JPH0668149B2

JPH0668149B2 - 真空処理装置

Info

Publication number: JPH0668149B2
Application number: JP61299114A
Authority: JP
Inventors: 泉中山; 章敏鈴木; 浩之名和; 智彦金子
Original assignee: 日本真空技術株式会社
Priority date: 1986-12-16
Filing date: 1986-12-16
Publication date: 1994-08-31
Anticipated expiration: 2009-08-31
Also published as: JPS63153271A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は真空処理装置、例えばＣＶＤ装置に関する。

〔従来の技術及びその問題点〕

第11図は従来の大気から真空槽内へのウェハーの取り込
み手段の一例を示すが、図において本手段は大気からベ
ルト搬送機(109)等の手段によりゲートバルブもしくは
仕切バルブ(104)を通って真空槽(101)内に送り込まれた
ウェハー(106)を真空槽(101)内に設けたベルト搬送手段
(102)により槽(101)内の適当な位置まで取り込み、これ
を別に設けたウェハー上下手段によりベルト位置より上
方に持ち上げ、次にウェハー(106)の下方に侵入した別
のメカニズム上におろす機能を有する。

今、これを更に詳しく説明すれば以下の通りである。す
なわち第11図Ａに示すように、大気から仕切バルブ(10
4)を通過して真空槽(101)内に送り込まれた表面処理す
べきウェハー(106)は、さらに真空槽(101)内に設けられ
たベルト搬送手段(102)により適当な位置まで運ばれ停
止する。そこで仕切バルブ(104)が閉り、真空槽(101)内
は真空に排気される。

次に第11図Ｂに示すように前記時点ではベルト(102)の
ウェハー(106)が乗る位置より下方に位置していたウェ
ハー・プッシャー(108)がベローズ(105)を介して真空シ
ールを保つたまゝウェハー上下駆動シリンダー(103)に
より上昇しベルト面より上方にウェハー(106)を持ち上
げる。

しかる後に、ウェハー(106)の下方に別のウェハー搬送
メカニズム(107)（例えばフォーク搬送のピックアップ
等）がウェハー(106)の下方に侵入してくる。

次に第11図Ｃに示すようにウェハー・プッシャー(108)
が下降し別のウェハー搬送メカニズム(107)上にウェハ
ー(106)が受け渡される。この搬送メカニズム(107)によ
り必要な処理を行うための反応真空室へ上記ウェハー(1
06)が搬入される。

以上が反応真空室へウェハーを搬入するために大気側か
ら真空槽(101)内へウェハー(106)を取り込む場合の動作
であるが逆に処理済のウェハー(106)を大気側へ取り出
す手順はこの逆となる。すなわち、従来例では、真空に
排気された真空槽(101)内へすでに処理の終ったウェハ
ー(106)をメカニズム(107)により搬送し、その後、真空
槽(101)をベントし、処理済ウェハー(106)を取り出す。
さらに未処理ウェハー(106)を真空槽(101)に取り込み、
真空排気を行いその後にメカニズム(107)により処理室
へ搬送する。

以上の大気真空の排気サイクルを含む、ウェハーの取
り出し、取り込み作業の間、処理室は待ち時間となり能
率が悪い。

この問題を避けるためウェハー取り込み用真空槽と、ウ
ェハー取り出し用真空槽を別々に設ける方法もよく用い
られるが、この方法では装置の構成が複雑となる。

またウェハー取り込みのための真空槽を１つしか持たせ
ない場合、装置のスループットにも依るが通常は大気
真空の排気サイクルを速くするため急速排気及び急速な
ベントが必要となるがLSIのパターンサイズが微細化し
ている昨今、ウェハーへのパーティクル付着を極力抑え
ることが不可欠となっており、パーティクルの舞い上が
りをおこし易い真空槽内の急速な排気やベントは好まし
くない。また、生産量を倍加するためには反応真空室を
含む上記のような装置を並設しているが、これでは装置
据付面積も倍加する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記従来の種々の欠点を克服し、処理室におい
て、前側に取り込まれたウェハー（基板）を処理してい
る間に、次のウェハーを真空槽(1)内に取り込んでお
き、さらに真空排気を完了しておくことにより、処理室
のウェハー交換作業からベント、排気に要する時間を略
き処理室の待ち時間を減少させると共に装置全体も従来
よりコンパクトにして生産性を一段と向上させ得る真空
処理装置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

