JPH0667643B2 - イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 - Google Patents
イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0667643B2 JPH0667643B2 JP60065171A JP6517185A JPH0667643B2 JP H0667643 B2 JPH0667643 B2 JP H0667643B2 JP 60065171 A JP60065171 A JP 60065171A JP 6517185 A JP6517185 A JP 6517185A JP H0667643 B2 JPH0667643 B2 JP H0667643B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- electrode
- insulating material
- electrodes
- layers
- Prior art date
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ，プリンター等の書き込み用ヘ
ッドとして用いるイオンフロー記録用ヘッドに関するも
のである。
ッドとして用いるイオンフロー記録用ヘッドに関するも
のである。
従来の技術 イオンフロー記録用ヘッド１は第２図に示すように絶縁
板２の一面に共通電極３を形成し、絶縁板２の他面に微
細電極４を形成し、これら共通電極３、絶縁板２及び微
細電極４にφ0.1〜φ0.3mm程度の貫通孔５を形成してい
る。而してイオン源６でイオンを発生させ、イオンフロ
ー記録用ヘッド１の共通電極３と微細電極４にかかる電
圧により、貫通孔５をブロック状態にしてイオンの流れ
を制御し、ドラム７上の誘導体層８に潜像を形成するこ
とができる。
板２の一面に共通電極３を形成し、絶縁板２の他面に微
細電極４を形成し、これら共通電極３、絶縁板２及び微
細電極４にφ0.1〜φ0.3mm程度の貫通孔５を形成してい
る。而してイオン源６でイオンを発生させ、イオンフロ
ー記録用ヘッド１の共通電極３と微細電極４にかかる電
圧により、貫通孔５をブロック状態にしてイオンの流れ
を制御し、ドラム７上の誘導体層８に潜像を形成するこ
とができる。
従来、上記イオンフロー記録用ヘッド１を製造するには
第４図（Ａ）に示すように絶縁板２の一面に微細電極４
を形成する。この微細電極４は第３図に示すようにリン
グ状部９を有し、このリング状部９はその中心に80μｍ
程度の小孔10を有している。絶縁板２の他面に共通電極
３を形成する。然る後、ドリル11を微細電極４の中心の
小孔10の軸心に合わせ、このドリル11を前進させること
により第４図（Ｂ）に示すように貫通孔５を形成してい
た。
第４図（Ａ）に示すように絶縁板２の一面に微細電極４
を形成する。この微細電極４は第３図に示すようにリン
グ状部９を有し、このリング状部９はその中心に80μｍ
程度の小孔10を有している。絶縁板２の他面に共通電極
３を形成する。然る後、ドリル11を微細電極４の中心の
小孔10の軸心に合わせ、このドリル11を前進させること
により第４図（Ｂ）に示すように貫通孔５を形成してい
た。
発明が解決しようとする問題点 しかしながらドリル11による孔明け作業の際に微細電極
４のリング状部９にバリ12が生じると共に共通電極３に
大きなバリ13が生じ、これらのバリ12,13により短絡，
スパーク，特性不良を生じる。また多数の貫通孔５を１
個宛加工するため、加工時間が長くかかり、しかもドリ
ル11の摩耗，刃こぼれ等により孔形状にもバラツキが多
い等の問題があった。
４のリング状部９にバリ12が生じると共に共通電極３に
大きなバリ13が生じ、これらのバリ12,13により短絡，
スパーク，特性不良を生じる。また多数の貫通孔５を１
個宛加工するため、加工時間が長くかかり、しかもドリ
ル11の摩耗，刃こぼれ等により孔形状にもバラツキが多
い等の問題があった。
そこで、本発明は、短絡，スパーク，特性不良を防止す
ることができ、また加工時間を短縮することができ、し
かも孔形状のバラツキを少くすることができ、また微細
電極と共通電極の相対位置の精度を向上させることがで
きるようにしたイオンフロー記録用ヘッドの製造方法を
提供することを目的とするものである。
ることができ、また加工時間を短縮することができ、し
かも孔形状のバラツキを少くすることができ、また微細
電極と共通電極の相対位置の精度を向上させることがで
きるようにしたイオンフロー記録用ヘッドの製造方法を
提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 そして上記問題点を解決する本発明は、エッチング加工
