JPH0668831B2 - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPH0668831B2 JPH0668831B2 JP3329286A JP3329286A JPH0668831B2 JP H0668831 B2 JPH0668831 B2 JP H0668831B2 JP 3329286 A JP3329286 A JP 3329286A JP 3329286 A JP3329286 A JP 3329286A JP H0668831 B2 JPH0668831 B2 JP H0668831B2
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は磁気的記憶装置、たとえば磁気ディスク装置
および磁気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体および
その製造方法に関するものである。
および磁気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体および
その製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。すなわ
ち第一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生をす
る方法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体
の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開
始時と同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記
憶体に予め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁
気記憶体面上に押しつけることにより前記ヘッドと前記
磁気記憶体面との間に空気層分の空間を作り、この状態
で記録再生する方法である。
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。すなわ
ち第一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生をす
る方法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体
の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開
始時と同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記
憶体に予め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁
気記憶体面上に押しつけることにより前記ヘッドと前記
磁気記憶体面との間に空気層分の空間を作り、この状態
で記録再生する方法である。
このように第一の方法では操作開始時および終了時にヘ
ッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第二の方法
ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦状
態にある。したがっていずれの場合もヘッドと磁気記憶
体の間には摩擦力が生じ、この摩擦力は、ヘッドおよび
磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を作ることがある。また前記接触摩擦状態に
おいてヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷
重を不均一にさせヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作
ることもある。更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと
磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取
りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転さ
せるモーターに好ましからぬ負担をかける。また記録再
生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し、ヘッドと
磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッドおよび磁気
記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
ッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第二の方法
ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦状
態にある。したがっていずれの場合もヘッドと磁気記憶
体の間には摩擦力が生じ、この摩擦力は、ヘッドおよび
磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を作ることがある。また前記接触摩擦状態に
おいてヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷
重を不均一にさせヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作
ることもある。更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと
磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取
りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転さ
せるモーターに好ましからぬ負担をかける。また記録再
生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し、ヘッドと
磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッドおよび磁気
記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
このようなヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッ
ドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面
に保護被膜を被覆して前記ヘッドと磁気記憶体間に生じ
る接触摩擦力を小さくすることが要求される。
ドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面
に保護被膜を被覆して前記ヘッドと磁気記憶体間に生じ
る接触摩擦力を小さくすることが要求される。
そのための方法の一つとして磁気記憶体の表面に潤滑層
を設けるということが行なわれている。この潤滑層は、
上記した接触摩擦力を小さくさせるものであることを要
するがそれとともに、潤滑層が下地体から取り去られた
り、あるいはヘッド周辺またはヘッドと磁気記憶体間に
凝集して記録再生時のヘッドの浮揚安定性に悪影響をお
よぼすことのないよう下地体と十分に結合していること
が必要である。したがって潤滑層は上記の接触摩擦力を
小さくさせるためにヘッドと磁気記憶体の界面に吸着な
いし凝着が起こりにくい非極性の分子層が介在している
ことが望ましく、したがって潤滑層は磁気記憶体と結合
する部分に配向していることが望ましい。
を設けるということが行なわれている。この潤滑層は、
上記した接触摩擦力を小さくさせるものであることを要
するがそれとともに、潤滑層が下地体から取り去られた
り、あるいはヘッド周辺またはヘッドと磁気記憶体間に