基板搬送手段を備えた中継真空室と、該中継真空室に隣
接しそれぞれ第１、第２ゲートバルブを介して連通・非
連通可能な第１、第２反応真空室と、前記中継真空室に
隣接し第３ゲートバルブを介してこれと連通・非連通可
能で基板交換手段を備えた基板交換真空室とから成り、
該基板交換真空室の側壁部には前記中継真空室に対する
第１の開口と、未処理基板を大気側から搬入する第２の
開口と、前記第１又は第２反応真空室で処理された表面
処理済基板を大気側へ搬出する第３の開口とが形成さ
れ、これらの開口のうち前記第１の開口は前記第３ゲー
トバルブで開閉され、前記第２の開口及び前記第３の開
口は第４ゲートバルブ及び第５ゲートバルブで開閉さ
れ、前記基板交換手段は、基板支持体と、該基板支持体
を駆動する昇降駆動部とから成り、前記基板支持体には
前記未処理基板を載置させ得るようにした少なくとも１
段の支持部で成る未処理基板支持部及び前記表面処理済
基板を載置させ得るようにした少なくとも１段の支持部
で成る表面処理済基板支持部を設け、前記基板支持体を
前記昇降駆動部により上下方向に複数の所定の位置で停
止するように駆動させるようにし、かつ前記中継真空室
内の前記基板搬送手段により前記表面処理済基板を前記
第１又は第２反応真空室から前記中継真空室を経由して
前記基板交換真空室室内へ搬入させて前記基板支持体の
前記表面処理済基板支持部に載置させ、基板交換真空室
内から前記基板支持体の前記未処理基板支持部に載置さ
れている前記未処理基板を前記中継真空室を経由して前
記第１又は第２反応真空室内へ搬入するようにしたこと
を特徴とする真空処理装置によって達成される。

〔作用〕

基板交換手段を備えた基板交換真空室内で基板支持体の
未処理基板支持部に未処理基板を載置させている時は、
基板交換真空室内は中継真空室に対する第１の開口が第
３ゲートバルブにより閉じられており、かつ大気側に対
する第２及び第３の開口が第４及び第５ゲートバルブに
より閉じられていて真空状態となっており、次いで第３
ゲートバルブが開かれて第１又は第２反応真空室より中
継真空室を経由して第１の開口を通って表面処理済基板
が基板支持体の表面処理済基板支持部に載置され、更
に、この状態で、未処理基板を第１の開口を通って中継
真空室を経由し第１又は第２反応真空室へ搬出し、この
後、第３ゲートバルブにより第１の開口が閉じられ、基
板交換真空室内が大気圧になると第４及び第５ゲートバ
ルブにより第２及び第３の開口を開け、表面処理済基板
は表面処理済基板支持部から第３の開口を通って大気側
の所要の場所へと排出する。未処理基板は大気側から第
２の開口を通って基板支持体の未処理基板支持部に載置
する。次いで、第４及び第５ゲートバルブにより第２及
び第３の開口を閉じ、基板交換真空室内を真空排気して
上述の操作を繰り返す。以上、一連の作業のうち、基板
交換真空室内を大気圧にして未処理基板を大気側から未
処理基板支持部に搬入し、表面処理済基板を表面処理済
支持部から大気側の所要の場所へと排出し、再び基板交
換真空室を真空排気する作業は、先に第１又は第２反応
真空室に運ばれた基板が処理されている間に予め完了し
ておく。これによって第１又は第２反応真空室から表面
処理済基板を基板交換真空室へ移送し、基板交換真空室
より第１又は第２反応真空室へ未処理基板を移送する作
業は、基板交換真空室内を真空に維持したまま行うこと
ができる。従って第１又は第２反応室の基板の交換作業
中に、基板交換室の大気真空の排気サイクルを行う必
要がなくなり、第１又は第２反応室の基板交換のための
待ち時間を最小にすることができる。

