解決するため
になされたもので、熱電対と基板の接触状態の差による
温度表示の誤差をなくし、また、基板内の多点箇所の同
時測定を可能にすることを目的としている。
になされたもので、熱電対と基板の接触状態の差による
温度表示の誤差をなくし、また、基板内の多点箇所の同
時測定を可能にすることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度検出
器付き基板は、熱電対を構成する一対の薄膜状の金属部
材からなる温度検出器を基板上に配置したものである。
また、温度検出器として薄膜状の測温抵抗体を基板上に
形成したものである。また、基板上の複数箇所に温度検
出器をそれぞれ設けたものである。
器付き基板は、熱電対を構成する一対の薄膜状の金属部
材からなる温度検出器を基板上に配置したものである。
また、温度検出器として薄膜状の測温抵抗体を基板上に
形成したものである。また、基板上の複数箇所に温度検
出器をそれぞれ設けたものである。
【０００７】
【作用】この発明における温度検出器付き基板は、薄膜
状の熱電対の起電力で基板の温度を検出する。また、測
温抵抗体の抵抗値により、基板の温度を検出する。ま
た、複数個の薄膜上の熱電対または測温抵抗体で複数箇
所の基板の温度を検出する。
状の熱電対の起電力で基板の温度を検出する。また、測
温抵抗体の抵抗値により、基板の温度を検出する。ま
た、複数個の薄膜上の熱電対または測温抵抗体で複数箇
所の基板の温度を検出する。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１において、１は半導体の基板、２は基板１上に
形成された薄膜状の絶縁部材、３は薄膜状の異種の金属
部材３１、３２を接触部３３で接合して、絶縁部材２上
に配置して構成した熱電対である。ここで熱電対３は接
触部３３のゼーベック効果によって基板１の温度に応じ
た起電力を発生する。４は薄膜化した熱電対３を保護す
るための保護膜、５は薄膜化した熱電対３の端部に設け
られたパッド部、６はこのパッド部５に溶着された熱電
対素線、７は熱電対素線６を固定するセメントである。
る。図１において、１は半導体の基板、２は基板１上に
形成された薄膜状の絶縁部材、３は薄膜状の異種の金属
部材３１、３２を接触部３３で接合して、絶縁部材２上
に配置して構成した熱電対である。ここで熱電対３は接
触部３３のゼーベック効果によって基板１の温度に応じ
た起電力を発生する。４は薄膜化した熱電対３を保護す
るための保護膜、５は薄膜化した熱電対３の端部に設け
られたパッド部、６はこのパッド部５に溶着された熱電
対素線、７は熱電対素線６を固定するセメントである。
【０００９】次に動作を説明する。基板１が加熱される
と、薄膜状の熱電対３の接触部３３にてゼーベック効果
により起電力が発生する。この起電力を熱電対素線６で
基板外に取り出し、起電圧を測定することにより基板１
の温度を測定することがてきる。
と、薄膜状の熱電対３の接触部３３にてゼーベック効果
により起電力が発生する。この起電力を熱電対素線６で
基板外に取り出し、起電圧を測定することにより基板１
の温度を測定することがてきる。
【００１０】実施例２．上記実施例１では、薄膜状の熱
電対を用いたが、薄膜状の測温抵抗体を用いてもよい。
図３は薄膜にする測温抵抗体の材料の一例を示したもの
で、熱処理温度によって材料の電気特性が変化する材料
（図３はＷＳi2膜の例）を用い、その電気特性を測定し
ても同様の効果が得られる。
電対を用いたが、薄膜状の測温抵抗体を用いてもよい。
図３は薄膜にする測温抵抗体の材料の一例を示したもの
で、熱処理温度によって材料の電気特性が変化する材料
（図３はＷＳi2膜の例）を用い、その電気特性を測定し
ても同様の効果が得られる。
【００１１】図２はこの実施例を示したもので、８は薄
膜状に形成された測温抵抗体、９は薄膜状の測温抵抗体
８の電気特性を外部から測定するための耐熱導電体であ
る。基板１が熱処理される場合、薄膜状の測温抵抗体８
の電気特性（この場合抵抗値）の変化から基板１の加熱
温度を求めることができる。
膜状に形成された測温抵抗体、９は薄膜状の測温抵抗体
８の電気特性を外部から測定するための耐熱導電体であ
る。基板１が熱処理される場合、薄膜状の測温抵抗体８
の電気特性（この場合抵抗値）の変化から基板１の加熱
温度を求めることができる。
【００１２】実施例３．実施例２の変形例として、熱処
理を行うことによって電気特性が変化し、且つ、その特
性が常温になるまで冷却されてもその特性が変化しない
材料を用いた場合、熱処理後にその電気特性を計測して
も同様の効果が得られる。
理を行うことによって電気特性が変化し、且つ、その特
性が常温になるまで冷却されてもその特性が変化しない
材料を用いた場合、熱処理後にその電気特性を計測して
も同様の効果が得られる。
【００１３】図４はこの実施例を示し、１０は熱処理時
の加熱温度に応じた電気特性を保持する材料を用いた薄
膜状の測温抵抗体で、熱処理後に冷却された後パッド部
５に測定器の針を当てて薄膜の電気特性を計測し処理温
度を測定する。
の加熱温度に応じた電気特性を保持する材料を用いた薄
膜状の測温抵抗体で、熱処理後に冷却された後パッド部
５に測定器の針を当てて薄膜の電気特性を計測し処理温
度を測定する。
【００１４】実施例４．実施例２と３において、測温抵
抗体８と１０は直線的にパターニングしたが、図５に示
すように、ジグザク状の測温抵抗体１１を形成してもよ
い。この場合測温抵抗体１１の電気特性の変化の差が大
きくなり測定感度を上げることができる。
抗体８と１０は直線的にパターニングしたが、図５に示
すように、ジグザク状の測温抵抗体１１を形成してもよ
い。この場合測温抵抗体１１の電気特性の変化の差が大
きくなり測定感度を上げることができる。
【００１５】実施例５．上記の実施例では、１個の温度
検出器を形成するようにしたが、複数個の温度検出器を
形成することによって基板上の多くの点の温度を同時に
検出することができる。
検出器を形成するようにしたが、複数個の温度検出器を
形成することによって基板上の多くの点の温度を同時に
検出することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば基板上
に薄膜状の温度検出器を形成するようにしたので、基板
と温度を検出する部分との接触状態が一定になり、精度
の高い安定した温度測定ができる。又、薄膜化すると温
度検出部分の面積を小さくできるので、基板上の多数箇
所の温度測定が容易にできる効果がある。
に薄膜状の温度検出器を形成するようにしたので、基板
と温度を検出する部分との接触状態が一定になり、精度
の高い安定した温度測定ができる。又、薄膜化すると温
度検出部分の面積を小さくできるので、基板上の多数箇
所の温度測定が容易にできる効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例２を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例２の電気特性を示す特性図で
ある。
ある。
【図４】この発明の実施例３を示す斜視図である。
【図５】この発明の実施例４を示す斜視図である。
【図６】従来の温度検出器付き基板の斜視図である。
１ 基板 ３ 熱電対 ４ 保護膜 ７ セメント ８ 測温抵抗体
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体の基板、この基板上に配置された
一対の薄膜状の金属部材からなる熱電対を有する温度検
出器を備え、この温度検出器の熱電対の起電力によって
上記基板の温度を検出するようにしたことを特徴とする
温度検出器付き基板。 - 【請求項２】 半導体の基板、この基板上に配置された
薄膜状の測温抵抗体を有する温度検出器を備え、この温
度検出器の測温抵抗体の電気特性の変化によって上記基
板の温度を検出するようにしたことを特徴とする温度検
出器付き基板。 - 【請求項３】 半導体の基板上の複数箇所に温度検出器
をそれぞれ設け、上記基板の複数箇所の温度を検出する
ようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２記
載の温度検出器付き基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22131092A JPH0666643A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 温度検出器付き基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22131092A JPH0666643A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 温度検出器付き基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0666643A true JPH0666643A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16764799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22131092A Pending JPH0666643A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 温度検出器付き基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666643A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6676289B2 (en) * | 2000-08-22 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature measuring method in pattern drawing apparatus |
| JP2006292703A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Yoshinobu Abe | 熱電対 |
| CN100389308C (zh) * | 2004-05-26 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 芯片温测装置及其温测方法 |
| DE102015115956B3 (de) * | 2015-09-22 | 2017-02-23 | Universität Stuttgart | Temperaturmesseinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| WO2021237602A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 薄膜式热电偶、温度传感器及智能穿戴设备 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22131092A patent/JPH0666643A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6676289B2 (en) * | 2000-08-22 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature measuring method in pattern drawing apparatus |
| CN100389308C (zh) * | 2004-05-26 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 芯片温测装置及其温测方法 |
| JP2006292703A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Yoshinobu Abe | 熱電対 |
| DE102015115956B3 (de) * | 2015-09-22 | 2017-02-23 | Universität Stuttgart | Temperaturmesseinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| WO2021237602A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 薄膜式热电偶、温度传感器及智能穿戴设备 |
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