凝集して記録再生時のヘッドの浮揚安定性に悪影響をお
よぼすことのないよう下地体と十分に結合していること
が必要である。したがって潤滑層は上記の接触摩擦力を
小さくさせるためにヘッドと磁気記憶体の界面に吸着な
いし凝着が起こりにくい非極性の分子層が介在している
ことが望ましく、したがって潤滑層は磁気記憶体と結合
する部分に配向していることが望ましい。
このような潤滑層としてシリコンオイル、ふっ素油、フ
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどの塩化ケイ素類ま
たはシラザン類が提案されている（特開昭55−40932号
公報）。
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどの塩化ケイ素類ま
たはシラザン類が提案されている（特開昭55−40932号
公報）。
［発明が解決しようとする問題点］ これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの、オイ
ル類においては下地体である非晶質無機酸化物との結合
力が十分でなく、塩化ケイ素またはシラザン類において
はヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こり
にくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このため
オイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、塩化ケイ素またはシラザン類においてはヘッドと磁
気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全
でないという問題があった。
ル類においては下地体である非晶質無機酸化物との結合
力が十分でなく、塩化ケイ素またはシラザン類において
はヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こり
にくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このため
オイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、塩化ケイ素またはシラザン類においてはヘッドと磁
気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全
でないという問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。
その製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被
覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている
磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH ［Ｉ］ （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式
C2F4Oで示される構造単位および式CF2Oで示され
る構造単位が線状に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ
＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜30000の重合体で形
成された重合体層からなることを特徴とする磁気記憶体
であり、またその製造方法は、表面が鏡面の非磁性合金
層を被覆した合金円盤上または表面が鏡面の合金円盤上
に金属磁性薄膜媒体を被覆し、この上に非晶質無機酸化
物層を被覆し、さらにこの非晶質無機酸化物層の上に、
直接、または前記非晶質無機酸化物層の表面をプラズマ
中で処理した後に、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH ［Ｉ］ （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製
し、次いで式C2F4Oで示される構造単位および式C
F2Oで示される構造単位が線状に不規則に配列し、末
端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜3000
0の重合体を塗布し、または塗布後焼成して前記非晶質
無機酸化物層上に前記重合体層を設けることを特徴とす
る。
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被
覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている
磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH ［Ｉ］ （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式
C2F4Oで示される構造単位および式CF2Oで示され
る構造単位が線状に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ
＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜30000の重合体で形
成された重合体層からなることを特徴とする磁気記憶体
であり、またその製造方法は、表面が鏡面の非磁性合金
層を被覆した合金円盤上または表面が鏡面の合金円盤上
に金属磁性薄膜媒体を被覆し、この上に非晶質無機酸化
物層を被覆し、さらにこの非晶質無機酸化物層の上に、
直接、または前記非晶質無機酸化物層の表面をプラズマ
中で処理した後に、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH ［Ｉ］ （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製
し、次いで式C2F4Oで示される構造単位および式C
F2Oで示される構造単位が線状に不規則に配列し、末
端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜3000
0の重合体を塗布し、または塗布後焼成して前記非晶質
無機酸化物層上に前記重合体層を設けることを特徴とす
る。
この発明の要旨とするところは、水酸基およびカルボキ
シル基を両末端に有する物質を、ラングミュアーブロジ
ェット法のような単分子膜形成法によってカルボキシル
基またはその金属塩の非晶質無機酸化物層への固着力を
利用して酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に単分子層を
形成した後、末端に水酸基と化学結合する官能基をもつ
ふっ素油分子を塗布することである。すなわち、水酸基
およびカルボキシル基を両末端に有する物質の単分子層
を、酸化膜とふっ素油分子を強固に結びつけるバインダ
として使用し、さらに分子量の大きなふっ素油分子を使
用することで、ヘッドと下地体との界面に吸着ないし凝
集が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在させ、潤
滑層とヘッドとの接触摩擦力を小さくすることである。
バインダとして水酸基およびカルボキシル基を両末端に
有する物質の単分子層を用いること、および、非極性の
分子層として水酸基と化学結合するイソシアネート基を
有するふっ素油分子を用いることが重要な点である。
シル基を両末端に有する物質を、ラングミュアーブロジ
ェット法のような単分子膜形成法によってカルボキシル
基またはその金属塩の非晶質無機酸化物層への固着力を
利用して酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に単分子層を
形成した後、末端に水酸基と化学結合する官能基をもつ
ふっ素油分子を塗布することである。すなわち、水酸基