また共通の基板搬送手段により隣接した第１又は第２反
応真空室から基板交換真空室への処理済の基板の搬入及
び基板交換真空室から未処理の基板を第１又は第２反応
真空室への搬入することができるので従来より生産量を
倍加させながら、よく装置全体をコンパクトにすること
ができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例によりＣＶＤ装置について図面を
参照して説明する。

第１図は本装置(1)の全体を示すが、左右には一対のＣ
ＶＤ反応室(2a)(2b)が設けられ、これらの間にバッファ
ー室(3)が設けられている。バッファー室(3)と両反応室
(2a)(2b)との間の隔壁には第１、第２ゲートバルブ(16)
(17)が設けられ、これらを介してウェハーの受け渡しが
行われるようになっている。バッファー室(3)の前方に
はウェハー交換室(5)が設けられ、ゲートバルブ(6)を介
してこれら室(3)(5)間でウェハーの受け渡しが行われる
ようになっている。

バッファー室(3)内にはウェハー搬送手段(7)が設けら
れ、これは搬送用フォーク(8)を備え、矢印ａで示すよ
うに中心軸(9)の回りに回動自在であり、かつ矢印ｂで
示すように伸縮自在となっている。ウェハー交換室(5)
の両側壁部にもゲートバルブ(10)(11)が設けられ、この
一方側には未処理ウェハー搬入用ベルト(12)が設けら
れ、ウェハーストック・カセット(13)から所定のタイミ
イグで一枚宛、自動的に取り出してベルト(12)によりウ
ェハー交換室(5)内に搬入するようになっている。また
他方には処理済ウェハー搬出用ベルト(14)が設けられ、
処理済ウェハーストック・カセット(15)へと搬入するよ
うになっている。

次に第２図〜第９図を参照してウェハー交換室(5)の詳
細について説明する。

ウェハー交換室(5)は第２図に示すように密閉槽(21)に
よって画成され、上述したように両側壁部に第４、第５
ゲートバルブ(10)(11)（第２図では図示省略）及び後壁
部に第３ゲートバルブ(6)を備えており、これらゲート
バルブ(6)(10)(11)の詳細は後述するが、これらの閉状
態によって室(23)内は密封状態とされ、図示しない排気
手段によって室(23)内は真空もしくは減圧状態におかれ
るようになっている。

室(23)内には第５図にその全体的形状が明示される基板
交換手段としての基板支持体(24)が配設され、この底面
には駆動軸(25)が固定され、これは密閉槽(21)の底壁部
を気密に挿通して下方の大気中に延びておりスクリュー
係合体(27)に固定されている。駆動軸(25)は真空シール
(26)によって上下方向に気密に摺動自在に支承されてい
る。

スクリュー係合体(27)はボールスクリュー(28)に螺合し
ており、このスクリュー(28)の下端部にはプーリ(29)が
固定されている。モータ(31)は図示せずとも機枠に固定
され、この回転軸に固定されたプーリ(32)と上述のプー
リ(29)との間にベルト(30)が巻装されている。モータ(3
1)の回転によりボールスクリュー(28)が回転し、これに
よりスクリュー係合体(27)、従って駆動軸(25)は上方か
下方へと移動する。モータ(31)は正逆回転自在であり、
この回転方向に応じて駆動軸(25)は上方か下方へと移動
する。スクリュー係合体(27)の一側方には高さセンサー
装置(36)が設けられ、駆動軸(25)の各高さ位置がこれに
よって検知され、この検知信号によりモータ(31)は駆動
制御される。

ボールスクリュー(28)は公知のようにねじ溝にボールを
嵌めた構成となっており、駆動軸(25)をバックラッシュ
なく正確に所定の位置へ上昇又は下降させることができ
る。