が可能な絶縁材を用意する工程と、前記絶縁材の両面に
隣接して第１及び第２の導体層を形成する工程と、前記
第１及び第２の導体層の前記絶縁材と反対側の各々の面
に隣接して、第１及び第２のフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記第１及び第２のフォトレジスト層の前記
第１及び第２の導体層と反対側の各々の面に隣接して、
第１及び第２のマスクパターンを設置する工程と、前記
第１及び第２のマスクパターンを利用して、前記第１及
び第２のフォトレジスト層をともに露光する工程と、前
記露光された第１及び第２のフォトレジスト層をマスク
として、前記第１及び第２の導電体層をエッチングし、
各々内孔を有する形状の第１及び第２の電極を形成する
工程と、前記第１及び第２の電極から前記第１及び第２
のフォトレジスト層を剥離する工程と、前記内孔を有す
る形状の第１及び第２の電極の一方に隣接して保護層を
形成する工程と、前記内孔を有する形状の第１及び第２
の電極の他方をマスクとして、エッチングにより前記絶
縁材に内孔を形成する工程と、前記絶縁材に内孔が形成
された後、前記一方の電極から保護層を剥離する工程と
を有するイオンフロー記録用ヘッドの製造方法である。
が可能な絶縁材を用意する工程と、前記絶縁材の両面に
隣接して第１及び第２の導体層を形成する工程と、前記
第１及び第２の導体層の前記絶縁材と反対側の各々の面
に隣接して、第１及び第２のフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記第１及び第２のフォトレジスト層の前記
第１及び第２の導体層と反対側の各々の面に隣接して、
第１及び第２のマスクパターンを設置する工程と、前記
第１及び第２のマスクパターンを利用して、前記第１及
び第２のフォトレジスト層をともに露光する工程と、前
記露光された第１及び第２のフォトレジスト層をマスク
として、前記第１及び第２の導電体層をエッチングし、
各々内孔を有する形状の第１及び第２の電極を形成する
工程と、前記第１及び第２の電極から前記第１及び第２
のフォトレジスト層を剥離する工程と、前記内孔を有す
る形状の第１及び第２の電極の一方に隣接して保護層を
形成する工程と、前記内孔を有する形状の第１及び第２
の電極の他方をマスクとして、エッチングにより前記絶
縁材に内孔を形成する工程と、前記絶縁材に内孔が形成
された後、前記一方の電極から保護層を剥離する工程と
を有するイオンフロー記録用ヘッドの製造方法である。
作用 本発明においては、第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて同時に露光した第１のフォトレジス
ト層と第２のフォトレジスト層を利用して、第１の導体
層と第２の導体層をエッチングし、第１と電極と第２の
電極を形成し、第２の電極をマスクとして絶縁材をエッ
チングする。
クパターンを用いて同時に露光した第１のフォトレジス
ト層と第２のフォトレジスト層を利用して、第１の導体
層と第２の導体層をエッチングし、第１と電極と第２の
電極を形成し、第２の電極をマスクとして絶縁材をエッ
チングする。
実施例 以下、本発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する。
第１図（Ａ）に示すようにエッチング可能な絶縁材21の
両面の全面に導体層22を形成し、各導体層22の外面にフ
ォトレジスト23を塗布する。一方、第１図（Ｂ）に示す
ようにリング状部を有する微細電極を形成するための微
細電極用パターンマスク24と、共通電極を形成するため
の共通電極用パターンマスク25を準備し、これら微細電
極用パターンマスク24と共通電極用パターンマスク25を
高精度に位置合わせする。次に第１図（Ｃ）に示すよう
にこれら微細電極用と共通電極用のパターンマスク24,2
5の間に上記絶縁材21、導体層22及びフォトレジスト23
を介挿させる。次に微細電極用と共通電極用のパターン
24,25の外側より紫外線26により両面同時露光を行う。
次に、導体層22のエッチングを行うことにより第１図
（Ｄ）に示すように上下の導体層にそれぞれリング状部
27を有する微細電極28と、共通電極29を形成すると共に
これら微細電極28と共通電極29の外面のフォトレジスト
23を剥離する。次に第１図（Ｅ）に示すように微細電極
28の外面に保護コート30を形成し、共通電極29をエッチ
ングマスクとして共通電極29側からエッチング液31で絶
縁層21をエッチングする。エッチング後、保護コート30
を取除くことにより第１図（Ｆ）に示すように貫通孔32
を形成することができる。