およびカルボキシル基を両末端に有する物質の単分子層
を、酸化膜とふっ素油分子を強固に結びつけるバインダ
として使用し、さらに分子量の大きなふっ素油分子を使
用することで、ヘッドと下地体との界面に吸着ないし凝
集が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在させ、潤
滑層とヘッドとの接触摩擦力を小さくすることである。
バインダとして水酸基およびカルボキシル基を両末端に
有する物質の単分子層を用いること、および、非極性の
分子層として水酸基と化学結合するイソシアネート基を
有するふっ素油分子を用いることが重要な点である。
本発明のバインダとして作用する前記一般式［Ｉ］で示
されるオキシカルボン酸は良好な単分子膜を形成するた
めにｎが10〜23の範囲のものが好ましい。
されるオキシカルボン酸は良好な単分子膜を形成するた
めにｎが10〜23の範囲のものが好ましい。
非晶質無機酸化物層上に上記一般式［Ｉ］で示される化
合物の単分子層を形成する方法としてはたとえばラング
ミュアーブロジェット法があげられる。この際、オキシ
カルボン酸の水酸基はあらかじめ疎水基に変換しておく
ことにより、もう一方の官能基であるカルボキシル基が
水素結合等を介して非晶質無機酸化物層と結合し、強固
な単分子膜が形成される。またカルボキシル基はそのま
まの状態でも、あるいはラングミュアーブロジェット法
による吸着の際に用いる水相に、カドミウム、バリウム
などの２価金属イオンを加えておき、カルボン酸の金属
塩として、上記物質を吸着させてもよい。
合物の単分子層を形成する方法としてはたとえばラング
ミュアーブロジェット法があげられる。この際、オキシ
カルボン酸の水酸基はあらかじめ疎水基に変換しておく
ことにより、もう一方の官能基であるカルボキシル基が
水素結合等を介して非晶質無機酸化物層と結合し、強固
な単分子膜が形成される。またカルボキシル基はそのま
まの状態でも、あるいはラングミュアーブロジェット法
による吸着の際に用いる水相に、カドミウム、バリウム
などの２価金属イオンを加えておき、カルボン酸の金属
塩として、上記物質を吸着させてもよい。
本発明においては単分子膜の構成成分として上記一般式
［Ｉ］で示される化合物のほかに、ミリスチン酸のよう
な長鎖アルキルカルボン酸等の親水基、疎水基をあわせ
もつ化合物を含有させることができるが、バインダとし
ての作用を十分に発揮するためには一般式［Ｉ］の化合
物が全有機化合物中の10重量％以上を占めていることが
望ましい。
［Ｉ］で示される化合物のほかに、ミリスチン酸のよう
な長鎖アルキルカルボン酸等の親水基、疎水基をあわせ
もつ化合物を含有させることができるが、バインダとし
ての作用を十分に発揮するためには一般式［Ｉ］の化合
物が全有機化合物中の10重量％以上を占めていることが
望ましい。
このようにして得られた単分子層は、水酸基が疎水基に
変換されている場合には再び水酸基とした後、イソシア
ネート基を有する重合体を塗布する。この重合体は式
C2F4Oおよび式CF2Oを繰り返し単位とするが、こ
の両単位の割合は任意に選択することができる。重合体
の分子量は、繰り返し単位１つ分である500以上、かつ
合成が容易で適当な溶媒に溶解可能な30000以下であれ
ばよいが、通常1000〜10000のものがより好適に用いら
れる。
変換されている場合には再び水酸基とした後、イソシア
ネート基を有する重合体を塗布する。この重合体は式
C2F4Oおよび式CF2Oを繰り返し単位とするが、こ
の両単位の割合は任意に選択することができる。重合体
の分子量は、繰り返し単位１つ分である500以上、かつ
合成が容易で適当な溶媒に溶解可能な30000以下であれ
ばよいが、通常1000〜10000のものがより好適に用いら
れる。
本発明ではバインダとしての前記単分子層と前記重合体
層との組み合わせたものを潤滑層として用いることによ
って下地体と強固に結合させることができるが、非晶質
無機酸化物形成後の下地体をプラズマ中で処理してから
前記潤滑層を作製すれば、表面のクリーニングが完全に
なること、およびイオンの打ち込みにより非晶質無機酸
化物層の表面がさらに親水性になるなどの理由で下地体
と潤滑剤の結合はさらに強固になる。
層との組み合わせたものを潤滑層として用いることによ
って下地体と強固に結合させることができるが、非晶質
無機酸化物形成後の下地体をプラズマ中で処理してから
前記潤滑層を作製すれば、表面のクリーニングが完全に
なること、およびイオンの打ち込みにより非晶質無機酸
化物層の表面がさらに親水性になるなどの理由で下地体
と潤滑剤の結合はさらに強固になる。
更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応を起こさせ、単分子層と重合体とを結合させた後、フ
レオン洗浄することにより単分子層と結合していない余
分の潤滑剤がとりさられ、非常に薄い潤滑層が形成され
る。
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応を起こさせ、単分子層と重合体とを結合させた後、フ
レオン洗浄することにより単分子層と結合していない余
分の潤滑剤がとりさられ、非常に薄い潤滑層が形成され
る。
［作用］ 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいはSiO2、ガラス、ア
ルミナなどのスパッタ膜である。本発明の水酸基および
カルボキシル基を両末端に有する物質は、水酸基を一時
的に化学的な方法で疎水基に変換しておけば、ラングミ
ュアーブロジェット法を用いて前記非晶質無機酸化物の
表面に単分子層として強固に吸着させることができる。
このようにして得られた単分子層は、カルボキシル基ま
たはその金属塩の強い親水性により、非晶質無機酸化物
層と強固に結合する。この単分子層を吸着後に水酸基を
一時的に変換しておいた疎水基を再び化学的な方法でも
との水酸基にもどしてやれば、水酸基が基板と反対側を
向いて並んでいるためイソシアネート基を有するふっ素
油分子と化学結合をつくることができ、非晶質無機酸化
物とふっ素分子を強固に結びつけるバインダの役割を果
たすことができる。一方、ふっ素油分子は表面エネルギ
ーを低下させ、優れた潤滑効果を示す。したがってこの
単分子層とふっ素油分子層との組み合わせにより、下地
体と潤滑剤層とが強固に結合し、しかも潤滑効果の優れ
た磁気記憶体を得ることができる。単分子層と重合体の
化学反応は塗布後自然に進行するが、焼成すれば短時間
ですむ。
ルミナなどのスパッタ膜である。本発明の水酸基および
カルボキシル基を両末端に有する物質は、水酸基を一時
的に化学的な方法で疎水基に変換しておけば、ラングミ
ュアーブロジェット法を用いて前記非晶質無機酸化物の
表面に単分子層として強固に吸着させることができる。
このようにして得られた単分子層は、カルボキシル基ま
たはその金属塩の強い親水性により、非晶質無機酸化物
層と強固に結合する。この単分子層を吸着後に水酸基を
一時的に変換しておいた疎水基を再び化学的な方法でも
との水酸基にもどしてやれば、水酸基が基板と反対側を
向いて並んでいるためイソシアネート基を有するふっ素
油分子と化学結合をつくることができ、非晶質無機酸化
物とふっ素分子を強固に結びつけるバインダの役割を果
たすことができる。一方、ふっ素油分子は表面エネルギ
ーを低下させ、優れた潤滑効果を示す。したがってこの
単分子層とふっ素油分子層との組み合わせにより、下地
体と潤滑剤層とが強固に結合し、しかも潤滑効果の優れ
た磁気記憶体を得ることができる。単分子層と重合体の
化学反応は塗布後自然に進行するが、焼成すれば短時間
ですむ。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
（実施例１） 第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を概略的に示す
断面図である。図面において本発明の磁気記憶体７は、