スクリュー係合体(27)の小径部には冷却水を入口及び出
口が形成され、これに冷却水導入用チューブ(33)及び導
出用チューブ(34)が接続されている。駆動軸(25)内には
図示せずとも導入路及び導出路が形成され、基板支持体
(24)の基部(37)内に蛇行状に形成される循環路(35)と連
通している。なお、基板支持体(24)はアルミニウムから
成り熱伝導性にすぐれている。

密閉槽(21)の３側壁部及び反応室(2a)(2b)とバッファー
室(3)との隔壁には上述のようにゲートバルブ(6)(10)(1
1)(16)(17)が配設され、これら側壁部及び隔壁に形成さ
れた開口(6a)(10a)(11a)(16a)(17a)を気密に閉じるよう
に構成され、第１図では略図で示され、第２図ではゲー
トバルブ(6)については詳しく図示されているが、反応
室(2a)(2b)のゲートバルブ(16)(17)は同一の構成を有す
るので、ゲートバルブ(6)についてのみ第２図を参照し
て以下、説明する。これはすでに広く用いられている構
造であって、主として開口(6a)を開閉するゲート本体(7
1)、これと平行リンク(73)(74)で結合された駆動部材(7
2)とから成り、駆動部材(72)の下端部分は真空シール(7
5)を介して大気に突出しており、シリンダ装置(76)によ
って上下に駆動されるようになっている。第２図ではゲ
ート本体(71)が開口(6a)を閉じているが、駆動部材(72)
を下降させるとゲート本体(71)は開口(6a)を開放し、こ
れから駆動部材(72)を上昇させると第２図に示すように
開口(6a)を閉じるようになっている。

次にゲートバルブ(10)(11)の詳細について説明するが、
ゲートバルブ(10)(11)については同一の構成を有するの
で、ゲートバルブ(10)についてのみ第３図及び第４図を
参照して以下、説明する。第３図はゲートバルブ(10)の
作動状態を示す要部断面図であって、大気圧空間Ａと真
空室Ｂ（ウェハー交換室(5)）とを仕切る隔壁Ｃには、
通孔(41)が穿設され、該通孔(41)の真空室Ｂ側の開口(1
0a)は上向きに傾斜して形成されている。

上記開口(10a)には、その周りに形成された弁座部を開
閉する弁板(43)が対向して設けられており、該弁板(43)
は、ウェハー(47)の直径より大きく形成され、且つ上記
通孔(41)を挿んでその両側に隔壁Ｃを貫通して斜め下方
に延びる２本のロッド(44a)(44b)（第３図にはその一方
が示されている。）を介して、大気圧空間Ａの下方に設
置された流体圧（油圧又は空気圧）駆動シリンダ(45)に
連結されている。上記２本のロッド(44a)(44b)は、第４
図に示すように、上端が弁板(43)の両側部のＯリング(4
3a)より内側に取付けられ且つ、ロッドと弁板は、結合
部から漏れないように溶接(43b)等でシールされてい
る。また下端は、２本のロッドを連結する接続部材(44
c)を介してシリンダ(45)のピストンロッド(44)に連結さ
れている。なお、図中、(45a)(45b)はシリンダ(45)への
圧力流体の供給又は排出導管、(12)(48)は大気圧空間Ａ
及び真空室Ｂにそれぞれ設置された搬送用ベルト、(49)
は軸受ブッシュ、(50)はＯリングを示す。

上記のように構成されているので、通常時、即ちウェハ
ーを送り込まない時には、シリンダ(45)内で下方へ働く
流体圧によって弁板(43)は、逆圧状態即ち通孔(41)を経
て開弁方向に圧力（大気圧）が働いている状態で、隔壁
Ｃの通孔(41)の真空室側開口(10a)を密閉している。従
って、真空室Ｂの真空は該通孔(41)を経て漏れることは
ない。