第１図（Ａ）に示すようにエッチング可能な絶縁材21の
両面の全面に導体層22を形成し、各導体層22の外面にフ
ォトレジスト23を塗布する。一方、第１図（Ｂ）に示す
ようにリング状部を有する微細電極を形成するための微
細電極用パターンマスク24と、共通電極を形成するため
の共通電極用パターンマスク25を準備し、これら微細電
極用パターンマスク24と共通電極用パターンマスク25を
高精度に位置合わせする。次に第１図（Ｃ）に示すよう
にこれら微細電極用と共通電極用のパターンマスク24,2
5の間に上記絶縁材21、導体層22及びフォトレジスト23
を介挿させる。次に微細電極用と共通電極用のパターン
24,25の外側より紫外線26により両面同時露光を行う。
次に、導体層22のエッチングを行うことにより第１図
（Ｄ）に示すように上下の導体層にそれぞれリング状部
27を有する微細電極28と、共通電極29を形成すると共に
これら微細電極28と共通電極29の外面のフォトレジスト
23を剥離する。次に第１図（Ｅ）に示すように微細電極
28の外面に保護コート30を形成し、共通電極29をエッチ
ングマスクとして共通電極29側からエッチング液31で絶
縁層21をエッチングする。エッチング後、保護コート30
を取除くことにより第１図（Ｆ）に示すように貫通孔32
を形成することができる。
従って、より簡便で効率的なエッチング加工によりバリ
のない多数の貫通孔12を同時加工することができる。ま
た予め両側に位置する微細電極用と共通電極用のパター
ンマスク24,25を位置合わせしておき、両外側より同時
露光するので、材料の収縮等の影響を受けず、微細電極
28と共通電極29の相対位置精度を向上させることができ
る。
のない多数の貫通孔12を同時加工することができる。ま
た予め両側に位置する微細電極用と共通電極用のパター
ンマスク24,25を位置合わせしておき、両外側より同時
露光するので、材料の収縮等の影響を受けず、微細電極
28と共通電極29の相対位置精度を向上させることができ
る。
なお上記実施例では貫通孔１ケの場合について説明した
が、貫通孔は複数個設けても良く、またこの複数個の貫
通孔に共通した電極を設けても良いことはもちろんであ
る。
が、貫通孔は複数個設けても良く、またこの複数個の貫
通孔に共通した電極を設けても良いことはもちろんであ
る。
発明の効果 以上、要するに本発明は導体層及び絶縁材をエッチング
で加工することによりバリがなく、バラツキの少ない貫
通孔を形成することができ、スパーク，短絡，特性不良
を防止することができる。特に、第２の電極をそのまま
絶縁材のエッチングのマスクとして用いるため、新たな
マスクを追加し構成度に位置決めをする必要はなく、よ
り簡便で効率的、かつ高精度のエッチング工程を実現
し、記録ヘッドの特性不良等の防止に効果的に貢献して
いる。またエッチングで多数の貫通孔を同時に加工する
ことができるので、作業時間を短縮することができる。
また予め両側に位置する微細電極用と共通電極用のパタ
ーンマスクを位置合わせし、両外側より同時露光するの
で、材料の収縮等の影響を受けず、微細電極と共通電極
の相対位置精度を向上させることができる。
で加工することによりバリがなく、バラツキの少ない貫
通孔を形成することができ、スパーク，短絡，特性不良
を防止することができる。特に、第２の電極をそのまま
絶縁材のエッチングのマスクとして用いるため、新たな
マスクを追加し構成度に位置決めをする必要はなく、よ
り簡便で効率的、かつ高精度のエッチング工程を実現
し、記録ヘッドの特性不良等の防止に効果的に貢献して
いる。またエッチングで多数の貫通孔を同時に加工する
ことができるので、作業時間を短縮することができる。
また予め両側に位置する微細電極用と共通電極用のパタ
ーンマスクを位置合わせし、両外側より同時露光するの
で、材料の収縮等の影響を受けず、微細電極と共通電極
の相対位置精度を向上させることができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明のイオンフロー記録用
ヘッドの製造方法の一実施例を示す断面図、第２図はイ
オンフロー記録の原理説明図、第３図は従来のイオンフ
ロー記録用ヘッドに用いる微細電極の平面図、第４図
（Ａ）及び（Ｂ）は従来のイオンフロー記録用ヘッドの
製造方法を示す断面図である。 21……絶縁材、22……導体層、23……フォトレジスト、
24……微細電極形成用パターンマスク、25……共通電極
形成用パターンマスク、26……紫外線、28……微細電
極、29……共通電極、30……保護コート、31……エッチ
ング液、32……貫通孔。
ヘッドの製造方法の一実施例を示す断面図、第２図はイ
オンフロー記録の原理説明図、第３図は従来のイオンフ