合金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の
研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さら
にこの上に非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの
上に単分子膜５および重合体層６よりなる潤滑剤が被覆
されている。
断面図である。図面において本発明の磁気記憶体７は、
合金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の
研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さら
にこの上に非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの
上に単分子膜５および重合体層６よりなる潤滑剤が被覆
されている。
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向および半径方向でともに50μｍ以
下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウム
合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケル−燐（Ni−
Ｐ）合金を約50μｍの厚さにメッキし、このNi−Ｐメッ
キ膜を機械的研磨により表面粗さ0.04μｍ以下、厚さ約
30μｍまで鏡面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜
媒体３としてコバルト−ニッケル−燐（Co−Ni−Ｐ）合
金を約0.05μｍの厚さにメッキした。さらにこのCo−Ni
−Ｐ合金膜の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合
し、ごみまたは析出したSiO2をろ過膜を通して取り除い
た後、回転塗布法により塗布した。
さなうねり（円周方向および半径方向でともに50μｍ以
下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウム
合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケル−燐（Ni−
Ｐ）合金を約50μｍの厚さにメッキし、このNi−Ｐメッ
キ膜を機械的研磨により表面粗さ0.04μｍ以下、厚さ約
30μｍまで鏡面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜
媒体３としてコバルト−ニッケル−燐（Co−Ni−Ｐ）合
金を約0.05μｍの厚さにメッキした。さらにこのCo−Ni
−Ｐ合金膜の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合
し、ごみまたは析出したSiO2をろ過膜を通して取り除い
た後、回転塗布法により塗布した。
テトラヒドロキシシラン11％エチルアルコール溶液 :20
重量％ ｎ−ブチルアルコール :80重量％ その後このディスク基盤を200℃の温度で３時間焼成しC
o−Ni−Ｐ合金膜の上に非晶質無機酸化物６であるポリ
珪酸の被膜を形成した。
重量％ ｎ−ブチルアルコール :80重量％ その後このディスク基盤を200℃の温度で３時間焼成しC
o−Ni−Ｐ合金膜の上に非晶質無機酸化物６であるポリ
珪酸の被膜を形成した。
この基板に16−ヒドロキシパルミチン酸［HO（CH2）15C
OOH］のイソプロピルジメチルシリルエーテルエステル
［（CH3）２（CH3）2CHSiO（CH2）15COOSiCH（CH3）２
（CH3）２］を原料として、pH4.5の水相を用いるラング
ミュアーブロジェット法によって16−ヒドロキシパルミ
チン酸のイソプロピルジメチルシリルエーテル［（C
H3）２（CH3）2CHSiO（CH2）15COOH］の単分子膜を形成
した。続いてこの基板を、酢酸−水（3:1）溶液に10分
間浸漬して16−ヒドロキシパルミチン酸の単分子膜５と
した。続いて、分子量約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F
4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（p:q＝1:1、各
構造単位は不規則である）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフィルターを通してろ過
した。この溶液を16−ヒドロキシパルミチン酸の単分子
層を形成した前記ディスク基板に2500回／分の回転速度
で回転塗布し、100℃の温度で40分間焼成を行なった
後、フレオンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落と
して重合体層６を形成した。
OOH］のイソプロピルジメチルシリルエーテルエステル
［（CH3）２（CH3）2CHSiO（CH2）15COOSiCH（CH3）２
（CH3）２］を原料として、pH4.5の水相を用いるラング
ミュアーブロジェット法によって16−ヒドロキシパルミ
チン酸のイソプロピルジメチルシリルエーテル［（C
H3）２（CH3）2CHSiO（CH2）15COOH］の単分子膜を形成
した。続いてこの基板を、酢酸−水（3:1）溶液に10分
間浸漬して16−ヒドロキシパルミチン酸の単分子膜５と
した。続いて、分子量約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F
4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（p:q＝1:1、各
構造単位は不規則である）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフィルターを通してろ過
した。この溶液を16−ヒドロキシパルミチン酸の単分子
層を形成した前記ディスク基板に2500回／分の回転速度
で回転塗布し、100℃の温度で40分間焼成を行なった
後、フレオンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落と
して重合体層６を形成した。
重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上43erg／cm2から重合体塗布後では16erg／c
m2と表面エネルギーが著しく低下しヘッドと下地体との
接着を防止する効果が大きいことがわかった。
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上43erg／cm2から重合体塗布後では16erg／c
m2と表面エネルギーが著しく低下しヘッドと下地体との
接着を防止する効果が大きいことがわかった。
次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結
し、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッ
ドとディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加
えた荷重で割って求めた。測定は荷重15g、滑り速度100
mm／minの条件で行なった。その結果、動摩擦係数の値
として0.175が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、
極めて動摩擦係数の値を小さくすることができた。
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結
し、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッ
ドとディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加
えた荷重で割って求めた。測定は荷重15g、滑り速度100
mm／minの条件で行なった。その結果、動摩擦係数の値
として0.175が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、
極めて動摩擦係数の値を小さくすることができた。
また、この重合体を塗布したディスク基板と荷重70gの
モノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触摩
擦試験を30000回繰り返し行なったが、ヘッドクラッシ
ュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの表面状
態の変化は皆無であった。
モノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触摩
擦試験を30000回繰り返し行なったが、ヘッドクラッシ
ュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの表面状
態の変化は皆無であった。
（実施例２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板に同じ方法で16−ヒドロキシパルミチン
酸を形成した。分子量約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F
4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（p:q＝4:1、各
構造単位は不規則である）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフィルターを通してろ過
した。単分子層を形成した前記ディスク基板にこの重合
体2500回／分の回転速度で回転塗布し100℃の温度で40
分間焼成した後フレオンで余分な重合体を洗い落とし
た。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係
数の値を求めた。その結果、重合体を塗布することによ
り表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上43erg／cm2から
16erg／cm2と低下し、動摩擦係数の値は0.546から0.172
に小さくすることができた。
たディスク基板に同じ方法で16−ヒドロキシパルミチン
酸を形成した。分子量約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F
4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（p:q＝4:1、各
構造単位は不規則である）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフィルターを通してろ過
した。単分子層を形成した前記ディスク基板にこの重合
体2500回／分の回転速度で回転塗布し100℃の温度で40
分間焼成した後フレオンで余分な重合体を洗い落とし
た。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係
数の値を求めた。その結果、重合体を塗布することによ
り表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上43erg／cm2から
16erg／cm2と低下し、動摩擦係数の値は0.546から0.172
に小さくすることができた。
また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、30000回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例３） 実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のCo−Ni
−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにAl2O3（非晶
質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。このディス
ク基板に実施例１と同じ方法で16−ヒドロキシパルミチ
ン酸の単分子層を形成した。実施例１で作成した重合体
溶液を2500回／分で回転塗布し100℃の温度で40分間焼
成した後フレオンで余分な重合体を洗いおとし、実施例
１と同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求
めた。その結果、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の
45erg／cm2から重合体上15erg／cm2に低下し動摩擦係数
の値は0.270から0.180に小さくすることができた。
−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにAl2O3（非晶
質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。このディス
ク基板に実施例１と同じ方法で16−ヒドロキシパルミチ
ン酸の単分子層を形成した。実施例１で作成した重合体
溶液を2500回／分で回転塗布し100℃の温度で40分間焼
成した後フレオンで余分な重合体を洗いおとし、実施例
１と同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求
めた。その結果、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の
45erg／cm2から重合体上15erg／cm2に低下し動摩擦係数
の値は0.270から0.180に小さくすることができた。
また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試験による
ディスク表面状態の変化は皆無であった。
ディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例４） 実施例１と同じ基板に、ラングミュアーブロジェット法
によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピル
ジメチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:1
混合物を原料として、おなじ操作を行ない16−ヒドロキ
シパルミチン酸とミリスチン酸の1:1混合物よりなる単
分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして
実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ
珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に低
下し動摩擦係数の値として重合体塗布後0.176が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることが
できた。
によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピル
ジメチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:1
混合物を原料として、おなじ操作を行ない16−ヒドロキ
シパルミチン酸とミリスチン酸の1:1混合物よりなる単
分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして
実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ
珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に低
下し動摩擦係数の値として重合体塗布後0.176が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることが
できた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例５） 実施例４と同様に、ラングミュアーブロジェット法によ
って、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメ
チルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:3混合
物を原料として、おなじ操作を行ない16−ヒドロキシパ
ルミチン酸とミリスチン酸の1:3混合物よりなる単分子
膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験
を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸
被膜上の43erg／cm2から重合体上の15erg／cm2に低下
し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.171が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることが
できた。
って、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメ
チルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:3混合
物を原料として、おなじ操作を行ない16−ヒドロキシパ
ルミチン酸とミリスチン酸の1:3混合物よりなる単分子
膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験
を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸
被膜上の43erg／cm2から重合体上の15erg／cm2に低下
し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.171が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることが
できた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例６） 実施例５と同様に、ラングミュアーブロジェット法によ
って、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメ
チルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:3混合
物を原料として、おなじ操作を行なった。ただし、ラン
グミュアーブロジェット法による吸着の際に、水相に塩
酸を加えてpHを4.2に調製した2.5×10-4mole／の塩化
カドミウム水溶液を用いて、16−ヒドロキシパルミチン
酸とミリスチン酸の1:3混合物のカドミウム塩よりなる
単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にし
て実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポ
リ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に
低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.170が得
られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすること
ができた。
って、16−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメ
チルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の1:3混合
物を原料として、おなじ操作を行なった。ただし、ラン
グミュアーブロジェット法による吸着の際に、水相に塩
酸を加えてpHを4.2に調製した2.5×10-4mole／の塩化
カドミウム水溶液を用いて、16−ヒドロキシパルミチン
酸とミリスチン酸の1:3混合物のカドミウム塩よりなる
単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にし
て実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポ
リ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に
低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.170が得
られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすること
ができた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例７） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例４と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:1混合物を原料として、おなじ操作を行ない16
−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の1:1混合物
よりなる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く
同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の15er
g／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.
174が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくす
ることができた。
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例４と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:1混合物を原料として、おなじ操作を行ない16
−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の1:1混合物
よりなる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く
同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の15er
g／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.
174が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくす
ることができた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例５と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:3混合物を原料として、おなじ操作を行ない16
−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の1:3混合物
よりなる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く
同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16er
g／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.
172が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくす
ることができた。
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例５と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:3混合物を原料として、おなじ操作を行ない16
−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の1:3混合物
よりなる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く
同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の16er
g／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後0.
172が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくす
ることができた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
るディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例９） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例６と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:3混合物を原料として、水相に塩酸を加えてpH
を4.2に調製した2.5×10-4mole／の塩化カドミウム水
溶液を用いて、16−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチ
ン酸の1:3混合物のカドミウム塩よりなる単分子膜を作
製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行な
った。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上
の43erg／cm2から重合体上の17erg／cm2に低下し、動摩
擦係数の値として重合体塗布後0.178が得られ、ポリ珪
酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることができた。
たディスク基板を平行平板型のエッチング装置に入れ、
Arを用いて、流量18sccm、電力密度0.35W／cm2、圧力1.
3Pa、バイアス電位1KVの条件で２分間エッチングを行な
った後、続いて実施例６と同様に、ラングミュアーブロ
ジェット法によって、16−ヒドロキシパルミチン酸のイ
ソプロピルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチ
ン酸の1:3混合物を原料として、水相に塩酸を加えてpH
を4.2に調製した2.5×10-4mole／の塩化カドミウム水
溶液を用いて、16−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチ
ン酸の1:3混合物のカドミウム塩よりなる単分子膜を作
製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行な
った。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上
の43erg／cm2から重合体上の17erg／cm2に低下し、動摩
擦係数の値として重合体塗布後0.178が得られ、ポリ珪
酸被膜上の0.546に比べ、小さくすることができた。
また、他の実施例と同様に30000回の接触摩擦試験によ
るディスク表面の状態の変化は皆無であった。
るディスク表面の状態の変化は皆無であった。
［発明の効果］ このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きい。
また潤滑剤と下地体とが強固に結合しているので繰り返
し使用してもディスク表面状態は良好に保持される。し
たがって磁気ディスク装置や磁気ドラム装置等に応用す
るのに適している。
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きい。
また潤滑剤と下地体とが強固に結合しているので繰り返
し使用してもディスク表面状態は良好に保持される。し
たがって磁気ディスク装置や磁気ドラム装置等に応用す
るのに適している。
第１図は本発明の磁気記憶体を概略的に示す断面図であ
る。 １……合金円盤、２……非磁性合金層 ３……金属磁性薄膜媒体、４……非晶質無機酸化物 ５……単分子膜、６……重合体層 ７……磁気記憶体
る。 １……合金円盤、２……非磁性合金層 ３……金属磁性薄膜媒体、４……非晶質無機酸化物 ５……単分子膜、６……重合体層 ７……磁気記憶体
Claims (3)
- 【請求項１】表面が鏡面に非磁性合金層が被覆された合
金円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜
媒体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が
被覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されてい
る磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式
C2F4Oで示される構造単位および式CF2Oで示され
る構造単位が線状に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ
＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜30000の重合体で形
成された重合体層からなることを特徴とする磁気記憶
体。 - 【請求項２】表面が鏡面に非磁性合金層を被覆した合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さ
らにこの非晶質無機酸化物層の上に、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製
し、次いで式C2F4Oで示される構造単位および式C
F2Oで示される構造単位が線状に不規則に配列し、末
端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜3000
0の重合体を塗布し、または塗布後焼成して前記非晶質
無機酸化物層上に前記重合体層を設けることを特徴とす
る磁気記憶体の製造方法。 - 【請求項３】表面が鏡面に非磁性合金層を被覆した合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プ
ラズマ中で処理した後に、前記非晶質無機酸化物層の上
に、一般式 HO−（CH2）ｎ−COOH （ｎは10以上23以下の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製
し、次いで式C2F4Oで示される構造単位および式C
F2Oで示される構造単位が線状に不規則に配列し、末
端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−で示される分子量500〜3000
0の重合体を塗布し、または塗布後焼成して前記非晶質
無機酸化物層上に前記重合体層を設けることを特徴とす
る磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329286A JPH0668831B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3329286A JPH0668831B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62189624A JPS62189624A (ja) | 1987-08-19 |
| JPH0668831B2 true JPH0668831B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=12382463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3329286A Expired - Lifetime JPH0668831B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668831B2 (ja) |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP3329286A patent/JPH0668831B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62189624A (ja) | 1987-08-19 |
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