次に、搬送用ベルト(12)によって大気圧空間Ａより送ら
れて来たウェハー(47)を、真空室Ｂへ移送するときは、
シリンダ(45)の流体通路を切換えて、ロッド(44)(44a)
(44b)を介して弁板(43)を上昇させ、開口(10a)を解放す
る。この際、通行(41)は、２本のロッド(44a)(44b)の中
間部に位置しているので、ウェハー(47)の通過には支障
はなく、該ウェハーは真空室Ｂへ円滑に移送される。

次いで、ウェハー(47)が真空室Ｂ内へ移行し終った段階
で、再びシリンダ(45)の流路を切換えて弁板(43)を下降
させ、開口(10a)を閉鎖する。なお、真空室Ｂ内へ移行
されたウェハー(47)は搬送用ベルト(48)によって基板支
持体(24)の所定の位置へ搬送される。

この実施例によれば、弁板を作動する駆動源が大気側に
設けられており、また弁板作動のための摺動部がすべて
ウェハーより下方に位置されているので、該摺動部より
生じるゴミ等がウェハー上に落ちる恐れは全くない。真
空室も駆動源によって汚染されない。また、弁板とロッ
ドが真空隔壁に対して傾斜して設けられているので、コ
ンパクトに形成でき、両室におけるウェハーの両搬送用
ベルトを互いに接近して設置できるので、装置がコンパ
クトになり、作業性もそれだけ向上する。なお、弁板
は、圧力差に抗して逆圧状態で開口をシールすることに
なるので、十分な剛性をもった弁板と、十分な推力をも
ったシリンダ（駆動源）を選定する必要がある。

上記した実施例において、弁板の駆動源として流体圧駆
動シリンダを用いた構造について説明したが、これに限
らないことは勿論であり、機械的駆動機構に代えること
も可能である。

次に第５図〜第９図を参照して基板支持体(24)の詳細に
ついて説明する。

基板支持体(24)の基板部(37)には、この上面より一段と
低くなったフォーク受入れ用凹所(51)が形成され、これ
に連通して一対の溝(52a)(52b)が形成されている。第６
図にはウェハー搬送用フォーク(8)の一部が図示されて
いるが、このフォーク部(8a)(8b)が溝(52a)(52b)に挿通
可能となっている。

溝(52a)(52b)の延在方向とは直角方向に基板支持体(24)
のウェハー搬出側半部には全高にわたって一対の平行な
切欠き(53a)(53b)が形成され、またこれらに整列してウ
ェハー搬入側半部にも一対の平行な切欠き(54a)(54b)が
形成されているが、第６図及び第８図に明示されるよう
に一端部においては全高にわたっておらず連結部(55)に
よって覆われている。

切欠き(53a)(53b)(54a)(54b)とは上下方向に整列してベ
ルトコンベヤ(56a)(56b)(57a)(57b)が配設され、これら
は基板支持体(24)が上下するときに切欠き(53a)(53b)(5
4a)(54b)を通過することができるようになっている。な
おベルトコンベヤ(56a)(56b)は全体として第３図に示す
ベルトコンベヤ(48)を構成するものである。

基板支持体(24)の中央上部には部分的環状の未処理基板
支持部である上段基板支持部(58)及びこれにより下方に
位置して同心的に部分的円形状の表面処理済基板支持部
である下段基板支持部下段基板支持部(59)が形成されて
いる。上段基板支持部(58)は第６図に明示されるように
円弧状の受面(58a)(58b)(58c)(58d)(58e)(58f)から成っ
ており、これらは同一レベル上にあるが、第７図及び第
８図で一点鎖線で示されているように、これから成る上
段基板支持部(58)上に未処理のウェハー(47)が載置され
るようになっている。また下段基板支持部(59)は同一レ
ベル上にあり各々、円の一部を構成する受面(59a)(59b)
(59c)(59d)(59e)(59f)(59g)から成っており、やはり第
７図及び第８図で一点鎖線で示されているように、これ
らには表面処理済のウェハー(47)′が載置されるように
なっている。

基板部(37)の底面には円形の段孔凹所(60)が形成されて
いるが、こゝに上述の駆動軸(25)の上端部が嵌着され、
図示せずともねじ等により固定されるようになってい
る。

以上は本実施例の構成について説明したが次に作用につ
いて説明する。

第10図Ａ〜Ｆは基板支持体(24)の各高さ位置を示してい
るが本実施例によれば基板支持体(24)は５つの高さ位置
を取る事が出来る。尚、バッファー室(3)から伸縮する
フォーク(8)のレベル及びベルトコンベヤ(56a)(56b)(57
a)(57b)のレベルは一定である。第10図に於て基板支持
体(24)の形状は簡略化して示されており、また上述した
ウェハーの上段支持部(58)及び下段支持部(59)は図面を
わかりやすくする為にコ字状の上アーム上及び下アーム
上としＵまたはＤでこれ等を示すものとする。すなわち
ＵとＤとは上段支持部(58)と下段支持部(59)との等価で
ある。今、基板支持体(24)は第10図Ａの高さ位置にあり
未処理のウェハー(47)は上段支持部Ｕに載置されている
ものとする。また両側壁部のゲートバルブ(10)(11)は閉
じているものとする（ゲートバルブ(6)は開で真空状態
にある）。この状態においてフォーク(8)はバッファ室
(3)から伸びてきて反応室(2a)又は(2b)から搬出した処
理済のウェハー(47)′を載置させて第10図Ａに示すよう
に上段支持部Ｕと下段支持部Ｄとの間に至る。

ここで基板支持体(24)は第10図Ｂで示す位置へと上昇す
る。この上昇途上において処理済のウェハー(47)′は下
段支持部Ｄ上に載置されて、こゝで停止し、尚、基板支
持体(24)は上昇し第10図Ｂの位置で停止するのである
が、こゝではフォーク(8)は処理済のウェハー(47)′か
ら離れて図示の位置（溝(52a)(52b)内）にある。この位
置においてフォーク(8)は矢印等で示す如くバッファー
室(3)へと後退する。

第10図Ｃに示すように基板支持体(24)は下降し再び第10
図Ａの高さと同じ位置を取る。ついで、フォーク(8)が
第10図Ｃで矢印で示すようにバッファー室(3)からウェ
ハー交換室(5)内に伸びてきて図示の位置を取る。基板
支持体(24)は下方へと移動し第10図Ｄの位置を取る。こ
れによりフォーク(8)により未処理のウェハー(47)が担
持される。ついで、フォーク(8)はバッファー室(3)へと
退却し、軸(9)のまわりに回転して開となっているゲー
トバルブ(16)又は(17)を通って未処理のウェハー(47)を
第１又は第２反応真空室(2a)又は(2b)内に搬入する。

第10図Ｅに示すように基板支持体(24)は更に下方へと移
動する。この位置でゲートバルブ(6)が閉じられウェハ
ー交換室(5)は大気にもどる。そしてゲートバルブ(10)
(11)が開けられる。

第10図Ｅの位置に基板支持体(24)が停止するとベルトコ
ンベヤ(56a)(56b)上に処理済のウェハー(47)′が図示す
る如く載せられる。こゝでゲートバルブ(10)(11)が開か
れているので処理済のウェハー(47)′は開口(11a)を通
りベルトコンベヤ(14)により移送されて、処理済のウェ
ハーカセット(15)内に導入される。基板支持体(24)は更
に下方へと移動し第10図Ｆの位置をとる。この位置では
ベルトコンベヤ(12)(57a)(57b)は基板支持体(24)の上段
支持部Ｕより上方に位置するのであるが、この位置で未
処理のウェハーストックカセット(13)から取出されたウ
ェハー(47)はベルトコンベヤ(12)により移送されて開口
(10a)を通ってウェハー交換室(5)内に導びかれる。つい
で基板支持体(24)は上方へと移動し再び第10図Ａの位置
を取る。即ちベルトコンベヤ(56a)(56b)(57a)(57b)は基
板支持体(24)の下方に位置する。未処理のウェハー(47)
は上段Ｕ上に載置される。こゝでゲートバルブ(10)(11)
が閉じられ交換室(5)内は真空状態に排気される。つい
で冒頭に述べた如くゲートバルブ(6)が開けられフォー
ク(8)がバッファ室(3)よりウェハー交換室(5)内に処理
済のウェハー(47)′を載せて第10図Ａに示す位置に至
る。以下、上述の操作を繰返す。

なお、以上の工程において処理済のウェハー(47)′が下
段支持部Ｄに載置されているときには基板支持体(24)の
基板部(37)内には冷却水が循環しているので、これとの
熱交換により処理済で熱いウェハー(47)′は冷却され
る。これによりウェハー交換室内から大気へと搬出され
るときには化学変化を殆んど受けることなく安定した状
態でカセット(15)内に収めることができる。

以上本発明の実施例について説明したが、勿論本発明は
これに限定されることなく本発明の技術的思想にもとづ
いて種々の変形が可能である。

例えば、以上の実施例では上段支持部(58)には未処理の
ウェハー(47)を載置し、下段支持部(59)には処理済のウ
ェハー(47)′を載置させるようにしたが、これ等の支持
部の段数を更に増加し、これ等を２つのグループに分け
て、一方のグループには未処理のウェハーをそれぞれ載
置するようにし、また他方のグループには各々処理済の
ウェハーを載置するようにしてもよい。処理済のウェハ
ー及び未処理のウェハー搬入及び搬出はそれぞれ同期し
て行うようにすればよい。この場合、段数に応じて搬入
搬出用のベルトコンベヤが必要であり、またバッファー
室から交換室へのまたこの逆のウェハーの搬入、搬出に
は複数のフォークが必要であるが、これ等のフォークを
上下に一体化して同期させるようにしてもよい。

また以上の実施例では下段の処理済のウェハーを支持す
る段は冷却するようにして、処理済のウェハーを冷却す
るようにしたが、更に上段の支持部に加熱手段を設け、
未処理の基板を前処理としての予備加熱をするようにし
てもよい。

この加熱したウェハーをバッファー室(3)及び反応室(2
a)又は(2b)に導入させるようにしてもよい。

更に、基板支持体(24)において上段支持部と下段支持部
との間に熱絶縁材を介設させ、上段支持部には加熱手段
を設け下段支持部には上記実施例と同様に冷却手段を設
けるようにしてもよい。

また以上の実施例では基板支持体(24)の高さ位置は５つ
としたが、更にこの数を増大させてそれぞれの高さの位
置において上記ウェハーの搬入、搬出方法以外の方法に
より搬入搬出を行うようにしてもよい。この場合、搬
入、搬出手段としてのベルトコンベヤ及びフォークのレ
ベルも実施例のように一箇所だけでなく、上下に複数、
設けるようにしてもよい。また搬入、搬出手段もフォー
クやベルトコンベヤに限定されることなく公知の種々の
手段が適用可能である。また以上の実施例では処理済の
ウェハーと未処理のウェハーとを別々のゲートバルブを
介して搬入、搬出するようにしているが、共通の一つの
ゲートバルブを介してこれを行なってもよい。

また以上の実施例ではバッファー室(3)の両側に反応室
(2a)(2b)が設けられたが、更に隣接して後側に第３の反
応室を設けるようにしてもよい。またゲートバルブ(6)
(10)(11)(16)(17)の構成もすべて実施例に示したものと
同一とせずともよい。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明の真空処理装置によれば排気サ
イクルを伴う、大気中と基板交換真空室との基板交換作
業は、基板の処理作業と平行して行うことができ、処理
室（反応真空室）の基板交換作業を最小時間で行うこと
ができ処理室の基板交換のための待ち時間を最小にする
ことができ装置全体を大巾にコンパクトにしながら生産
性を一段と向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に依るＣＶＤ装置全体の配置を
示す平面図、第２図は上記装置に於ける基板交換手段の
断面図、第３図は同基板交換手段に於けるゲートバルブ
の詳細を示す断面図、第４図は第３図に於ける一部分の
斜視図、第５図は同基板交換手段に於ける基板支持体の
拡大斜視図、第６図は同平面図、第７図は第６図に於け
るVII−VII線方向断面図、第８図は第６図に於けるVIII
−VIII線方向断面図、第９図は第６図に於けるIX−IX線
方向断面図、第10図Ａ乃至Ｆは本実施例の作用を示すた
めの要部の各側面図である。第11図は従来例の基板交換
手段を示す断面図である。なお図において、 (2a)(2b)……反応室 (3)……バッファー室 (5)……ウェハー交換室 (6)(10)(11)(16)(17)……ゲートバルブ (24)……基板支持体 (58)……基板上段支持部 (59)……基板下段支持部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭60−238479（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−47069（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板搬送手段を備えた中継真空室と、該中
継真空室に隣接しそれぞれ第１、第２ゲートバルブを介
して連通・非連通可能な第１、第２反応真空室と、前記
中継真空室に隣接し第３ゲートバルブを介してこれと連
通・非連通可能で基板交換手段を備えた基板交換真空室
とから成り、該基板交換真空室の側壁部には前記中継真
空室に対する第１の開口と、未処理基板を大気側から搬
入する第２の開口と、前記第１又は第２反応真空室で処
理された表面処理済基板を大気側へ搬出する第３の開口
とが形成され、これらの開口のうち前記第１の開口は前
記第３ゲートバルブで開閉され、前記第２の開口及び前
記第３の開口は第４ゲートバルブ及び第５ゲートバルブ
で開閉され、前記基板交換手段は、基板支持体と、該基
板支持体を駆動する昇降駆動部とから成り、前記基板支
持体には前記未処理基板を載置させ得るようにした少な
くとも１段の支持部で成る未処理基板支持部及び前記表
面処理済基板を載置させ得るようにした少なくとも１段
の支持部で成る表面処理済基板支持部を設け、前記基板
支持体を前記昇降駆動部により上下方向に複数の所定の
位置で停止するように駆動させるようにし、かつ前記中
継真空室内の前記基板搬送手段により前記表面処理済基
板を前記第１又は第２反応真空室から前記中継真空室を
経由して前記基板交換真空室内へ搬入させて前記基板支
持体の前記表面処理済基板支持部に載置させ、基板交換
真空室内から前記基板支持体の前記未処理基板支持部に
載置されている前記未処理基板を前記中継真空室を経由
して前記第１又は第２反応真空室内へ搬入するようにし
たことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】前記未処理基板支持部は一段の支持部でな
り、かつ前記表面処理済基板支持部も一段の支持部でな
り、これら支持部間の距離に応じて前記複数の所定の位
置を定めた請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】前記基板支持体の前記表面処理済基板支持
部に冷却手段を設けた前記第１項又は請求項２に記載の
真空処理装置。
【請求項４】前記基板支持体の前記未処理基板支持部に
加熱手段を設けた前記第１項又は請求項２に記載の真空
処理装置。
【請求項５】前記第４ゲートバルブ及び前記第５ゲート
バルブは前記基板交換真空室の側壁部に設けられた前記
第２の開口及び前記第３の開口の該基板交換真空室側の
開口を上向きに傾斜して設け、該開口を開閉する弁板
を、前記基板交換真空室の側壁を貫通して大気側に斜め
に引き出されたロッドを介して、大気側に設置された駆
動源によって昇降させることにより前記基板交換真空室
内が大気と連通又は遮断するように構成した前記第１項
又は請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項６】前記弁板は、その両側部間の長さが基板の
直径より大きく形成され、該両側部に取付けられ大気側
に引き出された２本のロッドを介して、大気側に設置さ
れたシリンダに連結されている前記第４項に記載の真空
処理装置。