ロー記録用ヘッドに用いる微細電極の平面図、第４図
（Ａ）及び（Ｂ）は従来のイオンフロー記録用ヘッドの
製造方法を示す断面図である。 21……絶縁材、22……導体層、23……フォトレジスト、
24……微細電極形成用パターンマスク、25……共通電極
形成用パターンマスク、26……紫外線、28……微細電
極、29……共通電極、30……保護コート、31……エッチ
ング液、32……貫通孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 隆一 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 河田 耕一 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 水谷 武 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−142551（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】エッチング加工が可能な絶縁材を用意する
工程と、 前記絶縁材の両面に隣接して第１及び第２の導体層を形
成する工程と、 前記第１及び第２の導体層の前記絶縁材と反対側の各々
の面に隣接して、第１及び第２のフォトレジスト層を形
成する工程と、 前記第１及び第２のフォトレジスト層の前記第１及び第
２の導体層と反対側の各々の面に隣接して、第１及び第
２のマスクパターンを設置する工程と、 前記第１及び第２のマスクパターンを利用して、前記第
１及び第２のフォトレジスト層をともに露光する工程
と、 前記露光された第１及び第２のフォトレジスト層をマス
クとして、前記第１及び第２の導電体層をエッチング
し、各々内孔を有する形状の第１及び第２の電極を形成
する工程と、 前記第１及び第２の電極から前記第１及び第２のフォト
レジスト層を剥離する工程と、 前記内孔を有する形状の第１及び第２の電極の一方に隣
接して保護層を形成する工程と、 前記内孔を有する形状の第１及び第２の電極の他方をマ
スクとして、エッチングにより前記絶縁材に内孔を形成
する工程と、 前記絶縁材に内孔が形成された後、前記一方の電極から
保護層を剥離する工程とを有するイオンフロー記録用ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065171A JPH0667643B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065171A JPH0667643B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224490A JPS61224490A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0667643B2 true JPH0667643B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=13279176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065171A Expired - Fee Related JPH0667643B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | イオンフロ−記録用ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0667643B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02102071A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Olympus Optical Co Ltd | イオン流記録ヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142551A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Production of ion modulating electrode |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065171A patent/JPH0667643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61224490A (ja) | 1986-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |